JPH06251207A - メモリカード用データ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メモリカードのリーク電流を提供すること。 【構成】 メモリカードに対する不定ハイインピーダン
ス出力が可能な複数の最終出力手段と、該各最終出力手
段の出力端に一端が各々接続された複数の抵抗と、前記
各最終出力手段が不定ハイインピーダンス出力状態のと
きに前記各抵抗の他端を電源電圧または基準電位に統一
して切替接続することによって、前記全最終出力手段の
出力端に得られた電圧の一致または不一致に基づいて当
該各最終出力手段に接続されたメモリカードのリーク電
流を検出する手段とを具える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、メモリカードと組み合
わせて、メモリカードにデータを書き込んだり、メモリ
カードからデータを読み出したりする機能を有するメモ
リカード用データ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】メモリカードはメモリカード用データ処
理装置のコネクタから取り外し携帯できることが長所で
ある反面、静電気によりメモリや内部に使われているＩ
Ｃの保護用ダイオードが破壊され、メモリカードのリー
ク電流過大異常が発生する場合がある。そして、従来の
メモリカード用データ処理装置は、装置側のドライバの
能力とメモリやＩＣのスレッシュホールドレベルの関係
によって、メモリカードがリーク電流過大異常であって
も正常と見なし、他方、メモリカードにデータを書き込
んだり、メモリカードからデータを読み出したりすると
きの異常のみ検知するものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
メモリカード用データ処理装置では、次のような問題が
ある。

【０００４】（１）メモリカードのリーク電流が過大異
常の場合であっても、正常と見なすので、装置でのデー
タ書き込み，読み出しを続行し、装置側のドライバの能
力をオーバーした場合、装置が故障するおそれがあり、
また、電池駆動の装置の場合は極度の電池消耗にもなり
かねない。

【０００５】（２）メモリカードのリーク電流が徐々に
大きくなり、メモリカードの書き込み，読み出しが正常
にできなくなったり、メモリカードの記憶データが失わ
れるというおそれがある。

【０００６】そこで本発明の目的は以上のような問題を
解消したメモリカード用データ処理装置を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明はメモリカードに対する不定ハイインピーダンス
出力が可能な複数の最終出力手段と、該各最終出力手段
の出力端に一端が各々接続された複数の抵抗と、前記各
最終出力手段が不定ハイインピーダンス出力状態のとき
に前記各抵抗の他端を電源電圧または基準電位に統一し
て切替接続することによって、前記全最終出力手段の出
力端に得られた電圧の一致または不一致に基づいて当該
各最終出力手段に接続されたメモリカードのリーク電流
を検出する手段とを具える。

【０００８】

【作用】本発明によれば、各最終出力手段の出力端に得
られる電圧変化に基づいてメモリカードのリーク電流が
検出される。

【０００９】

【実施例】次に、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。

【００１０】図１は本発明の一実施例の回路を示す。

【００１１】１はメモリカードへの入力信号（アドレス
バス，コントロール信号）および双方向信号（データバ
ス）が入出力するコネクタ８への出力信号を制御する３
（トライ）ステートバッファであり、信号Ｂがハイレベ
ルのとき、出力信号が活性化され、ローレベルのときは
ハイインピーダンス状態となる。コネクタ８にはメモリ
カードが接続される。２は３ステートバッファ１のそれ
ぞれの出力に付属する入力用のバッファであり、３は３
ステートバッファ１のそれぞれの出力に１つずつ一端が
接続された抵抗である。

【００１２】この各抵抗３の他端は４で示すトランジス
タのコレクタ側と５で示すトランジスタのコレクタ側に
接続され、信号Ａがハイレベルのとき、トランジスタ４
がＯＦＦし、トランジスタ５がＯＮしており、抵抗３の
他端はＧＮＤ（基準電位）レベルに接続される。

【００１３】また信号Ｂがローレベルで、３ステートバ
ッファ１の出力がハイインピーダンス状態のとき、信号
Ａがローレベルになると、トランジスタ４はＯＮし、ト
ランジスタ５はＯＦＦし、抵抗３の他端は電源（Ｖｃ
ｃ）に接続される。

【００１４】６で示すＥＸＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ（ゲー
ト）には、入力バッファ２の出力信号と信号Ａでコント
ロールされる信号が入力されており、信号Ａがハイレベ
ルのとき、前述したように抵抗３の他端がＧＮＤに接続
され、入力バッファ２は通常ローレベルを出力し、ＥＸ
ＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ６の一方の入力端に入力される
が、他方の入力端には信号Ａであるハイレベルを入力し
ているため、ＥＸＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ６はハイレベル
を出力する。

【００１５】信号Ａのレベルがローレベルのときは、入
力バッファ２は通常ハイレベルを出力し、信号Ａのレベ
ルはローレベルのため、ＥＸＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ６は
ハイレベルを出力する。

【００１６】以上のような通常の場合、ＥＸＣＬＵＳＩ
ＶＥ−ＯＲ６はハイレベルを出力するため、７で示すＡ
ＮＤ（ゲート）の入力は全てハイレベルで、Ｙ１で示す
信号はハイレベルで出力される。すなわち、コネクタ８
を介して入出力されるメモリカード入力および双方向信
号にリーク電流の異常がなければ、信号Ｙ１はハイレベ
ルを出力することになる。

【００１７】通常、リーク電流に異常がある場合には、
図２に示すようなメモリカード内の入力保護用のダイオ
ード１１，１２が破壊していることが通常であり、ダイ
オード１２が破壊すると、電源電圧Ｖ_ddから入力段のＦ
ＥＴへ電流がリークし、ダイオード１２が破壊すると、
入力からＧＮＤへ電流がリークする。

【００１８】図１の抵抗３の常数を適値に設定すれば、
信号Ｂにより３ステートバッファ１をハイインピーダン
ス状態にすると共に、信号Ａによるトランジスタ４およ
び５の切換えにより、コネクタ８に接続されたメモリカ
ードにおける図２の１１および１２のいずれかのダイオ
ードが破壊し、リーク電流が発生した箇所では、これに
対応する抵抗３で決定される論理レベルが他の抵抗３の
それと逆となり、リーク電流が発生した箇所に対応する
ＥＸＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ６がローレベルを出力するの
で、信号Ｙはローレベルを出力する。

【００１９】なお、コントロール信号は、全てローレベ
ルにするとメモリカードが活性状態となるので、活性状
態にならないように、１本をローレベルにし、他はハイ
レベルにして検索する。また、検索実行中はメモリカー
ドの電源はＯＮしておく。

【００２０】

【発明の効果】以上の通り本発明によって、メモリカー
ドのリーク電流（過大異常）が簡単正確に判断できるよ
うになり、例えばメモリカード用データ処理装置の出力
バッファ（ドライバ）の破壊を防げるようになり、さら
に、メモリカードの記憶データを保護できるようになっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるメモリカード用データ処理装置の
実施例の回路図である。

【図２】メモリカードにおける入力部を示す図である。

【符号の説明】

１ ３ステートバッファ ２ 入力用バッファ ３ 抵抗 ４，５ トランジスタ ６ ＥＸＣＬＵＳＩＶＥ−ＯＲ ７ ＡＮＤ ８ コネクタ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 メモリカードに対する不定ハイインピー
   ダンス出力が可能な複数の最終出力手段と、 該各最終出力手段の出力端に一端が各々接続された複数
   の抵抗と、 前記各最終出力手段が不定ハイインピーダンス出力状態
   のときに前記各抵抗の他端を電源電圧または基準電位に
   統一して切替接続することによって、前記全最終出力手
   段の出力端に得られた電圧の一致または不一致に基づい
   て当該各最終出力手段に接続されたメモリカードのリー
   ク電流を検出する手段とを具えたことを特徴とするメモ
   リカード用データ処理装置。