JPH06232065A - 半導体製造装置における加熱炉 - Google Patents
半導体製造装置における加熱炉Info
- Publication number
- JPH06232065A JPH06232065A JP4074493A JP4074493A JPH06232065A JP H06232065 A JPH06232065 A JP H06232065A JP 4074493 A JP4074493 A JP 4074493A JP 4074493 A JP4074493 A JP 4074493A JP H06232065 A JPH06232065 A JP H06232065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outside
- quartz tube
- heating furnace
- boat
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置における加熱炉において、石
英チューブが軟化し易い高温状態でも所定の処理時間
(例えば10〜20回程度のバッチ処理)は十分使用で
きるようにするため。 【構成】 ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボ
トムアップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムア
ップ構造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のス
テンレス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側
に封入されるH2及び前記石英チューブの外側に封入さ
れるN2が漏れないような2重構造とし、前記SiCボー
トの外側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チ
ューブの外側のN2も真空引きを行うことにより、両者
の気圧の圧力差をなくすることができるようにした。
英チューブが軟化し易い高温状態でも所定の処理時間
(例えば10〜20回程度のバッチ処理)は十分使用で
きるようにするため。 【構成】 ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボ
トムアップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムア
ップ構造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のス
テンレス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側
に封入されるH2及び前記石英チューブの外側に封入さ
れるN2が漏れないような2重構造とし、前記SiCボー
トの外側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チ
ューブの外側のN2も真空引きを行うことにより、両者
の気圧の圧力差をなくすることができるようにした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置における
加熱炉に関する。
加熱炉に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造装置には、例えば特開
平4ー157750号公報の「半導体製造装置における
昇降装置」に開示されたものがある。その従来の半導体
製造装置は図2(前記特開平4ー157750号公報の
第3図と同一)のように構成されていた。同図におい
て、1はフレーム、2はヒータを主体にした加熱炉、3
は石英チューブ、4は石英ボートで、このボート4内に
複数枚のウェーハ5が積層状態で収納されている。6は
支持テーブル、6aはスカベンジャー、6bはスカベン
ジャーキャップである。これらスカベンジャー6a、ス
カベンジャーキャップ6bはマニホールドおよびマニホ
ールドキャップで置換することができ、要するにガス供
給手段である。7はエレベータシャフト、8は支持アー
ムである。図示しない電動機の駆動トルクを減速機及び
ボールネジを介して伝達してエレベータシャフト7を昇
降すると、エレベータシャフトの下端部に設けられた支
持アーム8、スカベンジャーキャップ6bを介して支持
テーブル6を支持し、昇降する。支持テーブル6の上昇
工程でウェーハが収納されたボート4を加熱炉2内に移
送する。なお、9a、9bは夫々2個直列状態に配置さ
れたリニアボールベアリング、10はシールシャッタ、
11はハンドラーである。上記構成において、図示しな
い電動機の駆動トルクによりエレベータシャフト7を下
降させ、その下端部にリニアボールベアリング9a、9
bを介して取り付けた支持アーム8が2点鎖線で示した
下方位置にあって支持テーブル6を支持している状態の
ときに、ハンドラ11から所要枚数の未処理ウェーハを
収納したボート4が支持テーブル6上に移載される。そ
こで上記電動機を逆転させて、エレベータシャフト7を
上昇させ、支持テーブル6上のボート4が加熱炉2内に
収納される位置に移行すると、スカベンジャーキャップ
6bが加熱炉2の底部をふさぎ、加熱炉2によりウェー
ハに対する加熱を行い、いわゆる熱拡散方法により所要
の半導体製造のための加熱処理がなされる。石英ボート
4については耐熱性を増やすためSiCボートが用いら
れることがある。
平4ー157750号公報の「半導体製造装置における
昇降装置」に開示されたものがある。その従来の半導体
製造装置は図2(前記特開平4ー157750号公報の
第3図と同一)のように構成されていた。同図におい
て、1はフレーム、2はヒータを主体にした加熱炉、3
は石英チューブ、4は石英ボートで、このボート4内に
複数枚のウェーハ5が積層状態で収納されている。6は
支持テーブル、6aはスカベンジャー、6bはスカベン
ジャーキャップである。これらスカベンジャー6a、ス
カベンジャーキャップ6bはマニホールドおよびマニホ
ールドキャップで置換することができ、要するにガス供
給手段である。7はエレベータシャフト、8は支持アー
ムである。図示しない電動機の駆動トルクを減速機及び
ボールネジを介して伝達してエレベータシャフト7を昇
降すると、エレベータシャフトの下端部に設けられた支
持アーム8、スカベンジャーキャップ6bを介して支持
テーブル6を支持し、昇降する。支持テーブル6の上昇
工程でウェーハが収納されたボート4を加熱炉2内に移
送する。なお、9a、9bは夫々2個直列状態に配置さ
れたリニアボールベアリング、10はシールシャッタ、
11はハンドラーである。上記構成において、図示しな
い電動機の駆動トルクによりエレベータシャフト7を下
降させ、その下端部にリニアボールベアリング9a、9
bを介して取り付けた支持アーム8が2点鎖線で示した
下方位置にあって支持テーブル6を支持している状態の
ときに、ハンドラ11から所要枚数の未処理ウェーハを
収納したボート4が支持テーブル6上に移載される。そ
こで上記電動機を逆転させて、エレベータシャフト7を
上昇させ、支持テーブル6上のボート4が加熱炉2内に
収納される位置に移行すると、スカベンジャーキャップ
6bが加熱炉2の底部をふさぎ、加熱炉2によりウェー
ハに対する加熱を行い、いわゆる熱拡散方法により所要
の半導体製造のための加熱処理がなされる。石英ボート
4については耐熱性を増やすためSiCボートが用いら
れることがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、石英チュー
ブは耐熱性であっても1200℃以上になると軟化して
変形し易く、この種装置では石英チューブの内側を真空
引きすることが行われ、その際石英チューブが大気圧に
より押されるため、例えば10〜20回程度のバッチ処
理には耐えられるが長時間の連続使用では石英チューブ
がぐにゃぐにゃに変形してSiCボートに被さり、Si
Cボートを変形させ、内部に収納したウェーハを損傷す
る恐れがあった。又、ボート内にH2が存在する状態で
大気中のO2との混入があると爆発を起こすので、これ
は絶対回避する必要がある(註:H2とO2は4〜98%
の混合割合で爆発する性質がある。)。このため、他の
例として石英チューブを含めた加熱炉部分を図3に示さ
れるように吊り下げ構造として変形による影響を少なく
する方法か、又は、石英チューブをSiカーバイトで製
作しさらに耐熱性を増大させるように構成した例も知ら
れている。図3において、21は加熱炉、22は石英チ
ューブ、23はSiCボート、24はウェーハである。
しかし、前者の吊り下げ構造の場合は支持構造を必要と
するため高価となることと、ボトムアップ構造のように
SiCボートに被さるような変形はないものの変形があ
る以上安全性では完全とはいえない欠点があった。又、
後者の石英チューブをSiCにする場合耐熱性が増大す
る点では問題がなくなるが、高価な構造となる点と、S
iCからの不純物の混入を嫌うウェーハの処理において
問題があった。
ブは耐熱性であっても1200℃以上になると軟化して
変形し易く、この種装置では石英チューブの内側を真空
引きすることが行われ、その際石英チューブが大気圧に
より押されるため、例えば10〜20回程度のバッチ処
理には耐えられるが長時間の連続使用では石英チューブ
がぐにゃぐにゃに変形してSiCボートに被さり、Si
Cボートを変形させ、内部に収納したウェーハを損傷す
る恐れがあった。又、ボート内にH2が存在する状態で
大気中のO2との混入があると爆発を起こすので、これ
は絶対回避する必要がある(註:H2とO2は4〜98%
の混合割合で爆発する性質がある。)。このため、他の
例として石英チューブを含めた加熱炉部分を図3に示さ
れるように吊り下げ構造として変形による影響を少なく
する方法か、又は、石英チューブをSiカーバイトで製
作しさらに耐熱性を増大させるように構成した例も知ら
れている。図3において、21は加熱炉、22は石英チ
ューブ、23はSiCボート、24はウェーハである。
しかし、前者の吊り下げ構造の場合は支持構造を必要と
するため高価となることと、ボトムアップ構造のように
SiCボートに被さるような変形はないものの変形があ
る以上安全性では完全とはいえない欠点があった。又、
後者の石英チューブをSiCにする場合耐熱性が増大す
る点では問題がなくなるが、高価な構造となる点と、S
iCからの不純物の混入を嫌うウェーハの処理において
問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は高熱(たとえば
1200℃)で使用される加熱炉のボトムアップ構造の
石英チューブを真空引きしても変形しないようにするこ
とを目的とし、半導体製造装置における加熱炉であっ
て、ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボトムア
ップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムアップ構
造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のステンレ
ス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側に封入
されるH2及び前記石英チューブの外側に封入されるN2
が漏れないような2重構造とし、前記SiCボートの外
側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チューブ
の外側のN2も真空引きを行うことにより、両者の気圧
の圧力差をなくするようにした。
1200℃)で使用される加熱炉のボトムアップ構造の
石英チューブを真空引きしても変形しないようにするこ
とを目的とし、半導体製造装置における加熱炉であっ
て、ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボトムア
ップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムアップ構
造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のステンレ
ス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側に封入
されるH2及び前記石英チューブの外側に封入されるN2
が漏れないような2重構造とし、前記SiCボートの外
側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チューブ
の外側のN2も真空引きを行うことにより、両者の気圧
の圧力差をなくするようにした。
【0005】
【作用】ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボト
ムアップ構造の石英チューブが配置され、石英チューブ
の外側に更にボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠が
配置されて、SiCボートの外側に封入されるH2及び石
英チューブの外側に封入されるN2が漏れないような2
重構造とされ、SiCボートの外側のH2と石英チューブ
の外側のN2とを同時に真空引きを行うようにしたか
ら、両者の気圧差がなくなり、石英チューブの変形は防
止される。
ムアップ構造の石英チューブが配置され、石英チューブ
の外側に更にボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠が
配置されて、SiCボートの外側に封入されるH2及び石
英チューブの外側に封入されるN2が漏れないような2
重構造とされ、SiCボートの外側のH2と石英チューブ
の外側のN2とを同時に真空引きを行うようにしたか
ら、両者の気圧差がなくなり、石英チューブの変形は防
止される。
【0006】
【実施例】以下、本発明による半導体製造装置における
加熱炉の実施例について図1を参照して説明する。図1
は半導体製造装置における加熱炉の縦断正面図である
が、図2を参照して説明した従来の加熱炉の支持テーブ
ル6、エレベータシャフト7、支持アーム8、シールシ
ャッタ10、ハンドラー11等は共通であるので、その
図示及び説明は省略し、図2と異なった部分についての
み説明する。図1において、32は加熱炉、33は石英
チューブ、34はSiCボート、35は外枠、36はウ
ェーハ、37は真空排気口、38はH2供給口、39は
N2供給口である。なお、図示を省略したが、これら供
給口38、39に対する制御弁を含む流体経路が設けら
れ、後述するような連動しての真空引きを行うようにな
っているものとする。本発明による半導体製造装置にお
ける加熱炉32は外枠35内に収納されている。ウェー
ハ36が収納されるボトムアップ構造のSiCボート3
4の外側にボトムアップ構造の石英チューブ33を配置
し、ボトムアップ構造の石英チューブ33の外側に前記
ボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠35を配置し
て、SiCボート34の外側にH2供給口38を介して封
入されるH2及び石英チューブ33の外側にN2供給口3
9を介して封入されるN2が漏れないような2重構造と
し、真空排気口37、37を経てSiCボート34の外
側のH2の真空引きを行うとき、上記した別置される流
体経路を介して、H2の真空引きと連動して石英チュー
ブ33の外側のN2も真空引きを行うようにし、両者の
気圧の圧力差をなくす構成としたものである。
加熱炉の実施例について図1を参照して説明する。図1
は半導体製造装置における加熱炉の縦断正面図である
が、図2を参照して説明した従来の加熱炉の支持テーブ
ル6、エレベータシャフト7、支持アーム8、シールシ
ャッタ10、ハンドラー11等は共通であるので、その
図示及び説明は省略し、図2と異なった部分についての
み説明する。図1において、32は加熱炉、33は石英
チューブ、34はSiCボート、35は外枠、36はウ
ェーハ、37は真空排気口、38はH2供給口、39は
N2供給口である。なお、図示を省略したが、これら供
給口38、39に対する制御弁を含む流体経路が設けら
れ、後述するような連動しての真空引きを行うようにな
っているものとする。本発明による半導体製造装置にお
ける加熱炉32は外枠35内に収納されている。ウェー
ハ36が収納されるボトムアップ構造のSiCボート3
4の外側にボトムアップ構造の石英チューブ33を配置
し、ボトムアップ構造の石英チューブ33の外側に前記
ボトムアップ構造のステンレス鋼製外枠35を配置し
て、SiCボート34の外側にH2供給口38を介して封
入されるH2及び石英チューブ33の外側にN2供給口3
9を介して封入されるN2が漏れないような2重構造と
し、真空排気口37、37を経てSiCボート34の外
側のH2の真空引きを行うとき、上記した別置される流
体経路を介して、H2の真空引きと連動して石英チュー
ブ33の外側のN2も真空引きを行うようにし、両者の
気圧の圧力差をなくす構成としたものである。
【0007】
【発明の効果】本発明による半導体製造装置における加
熱炉は、上述のように構成されSiCボートの外側のH2
と石英チューブの外側のN2とを同時に真空引きを行う
ようにしたから、石英チューブが軟化し易い高温状態で
も所定の処理時間は十分使用できるようになった。
熱炉は、上述のように構成されSiCボートの外側のH2
と石英チューブの外側のN2とを同時に真空引きを行う
ようにしたから、石英チューブが軟化し易い高温状態で
も所定の処理時間は十分使用できるようになった。
【図1】本発明による半導体製造装置における加熱炉の
実施例の縦断正面図である。
実施例の縦断正面図である。
【図2】従来の半導体製造装置の縦断正面図である。
【図3】従来の半導体製造装置における加熱炉の変更例
の部分縦断正面図である。
の部分縦断正面図である。
1 フレーム 2 加熱炉 3 石英チューブ 4 石英ボート 5 ウェーハ 6 支持テーブル 7 エレベータシャフト 8 支持アーム 21 加熱炉 22 石英チューブ 23 SiCボート 24 ウェーハ 32 加熱炉 33 石英チューブ 34 SiCボート 35 外枠 36 ウェーハ 37 真空排気口 38 H2供給口 39 N2供給口
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体製造装置における加熱炉であっ
て、ボトムアップ構造のSiCボートの外側にボトムア
ップ構造の石英チューブを配置し、前記ボトムアップ構
造の石英チューブの外側にボトムアップ構造のステンレ
ス鋼製外枠を配置して、前記SiCボートの外側に封入
されるH2及び前記石英チューブの外側に封入されるN2
が漏れないような2重構造とし、前記SiCボートの外
側のH2の真空引きを行うとき同時に前記石英チューブ
の外側のN2も真空引きを行うことにより、両者の気圧
の圧力差をなくするようにしたことを特徴とする半導体
製造装置における加熱炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4074493A JPH06232065A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 半導体製造装置における加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4074493A JPH06232065A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 半導体製造装置における加熱炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232065A true JPH06232065A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12589146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4074493A Pending JPH06232065A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 半導体製造装置における加熱炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06232065A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007091784A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Poongsan Microtec Co., Ltd. | Methods and apparatuses for high pressure gas annealing |
CN112080801A (zh) * | 2019-06-14 | 2020-12-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下炉膛组件、生长炉及其安装方法 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP4074493A patent/JPH06232065A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007091784A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Poongsan Microtec Co., Ltd. | Methods and apparatuses for high pressure gas annealing |
CN112080801A (zh) * | 2019-06-14 | 2020-12-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下炉膛组件、生长炉及其安装方法 |
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