JPH06230397A - フラットパネル構造体製造方法 - Google Patents
フラットパネル構造体製造方法Info
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- JPH06230397A JPH06230397A JP15986193A JP15986193A JPH06230397A JP H06230397 A JPH06230397 A JP H06230397A JP 15986193 A JP15986193 A JP 15986193A JP 15986193 A JP15986193 A JP 15986193A JP H06230397 A JPH06230397 A JP H06230397A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラットパネル液晶ディスプレイアセンブリ
のような集積されたスペーサを有するフラットアセンブ
リの製造方法を提供すること。 【構成】 カバーシートをリソグラフィックパターン形
成し、エッチングし、次いで、当該カバーシート上に電
極と相互接続を付着させ、当該カバーシート上にアライ
ンメント層を付着させかつバフみがきし、アクティブマ
トリックス基板にピクセル電極及び相互接続を提供し、
アクティブマトリックス基板上にアラインメント層を付
着させ、かつバフみがきし、次いで、カバーシートとア
クティブマトリックス基板を中間パッシベーション層に
よって組立て、かつ液晶をギャップに充填しかつアセン
ブリをシールする。
のような集積されたスペーサを有するフラットアセンブ
リの製造方法を提供すること。 【構成】 カバーシートをリソグラフィックパターン形
成し、エッチングし、次いで、当該カバーシート上に電
極と相互接続を付着させ、当該カバーシート上にアライ
ンメント層を付着させかつバフみがきし、アクティブマ
トリックス基板にピクセル電極及び相互接続を提供し、
アクティブマトリックス基板上にアラインメント層を付
着させ、かつバフみがきし、次いで、カバーシートとア
クティブマトリックス基板を中間パッシベーション層に
よって組立て、かつ液晶をギャップに充填しかつアセン
ブリをシールする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラットパネル液晶デ
ィスプレイアセンブリのような集積されたスペーサを有
するフラットパネルアセンブリに係り、特にパネルアセ
ンブリ製造方法に関する。
ィスプレイアセンブリのような集積されたスペーサを有
するフラットパネルアセンブリに係り、特にパネルアセ
ンブリ製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、液晶ディスプレイのごときフラ
ットパネルディスプレイアセンブリにおいて、カバーシ
ートとアクティブ基板の間のセルギャップは、一般に、
アクティブマトリックス基板とカバーシートの間に多数
の小さなラテックス球状スペーサを挟むことによって形
成される。スペーサは溶媒混合物において流動化され、
アクティブマトリックス基板そして／またはカバーシー
ト上に噴霧される。このように、ギャップ内にラテック
ス球状スペーサを挟むことによって形成されるセルギャ
ップの制御及び均一性がしばしば不充分であることが見
つけられている。従って、混合物が基板に噴霧される時
に、スペーサの分散及び位置を制御することは困難であ
る。この技術においては、スペーサは、アクティブマト
リックス基板上、そして／またはカバーシート上の異な
る構造体上にランダムに付着されているので、ディスプ
レイを介して一様でないセルギャップが生じ得る。さら
に、スペーサが噴霧中に溶媒内で流動化されない場合、
スペーサは一緒に集合（クラスタ）し、これによりセル
ギャップ内にハイスポット（しみ）を生成する。個々の
スペーサでも、ディスプレイされた画像内では白いスポ
ットとして目立ちやすい。
ットパネルディスプレイアセンブリにおいて、カバーシ
ートとアクティブ基板の間のセルギャップは、一般に、
アクティブマトリックス基板とカバーシートの間に多数
の小さなラテックス球状スペーサを挟むことによって形
成される。スペーサは溶媒混合物において流動化され、
アクティブマトリックス基板そして／またはカバーシー
ト上に噴霧される。このように、ギャップ内にラテック
ス球状スペーサを挟むことによって形成されるセルギャ
ップの制御及び均一性がしばしば不充分であることが見
つけられている。従って、混合物が基板に噴霧される時
に、スペーサの分散及び位置を制御することは困難であ
る。この技術においては、スペーサは、アクティブマト
リックス基板上、そして／またはカバーシート上の異な
る構造体上にランダムに付着されているので、ディスプ
レイを介して一様でないセルギャップが生じ得る。さら
に、スペーサが噴霧中に溶媒内で流動化されない場合、
スペーサは一緒に集合（クラスタ）し、これによりセル
ギャップ内にハイスポット（しみ）を生成する。個々の
スペーサでも、ディスプレイされた画像内では白いスポ
ットとして目立ちやすい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、フラットパ
ネルアセンブリの提供に係り、かつ上記の問題を解決す
るアセンブリを製造するための方法の提供に関する。
ネルアセンブリの提供に係り、かつ上記の問題を解決す
るアセンブリを製造するための方法の提供に関する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】要するに、上記の問題を
克服するには、本発明によるアセンブリのためのスペー
サは、例えば、液晶ディスプレイのカバーシートのよう
なフラットパネル素子のうちの一つをリソグラフィによ
りパターン形成し、かつエッチングすることによって生
成される。カバーシート基板上のスペーサの位置及び分
散は、アセンブリの有効動作を最大限とし、かつ視覚的
な妨害を最小限とするように、アクティブマトリックス
層の構造と位置合わせされるように配置構成され得る。
例えば、液晶ディスプレイにおいて、スペーサは、アク
ティブマトリックス基板上の各ピクセル内の同一素子と
位置合わせされ得る。
克服するには、本発明によるアセンブリのためのスペー
サは、例えば、液晶ディスプレイのカバーシートのよう
なフラットパネル素子のうちの一つをリソグラフィによ
りパターン形成し、かつエッチングすることによって生
成される。カバーシート基板上のスペーサの位置及び分
散は、アセンブリの有効動作を最大限とし、かつ視覚的
な妨害を最小限とするように、アクティブマトリックス
層の構造と位置合わせされるように配置構成され得る。
例えば、液晶ディスプレイにおいて、スペーサは、アク
ティブマトリックス基板上の各ピクセル内の同一素子と
位置合わせされ得る。
【０００５】スペーサクラスタリング（集合）の問題
は、カバーシート基板上のスペーサをリソグラフィによ
りパターン形成し、かつエッチングすることによって解
決される。カバーシート上のスペーサの位置及び分散
は、カバーシートとアクティブマトリックス基板間のギ
ャップがアクティブマトリックス基板上の構造体の高さ
によって影響されないことを確実にするため、セルアセ
ンブリの間、アクティブマトリックス上の同一構造体と
位置合わせされるように設計され得る。スペーサの高さ
は、カバーシート基板と交わって非常に均一にエッチン
グされ得る（例えば、４インチ（１０．１６ｃｍ）のウ
ェーハと交わって±0.1 μｍ以内）。スペーサは、高さ
が均一であり、かつアクティブマトリックス上の同一構
造体と位置合わせされるので、セルギャップ均一性の制
御が改善される。
は、カバーシート基板上のスペーサをリソグラフィによ
りパターン形成し、かつエッチングすることによって解
決される。カバーシート上のスペーサの位置及び分散
は、カバーシートとアクティブマトリックス基板間のギ
ャップがアクティブマトリックス基板上の構造体の高さ
によって影響されないことを確実にするため、セルアセ
ンブリの間、アクティブマトリックス上の同一構造体と
位置合わせされるように設計され得る。スペーサの高さ
は、カバーシート基板と交わって非常に均一にエッチン
グされ得る（例えば、４インチ（１０．１６ｃｍ）のウ
ェーハと交わって±0.1 μｍ以内）。スペーサは、高さ
が均一であり、かつアクティブマトリックス上の同一構
造体と位置合わせされるので、セルギャップ均一性の制
御が改善される。
【０００６】本発明の態様は、複数のスペーサが延出し
ている表面を有するように、カバーシートをリソグラフ
ィによりパターン形成し、かつエッチングするステップ
と、アクティブマトリックス基板を提供するステップ
と、前記表面を前記アクティブマトリックス基板へ向け
て、前記アクティブマトリックス基板上に前記カバーシ
ートを組み立て、これにより、前記アクティブマトリッ
クス基板と、前記スペーサ同士の間の前記カバーシート
の部分との間にギャップが形成されるステップと、を備
えるフラットパネル構造体製造方法である。
ている表面を有するように、カバーシートをリソグラフ
ィによりパターン形成し、かつエッチングするステップ
と、アクティブマトリックス基板を提供するステップ
と、前記表面を前記アクティブマトリックス基板へ向け
て、前記アクティブマトリックス基板上に前記カバーシ
ートを組み立て、これにより、前記アクティブマトリッ
クス基板と、前記スペーサ同士の間の前記カバーシート
の部分との間にギャップが形成されるステップと、を備
えるフラットパネル構造体製造方法である。
【０００７】
【実施例】本発明の一つの実施例による図面に関して
は、例えば、ガラス製（コーニング（Corning ）(7059)
等）又は水晶（クォーツ）のようなフラットカバーシー
ト１０は、例えば、レジストマスク等でリソグラフィに
よりパターン形成され、かつ当該カバーシートの表面１
２から延出する複数のスペーサ１１を形成するためにエ
ッチングされる（ステップ５０）。基板は、例えば、ポ
ジ型フォトレジストでパターン形成され、かつ緩衝フッ
化水素酸でエッチングされても良い。本発明はこの材料
の選択に限定されてはいないが、カバーシートは、ガラ
ス又は水晶のいづれかから生成され得る。一つの実施例
においては、高さが6.25μｍであり、底面積が約26.1μ
ｍ2 であるスペーサを有する水晶カバーシートが形成さ
れている。本発明はこの特定形状に制限されないが、ス
ペーサ形成においてマスキングを容易にするために、ス
ペーサの断面は直線方向であるのが好ましい。スペーサ
の側は、底のサイズが側の尖端よりも大きな先細り状で
あることが好ましい。スペーサ構造体の先細（テーパ
ー）状エッジは、その構造体に後で提供される位置合わ
せポリイミド層のコーティング及びバフみがきを容易に
する。上記の実施例においては、スペーサは、約１８μ
ｍ2 の上部面積を有していた。スペーサの形成には従来
の技術を用いても良い。スペーサ１１は、後述されるよ
うに、アクティブマトリックス基板上の特別な構造体と
位置合わせされるカバーシート上の位置に配置される。
は、例えば、ガラス製（コーニング（Corning ）(7059)
等）又は水晶（クォーツ）のようなフラットカバーシー
ト１０は、例えば、レジストマスク等でリソグラフィに
よりパターン形成され、かつ当該カバーシートの表面１
２から延出する複数のスペーサ１１を形成するためにエ
ッチングされる（ステップ５０）。基板は、例えば、ポ
ジ型フォトレジストでパターン形成され、かつ緩衝フッ
化水素酸でエッチングされても良い。本発明はこの材料
の選択に限定されてはいないが、カバーシートは、ガラ
ス又は水晶のいづれかから生成され得る。一つの実施例
においては、高さが6.25μｍであり、底面積が約26.1μ
ｍ2 であるスペーサを有する水晶カバーシートが形成さ
れている。本発明はこの特定形状に制限されないが、ス
ペーサ形成においてマスキングを容易にするために、ス
ペーサの断面は直線方向であるのが好ましい。スペーサ
の側は、底のサイズが側の尖端よりも大きな先細り状で
あることが好ましい。スペーサ構造体の先細（テーパ
ー）状エッジは、その構造体に後で提供される位置合わ
せポリイミド層のコーティング及びバフみがきを容易に
する。上記の実施例においては、スペーサは、約１８μ
ｍ2 の上部面積を有していた。スペーサの形成には従来
の技術を用いても良い。スペーサ１１は、後述されるよ
うに、アクティブマトリックス基板上の特別な構造体と
位置合わせされるカバーシート上の位置に配置される。
【０００８】電極１３及び好適な相互接続は、スペーサ
１１同士の間の表面１２上にコーティングされる（ステ
ップ５１）。これらの電極は、例えば、ＩＴＯのいづれ
であってもよく、従来の方法で形成され得る。電極１３
は、アクティブマトリックス基板上のピクセル電極に対
する対極として作用するように位置決めされる。
１１同士の間の表面１２上にコーティングされる（ステ
ップ５１）。これらの電極は、例えば、ＩＴＯのいづれ
であってもよく、従来の方法で形成され得る。電極１３
は、アクティブマトリックス基板上のピクセル電極に対
する対極として作用するように位置決めされる。
【０００９】電極１３の付着に続いて、電極及び表面１
２の任意の露光部分が、アラインメント（位置合わせ）
層１４によってコーティングされる（ステップ５２）。
層１４はスペーサ１１の上部にわたって延出し得る。こ
の層１４は、例えば、RN-753ポリイミド等のポリイミド
であってもよく、かつ本発明によれば、この層は位置合
わせのために従来通り研磨される。
２の任意の露光部分が、アラインメント（位置合わせ）
層１４によってコーティングされる（ステップ５２）。
層１４はスペーサ１１の上部にわたって延出し得る。こ
の層１４は、例えば、RN-753ポリイミド等のポリイミド
であってもよく、かつ本発明によれば、この層は位置合
わせのために従来通り研磨される。
【００１０】アクティブマトリックス基板２０は、ガラ
ス製でも水晶製でもよいが、ＩＴＯ等のピクセル電極２
２が付着された表面２１を有する。これらの電極は、従
来のように、形造られ、かつ相互接続されている。例え
ば、データライン２３は、ピクセル電極に望ましい接続
を設定するために表面２１上に付着され得る。次に、ピ
クセル電極、データライン及びアクティブマトリックス
基板の表面２１の任意の露光部分は、例えば、ポリイミ
ド等からなるアラインメント層２４によってコーティン
グされ、層２４は位置合わせのために従来の方法で研磨
される（ステップ５４）。
ス製でも水晶製でもよいが、ＩＴＯ等のピクセル電極２
２が付着された表面２１を有する。これらの電極は、従
来のように、形造られ、かつ相互接続されている。例え
ば、データライン２３は、ピクセル電極に望ましい接続
を設定するために表面２１上に付着され得る。次に、ピ
クセル電極、データライン及びアクティブマトリックス
基板の表面２１の任意の露光部分は、例えば、ポリイミ
ド等からなるアラインメント層２４によってコーティン
グされ、層２４は位置合わせのために従来の方法で研磨
される（ステップ５４）。
【００１１】次に、上記のように形成されたカバーシー
ト及びアクティブマトリックス基板は、スペーサを、ア
クティブマトリックス基板上にパッシベーション層３０
を有するアクティブマトリックス基板の表面２１に向け
て組み立てられる（ステップ５５）。このようにして組
み立てられた基板同士の間のギャップ３１は、ZLI-4792
等の液晶３２によって充填される（ステップ５６）。サ
ンドイッチは好適な従来の技術によって密封される（ス
テップ５６）。パッシベーション層３０は、例えば、日
立化学（Hitachi Chemical Co.）によって製造されたポ
リイミドPIX-1400であってもよく、この場合、典型的な
厚さは約1.2 μｍである。金属製端末パッドを保護する
必要はないが、この層は、ＴＦＴ、データライン、及び
その上にある記憶コンデンサを含むアクティブマトリッ
クス全体を機械的に保護するために使用される。
ト及びアクティブマトリックス基板は、スペーサを、ア
クティブマトリックス基板上にパッシベーション層３０
を有するアクティブマトリックス基板の表面２１に向け
て組み立てられる（ステップ５５）。このようにして組
み立てられた基板同士の間のギャップ３１は、ZLI-4792
等の液晶３２によって充填される（ステップ５６）。サ
ンドイッチは好適な従来の技術によって密封される（ス
テップ５６）。パッシベーション層３０は、例えば、日
立化学（Hitachi Chemical Co.）によって製造されたポ
リイミドPIX-1400であってもよく、この場合、典型的な
厚さは約1.2 μｍである。金属製端末パッドを保護する
必要はないが、この層は、ＴＦＴ、データライン、及び
その上にある記憶コンデンサを含むアクティブマトリッ
クス全体を機械的に保護するために使用される。
【００１２】カバーシート上のスペーサは、ディスプレ
イパネルの動作を妨害しないように、アクティブマトリ
ックス基板の構造体と位置合わせするように位置決めさ
れる。アクティブマトリックスピクセルは、異なる地形
的高さを有する、例えば、ＴＦＴ、ゲートライン、記憶
コンデンサ、ＩＴＯ電極等の多くの構造体を有する。カ
バーシート基板上のスペーサは、スペーサが、アクティ
ブマトリックスの各ピクセル内の同じ構造素子と当接す
るように、各ピクセルにおいて、これらの構造体の内の
同じ一つの構造体と位置合わせされることが好ましい。
例えば、図１に示すように、スペーサは、アクティブマ
トリックスの各ピクセル内のデータライン２３と位置合
わせされ得る。しかしながら、或いは、スペーサは、ア
クティブマトリックス基板の他の構造体、又はピクセル
構造体が提供されてないアクティブマトリックス基板の
表面２１の一部と位置合わせされ得る。
イパネルの動作を妨害しないように、アクティブマトリ
ックス基板の構造体と位置合わせするように位置決めさ
れる。アクティブマトリックスピクセルは、異なる地形
的高さを有する、例えば、ＴＦＴ、ゲートライン、記憶
コンデンサ、ＩＴＯ電極等の多くの構造体を有する。カ
バーシート基板上のスペーサは、スペーサが、アクティ
ブマトリックスの各ピクセル内の同じ構造素子と当接す
るように、各ピクセルにおいて、これらの構造体の内の
同じ一つの構造体と位置合わせされることが好ましい。
例えば、図１に示すように、スペーサは、アクティブマ
トリックスの各ピクセル内のデータライン２３と位置合
わせされ得る。しかしながら、或いは、スペーサは、ア
クティブマトリックス基板の他の構造体、又はピクセル
構造体が提供されてないアクティブマトリックス基板の
表面２１の一部と位置合わせされ得る。
【００１３】上記のように集積されたスペーサを用いて
組み立てられたセルは、有効であり、スペーサの周囲に
おいてさえ良好な位置合わせを有していることが見つけ
られている。このようなセルは、集積されたスペーサ１
１が約6.3 μｍの高さの時に、約6.5 乃至6.6 μｍのギ
ャップを有し、かつ集積されたスペーサ１１が約5.1μ
ｍの高さの時には約 5.5乃至 5.6μｍのギャップを有す
る。スペーサの周囲に観察されたアラインメントは、組
み立てられたセルにとって良好であった。スペーサは、
パッシベーション層上のパッシベーション層をスクラッ
チしたり、損傷も与えなかったし、また、スペーサの供
給が、スペーサの近隣のアラインメント層の研磨に悪影
響を与えることもなかった。
組み立てられたセルは、有効であり、スペーサの周囲に
おいてさえ良好な位置合わせを有していることが見つけ
られている。このようなセルは、集積されたスペーサ１
１が約6.3 μｍの高さの時に、約6.5 乃至6.6 μｍのギ
ャップを有し、かつ集積されたスペーサ１１が約5.1μ
ｍの高さの時には約 5.5乃至 5.6μｍのギャップを有す
る。スペーサの周囲に観察されたアラインメントは、組
み立てられたセルにとって良好であった。スペーサは、
パッシベーション層上のパッシベーション層をスクラッ
チしたり、損傷も与えなかったし、また、スペーサの供
給が、スペーサの近隣のアラインメント層の研磨に悪影
響を与えることもなかった。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、フラットパネルアセンブリの
提供に係り、かつ上記の問題を解決するアセンブリの製
造方法を提供する。
提供に係り、かつ上記の問題を解決するアセンブリの製
造方法を提供する。
【図１】本発明によるフラットパネルディスプレイ構造
体の断面図である。
体の断面図である。
【図２】本発明によるディスプレイパネル形成プロセス
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
１０ フラットカバーシート １１ スペーサ １２ 表面 １３ 電極 ２０ アクティブマトリックス基板 ２２ ピクセル電極 ２３ データライン ２４ アラインメント層 ３０ パッシベーション層
フロントページの続き (72)発明者 ジャクソン ホー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94301 パロ アルト ハミルトン アベ ニュー 1168
Claims (1)
- 【請求項１】 フラットパネル構造体を製造するための
方法であって、 複数のスペーサが延出している表面を有するように、カ
バーシートをリソグラフィによりパターン形成し、かつ
エッチングするステップと、 アクティブマトリックス基板を提供するステップと、 前記表面を前記アクティブマトリックス基板へ向けて、
前記アクティブマトリックス基板上に前記カバーシート
を組み立て、これにより、前記アクティブマトリックス
基板と、前記スペーサ同士の間の前記カバーシートの部
分との間にギャップが形成されるステップと、 を備えるフラットパネル構造体製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US99743692A | 1992-12-28 | 1992-12-28 | |
| US997436 | 1992-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230397A true JPH06230397A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=25544027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15986193A Pending JPH06230397A (ja) | 1992-12-28 | 1993-06-30 | フラットパネル構造体製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0605146A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06230397A (ja) |
| CA (1) | CA2110967A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100895306B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2009-05-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862623A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| DE3923254A1 (de) * | 1989-07-14 | 1991-01-24 | Hoechst Ag | Fluessigkristalldisplay mit strukturierten traegerplatten und verfahren zur herstellung strukturierter traegerplatten |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP15986193A patent/JPH06230397A/ja active Pending
- 1993-12-08 CA CA 2110967 patent/CA2110967A1/en not_active Abandoned
- 1993-12-15 EP EP93310136A patent/EP0605146A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0605146A1 (en) | 1994-07-06 |
| CA2110967A1 (en) | 1994-06-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
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