JPH06230731A - Ｌｅｄ表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数のドット状発光部を有するＬＥＤアレイ
において、ドット数の増加による歩留りの低下や工程数
の増加をもたらすことがなく、また、接続ワイヤによる
ＬＥＤ光の反射の影響をなくし、安価で品質の高いＬＥ
Ｄ表示装置を提供することができ、さらに、多数のドッ
ト状発光部の点灯時や高密度発光パターンの点灯時の発
熱による温度上昇を抑制することができる信頼性の高い
ＬＥＤ表示装置を提供する。 【構成】 光透過性の基板の裏面側に、ドライバＩＣと
発光面を基板側に向けたＬＥＤとが配設され、ＬＥＤの
各ドットのアノード側の電極とその電極に対応する基板
裏面の位置にパターン形成されている電極とがバンプを
介して接続されている。
において、ドット数の増加による歩留りの低下や工程数
の増加をもたらすことがなく、また、接続ワイヤによる
ＬＥＤ光の反射の影響をなくし、安価で品質の高いＬＥ
Ｄ表示装置を提供することができ、さらに、多数のドッ
ト状発光部の点灯時や高密度発光パターンの点灯時の発
熱による温度上昇を抑制することができる信頼性の高い
ＬＥＤ表示装置を提供する。 【構成】 光透過性の基板の裏面側に、ドライバＩＣと
発光面を基板側に向けたＬＥＤとが配設され、ＬＥＤの
各ドットのアノード側の電極とその電極に対応する基板
裏面の位置にパターン形成されている電極とがバンプを
介して接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オーディオ機器、ビデ
オ機器、家電類などの民生機器、各種コンピュータ、ワ
ープロなどの情報通信機器、自動車や道路表示板などの
各種光源に用いられるＬＥＤ表示装置に関する。特に、
チップ当たりの発光ドット数が多く、また、発光による
温度上昇が見込まれるものに利用される。
オ機器、家電類などの民生機器、各種コンピュータ、ワ
ープロなどの情報通信機器、自動車や道路表示板などの
各種光源に用いられるＬＥＤ表示装置に関する。特に、
チップ当たりの発光ドット数が多く、また、発光による
温度上昇が見込まれるものに利用される。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＥＤ装置としてＬＥＤチップと
ドライバＩＣをワイヤーボンディング法によって接続さ
れたものがある。図１０にその側面図、また図１１にチ
ップの発光面側からみた平面図を示す。
ドライバＩＣをワイヤーボンディング法によって接続さ
れたものがある。図１０にその側面図、また図１１にチ
ップの発光面側からみた平面図を示す。
【０００３】基板１０４上にＬＥＤチップ１０１と、そ
のＬＥＤチップ１０１近傍にはドライバＩＣ１０３が搭
載されている。このＬＥＤチップ１０１とドライバＩＣ
１０３とは接続ワイヤ１０２により電気的に接続されて
いる。発光部１０５は基板１０４表面側に形成されてお
り、この接続ワイヤ１０２による接続はＬＥＤ発光面側
１０６でなされている。
のＬＥＤチップ１０１近傍にはドライバＩＣ１０３が搭
載されている。このＬＥＤチップ１０１とドライバＩＣ
１０３とは接続ワイヤ１０２により電気的に接続されて
いる。発光部１０５は基板１０４表面側に形成されてお
り、この接続ワイヤ１０２による接続はＬＥＤ発光面側
１０６でなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
では電気的接続にワイヤが用いられており、発光ドット
数が増加すれば、このワイヤ数も増加する。このため、
高品位化、高精細化が進むにつれ、この発光ドット数の
増加を招き、これに伴いワイヤボンディングの歩留りが
低下することから、高品位化、高精細化に限度を生じる
という問題があった。また、ボンディング工数の増加に
より、コストの上昇を招くという問題もあった。
では電気的接続にワイヤが用いられており、発光ドット
数が増加すれば、このワイヤ数も増加する。このため、
高品位化、高精細化が進むにつれ、この発光ドット数の
増加を招き、これに伴いワイヤボンディングの歩留りが
低下することから、高品位化、高精細化に限度を生じる
という問題があった。また、ボンディング工数の増加に
より、コストの上昇を招くという問題もあった。
【０００５】また、発光面側の発光部の近傍にワイヤが
存在する構成のため、ワイヤがＬＥＤ光を反射してしま
い、製品の機能を損ない、品質低下をもたらすといった
問題もあった。
存在する構成のため、ワイヤがＬＥＤ光を反射してしま
い、製品の機能を損ない、品質低下をもたらすといった
問題もあった。
【０００６】さらに、ＬＥＤは発光に伴って熱を発生す
るため、特にＬＥＤが高密度な配列パターンの場合、放
熱のための手段が別途必要となっていた。本発明はこれ
らの問題点を解決するためになされたものであり、多数
のドット状発光部を有するＬＥＤアレイにおいて、ドッ
ト数の増加による歩留りの低下や工程数の増加をもたら
すことがなく、また、接続ワイヤによるＬＥＤ光の反射
の影響をなくし、安価で品質の高いＬＥＤ表示装置を製
造することができ、さらに、多数のドット状発光部の点
灯時や高密度発光パターンの点灯時の発熱による温度上
昇を抑制することができ、信頼性の高いＬＥＤ表示装置
を提供することを目的とする。
るため、特にＬＥＤが高密度な配列パターンの場合、放
熱のための手段が別途必要となっていた。本発明はこれ
らの問題点を解決するためになされたものであり、多数
のドット状発光部を有するＬＥＤアレイにおいて、ドッ
ト数の増加による歩留りの低下や工程数の増加をもたら
すことがなく、また、接続ワイヤによるＬＥＤ光の反射
の影響をなくし、安価で品質の高いＬＥＤ表示装置を製
造することができ、さらに、多数のドット状発光部の点
灯時や高密度発光パターンの点灯時の発熱による温度上
昇を抑制することができ、信頼性の高いＬＥＤ表示装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のＬＥＤ発光装置は、光透過性の基板上
に、複数のドット状発光部を有するモノシリック型ＬＥ
Ｄが搭載され、かつそのＬＥＤの近傍にそのＬＥＤを駆
動するためのドライバＩＣが搭載され、そのＬＥＤとド
ライバＩＣとが電気的に接続されているＬＥＤ表示装置
において、上記基板の裏面側に、上記ドライバＩＣと発
光面を上記基板側に向けた上記ＬＥＤとが配設されてい
るとともに、上記各ドットのアノード側電極と、その各
アノード側電極に対応する上記基板裏面の位置にパター
ン形成されている電極とがバンプを介して接続されてい
ることによって特徴付けられる。
めに、本発明のＬＥＤ発光装置は、光透過性の基板上
に、複数のドット状発光部を有するモノシリック型ＬＥ
Ｄが搭載され、かつそのＬＥＤの近傍にそのＬＥＤを駆
動するためのドライバＩＣが搭載され、そのＬＥＤとド
ライバＩＣとが電気的に接続されているＬＥＤ表示装置
において、上記基板の裏面側に、上記ドライバＩＣと発
光面を上記基板側に向けた上記ＬＥＤとが配設されてい
るとともに、上記各ドットのアノード側電極と、その各
アノード側電極に対応する上記基板裏面の位置にパター
ン形成されている電極とがバンプを介して接続されてい
ることによって特徴付けられる。
【０００８】
【作用】ＬＥＤチップ上の各発光ドットのアノード電極
及びドライバＩＣはそれぞれバンプを介して、基板と電
気的及び機械的に接続される。
及びドライバＩＣはそれぞれバンプを介して、基板と電
気的及び機械的に接続される。
【０００９】ＬＥＤから発光した光は基板を透過して、
基板表面側を光出射面として外部に発光する。
基板表面側を光出射面として外部に発光する。
【００１０】
【実施例】図１、図２は本発明実施例を説明するための
図であり、それぞれその側面図、ＬＥＤ裏面側からみた
平面図である。以下、これらの図面に基づいて本発明実
施例を説明する。
図であり、それぞれその側面図、ＬＥＤ裏面側からみた
平面図である。以下、これらの図面に基づいて本発明実
施例を説明する。
【００１１】ＬＥＤチップ１上には発光ドットに対応し
たバンプ６が発光面側２３に形成されており、一方、ガ
ラス基板などの光透過性基板５上には予めＬＥＤチップ
１のバンプのピッチ及び大きさに対応した配線パターン
９が形成されている。このバンプ６はＡｕや半田などか
らなる凸状あるいは球状の立体電極である。このＬＥＤ
のバンプ６と配線パターン９はＡｇぺーストなどの導電
性接着剤７を介してフェイスダウン方式で接続されてい
る。ＬＥＤチップ裏面２１と光透過性基板５とは、接続
ワイヤ２を介して接続されている。このＬＥＤチップ１
の発光部８は光透過性基板５の裏面に対向するように配
設されており、ＬＥＤチップ１からの光は光透過性基板
５を透過し、外部に放射される。光透過性基板５の表面
側にはチップ等は搭載されておらず、平坦な面となって
いる。一方、光透過性基板５の裏面に設けられたドライ
バＩＣ裏面２２からワイヤーボンディングはなされてい
ない。
たバンプ６が発光面側２３に形成されており、一方、ガ
ラス基板などの光透過性基板５上には予めＬＥＤチップ
１のバンプのピッチ及び大きさに対応した配線パターン
９が形成されている。このバンプ６はＡｕや半田などか
らなる凸状あるいは球状の立体電極である。このＬＥＤ
のバンプ６と配線パターン９はＡｇぺーストなどの導電
性接着剤７を介してフェイスダウン方式で接続されてい
る。ＬＥＤチップ裏面２１と光透過性基板５とは、接続
ワイヤ２を介して接続されている。このＬＥＤチップ１
の発光部８は光透過性基板５の裏面に対向するように配
設されており、ＬＥＤチップ１からの光は光透過性基板
５を透過し、外部に放射される。光透過性基板５の表面
側にはチップ等は搭載されておらず、平坦な面となって
いる。一方、光透過性基板５の裏面に設けられたドライ
バＩＣ裏面２２からワイヤーボンディングはなされてい
ない。
【００１２】このような構成のＬＥＤ表示装置の他に、
適用例として、配線側にカバーガラス５１が施された構
成のものがある〔図５（ａ）〕。またシリコンやエポキ
シ樹脂５２などにより樹脂封止が施された構成のものも
ある〔図５（ｂ）〕。さらに、光透過性基板５の発光面
側にカバーマスク５３が設けられた構成のものもある
〔図５（ｃ）〕。これらの構成により、光学的特性及び
接続部の信頼性の向上を図ることができる。さらにま
た、図４に示すように、必要に応じてＬＥＤチップ１及
びドライバＩＣ３を各々複数個、配列する構成でもよ
い。この場合、複数のＬＥＤチップ間の接続は、接続ワ
イヤ２をそのＬＥＤ裏面側２１のカソード側電極に接続
して行われる。
適用例として、配線側にカバーガラス５１が施された構
成のものがある〔図５（ａ）〕。またシリコンやエポキ
シ樹脂５２などにより樹脂封止が施された構成のものも
ある〔図５（ｂ）〕。さらに、光透過性基板５の発光面
側にカバーマスク５３が設けられた構成のものもある
〔図５（ｃ）〕。これらの構成により、光学的特性及び
接続部の信頼性の向上を図ることができる。さらにま
た、図４に示すように、必要に応じてＬＥＤチップ１及
びドライバＩＣ３を各々複数個、配列する構成でもよ
い。この場合、複数のＬＥＤチップ間の接続は、接続ワ
イヤ２をそのＬＥＤ裏面側２１のカソード側電極に接続
して行われる。
【００１３】以上の構成からなるＬＥＤ表示装置の製造
工程を説明する。図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明
実施例に用いる基板及びＬＥＤの概略図である。
工程を説明する。図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明
実施例に用いる基板及びＬＥＤの概略図である。
【００１４】まず、同図（ｂ）に示すように、ＬＥＤの
発光面側２３に、発光ドットのアノード電極に対応した
バンプ６を形成する。一方、同図（ａ）に示すように、
光透過性基板５に、予めＬＥＤのバンプピッチや大きさ
に対応した配線パターン９を、無電解めっき法あるいは
スパッタ法などで形成する。
発光面側２３に、発光ドットのアノード電極に対応した
バンプ６を形成する。一方、同図（ａ）に示すように、
光透過性基板５に、予めＬＥＤのバンプピッチや大きさ
に対応した配線パターン９を、無電解めっき法あるいは
スパッタ法などで形成する。
【００１５】次に、このＬＥＤバンプ６と光透過性基板
５上に形成された配線パターン９とが一致するように配
置した状態で、導電性接着剤７あるいはフラックスを介
して、フェイスダウンボンドを行う。この接続では導電
性接着剤としてＡｇペーストや半田を用い、それぞれ転
写や、半田バンプによる直接搭載を行う。
５上に形成された配線パターン９とが一致するように配
置した状態で、導電性接着剤７あるいはフラックスを介
して、フェイスダウンボンドを行う。この接続では導電
性接着剤としてＡｇペーストや半田を用い、それぞれ転
写や、半田バンプによる直接搭載を行う。
【００１６】Ａｇペースト転写を用いる場合について説
明すると、ＬＥＤ（ＩＣチップの場合も同様）上に形成
されるバンプ６の高さは、その接地径と中心径でほぼ決
まるが、例えば、中心径を５０μｍ、接地径を１００μ
ｍとすると、バンプの高さは３０μｍ程度になる。Ａｇ
ペースト転写の場合は３０μｍ以下のバンプの高さとす
るのが望ましく、バンプに転写を行い、加熱によりペー
ストを硬化させる。
明すると、ＬＥＤ（ＩＣチップの場合も同様）上に形成
されるバンプ６の高さは、その接地径と中心径でほぼ決
まるが、例えば、中心径を５０μｍ、接地径を１００μ
ｍとすると、バンプの高さは３０μｍ程度になる。Ａｇ
ペースト転写の場合は３０μｍ以下のバンプの高さとす
るのが望ましく、バンプに転写を行い、加熱によりペー
ストを硬化させる。
【００１７】尚、半田バンプによる搭載の場合は、バン
プ全面にフラックスを塗布した後、加熱により半田を溶
融させて基板側と接続し、固着させる。その後、フラッ
クス残渣を洗浄などにより除去する。
プ全面にフラックスを塗布した後、加熱により半田を溶
融させて基板側と接続し、固着させる。その後、フラッ
クス残渣を洗浄などにより除去する。
【００１８】次に、ＬＥＤチップ１の裏面２１と光透過
性基板５との配線を接続ワイヤ２を介してワイヤボンデ
ィングにより行う。この場合、ＬＥＤチップ１の裏面２
１にワイヤボンディング用電極を形成し、ボンディング
する。また、接続本数は流れる電流と、ワイヤの径、種
類などによって決定される。例えば、Ａｕ線３０μｍ
φ，Ｌ＝５ｍｍの場合、１本当たり０．５Ａ程度までは
十分問題なく通電することができる。
性基板５との配線を接続ワイヤ２を介してワイヤボンデ
ィングにより行う。この場合、ＬＥＤチップ１の裏面２
１にワイヤボンディング用電極を形成し、ボンディング
する。また、接続本数は流れる電流と、ワイヤの径、種
類などによって決定される。例えば、Ａｕ線３０μｍ
φ，Ｌ＝５ｍｍの場合、１本当たり０．５Ａ程度までは
十分問題なく通電することができる。
【００１９】次に、本発明における他の実施例について
説明する。図６、図７は本発明の他の実施例を説明する
ための図であり、それぞれその側面図、ＬＥＤ裏面側か
らみた平面図である。
説明する。図６、図７は本発明の他の実施例を説明する
ための図であり、それぞれその側面図、ＬＥＤ裏面側か
らみた平面図である。
【００２０】先に説明した実施例の構成においてＬＥＤ
チップ裏面２１のカソード側電極と光透過性基板５に形
成された配線パターンとの接続は接続ワイヤ２を介して
なされた構成であったが、この実施例ではこの接続手段
として、放熱・配線部材６０が設けられている点が特徴
である。この放熱・配線部材６０は光透過性基板５と導
電性接着剤７を介して接続され、ＬＥＤチップ１の裏面
電極と光透過性基板５に形成されたパターンとは電気的
に接続される。さらに、この放熱・配線部材６０が設け
られた構成により、ＬＥＤチップ１が発生する熱は効率
的に放出され、温度上昇を抑えることができる。
チップ裏面２１のカソード側電極と光透過性基板５に形
成された配線パターンとの接続は接続ワイヤ２を介して
なされた構成であったが、この実施例ではこの接続手段
として、放熱・配線部材６０が設けられている点が特徴
である。この放熱・配線部材６０は光透過性基板５と導
電性接着剤７を介して接続され、ＬＥＤチップ１の裏面
電極と光透過性基板５に形成されたパターンとは電気的
に接続される。さらに、この放熱・配線部材６０が設け
られた構成により、ＬＥＤチップ１が発生する熱は効率
的に放出され、温度上昇を抑えることができる。
【００２１】このような構成のＬＥＤ表示装置の他に、
適用例として、ＬＥＤチップ１やドライバＩＣ３を全面
的に保護できるよう、これらのチップ全体を覆った放熱
・配線部材６０が設けられた構成のものがある〔図９
（ａ）〕。この放熱・配線部材６０により、大熱量が発
生する場合にもその熱を効率良く放出することができ
る。また、放熱・配線部材６０をＬＥＤチップ１の裏面
に設けるだけでなく、ドライバＩＣ３の裏面にもそれぞ
れ設ける構成でもよい。この構成では、それぞれのチッ
プの放熱を個々に行うようになっている〔図９
（ｂ）〕。さらに、光透過性基板５の発光面側にカバー
マスク９１が設けられた構成となっており、これによ
り、光学的特性の向上を図ることができる。また、図８
に示すように、必要に応じてＬＥＤチップ１及びドライ
バＩＣ３を各々複数個配列する構成においても適用さ
れ、この複数のＬＥＤチップの裏面全体を覆うことがで
きる形状及び大きさの放熱・配線部材６０が設けられて
いる。
適用例として、ＬＥＤチップ１やドライバＩＣ３を全面
的に保護できるよう、これらのチップ全体を覆った放熱
・配線部材６０が設けられた構成のものがある〔図９
（ａ）〕。この放熱・配線部材６０により、大熱量が発
生する場合にもその熱を効率良く放出することができ
る。また、放熱・配線部材６０をＬＥＤチップ１の裏面
に設けるだけでなく、ドライバＩＣ３の裏面にもそれぞ
れ設ける構成でもよい。この構成では、それぞれのチッ
プの放熱を個々に行うようになっている〔図９
（ｂ）〕。さらに、光透過性基板５の発光面側にカバー
マスク９１が設けられた構成となっており、これによ
り、光学的特性の向上を図ることができる。また、図８
に示すように、必要に応じてＬＥＤチップ１及びドライ
バＩＣ３を各々複数個配列する構成においても適用さ
れ、この複数のＬＥＤチップの裏面全体を覆うことがで
きる形状及び大きさの放熱・配線部材６０が設けられて
いる。
【００２２】以上説明した各実施例における適用例につ
いて、個々に実現できることはいうまでもないが、必要
に応じてこれらを組み合わせた構成としてもよい。
いて、個々に実現できることはいうまでもないが、必要
に応じてこれらを組み合わせた構成としてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＬＥＤ発
光装置によれば、光透過性の基板の裏面側に、ドライバ
ＩＣと発光面を基板側に向けたＬＥＤとが配設され、Ｌ
ＥＤの各ドットとその各ドットに対応する基板裏面の位
置にパターン形成されている電極とがバンプを介して接
続されている構成としたので、多数のドット状発光部を
有するＬＥＤアレイにおいても、ドット数の増加による
歩留りの低下や工程数の増加を生じることがない。ま
た、従来のような接続ワイヤによるＬＥＤ光の反射も起
こらず、透過光の出射面はチップなどのない平坦な面と
なっているので、光特性の優れたものとなる。これらの
結果、安価で品質及び信頼性の高いＬＥＤ表示装置を提
供することができる。さらに、基板裏面に配設されたチ
ップに放熱・配線部材を設けることもできることから、
多数ドット状発光部の点灯時や高密度発光パターンの点
灯時の発熱による温度上昇を抑制することができ、ドッ
ト数の増加に対応した信頼性の高いＬＥＤ表示装置を提
供することができる。
光装置によれば、光透過性の基板の裏面側に、ドライバ
ＩＣと発光面を基板側に向けたＬＥＤとが配設され、Ｌ
ＥＤの各ドットとその各ドットに対応する基板裏面の位
置にパターン形成されている電極とがバンプを介して接
続されている構成としたので、多数のドット状発光部を
有するＬＥＤアレイにおいても、ドット数の増加による
歩留りの低下や工程数の増加を生じることがない。ま
た、従来のような接続ワイヤによるＬＥＤ光の反射も起
こらず、透過光の出射面はチップなどのない平坦な面と
なっているので、光特性の優れたものとなる。これらの
結果、安価で品質及び信頼性の高いＬＥＤ表示装置を提
供することができる。さらに、基板裏面に配設されたチ
ップに放熱・配線部材を設けることもできることから、
多数ドット状発光部の点灯時や高密度発光パターンの点
灯時の発熱による温度上昇を抑制することができ、ドッ
ト数の増加に対応した信頼性の高いＬＥＤ表示装置を提
供することができる。
【図１】本発明実施例の構成を示す側面図
【図２】本発明実施例の基板裏側からみた平面図
【図３】本発明実施例に用いる基板及びＬＥＤの概略図
【図４】本発明実施例の応用例を説明する図
【図５】本発明実施例の応用例を説明する図
【図６】本発明の他の実施例の構成を示す側面図
【図７】本発明の他の実施例の基板裏側からみた平面図
【図８】本発明の他の実施例の応用例を説明する図
【図９】本発明の他の実施例の応用例を説明する図
【図１０】従来例の構成を示す側面図
【図１１】従来例の基板表面側からみた平面図
１・・・・ＬＥＤチップ ２・・・・接続ワイヤ ３・・・・ドライバＩＣ ５・・・・光透過性基板 ６・・・・バンプ ７・・・・導電性接着剤 ８・・・・発光部 ９・・・・配線パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 光透過性の基板上に、複数のドット状発
光部を有するモノシリック型ＬＥＤが搭載され、かつそ
のＬＥＤの近傍にそのＬＥＤを駆動するためのドライバ
ＩＣが搭載され、そのＬＥＤとドライバＩＣとが電気的
に接続されているＬＥＤ表示装置において、上記基板の
裏面側に、上記ドライバＩＣと発光面を上記基板側に向
けた上記ＬＥＤとが配設されているとともに、上記各ド
ットのアノード側電極と、その各アノード側電極に対応
する上記基板裏面の位置にパターン形成されている電極
とがバンプを介して接続されていることを特徴とするＬ
ＥＤ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1839093A JPH06230731A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | Ｌｅｄ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1839093A JPH06230731A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | Ｌｅｄ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230731A true JPH06230731A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11970391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1839093A Pending JPH06230731A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | Ｌｅｄ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06230731A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579629B2 (en) | 2003-04-01 | 2009-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| JP2013138043A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子の実装方法 |
| CN108206162A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 迈来芯科技有限公司 | 集成led设备 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP1839093A patent/JPH06230731A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10490535B2 (en) | 2003-04-01 | 2019-11-26 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| US8030675B2 (en) | 2003-04-01 | 2011-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US8421109B2 (en) | 2003-04-01 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US7579629B2 (en) | 2003-04-01 | 2009-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US8629476B2 (en) | 2003-04-01 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US9241375B2 (en) | 2003-04-01 | 2016-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US9768153B2 (en) | 2003-04-01 | 2017-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
| US11476227B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-10-18 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| US11424210B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-08-23 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
| US10741533B2 (en) | 2003-04-01 | 2020-08-11 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
| JP2013138043A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子の実装方法 |
| CN108206162B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-10-01 | 迈来芯科技有限公司 | 集成led设备 |
| US10165639B2 (en) | 2016-12-20 | 2018-12-25 | Melexis Technologies Nv | Integrated LED device |
| EP3340296A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-27 | Melexis Technologies NV | Integrated led device |
| CN108206162A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 迈来芯科技有限公司 | 集成led设备 |
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