JPH06237137A - 金属パターンの作製方法 - Google Patents
金属パターンの作製方法Info
- Publication number
- JPH06237137A JPH06237137A JP2115693A JP2115693A JPH06237137A JP H06237137 A JPH06237137 A JP H06237137A JP 2115693 A JP2115693 A JP 2115693A JP 2115693 A JP2115693 A JP 2115693A JP H06237137 A JPH06237137 A JP H06237137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- resist pattern
- pattern
- high temperature
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高温デポジション処理を実施し得ることによっ
て回路基板に対する密着強度の高い金属パターンを形成
することが可能な金属パターンの作製方法を提供する。 【構成】本発明に係る金属パターンの作製方法は、回路
基板Ｗ上のレジストパターンＲに対する紫外線もしくは
遠紫外線の照射を行った後、レジストパターンＲを含む
回路基板Ｗの全面にわたる金属膜Ｍを堆積したうえで行
われるリフトオフ工程を含むことを特徴としている。
て回路基板に対する密着強度の高い金属パターンを形成
することが可能な金属パターンの作製方法を提供する。 【構成】本発明に係る金属パターンの作製方法は、回路
基板Ｗ上のレジストパターンＲに対する紫外線もしくは
遠紫外線の照射を行った後、レジストパターンＲを含む
回路基板Ｗの全面にわたる金属膜Ｍを堆積したうえで行
われるリフトオフ工程を含むことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面弾性波素子（ＳＡ
Ｗ）などにおける金属パターンの作製方法に係り、詳し
くは、そのリフトオフ工程に関する。
Ｗ）などにおける金属パターンの作製方法に係り、詳し
くは、そのリフトオフ工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷなどにおける金属パターン
の作製にあたっては、図２で示すように、予め金属パタ
ーンとなるべき部分のみが除去されたレジストパターン
Ｒを含む回路基板Ｗ上の全面にわたって金属膜Ｍを堆積
した後、図示していないが、レジストパターンＲを剥離
すると同時に、このレジストパターンＲ上に堆積した金
属膜Ｍを部分的に除去して所望の金属パターンのみを残
す手順からなるリフトオフ工程が採用されている。な
お、この際におけるレジストパターンＲの断面形状は、
これを剥離するための剥離液が侵入しやすくなるオーバ
ーハング形状などとされているのが一般的である。
の作製にあたっては、図２で示すように、予め金属パタ
ーンとなるべき部分のみが除去されたレジストパターン
Ｒを含む回路基板Ｗ上の全面にわたって金属膜Ｍを堆積
した後、図示していないが、レジストパターンＲを剥離
すると同時に、このレジストパターンＲ上に堆積した金
属膜Ｍを部分的に除去して所望の金属パターンのみを残
す手順からなるリフトオフ工程が採用されている。な
お、この際におけるレジストパターンＲの断面形状は、
これを剥離するための剥離液が侵入しやすくなるオーバ
ーハング形状などとされているのが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レジストパ
ターンＲの形成材料であるフォトレジストは、１３５℃
程度以上の高温にさらされると、図３で示すような熱だ
れといわれる現象を起こして断面形状を維持できなくな
るものであり、また、１５０℃以上の高温にさらされる
ことによって硬化したレジストパターンＲを剥離して除
去するのは大変に困難な作業となってしまうのが普通で
ある。そこで、金属膜Ｍから形成される金属パターンの
回路基板Ｗに対する密着強度を高めるためには、高温支
持された回路基板Ｗに対する蒸着やスパッタリング、い
わゆる高温デポジション処理を行うことによって金属膜
Ｍを堆積する方がよいとされているにも拘わらず、この
ような高温デポジション処理の実施がフォトレジストの
特性から制限されることになる結果、回路基板Ｗを低温
支持したうえでの金属膜Ｍの堆積、いわゆる低温デポジ
ション処理しか行い得ず、回路基板Ｗに対する密着強度
の低い金属パターンしか形成できないのが実状となって
いた。
ターンＲの形成材料であるフォトレジストは、１３５℃
程度以上の高温にさらされると、図３で示すような熱だ
れといわれる現象を起こして断面形状を維持できなくな
るものであり、また、１５０℃以上の高温にさらされる
ことによって硬化したレジストパターンＲを剥離して除
去するのは大変に困難な作業となってしまうのが普通で
ある。そこで、金属膜Ｍから形成される金属パターンの
回路基板Ｗに対する密着強度を高めるためには、高温支
持された回路基板Ｗに対する蒸着やスパッタリング、い
わゆる高温デポジション処理を行うことによって金属膜
Ｍを堆積する方がよいとされているにも拘わらず、この
ような高温デポジション処理の実施がフォトレジストの
特性から制限されることになる結果、回路基板Ｗを低温
支持したうえでの金属膜Ｍの堆積、いわゆる低温デポジ
ション処理しか行い得ず、回路基板Ｗに対する密着強度
の低い金属パターンしか形成できないのが実状となって
いた。
【０００４】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであり、高温デポジション処理を実施し得る
ことによって回路基板に対する密着強度の高い金属パタ
ーンを形成することができる作製方法の提供を目的とし
ている。
されたものであり、高温デポジション処理を実施し得る
ことによって回路基板に対する密着強度の高い金属パタ
ーンを形成することができる作製方法の提供を目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る金属パター
ンの作製方法は、このような目的を達成するために、回
路基板上のレジストパターンに対する紫外線もしくは遠
紫外線の照射を行った後、レジストパターンを含む回路
基板の全面にわたる金属膜を堆積したうえで行われるリ
フトオフ工程を含むことを特徴としている。
ンの作製方法は、このような目的を達成するために、回
路基板上のレジストパターンに対する紫外線もしくは遠
紫外線の照射を行った後、レジストパターンを含む回路
基板の全面にわたる金属膜を堆積したうえで行われるリ
フトオフ工程を含むことを特徴としている。
【０００６】
【作用】紫外線もしくは遠紫外線が照射された後のレジ
ストパターンは、高温にさらされた場合であっても熱だ
れを起こし難いものとなり、また、さほど硬化しないも
のとなる。そこで、高温デポジション処理によっても金
属膜を堆積し得ることになり、この金属膜から形成され
る金属パターンの回路基板に対する密着強度を低温デポ
ジション処理時よりも大幅に高めることが可能となる。
ストパターンは、高温にさらされた場合であっても熱だ
れを起こし難いものとなり、また、さほど硬化しないも
のとなる。そこで、高温デポジション処理によっても金
属膜を堆積し得ることになり、この金属膜から形成され
る金属パターンの回路基板に対する密着強度を低温デポ
ジション処理時よりも大幅に高めることが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明方法の実施例を図面に基づいて
説明する。
説明する。
【０００８】図１は本実施例に係る金属パターンの作製
方法に含まれるリフトオフ工程の手順を示す説明図であ
り、図中の符号Ｗは回路基板、Ｒはレジストパターン、
Ｍは金属膜をそれぞれ示している。
方法に含まれるリフトオフ工程の手順を示す説明図であ
り、図中の符号Ｗは回路基板、Ｒはレジストパターン、
Ｍは金属膜をそれぞれ示している。
【０００９】本実施例に係るリフトオフ工程の開始にあ
たっては、まず、セラミックからなる直径３インチの回
路基板Ｗの表面上に、ＨＰＲ１１８３といわれるような
フォトレジストを３０００ｒｐｍの回転速度で塗布し、
塗布されたフォトレジストを９０℃程度の温度下で乾燥
させることによって所定厚みのレジスト膜（図示してい
ない）を形成する。そして、図１（ａ）で示すように、
このレジスト膜のパターニングを行うことによって金属
パターンとなるべき部分のみが除去されたレジストパタ
ーンＲを形成した後、このレジストパターンＲに対し、
３０μＷ/ｃｍ2の出力強度を有する遠紫外線（DeepＵ
Ｖ）を約５分間にわたって照射する。なお、この際、紫
外線（ＵＶ）を照射してもよいことは勿論である。する
と、遠紫外線が照射された後のレジストパターンＲは、
高温にさらされても熱だれを起こし難く、しかも、さほ
ど硬化しないものとなる。
たっては、まず、セラミックからなる直径３インチの回
路基板Ｗの表面上に、ＨＰＲ１１８３といわれるような
フォトレジストを３０００ｒｐｍの回転速度で塗布し、
塗布されたフォトレジストを９０℃程度の温度下で乾燥
させることによって所定厚みのレジスト膜（図示してい
ない）を形成する。そして、図１（ａ）で示すように、
このレジスト膜のパターニングを行うことによって金属
パターンとなるべき部分のみが除去されたレジストパタ
ーンＲを形成した後、このレジストパターンＲに対し、
３０μＷ/ｃｍ2の出力強度を有する遠紫外線（DeepＵ
Ｖ）を約５分間にわたって照射する。なお、この際、紫
外線（ＵＶ）を照射してもよいことは勿論である。する
と、遠紫外線が照射された後のレジストパターンＲは、
高温にさらされても熱だれを起こし難く、しかも、さほ
ど硬化しないものとなる。
【００１０】次に、レジストパターンＲが形成された回
路基板Ｗを２００℃程度の温度に設定されたオーブン
（図示していない）内に載置し、約３０分間にわたって
保持することによってレジストパターンＲのベーキング
を行う。その後、真空蒸着装置（図示していない）を使
用し、回路基板Ｗを２００℃程度の温度条件下で支持し
たうえでの高温デポジション処理を行うことにより、図
１（ｂ）で示すように、レジストパターンＲを含む回路
基板Ｗの全面にわたってアルミニウム（Ａｌ）を５Å
（オングストローム）/secの蒸着速度（レート）で堆積
させることによって３０００Å程度の所定厚みを有する
金属膜Ｍを形成する。なお、この際の高温デポジション
処理によってレジストパターンＲの熱だれが発生するこ
とは起こらず、その断面形状は剥離液が侵入しやすいオ
ーバーハング形状などとされたままで維持される。
路基板Ｗを２００℃程度の温度に設定されたオーブン
（図示していない）内に載置し、約３０分間にわたって
保持することによってレジストパターンＲのベーキング
を行う。その後、真空蒸着装置（図示していない）を使
用し、回路基板Ｗを２００℃程度の温度条件下で支持し
たうえでの高温デポジション処理を行うことにより、図
１（ｂ）で示すように、レジストパターンＲを含む回路
基板Ｗの全面にわたってアルミニウム（Ａｌ）を５Å
（オングストローム）/secの蒸着速度（レート）で堆積
させることによって３０００Å程度の所定厚みを有する
金属膜Ｍを形成する。なお、この際の高温デポジション
処理によってレジストパターンＲの熱だれが発生するこ
とは起こらず、その断面形状は剥離液が侵入しやすいオ
ーバーハング形状などとされたままで維持される。
【００１１】さらに、金属膜Ｍが形成された回路基板Ｗ
を剥離液（図示していない）中に浸漬したうえで超音波
振動を印加すると、レジストパターンＲが回路基板Ｗの
表面から剥離すると同時に、このレジストパターンＲ上
に堆積していた金属膜ＭがレジストパターンＲとともに
除去されてしまうことになり、回路基板Ｗ上には所望の
金属パターンのみが残ることになってリフトオフ工程が
終了する。なお、本実施例においては、回路基板Ｗがセ
ラミックからなるものであるとしているが、これに限ら
れることはなく、例えば、水晶やＳｉＯ2，Ｓｉからな
る回路基板Ｗに対しても本発明の適用が可能である。ま
た、フォトレジストがネガ型もしくはポジ型のいずれを
も問わず、ＡＺやＬＭＲなどの使用も可能であり、レジ
スト膜が２層以上の多層として形成されたものであって
もよいのは勿論である。さらにまた、ここでの剥離液と
しては、アセトンやＭＥＫ，（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）など
が用いられることになる。ところで、本実施例で挙げた
遠紫外線の照射条件やベーキング条件などが上記条件の
みに限定されるものではなく、必要に応じて任意に設定
されるべきものであることも勿論である。
を剥離液（図示していない）中に浸漬したうえで超音波
振動を印加すると、レジストパターンＲが回路基板Ｗの
表面から剥離すると同時に、このレジストパターンＲ上
に堆積していた金属膜ＭがレジストパターンＲとともに
除去されてしまうことになり、回路基板Ｗ上には所望の
金属パターンのみが残ることになってリフトオフ工程が
終了する。なお、本実施例においては、回路基板Ｗがセ
ラミックからなるものであるとしているが、これに限ら
れることはなく、例えば、水晶やＳｉＯ2，Ｓｉからな
る回路基板Ｗに対しても本発明の適用が可能である。ま
た、フォトレジストがネガ型もしくはポジ型のいずれを
も問わず、ＡＺやＬＭＲなどの使用も可能であり、レジ
スト膜が２層以上の多層として形成されたものであって
もよいのは勿論である。さらにまた、ここでの剥離液と
しては、アセトンやＭＥＫ，（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）など
が用いられることになる。ところで、本実施例で挙げた
遠紫外線の照射条件やベーキング条件などが上記条件の
みに限定されるものではなく、必要に応じて任意に設定
されるべきものであることも勿論である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る金属
パターンの作製方法によれば、回路基板上に形成された
レジストパターンに対する紫外線もしくは遠紫外線の照
射をリフトオフ工程の当初段階において行っており、紫
外線もしくは遠紫外線が照射された後のレジストパター
ンは高温にさらされても熱だれを起こし難く、また、さ
ほど硬化しないものとなる。したがって、以後のリフト
オフ工程においては高温デポジション処理を採用したう
えで金属膜を堆積させることが可能となる結果、回路基
板に対する密着強度の高い金属パターンを形成すること
ができるという効果が得られることになる。
パターンの作製方法によれば、回路基板上に形成された
レジストパターンに対する紫外線もしくは遠紫外線の照
射をリフトオフ工程の当初段階において行っており、紫
外線もしくは遠紫外線が照射された後のレジストパター
ンは高温にさらされても熱だれを起こし難く、また、さ
ほど硬化しないものとなる。したがって、以後のリフト
オフ工程においては高温デポジション処理を採用したう
えで金属膜を堆積させることが可能となる結果、回路基
板に対する密着強度の高い金属パターンを形成すること
ができるという効果が得られることになる。
【図１】本実施例に係るリフトオフ工程の手順を示す説
明図である。
明図である。
【図２】従来例に係るリフトオフ工程の一段階を示す説
明図である。
明図である。
【図３】従来例に係るリフトオフ工程の不都合状態を示
す説明図である。
す説明図である。
Ｗ 回路基板 Ｒ レジストパターン Ｍ 金属膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/14 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 回路基板（Ｗ）上のレジストパターン
（Ｒ）に対する紫外線もしくは遠紫外線の照射を行った
後、レジストパターン（Ｒ）を含む回路基板（Ｗ）の全
面にわたる金属膜（Ｍ）を堆積したうえで行われるリフ
トオフ工程を含むことを特徴とする金属パターンの作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2115693A JPH06237137A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 金属パターンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2115693A JPH06237137A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 金属パターンの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06237137A true JPH06237137A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12047053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2115693A Pending JPH06237137A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 金属パターンの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06237137A (ja) |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP2115693A patent/JPH06237137A/ja active Pending
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