JPH06252528A - プリント基板およびその製造方法 - Google Patents
プリント基板およびその製造方法Info
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- JPH06252528A JPH06252528A JP5033043A JP3304393A JPH06252528A JP H06252528 A JPH06252528 A JP H06252528A JP 5033043 A JP5033043 A JP 5033043A JP 3304393 A JP3304393 A JP 3304393A JP H06252528 A JPH06252528 A JP H06252528A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体薄膜の厚さの制御の精度向上を図る。
【構成】 １はプリント基板、２はこのプリント基板１
上に形成された配線用導体、４は第一の金属膜、７は上
部電極用導体膜である。そして、第一の金属膜は陽極酸
化が困難な金属で形成され、６は陽極酸化が容易な第二
の金属膜を酸化することによって形成された金属酸化物
誘電体膜である。
上に形成された配線用導体、４は第一の金属膜、７は上
部電極用導体膜である。そして、第一の金属膜は陽極酸
化が困難な金属で形成され、６は陽極酸化が容易な第二
の金属膜を酸化することによって形成された金属酸化物
誘電体膜である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板上に薄膜
コンデンサを直接形成したプリント基板およびその製造
方法に関する。
コンデンサを直接形成したプリント基板およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のプリント基板の製造方法は、例
えば特開昭５５−１６６９１６号公報に開示されたもの
がある。これを図８に基づいて説明すると、符号１７で
示すものは絶縁基板、１８はこの絶縁基板１７に形成さ
れたタンタル薄膜、１９はタンタル薄膜１８の表面の一
部を陽極酸化して得られた誘電体層、２０は電極用の導
体薄膜である。
えば特開昭５５−１６６９１６号公報に開示されたもの
がある。これを図８に基づいて説明すると、符号１７で
示すものは絶縁基板、１８はこの絶縁基板１７に形成さ
れたタンタル薄膜、１９はタンタル薄膜１８の表面の一
部を陽極酸化して得られた誘電体層、２０は電極用の導
体薄膜である。
【０００３】次に、このように構成されたプリント基板
の製造方法を説明する。まず、同図（ａ）に示すよう
に、絶縁基板１７にスパッタ法によりタンタル薄膜１８
を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、タンタル
薄膜１８上にフォトレジスト３を塗布し、同図（ｃ）に
示すように、写真製版技術を用いて露光、現像、ポスト
ベーク後除去開口し、同図（ｄ）に示すように、タンタ
ル薄膜１８の一部をエッチングにより除去する。次に、
同図（ｅ）に示すように、フォトレジスト３を再度露
光、現像、ポストベーク後、タンタル薄膜１８の所定領
域が陽極酸化できるようにフォトレジスト３の一部を除
去する。しかるのち、同図（ｆ）に示すように、タンタ
ル薄膜１８の陽極酸化を行うため、電界液中に浸漬通電
し、必要な厚みまで誘電体層１９を形成する。そして、
同図（ｇ）に示すように、フォトレジスト３を除去し、
基板全体に導体薄膜２０を真空蒸着により形成後、同図
（ｈ）に示すように、選択エッチングにより電極部を形
成することにより、タンタル薄膜コンデンサを製造する
ものである。
の製造方法を説明する。まず、同図（ａ）に示すよう
に、絶縁基板１７にスパッタ法によりタンタル薄膜１８
を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、タンタル
薄膜１８上にフォトレジスト３を塗布し、同図（ｃ）に
示すように、写真製版技術を用いて露光、現像、ポスト
ベーク後除去開口し、同図（ｄ）に示すように、タンタ
ル薄膜１８の一部をエッチングにより除去する。次に、
同図（ｅ）に示すように、フォトレジスト３を再度露
光、現像、ポストベーク後、タンタル薄膜１８の所定領
域が陽極酸化できるようにフォトレジスト３の一部を除
去する。しかるのち、同図（ｆ）に示すように、タンタ
ル薄膜１８の陽極酸化を行うため、電界液中に浸漬通電
し、必要な厚みまで誘電体層１９を形成する。そして、
同図（ｇ）に示すように、フォトレジスト３を除去し、
基板全体に導体薄膜２０を真空蒸着により形成後、同図
（ｈ）に示すように、選択エッチングにより電極部を形
成することにより、タンタル薄膜コンデンサを製造する
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプリント基板の製造方法においては、誘電体層
１９の膜厚や性質が陽極酸化時の電解液の濃度、電流密
度、温度等の条件に強く依存し、このため、薄膜コンデ
ンサの容量等電気特性を精度よく制御するためには、誘
電体膜の成膜条件を厳密に制御する必要があり、特性の
再現性に問題があった。したがって、本発明は上記した
従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、誘電体薄膜の厚さを精度よく制御し、高精
度の薄膜コンデンサを直接形成したプリント基板および
その製造方法を提供することにある。
た従来のプリント基板の製造方法においては、誘電体層
１９の膜厚や性質が陽極酸化時の電解液の濃度、電流密
度、温度等の条件に強く依存し、このため、薄膜コンデ
ンサの容量等電気特性を精度よく制御するためには、誘
電体膜の成膜条件を厳密に制御する必要があり、特性の
再現性に問題があった。したがって、本発明は上記した
従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、誘電体薄膜の厚さを精度よく制御し、高精
度の薄膜コンデンサを直接形成したプリント基板および
その製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るプリント基板は、電気配線が形成され
たプリント基板上に下部電極を設け、この下部電極の金
属膜の一部を酸化処理して酸化物誘電体薄膜を形成する
とともに、この誘電体薄膜上に導電体膜を形成して上部
電極とすることにより薄膜コンデンサを前記プリント基
板上に直接形成したプリント基板であって、前記下部電
極の金属膜を、下部に配設した酸化処理が困難な第一の
金属膜と、上部に配設した酸化処理が容易な第二の金属
膜との複合金属膜とで構成し、第二の金属膜に酸化処理
を施す。また、本発明に係るプリント基板は、複合金属
膜のうち上部に配設した酸化処理が容易な金属膜を複数
の金属材料の混合物により構成する。また、本発明に係
るプリント基板は、複合金属膜上に、下部に配設した酸
化処理が困難な金属膜と上部に配設した酸化処理が容易
な金属膜とで構成される別の複合金属膜を積層するとと
もに、第二の金属膜に酸化処理を施し、多層構造の薄膜
コンデンサを形成する。また、本発明に係るプリント基
板は、薄膜コンデンサを覆うようにしてプリント基板上
に絶縁層を積層しこの絶縁層内に薄膜コンデンサを埋設
するとともに、この絶縁層上に電気配線を施す。また、
本発明に係るプリント基板の製造方法は、金属膜を形成
する前に、プリント基板表面に樹脂を塗布する。また、
本発明に係るプリント基板の製造方法は、複合金属膜の
上部に配設した金属層を酸化処理して酸化物誘電体薄膜
を形成後、この酸化物誘電体薄膜上に気相成長法により
別の誘電体膜を形成して二層の誘電体を形成する。
に、本発明に係るプリント基板は、電気配線が形成され
たプリント基板上に下部電極を設け、この下部電極の金
属膜の一部を酸化処理して酸化物誘電体薄膜を形成する
とともに、この誘電体薄膜上に導電体膜を形成して上部
電極とすることにより薄膜コンデンサを前記プリント基
板上に直接形成したプリント基板であって、前記下部電
極の金属膜を、下部に配設した酸化処理が困難な第一の
金属膜と、上部に配設した酸化処理が容易な第二の金属
膜との複合金属膜とで構成し、第二の金属膜に酸化処理
を施す。また、本発明に係るプリント基板は、複合金属
膜のうち上部に配設した酸化処理が容易な金属膜を複数
の金属材料の混合物により構成する。また、本発明に係
るプリント基板は、複合金属膜上に、下部に配設した酸
化処理が困難な金属膜と上部に配設した酸化処理が容易
な金属膜とで構成される別の複合金属膜を積層するとと
もに、第二の金属膜に酸化処理を施し、多層構造の薄膜
コンデンサを形成する。また、本発明に係るプリント基
板は、薄膜コンデンサを覆うようにしてプリント基板上
に絶縁層を積層しこの絶縁層内に薄膜コンデンサを埋設
するとともに、この絶縁層上に電気配線を施す。また、
本発明に係るプリント基板の製造方法は、金属膜を形成
する前に、プリント基板表面に樹脂を塗布する。また、
本発明に係るプリント基板の製造方法は、複合金属膜の
上部に配設した金属層を酸化処理して酸化物誘電体薄膜
を形成後、この酸化物誘電体薄膜上に気相成長法により
別の誘電体膜を形成して二層の誘電体を形成する。
【０００６】
【作用】本発明によれば、下部電極の複合金属膜を、陽
極酸化法により酸化すると、上部に配設した酸化処理が
容易な金属膜の酸化が進行し、下部に配設した酸化処理
が困難な金属膜のところで酸化が停止して、選択的に金
属酸化物の誘電体膜が形成されている。また、本発明に
よれば、複合金属膜のうち上部に配設した酸化処理が容
易な金属膜を複数の金属材料の混合物により構成して、
構成金属材料の組成比を選択することによって金属酸化
膜の誘電特性を可変できる。また、本発明によれば、金
属膜を形成する前に、プリント基板表面に樹脂を塗布す
ることにより、多層プリント基板をプレス等で作製する
際の表面の凹凸や傷がコーティングされる。
極酸化法により酸化すると、上部に配設した酸化処理が
容易な金属膜の酸化が進行し、下部に配設した酸化処理
が困難な金属膜のところで酸化が停止して、選択的に金
属酸化物の誘電体膜が形成されている。また、本発明に
よれば、複合金属膜のうち上部に配設した酸化処理が容
易な金属膜を複数の金属材料の混合物により構成して、
構成金属材料の組成比を選択することによって金属酸化
膜の誘電特性を可変できる。また、本発明によれば、金
属膜を形成する前に、プリント基板表面に樹脂を塗布す
ることにより、多層プリント基板をプレス等で作製する
際の表面の凹凸や傷がコーティングされる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１は本発明に係るプリント基板の一実施例を示す
側断面図、図２は同じく製造方法を示す側断面図であ
る。これらの図において、１はプリント基板、２はこの
プリント基板１上に形成された配線用導体、４は陽極酸
化が困難な金属である金（Ａｕ）からなる第一の金属
膜、６はこの第一の金属膜４上に形成された陽極酸化が
容易な金属であるアルミニウム（Ａｌ）の第二の金属膜
５を酸化することによって形成された金属酸化物誘電体
膜、７はこの誘電体膜６上に形成された上部電極用導体
膜である。
る。図１は本発明に係るプリント基板の一実施例を示す
側断面図、図２は同じく製造方法を示す側断面図であ
る。これらの図において、１はプリント基板、２はこの
プリント基板１上に形成された配線用導体、４は陽極酸
化が困難な金属である金（Ａｕ）からなる第一の金属
膜、６はこの第一の金属膜４上に形成された陽極酸化が
容易な金属であるアルミニウム（Ａｌ）の第二の金属膜
５を酸化することによって形成された金属酸化物誘電体
膜、７はこの誘電体膜６上に形成された上部電極用導体
膜である。
【０００８】次に、このように構成されたプリント基板
の製造方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すよう
に、プリント基板１上に配線用導体２を形成し、同図
（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜３を塗布し、同
図（ｃ）に示すように、写真製版技術を用いて露光、現
像、ポストベークを経て所定の領域を開口する。次に、
同図（ｄ）に示すように、下部金属膜として酸化停止層
となる陽極酸化が困難な第一の金属膜４を蒸着、スパッ
タあるいはめっき等により形成する。引き続き、同図
（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３を除去して、
リフトオフによってフォトレジスト膜３上の不要な第一
の金属膜４も一緒に除去し、同図（ｆ）に示すように、
残った第一の金属膜４上に、陽極酸化が容易な第二の金
属膜５を形成する。
の製造方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すよう
に、プリント基板１上に配線用導体２を形成し、同図
（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜３を塗布し、同
図（ｃ）に示すように、写真製版技術を用いて露光、現
像、ポストベークを経て所定の領域を開口する。次に、
同図（ｄ）に示すように、下部金属膜として酸化停止層
となる陽極酸化が困難な第一の金属膜４を蒸着、スパッ
タあるいはめっき等により形成する。引き続き、同図
（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３を除去して、
リフトオフによってフォトレジスト膜３上の不要な第一
の金属膜４も一緒に除去し、同図（ｆ）に示すように、
残った第一の金属膜４上に、陽極酸化が容易な第二の金
属膜５を形成する。
【０００９】しかるのち、同図（ｇ）に示すように、第
二の金属膜５を陽極酸化処理することによって、酸化物
誘電体薄膜６を形成する。本実施例の場合には、第二の
金属膜５として、アルミニウム（Ａｌ）を用いており、
リン酸塩等の電解液を使用して電解を印加することによ
って、酸化物誘電体膜６としてアルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）
が形成される。この陽極酸化は第一の金属膜４の表面に
達し、停止するまで行われる。なお、この陽極酸化の際
には、第二の金属膜５以外の部分はフォトレジスト膜
（図示せず）を覆っておく。そして、フォトレジスト膜
を除去し、同図（ｈ）で示すように、上部電極用導体金
属膜７を蒸着あるいはめっき等によって形成し、最後に
不要部分をエッチング等により除去することによって薄
膜コンデンサが完成する。
二の金属膜５を陽極酸化処理することによって、酸化物
誘電体薄膜６を形成する。本実施例の場合には、第二の
金属膜５として、アルミニウム（Ａｌ）を用いており、
リン酸塩等の電解液を使用して電解を印加することによ
って、酸化物誘電体膜６としてアルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）
が形成される。この陽極酸化は第一の金属膜４の表面に
達し、停止するまで行われる。なお、この陽極酸化の際
には、第二の金属膜５以外の部分はフォトレジスト膜
（図示せず）を覆っておく。そして、フォトレジスト膜
を除去し、同図（ｈ）で示すように、上部電極用導体金
属膜７を蒸着あるいはめっき等によって形成し、最後に
不要部分をエッチング等により除去することによって薄
膜コンデンサが完成する。
【００１０】このように、下部電極の金属膜を、上部に
酸化処理が容易な第二の金属膜５と、下部に配設した酸
化処理が困難な第一の金属膜４との複合金属膜で構成し
たので、酸化処理を施すことによって第二の金属膜５の
みが酸化されて酸化物誘電体膜６として形成され、酸化
は第一の金属膜４で停止するため、酸化物誘電体膜の膜
厚が、電解液の濃度、電流密度、温度、陽極酸化時間等
に左右されずに、第二の金属膜５の膜厚によって決定さ
れるので、再現性がよく、薄膜コンデンサの容量等電気
特性を精度よく制御することが可能となる。また、陽極
酸化法は低温で酸化物の薄膜を形成できるので、プリン
ト基板の一般的な機材である樹脂に与える損傷が少な
く、優れた絶縁特性をもつ無機材料の誘電体薄膜を形成
することができる。
酸化処理が容易な第二の金属膜５と、下部に配設した酸
化処理が困難な第一の金属膜４との複合金属膜で構成し
たので、酸化処理を施すことによって第二の金属膜５の
みが酸化されて酸化物誘電体膜６として形成され、酸化
は第一の金属膜４で停止するため、酸化物誘電体膜の膜
厚が、電解液の濃度、電流密度、温度、陽極酸化時間等
に左右されずに、第二の金属膜５の膜厚によって決定さ
れるので、再現性がよく、薄膜コンデンサの容量等電気
特性を精度よく制御することが可能となる。また、陽極
酸化法は低温で酸化物の薄膜を形成できるので、プリン
ト基板の一般的な機材である樹脂に与える損傷が少な
く、優れた絶縁特性をもつ無機材料の誘電体薄膜を形成
することができる。
【００１１】図３は本発明の第２の実施例を示す側断面
図である。この第２の実施例においては、上述した第１
の実施例における酸化処理が容易な第二の金属膜５を複
数の混合金属元素からなるものを使用したものである。
このような構成とすると、混合金属元素の組成比を調整
することによって、第二の金属膜５を陽極酸化処理して
得られる酸化物誘電体膜８の誘電特性を所望のものを選
択することが可能となる。
図である。この第２の実施例においては、上述した第１
の実施例における酸化処理が容易な第二の金属膜５を複
数の混合金属元素からなるものを使用したものである。
このような構成とすると、混合金属元素の組成比を調整
することによって、第二の金属膜５を陽極酸化処理して
得られる酸化物誘電体膜８の誘電特性を所望のものを選
択することが可能となる。
【００１２】図４は本発明の第３の実施例を示す側断面
図である。この第３の実施例では、上述した第１の実施
例で作製した酸化誘電体膜６上に、下部に配設した酸化
処理が困難な第一の金属膜１０ａと、上部に酸化処理が
容易な第二の金属膜１０ｂとの複合金属膜が形成されて
おり、酸化処理を施すことによって第二の金属膜１０ｂ
のみが酸化されて酸化物誘電体膜として形成され、酸化
物誘電体膜１０ｂ上に上部電極用導体膜１１を形成する
ことによって、薄膜コンデンサが積層される。このよう
に薄膜コンデンサを積層することによって、コンデンサ
の容量の増加を図ることが可能となる。なお、本実施例
では、薄膜コンデンサを二層積層したが、目的とする容
量増加に合わせて三層以上積層してもよいことは勿論で
ある。
図である。この第３の実施例では、上述した第１の実施
例で作製した酸化誘電体膜６上に、下部に配設した酸化
処理が困難な第一の金属膜１０ａと、上部に酸化処理が
容易な第二の金属膜１０ｂとの複合金属膜が形成されて
おり、酸化処理を施すことによって第二の金属膜１０ｂ
のみが酸化されて酸化物誘電体膜として形成され、酸化
物誘電体膜１０ｂ上に上部電極用導体膜１１を形成する
ことによって、薄膜コンデンサが積層される。このよう
に薄膜コンデンサを積層することによって、コンデンサ
の容量の増加を図ることが可能となる。なお、本実施例
では、薄膜コンデンサを二層積層したが、目的とする容
量増加に合わせて三層以上積層してもよいことは勿論で
ある。
【００１３】図５は本発明の第４の実施例を示す側断面
図である。この第４の実施例では、薄膜コンデンサを樹
脂基板等のプリント基板内部に形成した場合を示したも
ので、上述した第１、第２あるいは第３の実施例で作製
した薄膜コンデンサをプリプレグ１２を介して上部樹脂
機材１３を積層し加熱加圧成形したもので、このような
構成とすることによって、プリント基板回路の小型化高
集積化を図ることができる。なお、１４はスルーホール
である。
図である。この第４の実施例では、薄膜コンデンサを樹
脂基板等のプリント基板内部に形成した場合を示したも
ので、上述した第１、第２あるいは第３の実施例で作製
した薄膜コンデンサをプリプレグ１２を介して上部樹脂
機材１３を積層し加熱加圧成形したもので、このような
構成とすることによって、プリント基板回路の小型化高
集積化を図ることができる。なお、１４はスルーホール
である。
【００１４】ところで、この種の薄膜コンデンサを構成
する誘電体膜の厚さは数千オングストローム程度であ
り、特に、樹脂性プリント基板を用いた場合、プリント
基板１の表面に凹凸が生じると、素子の電極間での短絡
を引き起こすことがある。図６はこの問題を解決するた
めの本発明の第５の実施例を示す側断面図である。この
第５の実施例では、積層時のプレスによるプリント基板
１表面の凹凸を平坦化させるため、プリント基板１表面
に液状の樹脂１５を塗布し、熱硬化させた後に、上述し
た第１、第２、第３あるいは第４の実施例に示した薄膜
コンデンサを形成したものであり、歩留まり、信頼性の
高い薄膜コンデンサが得られる。
する誘電体膜の厚さは数千オングストローム程度であ
り、特に、樹脂性プリント基板を用いた場合、プリント
基板１の表面に凹凸が生じると、素子の電極間での短絡
を引き起こすことがある。図６はこの問題を解決するた
めの本発明の第５の実施例を示す側断面図である。この
第５の実施例では、積層時のプレスによるプリント基板
１表面の凹凸を平坦化させるため、プリント基板１表面
に液状の樹脂１５を塗布し、熱硬化させた後に、上述し
た第１、第２、第３あるいは第４の実施例に示した薄膜
コンデンサを形成したものであり、歩留まり、信頼性の
高い薄膜コンデンサが得られる。
【００１５】図７は本発明の第６の実施例を示す側断面
図である。この第６の実施例は、上述した金属酸化誘電
体膜６上に他の成膜方法による誘電体膜の二重構造を利
用する場合を示したものである。すなわち、誘電体膜６
上に気相成長法によって別の誘電体膜１６を積層して、
二層構造としたものであって、このような構造とするこ
とによって、リーク電流の低減等電気特性の改善に効果
がある。
図である。この第６の実施例は、上述した金属酸化誘電
体膜６上に他の成膜方法による誘電体膜の二重構造を利
用する場合を示したものである。すなわち、誘電体膜６
上に気相成長法によって別の誘電体膜１６を積層して、
二層構造としたものであって、このような構造とするこ
とによって、リーク電流の低減等電気特性の改善に効果
がある。
【００１６】なお、本実施例では、誘電体膜を陽極酸化
によって形成したが、これに限定されず、例えば、酸素
プラズマや酸素イオンを金属表面に当て酸化させる方法
や、酸素ラジカルによる表面反応で酸化絶縁膜を形成す
る方法やあるいは基板材質を考慮して熱酸化による方法
等種々の方法があることはいうまでのないことである。
また、本実施例では、第１の金属膜４の側面形状を単に
垂直面としているが、この側面端部に傾斜あるいは曲率
をもたせるような形状とすることによって、酸化処理
後、誘電体酸化膜６上に上部電極膜７の形成時に側面端
部における断線を防止することができる。
によって形成したが、これに限定されず、例えば、酸素
プラズマや酸素イオンを金属表面に当て酸化させる方法
や、酸素ラジカルによる表面反応で酸化絶縁膜を形成す
る方法やあるいは基板材質を考慮して熱酸化による方法
等種々の方法があることはいうまでのないことである。
また、本実施例では、第１の金属膜４の側面形状を単に
垂直面としているが、この側面端部に傾斜あるいは曲率
をもたせるような形状とすることによって、酸化処理
後、誘電体酸化膜６上に上部電極膜７の形成時に側面端
部における断線を防止することができる。
【００１７】また、第一の金属膜４として金（Ａｕ）を
使用したが、白金（Ｐｔ）、ニッケルクロム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）等でもよい。さらに第二の金属膜５についても、タ
ンタル（Ｔａ）、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
ランタン（Ｌａ）等でもよい。また、本実施例では、配
線用導体２と第一の金属膜４とを別部材としているが、
配線用導体２を酸化が困難な材料を選択することによっ
て、第１の金属膜４を兼ねることもできる。また、本実
施例では、プリント基板１として樹脂製や半導体あるい
は金属を使用した例を示したが、フィルム状の樹脂やセ
ラミック材料等他のプリント基板への薄膜コンデンサの
形成にも利用できることはいうまでのないことである。
使用したが、白金（Ｐｔ）、ニッケルクロム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）等でもよい。さらに第二の金属膜５についても、タ
ンタル（Ｔａ）、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
ランタン（Ｌａ）等でもよい。また、本実施例では、配
線用導体２と第一の金属膜４とを別部材としているが、
配線用導体２を酸化が困難な材料を選択することによっ
て、第１の金属膜４を兼ねることもできる。また、本実
施例では、プリント基板１として樹脂製や半導体あるい
は金属を使用した例を示したが、フィルム状の樹脂やセ
ラミック材料等他のプリント基板への薄膜コンデンサの
形成にも利用できることはいうまでのないことである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
リント基板上に配設した下部電極の金属膜を、下部電極
の金属膜を、下部に配設した酸化処理が困難な第一の金
属膜と、上部に配設した酸化処理が容易な第二の金属膜
との複合金属膜とで構成し、第二の金属膜に酸化処理を
施すことによって第二の金属膜のみを酸化させるように
したので、酸化物誘電体膜の膜厚が、電解液の濃度、電
流密度、温度、陽極酸化時間等に左右されずに、第二の
金属膜の膜厚によって決定されるので、再現性がよく、
薄膜コンデンサの容量等電気特性を精度よく制御するこ
とが可能となる。また、酸化処理が容易な第二の金属膜
を複数の金属材料の混合物により構成し、混合金属元素
の組成比を調整することによって、第二の金属膜を陽極
酸化処理して得られる酸化物誘電体膜の誘電特性を所望
のものを選択することが可能となる。また、複合金属膜
上に、下部に配設した酸化処理が困難な第一の金属膜と
上部に配設した酸化処理が容易な第二の金属膜とで構成
される別の複合金属膜を積層するとともに、第二の金属
膜に酸化処理を施すことによって第二の金属膜のみを酸
化させ多層構造の薄膜コンデンサを形成するようにした
ので、コンデンサの容量の増加を図ることが可能とな
る。
リント基板上に配設した下部電極の金属膜を、下部電極
の金属膜を、下部に配設した酸化処理が困難な第一の金
属膜と、上部に配設した酸化処理が容易な第二の金属膜
との複合金属膜とで構成し、第二の金属膜に酸化処理を
施すことによって第二の金属膜のみを酸化させるように
したので、酸化物誘電体膜の膜厚が、電解液の濃度、電
流密度、温度、陽極酸化時間等に左右されずに、第二の
金属膜の膜厚によって決定されるので、再現性がよく、
薄膜コンデンサの容量等電気特性を精度よく制御するこ
とが可能となる。また、酸化処理が容易な第二の金属膜
を複数の金属材料の混合物により構成し、混合金属元素
の組成比を調整することによって、第二の金属膜を陽極
酸化処理して得られる酸化物誘電体膜の誘電特性を所望
のものを選択することが可能となる。また、複合金属膜
上に、下部に配設した酸化処理が困難な第一の金属膜と
上部に配設した酸化処理が容易な第二の金属膜とで構成
される別の複合金属膜を積層するとともに、第二の金属
膜に酸化処理を施すことによって第二の金属膜のみを酸
化させ多層構造の薄膜コンデンサを形成するようにした
ので、コンデンサの容量の増加を図ることが可能とな
る。
【００１９】また、薄膜コンデンサを覆うようにしてプ
リント基板上に絶縁層を積層しこの絶縁層内に薄膜コン
デンサを埋設するとともに、この絶縁層上に電気配線を
施したので、プリント基板回路の小型化高集積化を図る
ことができる。また、金属膜を形成する前に、プリント
基板表面に樹脂を塗布し、素子の電極間での短絡を引き
起こす原因となるプリント基板表面上の凹凸を平坦化し
たので、歩留まり、信頼性の向上を図ることができる。
また、複合金属膜の上部に配設した金属層を酸化処理し
て酸化物誘電体薄膜を形成後、この酸化物誘電体薄膜上
に気相成長法により別の誘電体膜を形成して二層の誘電
体を形成したので、リーク電流の低減等電気特性が改善
される。
リント基板上に絶縁層を積層しこの絶縁層内に薄膜コン
デンサを埋設するとともに、この絶縁層上に電気配線を
施したので、プリント基板回路の小型化高集積化を図る
ことができる。また、金属膜を形成する前に、プリント
基板表面に樹脂を塗布し、素子の電極間での短絡を引き
起こす原因となるプリント基板表面上の凹凸を平坦化し
たので、歩留まり、信頼性の向上を図ることができる。
また、複合金属膜の上部に配設した金属層を酸化処理し
て酸化物誘電体薄膜を形成後、この酸化物誘電体薄膜上
に気相成長法により別の誘電体膜を形成して二層の誘電
体を形成したので、リーク電流の低減等電気特性が改善
される。
【図１】本発明に係るプリント基板の第１の実施例の側
断面図である。
断面図である。
【図２】同第１の実施例の製造方法を示す側断面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係るプリント基板の第２の実施例の側
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明に係るプリント基板の第３の実施例の側
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明に係るプリント基板の第４の実施例の側
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明に係るプリント基板の第５の実施例の側
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明に係るプリント基板の第６の実施例の側
断面図である。
断面図である。
【図８】従来のプリント基板の製造方法を示す側断面図
である。
である。
１ プリント基板 ２ 配線用導体膜 ４ 第一の金属膜 ５ 第二の金属膜 ６ 酸化物誘電体薄膜 ７ 電極用導体膜 ８ 酸化物誘電体薄膜 ９ 電極用導体膜 １０ａ 第一の金属膜 １０ｂ 酸化物誘電体薄膜 １１ 電極用導体膜 １２ プリプレグ １３ 樹脂基材 １５ 樹脂 １６ 誘電体膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】しかるのち、同図（ｇ）に示すように、第
二の金属膜５を陽極酸化処理することによって、酸化物
誘電体薄膜６を形成する。本実施例の場合には、第二の
金属膜５として、アルミニウム（Ａｌ）を用いており、
リン酸塩等の電解液を使用して電圧を印加することによ
って、酸化物誘電体膜６としてアルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）
が形成される。この陽極酸化は第一の金属膜４の表面に
達し、停止するまで行われる。なお、この陽極酸化の際
には、第二の金属膜５以外の部分はフォトレジスト膜
（図示せず）を覆っておく。そして、フォトレジスト膜
を除去し、同図（ｈ）で示すように、上部電極用導体金
属膜７を蒸着あるいはめっき等によって形成し、最後に
不要部分をエッチング等により除去することによって薄
膜コンデンサが完成する。
二の金属膜５を陽極酸化処理することによって、酸化物
誘電体薄膜６を形成する。本実施例の場合には、第二の
金属膜５として、アルミニウム（Ａｌ）を用いており、
リン酸塩等の電解液を使用して電圧を印加することによ
って、酸化物誘電体膜６としてアルミナ膜（Ａｌ2Ｏ3）
が形成される。この陽極酸化は第一の金属膜４の表面に
達し、停止するまで行われる。なお、この陽極酸化の際
には、第二の金属膜５以外の部分はフォトレジスト膜
（図示せず）を覆っておく。そして、フォトレジスト膜
を除去し、同図（ｈ）で示すように、上部電極用導体金
属膜７を蒸着あるいはめっき等によって形成し、最後に
不要部分をエッチング等により除去することによって薄
膜コンデンサが完成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (6)
- 【請求項１】 電気配線が形成されたプリント基板上に
下部電極を設け、この下部電極の金属膜の一部を酸化処
理して酸化物誘電体薄膜を形成するとともに、この誘電
体薄膜上に導電体膜を形成して上部電極とすることによ
り薄膜コンデンサを前記プリント基板上に直接形成した
プリント基板において、前記下部電極の金属膜を、下部
に配設した酸化処理が困難な第一の金属膜と、上部に配
設した酸化処理が容易な第二の金属膜との複合金属膜と
で構成し、第二の金属膜に酸化処理を施したことを特徴
とするプリント基板。 - 【請求項２】 請求項１記載のプリント基板において、
複合金属膜のうち上部に配設した酸化処理が容易な金属
膜を複数の金属材料の混合物により構成したことを特徴
とするプリント基板。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のプリント
基板において、複合金属膜上に、下部に配設した酸化処
理が困難な金属膜と、上部に配設した酸化処理が容易な
金属膜とで構成される別の複合金属膜を積層するととも
に、第二の金属膜に酸化処理を施し、多層構造の薄膜コ
ンデンサを形成したことを特徴とするプリント基板。 - 【請求項４】 請求項１、請求項２または請求項３記載
のプリント基板において、薄膜コンデンサを覆うように
してプリント基板上に絶縁層を積層しこの絶縁層内に薄
膜コンデンサを埋設するとともに、この絶縁層上に電気
配線を施したことを特徴とするプリント基板。 - 【請求項５】 請求項１、請求項２、請求項３または請
求項４記載のプリント基板において、金属膜を形成する
前に、プリント基板表面に樹脂を塗布したことを特徴と
するプリント基板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載のプリント基板において、
複合金属膜の上部に配設した金属層を酸化処理して酸化
物誘電体薄膜を形成後、この酸化物誘電体薄膜上に気相
成長法により別の誘電体膜を形成して二層の誘電体を形
成したことを特徴とするプリント基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033043A JPH06252528A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | プリント基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033043A JPH06252528A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | プリント基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252528A true JPH06252528A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12375767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5033043A Pending JPH06252528A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | プリント基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252528A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498714B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-12-24 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Thin film capacitance device and printed circuit board |
| EP1100295A3 (en) * | 1999-11-12 | 2003-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor-mounted metal foil and a method for producing the same, and a circuit board and a method for producing the same |
| US6678144B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-01-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd | Capacitor, circuit board with built-in capacitor and method for producing the same |
| CN104037170A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有集成式无源装置的半导体装置及其制造工艺 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5033043A patent/JPH06252528A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498714B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-12-24 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Thin film capacitance device and printed circuit board |
| EP1100295A3 (en) * | 1999-11-12 | 2003-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor-mounted metal foil and a method for producing the same, and a circuit board and a method for producing the same |
| US7013561B2 (en) | 1999-11-12 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a capacitor-embedded circuit board |
| US6678144B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-01-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd | Capacitor, circuit board with built-in capacitor and method for producing the same |
| KR100834833B1 (ko) * | 2001-03-01 | 2008-06-03 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 커패시터, 커패시터 내장 회로기판 및 그들 제조 방법 |
| CN104037170A (zh) * | 2013-03-08 | 2014-09-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有集成式无源装置的半导体装置及其制造工艺 |
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