JPH06226488A - はんだペースト - Google Patents
はんだペーストInfo
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- JPH06226488A JPH06226488A JP3456593A JP3456593A JPH06226488A JP H06226488 A JPH06226488 A JP H06226488A JP 3456593 A JP3456593 A JP 3456593A JP 3456593 A JP3456593 A JP 3456593A JP H06226488 A JPH06226488 A JP H06226488A
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Abstract
だペーストを提供する。 【構成】 Au−Si合金粉末、Au−Sn合金粉末、
Au−Ge合金粉末、金粉末とSi粉末の混合粉末、金
粉末とSn粉末の混合粉末、または金粉末とGe粉末の
混合粉末:80〜98重量%、ペースト化剤:2〜20
重量%からなり、粘度:25,000〜300,000
センチポアズを有するはんだペーストにおいて、上記は
んだペースト化剤に含まれる酸素を100ppm 以下にし
たことを特徴とする。
Description
写や吐出などを行なうことができ、かつはんだ付け部に
はんだの溶け残りや酸化物、さらにフラックス残渣が見
られず、強固なろう付けが可能なはんだペーストに関す
るものであり、特に半導体装置用はんだペーストに関す
るものである。
の製造に際して、例えばセラミックスケースのアルミナ
基板上に、これに焼結されたAg−Pd合金などからな
る電極を介して、SiチップやGa−Asチップなどの
半導体チップをダイボンディングすることが行なわれて
いる。
下、%は重量%を示す)、Si:1〜10%を含有する
Au−Si系合金箔、Sn:4〜38%を含有するAu
−Sn系合金箔、Ge:1〜50%を含有するAu−G
e系合金箔などの金合金からなる箔を所定の形状に打抜
いた金合金はんだが用いられている。
く割れやすい性質を有するために厚さ:50μm程度ま
でにしか薄くすることができず、その取扱いも非常に難
しいために、上記金合金を粉末化してAu合金粉末と
し、このAu合金粉末をペースト化剤と混練して得られ
た金合金はんだペーストが使用されるようになってき
た。
は、金合金はんだペーストが記載されており、この金合
金はんだペーストは、いずれも粒径:100μm以下の
Au−Si系合金粉末、Au−Sn系合金粉末、または
Au−Ge系合金粉末からなるAu合金粉末:80〜9
8%に対し、パラフィンワックスと流動パラフィンワッ
クス、またはパラフィンワックスとテトラリンからなる
ペースト化剤を2〜20%を混練して得られ、その粘度
は25,000〜300,000センチポアズであると
されている。
合金はんだペーストを用いてはんだ付けを行っても、依
然としてはんだ付け部に溶け残りや酸化物が存在して所
望のはんだ付け強度が得られないことがあり、特に長期
間保存された上記従来の金合金はんだペーストについて
その傾向が顕著に表われ、さらに従来の金合金はんだペ
ーストは加熱雰囲気に酸素が少しでも混入すると金合金
はんだペーストに含まれる金合金粉末の表面に分厚い酸
化被覆が形成され、そのため大気中でN2 +H2 の混合
ガスを吹付けながらダイボンディングを行うことは不可
能であり、露点を−70℃程度まで下げたリフロー炉内
など特殊な雰囲気中でしかはんだ付けを行うことができ
なかった。
かかる課題を解決し、従来よりも優れた金合金はんだペ
ーストを得るべく研究を行った結果、(1) 特に長期
間保存された金合金はんだペーストを用いてはんだ付け
した接合部に酸化物が残存するのは、従来の金合金はん
だペーストに含まれるペースト化剤に酸素が0.1%以
上含まれているからで、この酸素が金合金はんだペース
ト中のAu合金粉末表面に分厚い酸化被膜を形成し、そ
のためにはんだ付け接合部に酸化物が多量に残存し、は
んだ付け接合強度を低下せしめるものであり、したがっ
て、ペースト化剤に含まれる酸素含有量を100ppm 以
下に脱酸し、この脱酸ペースト化剤と金合金はんだ粉末
を混練して得られた酸素含有量:100ppm 以下のはん
だペーストを用いるとはんだ付け部に残留する酸化物は
激減し、接合部強度を大幅に向上せしめる、(2) A
u粉末、Si粉末、Sn粉末、Ge粉末など各要素粉末
の混合粉末として添加する方が、従来のようにAu−S
i合金粉末、Au−Sn合金粉末、またはAu−Ge合
金粉末などの合金はんだ粉末として添加するよりも、は
んだ付け接合部に残存する酸化物は少なくなりしたがっ
て接合強度が一層向上する、などの研究結果が得られた
のである。
なされたものであって、金はんだ粉末:80〜98%、
ペースト化剤:2〜20%を含有し、粘度:25,00
0〜300,000センチポアズを有するはんだペース
トにおいて、はんだペーストに含まれる酸素量は100
ppm 以下であるはんだペーストを特徴とするものであ
る。
だ粉末、Au−Sn合金はんだ粉末、またはAu−Ge
合金はんだ粉末であってもよいが、Au粉末とSi粉
末、Au粉末とSn粉末、またはAu粉末とGe粉末の
各要素純金属粉末をはんだ合金となる割合で混合した混
合粉末である方が好ましい。
末、Au−Sn合金はんだ粉末、Au−Ge合金はんだ
粉末などの金合金粉末は、一般に表面から奥深くまでS
i,SnまたはGe成分が酸化され、Si,Snまたは
Geの分厚い酸化皮膜が形成されるが、Si,Sn,G
eの各要素純金属粉末は表面に薄い酸化皮膜が形成され
るだけで酸化の進行がほぼ停止するため、合金粉末より
要素粉末の混合粉のほうが酸化量が少なくなるためと考
えられる。
剤は、次のようにして得ることができる。すなわち、市
販のパラフィンワックスは加熱溶融して、流動パラフィ
ンは常温で、それぞれArやHeなどの不活性ガスをバ
ブリングさせて、混合している酸素と水分を除去し、ま
た、テトラリンとジエチルベンゼンは蒸留や乾燥剤の使
用によって酸素と水分を除去する。このように脱水され
た各ペースト化剤を不活性ガスの雰囲気中で加熱溶融さ
せペースト化剤を作成する。
動パラフィン、テトラリン、ジエチルベンゼンには、通
常0.1%以上の酸素が含まれている。
上記の通りに限定した理由を説明する。
系合金はんだ粉末、Sn:4〜38%含有するAu−S
n系合金はんだ粉末もしくはGe:1〜50%含有する
Au−Ge系合金はんだ粉末、またはSi粉末:1〜1
0%とAu粉末:90〜99%からなる混合粉末、Sn
粉末:4〜38%とAu粉末:62〜96%からなる混
合粉末、Ge:1〜50%とAu粉末:50〜99%か
らなる混合粉末のいずれでもよい。しかし合金はんだ粉
末よりも混合粉末の方が好ましい。
と、はんだ付け時に半導体チップに施されるスクライブ
によりチップ裏面が損傷をうけることから100μm以
下であることが好ましい。
互割合、金はんだ粉末の割合が80%未満になると、相
対的にペースト化剤の割合が20%を越えて多くなりす
ぎ、昇温中に金はんだ粉末が流され、広がるようになる
ため、印刷や吐出などによって定量の金はんだ粉末の供
給が行なわれても、はんだ付け部における金はんだ粉末
が減少することから、はんだ付け不良が発生するように
なり、一方、金はんだ粉末の割合が98%を越えると、
相対的にペースト化剤の割合が2%未満となってしま
い、所定のペースト化をはかることができず、印刷や転
写が不可能となることから、その割合をそれぞれ、金は
んだ粉末:80〜98%、ペースト化剤:2〜20%と
定めた。
ィン、テトラリン、ジエチルベンゼンを用いて作製した
ペースト化剤は0.1%以上(1000ppm 以上)の酸
素が含まれているが、ペースト化剤に含まれる酸素は1
00ppm を越えると金はんだ粉末の表面に分厚い酸化被
膜が形成されるところから、ペースト化剤に含まれる酸
素含有量は100ppm 以下に定めた。この酸素含有量:
100ppm 以下のペースト化剤は、従来のペースト化剤
を不活性ガスによりバブリングしたり、蒸留することに
より得られ、このバブリング等により脱酸して酸素含有
量:100ppm 以下に低減せしめたペースト化剤と上記
金はんだ粉末を混練することにより、酸素含有量:10
0ppm 以下のはんだペーストを得ることができる。
て還元剤を0.1〜30%添加することにより加熱中に
金はんだ粉末の酸化皮膜を還元剤が溶解し、良好なはん
だ接合を得ることができる。
などにより供給されたはんだペーストが流れて、横に広
がるようになり、供給時の状態を保持することができな
くなり、はんだ付け不良などを起すようになり、一方3
00,000センチポアズを越えた粘度になると、印刷
や転写などによる供給が困難になることから、その粘度
を25,000〜300,000センチポアズと定め
た。
純物からなり、平均粒径:65μmのAu−Si合金は
んだ粉末(以下、A合金粉末という)、Sn:20.0
%を含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなり、
平均粒径:50μmのAu−Sn合金はんだ粉末(以
下、B合金粉末という)、Ge:12.5%を含有し、
残りがAuおよび不可避不純物からなり、平均粒径:3
8μmのAu−Ge合金はんだ粉末(以下、C合金粉末
という)をそれぞれ用意した。さらに市販のパラフィン
ワックス、並びに炭化水素溶剤として流動パラフィンワ
ックス、テトラリンおよびジエチルベンゼンを用意し
た。上記パラフィンワックスを90℃に加熱溶融し、こ
の温度に保持しながらArガスを3l/min で24時間
吹込むことによりバブリングを施し、炭化水素溶剤を蒸
留精製した後、バブリングの終了した溶融パラフィンワ
ックスにAr雰囲気を保持しながら混合溶解させ、ペー
スト化剤に含まれる酸素を除去した。
と上記A合金粉末、B合金粉末またはC合金粉末とを混
練し、表1に示される酸素含有量および粘度を有する本
発明はんだペースト1〜9を作製した。
ンワックス、流動パラフィンワックス、テトラリン、ジ
エチルベンゼンを大気中で混合し、バブリングを施すこ
となく非脱酸のペースト化剤を作製し、この非脱酸ペー
スト化剤に先に用意したA合金粉末、B合金粉末または
C合金粉末とを混練し、表2に示される酸素含有量およ
び粘度を有する従来はんだペースト1〜9を作製した。
面寸法を有し、表面に同じく平面寸法で2mm×2mmのA
g−Pd合金からなる焼成電極を形成した基板を使用
し、本発明はんだベースト1〜9および従来はんだペー
スト1〜9を上記焼成電極上に、平面寸法:1mm×1m
m、厚さ:50〜200μmの範囲内の所定厚さとなる
ようにスクリーン印刷し、この上に裏面に1μmのAu
メッキを施した平面寸法:1mm×1mmのSiチップを乗
せ、Ar雰囲気中、ホットプレート上で、昇温過程で2
50℃に1分間保持し、ついでSiチップにスクライブ
を施しながら、はんだ付け温度である450℃に1分間
保持し、以降の冷却過程で250℃に1分間保持したの
ち、室温冷却の条件ではんだ付けを行ない、はんだ付け
部の剪断強度を測定し、この結果を表1および表2に示
した。
0ppm 以下の本発明はんだペースト1〜9を用いて形成
されたはんだ付け部は、酸素含有量が1000ppm
(0.1%)以上の従来はんだペースト1〜9を用いて
形成されたはんだ付け部に比べて、剪断強度が格段に優
れていることがわかる。
n粉末およびGe粉末を用意し、これら粉末を用いて、
Si粉末:3.15%、Au粉末:96.85%からな
る混合粉末(以下、A混合粉末という)、Sn粉末:2
0.0%、Au粉末:80.0%からなる混合粉末(以
下、B混合粉末という)、Ge粉末:12.5%、Au
粉末:87.5%からなる混合粉末(以下、C混合粉末
という)、の各混合粉末を作製した。これら混合粉末を
実施例1で作製した脱酸ペースト化剤に添加して混練
し、表4に示される酸素含有量および粘度を有する本発
明はんだペースト10〜18を作製した。
B合金粉末およびC合金粉末に代えてそれぞれ上記A混
合粉末、B混合粉末およびC混合粉末をバブリングを施
さないペースト化剤に添加混練し、比較はんだペースト
1〜9を作製した。
よび比較はんだペースト1〜9を用いて実施例1と同様
にしてはんだ付けを行ない、はんだ付け部の剪断強度を
測定し、その測定結果を表3および表4に示した。
スト10〜18を用いて形成されたはんだ付け部は、比
較はんだペースト1〜9を用いて形成されたはんだ付け
部に比べて剪断強度が優れており、さらに本発明はんだ
ペースト10〜18を用いて形成されたはんだ付け部
は、表2の従来はんだペースト1〜9によるはんだ付け
部に比べて、剪断強度が格段に優れていることもわか
る。
示される還元剤を添加したのち、実施例1で用意したA
合金粉末、B合金粉末およびC合金粉末を添加して混練
し、表5に示される酸素含有量および粘度を有する本発
明はんだペースト19〜27を作製した。
実施例1と同様にしてはんだ付けを行ない、はんだ付け
部の剪断強度を測定し、その測定結果を表5に示した。
剤を添加したのち、実施例2で用意したA混合粉末、B
混合粉末およびC混合粉末を添加混練し、表6に示され
る酸素含有量および粘度を有する本発明はんだペースト
28〜36を作製した。
用い、実施例1と同様にしてはんだ付けを行ない、はん
だ付け部の剪断強度を測定し、その測定結果を表6に示
した。
ト19〜36を用いて形成されたはんだ付け部の剪断強
度は、従来はんだペースト1〜9および比較はんだペー
スト1〜9により形成されたはんだ付け部の剪断強度に
比べて、いずれも格段に優れた値を示すことがわかる。
トは、強固なはんだ付けを行なうことができるので、は
んだ付け部の信頼性が一層向上し、産業上すぐれた効果
をもたらすものである。
Claims (9)
- 【請求項1】 重量%で(以下、%は重量%を示す)、
金はんだ粉末:80〜98%、ペースト化剤:2〜20
%からなり、粘度:25,000〜300,000セン
チポアズを有するはんだペーストにおいて、 上記はんだペースト化剤に含まれる酸素は100ppm 以
下であることを特徴とするはんだペースト。 - 【請求項2】 上記ペースト化剤は、パラフィンワック
スおよび水に溶解せず常温で揮発の少ない炭化水素溶剤
からなる酸素含有量:100ppm 以下の混合体であるこ
とを特徴とする請求項1記載のはんだペースト。 - 【請求項3】 上記ペースト化剤を構成する水に溶解せ
ず常温で揮発の少ない炭化水素溶剤は、流動パラフィ
ン、テトラリン、ジエチルベンゼンのうちのいずれかで
あることを特徴とする請求項2記載のはんだペースト。 - 【請求項4】 上記金はんだ粉末は、Si:1〜10%
を含有するAu−Si合金はんだ粉末、Sn:4〜38
%を含有するAu−Sn合金はんだ粉末、またはGe:
1〜50%を含有するAu−Ge合金はんだ粉末からな
ることを特徴とする請求項1記載のはんだペースト。 - 【請求項5】 上記金はんだ粉末は、 Si粉末:1〜10%、Au粉末:90〜99%の割合
で配合し混合された混合粉末、 Sn粉末:4〜38%、Au粉末:62〜96%の割合
で配合し混合された混合粉末、 Ge粉末:1〜50%、Au粉末:50〜99%の割合
で配合し混合された混合粉末、 のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1記載
のはんだペースト。 - 【請求項6】上記ペースト化剤は、パラフィンワック
ス、水に溶解せず常温で揮発の少ない炭化水素溶剤およ
び酸化物還元剤からなる酸素含有量が100ppm 以下の
混合体であることを特徴とする請求項1記載のはんだペ
ースト。 - 【請求項7】 上記ペースト化剤に含まれる水に溶解せ
ず常温で揮発の少ない炭化水素溶剤は、流動パラフィ
ン、テトラリン、ジエチルベンゼンの内のいずれかであ
り、上記酸化物還元剤は、カーボン数が4以上をもつ有
機塩酸塩、有機フッ酸塩、または脂肪酸であることを特
徴とする請求項6記載のはんだペースト。 - 【請求項8】 上記金はんだ粉末は、Si:1〜10%
を含有するAu−Si系合金粉末、Sn:4〜38%を
含有するAu−Sn系合金粉末、またはGe:1〜50
%を含有するAu−Ge系合金粉末からなることを特徴
とする請求項6記載のはんだペースト。 - 【請求項9】 上記金はんだ粉末は、 Si粉末:1〜10%、Au粉末:90〜99%の割合
で配合し混合された混合粉末、 Sn粉末:4〜38%、Au粉末:62〜96%の割合
で配合し混合された混合粉末、 Ge粉末:1〜50%、Au粉末:50〜99%の割合
で配合し混合された混合粉末、 のうちのいずれかであることを特徴とする請求項6記載
のはんだペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03456593A JP3227868B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | はんだペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03456593A JP3227868B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | はんだペースト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06226488A true JPH06226488A (ja) | 1994-08-16 |
JP3227868B2 JP3227868B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=12417844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03456593A Expired - Lifetime JP3227868B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | はんだペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3227868B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003064102A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-07 | Showa Denko K.K. | Solder metal, soldering flux and solder paste |
JP2009226472A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | ピン転写用Au−Sn合金はんだペースト |
JP2010214396A (ja) * | 2009-03-14 | 2010-09-30 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半田付け用AuGe合金球 |
CN103212921A (zh) * | 2012-06-26 | 2013-07-24 | 深圳市堃琦鑫华科技有限公司 | 一种还原剂组合物及其制备方法、一种焊接方法 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP03456593A patent/JP3227868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003064102A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-07 | Showa Denko K.K. | Solder metal, soldering flux and solder paste |
US7357291B2 (en) | 2002-01-30 | 2008-04-15 | Showa Denko K.K. | Solder metal, soldering flux and solder paste |
JP2009226472A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Mitsubishi Materials Corp | ピン転写用Au−Sn合金はんだペースト |
JP2010214396A (ja) * | 2009-03-14 | 2010-09-30 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半田付け用AuGe合金球 |
CN103212921A (zh) * | 2012-06-26 | 2013-07-24 | 深圳市堃琦鑫华科技有限公司 | 一种还原剂组合物及其制备方法、一种焊接方法 |
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JP3227868B2 (ja) | 2001-11-12 |
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