JPH06251939A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH06251939A JPH06251939A JP3361893A JP3361893A JPH06251939A JP H06251939 A JPH06251939 A JP H06251939A JP 3361893 A JP3361893 A JP 3361893A JP 3361893 A JP3361893 A JP 3361893A JP H06251939 A JPH06251939 A JP H06251939A
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- magnetic thin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
- H01F10/147—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel with lattice under strain, e.g. expanded by interstitial nitrogen
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- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、高周波領域で使用される磁気デバイ
スに適うべく高飽和磁化、高透磁率、高比抵抗の軟磁性
薄膜を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、鉄と窒素を主体とする磁性薄膜にお
いて、Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4
Ｎの二相構造から成ることを特徴とする。ここに、α−
Ｆｅ相は（１１０）面が膜面に平行に強く配向してい
る。γ′−Ｆｅ4 Ｎ相は（１１１）面または（２００）
面が膜面に平行に配向し、これらのＸ線回折強度の総和
に対するα−Ｆｅの（１１０）面のＸ線回折強度比が
０．７〜１．３の範囲にあり、結晶粒径は１５０オング
ストローム以下である。
スに適うべく高飽和磁化、高透磁率、高比抵抗の軟磁性
薄膜を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、鉄と窒素を主体とする磁性薄膜にお
いて、Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4
Ｎの二相構造から成ることを特徴とする。ここに、α−
Ｆｅ相は（１１０）面が膜面に平行に強く配向してい
る。γ′−Ｆｅ4 Ｎ相は（１１１）面または（２００）
面が膜面に平行に配向し、これらのＸ線回折強度の総和
に対するα−Ｆｅの（１１０）面のＸ線回折強度比が
０．７〜１．３の範囲にあり、結晶粒径は１５０オング
ストローム以下である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッドや薄膜インダ
クタ、トランスなどの高周波領域において使用される軟
磁性薄膜に関するものである。
クタ、トランスなどの高周波領域において使用される軟
磁性薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度磁気記録用の磁気ヘッドあ
るいはインダクタ、トランスなど磁気デバイスの薄膜化
が進められており、それらに適用される軟磁性薄膜に対
する研究が活発になっている。これらの電子部品は数Ｍ
Ｈｚ以上の高周波領域で使用され、高透磁率・高飽和磁
束密度（Ｂｓ）が要求され、センダスト合金やＣｏ系非
晶質合金などの金属薄膜が利用されてきた。しかし、よ
り高い周波数領域で使用するためには、高Ｂｓが必要で
あるばかりでなく、渦電流による損失を防ぐため高い電
気抵抗も要求される。高Ｂｓ磁性材料としては、僅かな
窒素を含むＦｅ膜が提案されている（IEEE Trans.Magn.
MAG-20,1451(1984))。該Ｆｅ窒化物薄膜は、スパッタリ
ングなどにより膜形成時に窒素ガスを導入することで形
成され、Ｂｓが２０ｋＧ以上で２０ｅ以下の保磁力を有
する軟磁性が得られている。
るいはインダクタ、トランスなど磁気デバイスの薄膜化
が進められており、それらに適用される軟磁性薄膜に対
する研究が活発になっている。これらの電子部品は数Ｍ
Ｈｚ以上の高周波領域で使用され、高透磁率・高飽和磁
束密度（Ｂｓ）が要求され、センダスト合金やＣｏ系非
晶質合金などの金属薄膜が利用されてきた。しかし、よ
り高い周波数領域で使用するためには、高Ｂｓが必要で
あるばかりでなく、渦電流による損失を防ぐため高い電
気抵抗も要求される。高Ｂｓ磁性材料としては、僅かな
窒素を含むＦｅ膜が提案されている（IEEE Trans.Magn.
MAG-20,1451(1984))。該Ｆｅ窒化物薄膜は、スパッタリ
ングなどにより膜形成時に窒素ガスを導入することで形
成され、Ｂｓが２０ｋＧ以上で２０ｅ以下の保磁力を有
する軟磁性が得られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記高飽和磁
化Ｆｅ窒化物薄膜は、透磁率μが２０００以下と小さ
く、さらに比抵抗ρも３０μΩcm以下と小さいために、
渦電流損失のため高周波での透磁率が著しく減少する。
このためＺｒ、Ｈｆなどの第三元素を添加し透磁率並び
に比抵抗を向上させた例も報告されている（日本応用磁
気学会誌 Vol.15,371(1991)) 。該報告の薄膜は、５５
０℃の熱処理によってα−Ｆｅ相とＺｒＮ、ＨｆＮなど
の窒化物相が析出した構造を有し、周波数５ＭＨｚでは
μが約３０００を示し比抵抗も若干向上するものの、Ｂ
ｓは１６ｋＧまで低下する。磁気デバイスを今後より高
周波領域で動作させるためには、より飽和磁化が大き
く、比抵抗の高い材料が必要である。
化Ｆｅ窒化物薄膜は、透磁率μが２０００以下と小さ
く、さらに比抵抗ρも３０μΩcm以下と小さいために、
渦電流損失のため高周波での透磁率が著しく減少する。
このためＺｒ、Ｈｆなどの第三元素を添加し透磁率並び
に比抵抗を向上させた例も報告されている（日本応用磁
気学会誌 Vol.15,371(1991)) 。該報告の薄膜は、５５
０℃の熱処理によってα−Ｆｅ相とＺｒＮ、ＨｆＮなど
の窒化物相が析出した構造を有し、周波数５ＭＨｚでは
μが約３０００を示し比抵抗も若干向上するものの、Ｂ
ｓは１６ｋＧまで低下する。磁気デバイスを今後より高
周波領域で動作させるためには、より飽和磁化が大き
く、比抵抗の高い材料が必要である。
【０００４】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、高周波領域で使用される磁気デバイスに適うべく高
飽和磁化、高透磁率、高比抵抗の軟磁性薄膜を提供する
ことを目的とする。
で、高周波領域で使用される磁気デバイスに適うべく高
飽和磁化、高透磁率、高比抵抗の軟磁性薄膜を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、鉄と窒素を主体とする磁性薄膜において、
Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎの二
相から成ることを特徴とするものである。
するために、鉄と窒素を主体とする磁性薄膜において、
Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎの二
相から成ることを特徴とするものである。
【０００６】又、上記α−Ｆｅ相は膜面に平行に（１１
０）面が強く配向し、上記γ′−Ｆｅ4 Ｎは膜面に平行
に（１１１）面もしくは（２００）面が配向しており、
この二つのＸ線回折強度の総和に対するα−Ｆｅの（１
１０）面のＸ線回折強度比が、０．７〜１．３の範囲に
あることを特徴とするものである。又、上記α−Ｆｅ相
の結晶粒径は１５０オングストローム以下であることを
特徴とするものである。
０）面が強く配向し、上記γ′−Ｆｅ4 Ｎは膜面に平行
に（１１１）面もしくは（２００）面が配向しており、
この二つのＸ線回折強度の総和に対するα−Ｆｅの（１
１０）面のＸ線回折強度比が、０．７〜１．３の範囲に
あることを特徴とするものである。又、上記α−Ｆｅ相
の結晶粒径は１５０オングストローム以下であることを
特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明は上記手段により、低保磁力でかつ高透
磁率にできる。また、透磁率が高いばかりでなく、膜の
比抵抗も大きいことから、透磁率の高周波での減衰が少
なく周波数特性に優れている。
磁率にできる。また、透磁率が高いばかりでなく、膜の
比抵抗も大きいことから、透磁率の高周波での減衰が少
なく周波数特性に優れている。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明すると、鉄と窒素を主体とする磁性薄膜におい
て、Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎ
の二相構造から成ることを特徴とする。ここに、α−Ｆ
ｅ相は（１１０）面が膜面に平行に強く配向している。
γ′−Ｆｅ4 Ｎ相は（１１１）面または（２００）面が
膜面に平行に配向し、これらのＸ線回折強度の総和に対
するα−Ｆｅの（１１０）面のＸ線回折強度比が０．７
〜１．３の範囲にあり、結晶粒径は１５０オングストロ
ーム以下である。そして、本実施例においては膜形成直
後、既にα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎの二相構造を有し、
熱処理によりその軟磁気特性の改善を行う。なお、本実
施例の膜の比抵抗ρは、従来技術である僅かな窒素を含
むＦｅ膜が３０μΩｃｍ以下であるのに対し、７０μΩ
ｃｍ以上と大きい。
に説明すると、鉄と窒素を主体とする磁性薄膜におい
て、Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎ
の二相構造から成ることを特徴とする。ここに、α−Ｆ
ｅ相は（１１０）面が膜面に平行に強く配向している。
γ′−Ｆｅ4 Ｎ相は（１１１）面または（２００）面が
膜面に平行に配向し、これらのＸ線回折強度の総和に対
するα−Ｆｅの（１１０）面のＸ線回折強度比が０．７
〜１．３の範囲にあり、結晶粒径は１５０オングストロ
ーム以下である。そして、本実施例においては膜形成直
後、既にα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎの二相構造を有し、
熱処理によりその軟磁気特性の改善を行う。なお、本実
施例の膜の比抵抗ρは、従来技術である僅かな窒素を含
むＦｅ膜が３０μΩｃｍ以下であるのに対し、７０μΩ
ｃｍ以上と大きい。
【０００９】α−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎの二相構造を有
する磁性膜は、特開平４−６５８０５号公報に報告され
ている。しかし、該公報に述べられているように第三元
素を必要とし、また日本応用磁気学会誌 Vol.15,371 (1
991)に述べられているように成膜直後ではα−Ｆｅ単相
であって、熱処理により初めて二相構造が実現されるも
のであり、本実施例とは明らかに異なる。
する磁性膜は、特開平４−６５８０５号公報に報告され
ている。しかし、該公報に述べられているように第三元
素を必要とし、また日本応用磁気学会誌 Vol.15,371 (1
991)に述べられているように成膜直後ではα−Ｆｅ単相
であって、熱処理により初めて二相構造が実現されるも
のであり、本実施例とは明らかに異なる。
【００１０】さて、本実施例の特徴を述べる。図１はＣ
ｕを線源とするＸ線回折パターンである。（ａ）は従来
知られている僅かな窒素を含むα−Ｆｅ単相構造を有す
るＦｅ窒化物薄膜、（ｂ），（ｃ）は本実施例の二相構
造を持つＦｅ−Ｎ二元系薄膜を示す特性図である。すな
わち、従来の技術の項で述べた高飽和磁化Ｆｅ窒化物の
構造は、図１（ａ）に示すようにα−Ｆｅ単相であり
（１１０）面が膜面に配向している。それに対し、本実
施例の鉄と窒素を主体とする磁性薄膜では、図１
（ｂ），（ｃ）に示すようにα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎ
の二相構造が確認される。ここで、本実施例においても
α−Ｆｅ相は（ａ）と同様（１１０）配向している。
γ′−Ｆｅ4 Ｎ相の配向は、（ｂ），（ｃ）に明らかな
ように（１１１）または（２００）のいずれかである
が、この二つの回折ピークが検出されることが必要であ
る。特開平４−６５８０５号公報に認められるような
（２００）ピークのみが検出される場合は、膜の軟磁気
特性が充分に発現されない。
ｕを線源とするＸ線回折パターンである。（ａ）は従来
知られている僅かな窒素を含むα−Ｆｅ単相構造を有す
るＦｅ窒化物薄膜、（ｂ），（ｃ）は本実施例の二相構
造を持つＦｅ−Ｎ二元系薄膜を示す特性図である。すな
わち、従来の技術の項で述べた高飽和磁化Ｆｅ窒化物の
構造は、図１（ａ）に示すようにα−Ｆｅ単相であり
（１１０）面が膜面に配向している。それに対し、本実
施例の鉄と窒素を主体とする磁性薄膜では、図１
（ｂ），（ｃ）に示すようにα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎ
の二相構造が確認される。ここで、本実施例においても
α−Ｆｅ相は（ａ）と同様（１１０）配向している。
γ′−Ｆｅ4 Ｎ相の配向は、（ｂ），（ｃ）に明らかな
ように（１１１）または（２００）のいずれかである
が、この二つの回折ピークが検出されることが必要であ
る。特開平４−６５８０５号公報に認められるような
（２００）ピークのみが検出される場合は、膜の軟磁気
特性が充分に発現されない。
【００１１】γ′−Ｆｅ4 Ｎ相の（１１１）面と（２０
０）面の回折強度の総和に対するα−Ｆｅ相の（１１
０）面のＸ線回折強度比が０．７以下のときはγ′−Ｆ
ｅ4 Ｎ相が主体となり、保磁力など膜の軟磁気特性が充
分発現されない。さらに、このときα−Ｆｅ相の結晶粒
径は１５０オングストローム以上となる。該強度比が
１．３以上の場合はα−Ｆｅ相が主体となり、α−Ｆｅ
相の結晶粒径が１５０オングストローム以下とはなるも
のの、図１（ａ）のような構造を有する従来の高飽和磁
化Ｆｅ窒化物薄膜の軟磁気特性を陵駕することができな
い。
０）面の回折強度の総和に対するα−Ｆｅ相の（１１
０）面のＸ線回折強度比が０．７以下のときはγ′−Ｆ
ｅ4 Ｎ相が主体となり、保磁力など膜の軟磁気特性が充
分発現されない。さらに、このときα−Ｆｅ相の結晶粒
径は１５０オングストローム以上となる。該強度比が
１．３以上の場合はα−Ｆｅ相が主体となり、α−Ｆｅ
相の結晶粒径が１５０オングストローム以下とはなるも
のの、図１（ａ）のような構造を有する従来の高飽和磁
化Ｆｅ窒化物薄膜の軟磁気特性を陵駕することができな
い。
【００１２】ところで、このような二相混合の比をそれ
ぞれの相の飽和磁化Ｂｓの値から見積もった場合、α−
Ｆｅ相のＢｓを２１ｋＧ、γ′−Ｆｅ4 Ｎ相のそれを１
６ｋＧとすれば、全体積中α−Ｆｅ相は２０〜６０％占
めることになる。以下に具体的実施例について述べる。 （具体的実施例）
ぞれの相の飽和磁化Ｂｓの値から見積もった場合、α−
Ｆｅ相のＢｓを２１ｋＧ、γ′−Ｆｅ4 Ｎ相のそれを１
６ｋＧとすれば、全体積中α−Ｆｅ相は２０〜６０％占
めることになる。以下に具体的実施例について述べる。 （具体的実施例）
【００１３】アシストビームを有するイオンビームスパ
ッタ装置を用いて、１０００〜１２００Ｖ、２００〜４
００ｍＡのビーム出力でＦｅターゲット上にビーム流を
当てスパッタする。このとき同時にアシストイオン源か
ら窒素ビーム流を１００〜４００Ｖ、２０〜３０ｍＡで
基板に照射し、ガラス基板上に０．５〜１μｍの膜を形
成する。次に、真空中３７０〜４２０℃で一時間の熱処
理を施す。得られた膜の振動式磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）か
ら求めた磁気特性、８の字コイル法で測定した透磁率、
４探針法で測定した比抵抗、Ｘ線回折から求めたγ′−
Ｆｅ4 Ｎ相の（１１１）と（２００）の回折強度の総和
に対するα−Ｆｅ相の（１１０）の強度比（Ｉ(110) ／
Ｉ(111) ＋Ｉ(200) ）、および（１１０）回折ピークの
半値幅から求めたα−Ｆｅ相の結晶粒径を図２に示す。
ッタ装置を用いて、１０００〜１２００Ｖ、２００〜４
００ｍＡのビーム出力でＦｅターゲット上にビーム流を
当てスパッタする。このとき同時にアシストイオン源か
ら窒素ビーム流を１００〜４００Ｖ、２０〜３０ｍＡで
基板に照射し、ガラス基板上に０．５〜１μｍの膜を形
成する。次に、真空中３７０〜４２０℃で一時間の熱処
理を施す。得られた膜の振動式磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）か
ら求めた磁気特性、８の字コイル法で測定した透磁率、
４探針法で測定した比抵抗、Ｘ線回折から求めたγ′−
Ｆｅ4 Ｎ相の（１１１）と（２００）の回折強度の総和
に対するα−Ｆｅ相の（１１０）の強度比（Ｉ(110) ／
Ｉ(111) ＋Ｉ(200) ）、および（１１０）回折ピークの
半値幅から求めたα−Ｆｅ相の結晶粒径を図２に示す。
【００１４】図３は図２中の本発明の実施例Ｎｏ．６お
よび従来例Ｎｏ．１１の膜の印加磁場１０ｍＯｅでの透
磁率の周波数特性である。図中μ′は複素透磁率の実数
部を、μ″は虚数部を表わす。 （比較例）
よび従来例Ｎｏ．１１の膜の印加磁場１０ｍＯｅでの透
磁率の周波数特性である。図中μ′は複素透磁率の実数
部を、μ″は虚数部を表わす。 （比較例）
【００１５】アシストイオン源のビーム電流を２０ｍＡ
以下、または４０ｍＡ以上とした以外は本発明の実施例
と同様に膜を作成した。得られた膜の諸特性を図２に示
す。 （従来例）
以下、または４０ｍＡ以上とした以外は本発明の実施例
と同様に膜を作成した。得られた膜の諸特性を図２に示
す。 （従来例）
【００１６】イオンビーム電流を２００ｍＡ、アシスト
ビーム電流を５ｍＡとした以外は本発明の実施例と同様
である。得られた膜の諸特性を図２に、透磁率の高周波
特性を図３に示す。
ビーム電流を５ｍＡとした以外は本発明の実施例と同様
である。得られた膜の諸特性を図２に、透磁率の高周波
特性を図３に示す。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、従来
知られていたα−Ｆｅ単相構造を有する僅かな窒素を含
むＦｅ膜に比べ、低保磁力でかつ高透磁率である。ま
た、図３から明らかなように、該従来例に比較し透磁率
が高いばかりでなく、膜の比抵抗も大きいことから、透
磁率の高周波での減衰が少なく周波数特性に優れてい
る。よって、本発明は磁気ヘッド、薄膜型のインダクタ
やトランスなどの高周波用磁気デバイス材料として期待
される。
知られていたα−Ｆｅ単相構造を有する僅かな窒素を含
むＦｅ膜に比べ、低保磁力でかつ高透磁率である。ま
た、図３から明らかなように、該従来例に比較し透磁率
が高いばかりでなく、膜の比抵抗も大きいことから、透
磁率の高周波での減衰が少なく周波数特性に優れてい
る。よって、本発明は磁気ヘッド、薄膜型のインダクタ
やトランスなどの高周波用磁気デバイス材料として期待
される。
【００１８】なお、本発明の実施例ではＦｅ−Ｎ二元系
磁性膜のみを示したが、耐蝕性などを向上させる目的で
本発明の膜の結晶構造を損なわない程度の第三元素を含
んでもよい。さらに、他の材料と組合わせて多層構造膜
としてもよいことは勿論である。
磁性膜のみを示したが、耐蝕性などを向上させる目的で
本発明の膜の結晶構造を損なわない程度の第三元素を含
んでもよい。さらに、他の材料と組合わせて多層構造膜
としてもよいことは勿論である。
【図１】Ｃｕを線源とするＸ線回折パターンである。
（ａ）は従来知られている僅かな窒素を含むα−Ｆｅ単
相構造を有するＦｅ窒化物薄膜、（ｂ），（ｃ）は本発
明の実施例に係る二相構造を持つＦｅ−Ｎ二元系薄膜を
示す特性図である。
（ａ）は従来知られている僅かな窒素を含むα−Ｆｅ単
相構造を有するＦｅ窒化物薄膜、（ｂ），（ｃ）は本発
明の実施例に係る二相構造を持つＦｅ−Ｎ二元系薄膜を
示す特性図である。
【図２】本発明の具体的実施例の諸特性を従来例及び比
較例の諸特性と比較して示す説明図である。
較例の諸特性と比較して示す説明図である。
【図３】図２中の本発明の実施例Ｎｏ．６および従来例
Ｎｏ．１１の膜の印加磁場１０ｍＯｅでの透磁率の周波
数特性図である。
Ｎｏ．１１の膜の印加磁場１０ｍＯｅでの透磁率の周波
数特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大沼 繁弘 宮城県仙台市青葉区南吉成６−６−３ 株 式会社アモルファス・電子デバイス研究所 内 (72)発明者 藤森 啓安 宮城県仙台市青葉区吉成２−20−３ (72)発明者 増本 健 宮城県仙台市青葉区上杉３−８−22
Claims (3)
- 【請求項１】 鉄と窒素を主体とする磁性薄膜におい
て、Ｘ線回折の与える構造がα−Ｆｅとγ′−Ｆｅ4 Ｎ
の二相から成ることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 α−Ｆｅ相は膜面に平行に（１１０）面
が強く配向し、γ′−Ｆｅ4 Ｎは膜面に平行に（１１
１）面もしくは（２００）面が配向しており、この二つ
のＸ線回折強度の総和に対するα−Ｆｅの（１１０）面
のＸ線回折強度比が、０．７〜１．３の範囲にあること
を特徴とする請求項１記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 α−Ｆｅ相の結晶粒径は１５０オングス
トローム以下であることを特徴とする請求項１記載の軟
磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3361893A JPH06251939A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3361893A JPH06251939A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251939A true JPH06251939A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12391446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3361893A Pending JPH06251939A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346336B1 (en) | 1998-05-27 | 2002-02-12 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic film soft magnetic multilayer film method of manufacturing the same and magnetic device |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP3361893A patent/JPH06251939A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346336B1 (en) | 1998-05-27 | 2002-02-12 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Soft magnetic film soft magnetic multilayer film method of manufacturing the same and magnetic device |
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