JPH06223729A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
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- JPH06223729A JPH06223729A JP965093A JP965093A JPH06223729A JP H06223729 A JPH06223729 A JP H06223729A JP 965093 A JP965093 A JP 965093A JP 965093 A JP965093 A JP 965093A JP H06223729 A JPH06223729 A JP H06223729A
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- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 作用空間における磁界強度の分布を軸方向に
均一化してラインノイズを軽減するマグネトロンを提供
することを目的とする。 【構成】 陽極ベイン２の軸方向の寸法を各磁極片５，
６の径小端面間の距離Ｌの７０パーセント以下にしたの
で、作用空間において陰極面付近の軸方向の磁界強度の
ばらつきが抑えられ、陽極ベイン２の内端面付近の軸方
向の磁界強度分布がほぼ均一化される。そのため、ライ
ンノイズが軽減される。
均一化してラインノイズを軽減するマグネトロンを提供
することを目的とする。 【構成】 陽極ベイン２の軸方向の寸法を各磁極片５，
６の径小端面間の距離Ｌの７０パーセント以下にしたの
で、作用空間において陰極面付近の軸方向の磁界強度の
ばらつきが抑えられ、陽極ベイン２の内端面付近の軸方
向の磁界強度分布がほぼ均一化される。そのため、ライ
ンノイズが軽減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子レンジなどのマイ
クロ波加熱機器に用いられるマグネトロンに関するもの
である。
クロ波加熱機器に用いられるマグネトロンに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子レンジなどに用いられるマ
グネトロンは、図８に示すような陽極構体を備える。円
筒状の陽極筒体１は、放射状に配列された多数の陽極ベ
イン２を内周面に有し、共振空胴を形成する。この陽極
ベイン２は、径小および径大の均圧リング３，４によっ
て一つおきに橋絡されている。また、陽極筒体１の両開
口端部には一対の漏斗状の磁極片５，６がそれぞれの円
形の径小端面同士が向き合うように配設され、図示は省
略したが、両磁極片５，６の各径大端面上に励磁用の環
状の永久磁石が同軸的に積み重ねられる。そして、両永
久磁石の外側の磁極同士が枠状の継鉄によって磁気的に
結合される。
グネトロンは、図８に示すような陽極構体を備える。円
筒状の陽極筒体１は、放射状に配列された多数の陽極ベ
イン２を内周面に有し、共振空胴を形成する。この陽極
ベイン２は、径小および径大の均圧リング３，４によっ
て一つおきに橋絡されている。また、陽極筒体１の両開
口端部には一対の漏斗状の磁極片５，６がそれぞれの円
形の径小端面同士が向き合うように配設され、図示は省
略したが、両磁極片５，６の各径大端面上に励磁用の環
状の永久磁石が同軸的に積み重ねられる。そして、両永
久磁石の外側の磁極同士が枠状の継鉄によって磁気的に
結合される。
【０００３】陰極７と陽極ベイン２との間の作用空間に
は一対の磁極片５，６によって集束された磁界が存在す
るので、陰極７から放射された電子は円周方向に回転し
て陽極ベイン２に近づき、電子雲の形で共振空胴に与え
られる。
は一対の磁極片５，６によって集束された磁界が存在す
るので、陰極７から放射された電子は円周方向に回転し
て陽極ベイン２に近づき、電子雲の形で共振空胴に与え
られる。
【０００４】マグネトロンにおいて、作用空間での磁界
分布が発振動作に大きく影響を与えることはよく知られ
ている。理想的には作用空間の全領域で軸方向に完全に
平行で均一な磁界分布になるように設計されるべきであ
る。しかし、陰極７を軸上に沿って設置する必要から磁
極片５，６の中央に所定の内径寸法で透孔を形成しなけ
ればならないため作用空間の全領域で軸方向に完全に平
行で均一な磁界分布が得られない。
分布が発振動作に大きく影響を与えることはよく知られ
ている。理想的には作用空間の全領域で軸方向に完全に
平行で均一な磁界分布になるように設計されるべきであ
る。しかし、陰極７を軸上に沿って設置する必要から磁
極片５，６の中央に所定の内径寸法で透孔を形成しなけ
ればならないため作用空間の全領域で軸方向に完全に平
行で均一な磁界分布が得られない。
【０００５】従来、たとえば、特開平１−２７４３４１
号公報などに開示されているように、陰極７の側面から
陽極ベイン２の内端面までの作用空間において、陽極ベ
イン２の内端面の磁界分布の均一を図るために磁極片
５，６の形状を改善する提案がなされている。しかし、
これは磁極片５，６の径小端面の外径を所定の寸法以上
に設定するものであり、磁極片５，６は磁束の収束のた
めに漏斗状にする必要があるなどおのずと限界がある。
なお、通常は陽極筒体１の内径は約３５mm、陽極ベイン
２の内接円の直径Ｄ２は８．８〜９．２mm、そして磁極
片５，６の径小端面の外径Ｄ１は１８〜２３mmに設定さ
れ、磁極片５，６の径小端面同士の距離Ｌは１１〜１３
mm、さらに、陽極ベイン２の軸方向の高さＨは径小端面
同士の距離Ｌの７３〜７６パーセントに設定されてい
る。
号公報などに開示されているように、陰極７の側面から
陽極ベイン２の内端面までの作用空間において、陽極ベ
イン２の内端面の磁界分布の均一を図るために磁極片
５，６の形状を改善する提案がなされている。しかし、
これは磁極片５，６の径小端面の外径を所定の寸法以上
に設定するものであり、磁極片５，６は磁束の収束のた
めに漏斗状にする必要があるなどおのずと限界がある。
なお、通常は陽極筒体１の内径は約３５mm、陽極ベイン
２の内接円の直径Ｄ２は８．８〜９．２mm、そして磁極
片５，６の径小端面の外径Ｄ１は１８〜２３mmに設定さ
れ、磁極片５，６の径小端面同士の距離Ｌは１１〜１３
mm、さらに、陽極ベイン２の軸方向の高さＨは径小端面
同士の距離Ｌの７３〜７６パーセントに設定されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のマグ
ネトロンでは、その作用空間での磁界強度が陽極ベイン
２の軸方向の中央位置Ｚ０と、これより軸方向へ偏倚し
た位置±Ｚ１，±Ｚ２とでは図９に示すような差を生じ
軸方向に不均一な磁界強度の分布となる。また陰極面に
おける磁界強度の分布も同様に不均一となる。このた
め、作用空間での電子速度および電子密度が場所によっ
て差を生じ不均一な分布となり、電子雲の回転に不均一
な変調がかかっていわゆるラインノイズが発生する。そ
して、このノイズが陰極端子の導出用の導体を通じて管
外へ漏出すると、通信妨害などの好ましくない結果を招
くという問題点を有している。
ネトロンでは、その作用空間での磁界強度が陽極ベイン
２の軸方向の中央位置Ｚ０と、これより軸方向へ偏倚し
た位置±Ｚ１，±Ｚ２とでは図９に示すような差を生じ
軸方向に不均一な磁界強度の分布となる。また陰極面に
おける磁界強度の分布も同様に不均一となる。このた
め、作用空間での電子速度および電子密度が場所によっ
て差を生じ不均一な分布となり、電子雲の回転に不均一
な変調がかかっていわゆるラインノイズが発生する。そ
して、このノイズが陰極端子の導出用の導体を通じて管
外へ漏出すると、通信妨害などの好ましくない結果を招
くという問題点を有している。
【０００７】本発明は、作用空間における磁界強度の分
布が軸方向に均一となるマグネトロンを提供することを
目的とする。
布が軸方向に均一となるマグネトロンを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロン
は、複数の陽極ベインを内周面に有する陽極筒体とこの
陽極筒体の軸方向の両開口に取り付けられる漏斗状の一
対の磁極片とで、一対の前記磁極片の径小端面を互いに
対向させて共振空胴を形成し、この空胴から信号を取り
出すマグネトロンにおいて、前記陽極ベインの前記軸方
向の寸法が前記各磁極片の径小端面間の距離の７０パー
セント以下になるよう構成したことを特徴とする。
は、複数の陽極ベインを内周面に有する陽極筒体とこの
陽極筒体の軸方向の両開口に取り付けられる漏斗状の一
対の磁極片とで、一対の前記磁極片の径小端面を互いに
対向させて共振空胴を形成し、この空胴から信号を取り
出すマグネトロンにおいて、前記陽極ベインの前記軸方
向の寸法が前記各磁極片の径小端面間の距離の７０パー
セント以下になるよう構成したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】この構成によると、陽極ベインの軸方向の寸法
を各磁極片の径小端面間の距離の７０パーセント以下に
したので、作用空間において陰極面付近の軸方向の磁界
強度のばらつきが抑えられ、陽極ベインの内端面付近の
軸方向の磁界強度分布がほぼ均一化される。径大および
径小の均圧リング付近における電界の乱れが少なくな
る。
を各磁極片の径小端面間の距離の７０パーセント以下に
したので、作用空間において陰極面付近の軸方向の磁界
強度のばらつきが抑えられ、陽極ベインの内端面付近の
軸方向の磁界強度分布がほぼ均一化される。径大および
径小の均圧リング付近における電界の乱れが少なくな
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図７に基づい
て説明する。なお、従来例を示した図８〜図１０と同様
の作用をなすものは同一の符号を付けて説明する。
て説明する。なお、従来例を示した図８〜図１０と同様
の作用をなすものは同一の符号を付けて説明する。
【００１１】図１に示す構成が図８に示した従来の構成
と異なるところは、両磁極片５，６の径小端面同士の距
離Ｌは従来と同様の１１〜１３mmであるのに対し、陽極
ベイン２の軸方向の高さＨが、両磁極片５，６の径小端
面同士の距離Ｌの７０パーセント以下に設定されている
点であって、その他の構成には変わりがない。
と異なるところは、両磁極片５，６の径小端面同士の距
離Ｌは従来と同様の１１〜１３mmであるのに対し、陽極
ベイン２の軸方向の高さＨが、両磁極片５，６の径小端
面同士の距離Ｌの７０パーセント以下に設定されている
点であって、その他の構成には変わりがない。
【００１２】このように構成された陽極構体を備えるマ
グネトロンの作用空間における磁界強度は図２に示すよ
うになる。また、陽極ベイン２の内端面の軸方向の磁界
強度および陰極面の磁界強度はそれぞれ図３，図４に示
すようになる。すなわち、陽極ベイン２の軸方向の中央
位置Ｚ０と、これより軸方向に偏倚した位置±Ｚ１，±
Ｚ２とで磁界強度に大差がなくなる。これは陰極面でも
同様である。このマグネトロンのラインノイズ、つまり
陰極端子の導出用の導体を通して入力側に検出される３
０〜３００ＭＨｚの周波数のノイズレベルは図５に示す
ようになる。この場合、図１０に示す従来のマグネトロ
ンのラインノイズのレベルにくらべて、３０〜３００Ｍ
Ｈｚの周波数の中で比較的高いノイズレベルを示す５０
ＭＨｚ帯（４０〜６０ＭＨｚ）において、図６に示すよ
うに約２０ｄＢμＶの改善が確認される。これは、それ
ぞれ作用空間における磁界強度の分布を示す従来例によ
る図９と本発明による図２とにおいて、陽極ベイン２の
内端面および陰極面の軸方向の磁界強度の分布の比較に
より明らかなように、陰極面の軸方向の磁界強度のばら
つきを抑え、陽極ベイン２の内端面の軸方向の磁界強度
分布をほぼ均一化したためである。また、陽極ベイン２
と磁極片５，６との間隔が大きくなるため、径小および
径大の均圧リング３，４付近の電界の乱れを小さくする
ことができる。
グネトロンの作用空間における磁界強度は図２に示すよ
うになる。また、陽極ベイン２の内端面の軸方向の磁界
強度および陰極面の磁界強度はそれぞれ図３，図４に示
すようになる。すなわち、陽極ベイン２の軸方向の中央
位置Ｚ０と、これより軸方向に偏倚した位置±Ｚ１，±
Ｚ２とで磁界強度に大差がなくなる。これは陰極面でも
同様である。このマグネトロンのラインノイズ、つまり
陰極端子の導出用の導体を通して入力側に検出される３
０〜３００ＭＨｚの周波数のノイズレベルは図５に示す
ようになる。この場合、図１０に示す従来のマグネトロ
ンのラインノイズのレベルにくらべて、３０〜３００Ｍ
Ｈｚの周波数の中で比較的高いノイズレベルを示す５０
ＭＨｚ帯（４０〜６０ＭＨｚ）において、図６に示すよ
うに約２０ｄＢμＶの改善が確認される。これは、それ
ぞれ作用空間における磁界強度の分布を示す従来例によ
る図９と本発明による図２とにおいて、陽極ベイン２の
内端面および陰極面の軸方向の磁界強度の分布の比較に
より明らかなように、陰極面の軸方向の磁界強度のばら
つきを抑え、陽極ベイン２の内端面の軸方向の磁界強度
分布をほぼ均一化したためである。また、陽極ベイン２
と磁極片５，６との間隔が大きくなるため、径小および
径大の均圧リング３，４付近の電界の乱れを小さくする
ことができる。
【００１３】上記実施例では、陽極ベイン２の軸方向の
高さＨを陽極ベイン２の内端部から陽極筒体１の内周面
との接合部まで同一にしたが、図７に示すように、陽極
ベイン２の軸方向の高さを陽極ベイン２の内端部の高さ
Ｈ１より陽極筒体１との接合部の高さＨ２の方が大きく
なるよう陽極ベイン２を形成しても、陽極ベイン２の内
端部の軸方向の高さＨ１を両磁極片５，６の径小端面間
の距離Ｌの７０パーセント以下に設定することにより同
様の効果が得られるうえ、高出力のマグネトロンに対し
ても熱容量的に有利になる。
高さＨを陽極ベイン２の内端部から陽極筒体１の内周面
との接合部まで同一にしたが、図７に示すように、陽極
ベイン２の軸方向の高さを陽極ベイン２の内端部の高さ
Ｈ１より陽極筒体１との接合部の高さＨ２の方が大きく
なるよう陽極ベイン２を形成しても、陽極ベイン２の内
端部の軸方向の高さＨ１を両磁極片５，６の径小端面間
の距離Ｌの７０パーセント以下に設定することにより同
様の効果が得られるうえ、高出力のマグネトロンに対し
ても熱容量的に有利になる。
【００１４】この実施例では、陽極ベイン２の軸方向の
高さを陽極ベイン２の内端部から陽極筒体１との接合部
までの間の所定の位置Ａで高さＨ１から高さＨ２に拡
げ、この位置Ａから陽極筒体１との接合部までを高さＨ
２にして熱容量的に高出力のマグネトロンにも対応させ
たが、陽極ベイン２の位置Ａから陽極筒体１との接合部
までの間の上端部Ｂおよび下端部Ｃの形状は、高出力の
マグネトロンに対して熱容量的に対応できる形状であれ
ばどのような形状であってもよく、図７に示す形状に限
定されるものではない。
高さを陽極ベイン２の内端部から陽極筒体１との接合部
までの間の所定の位置Ａで高さＨ１から高さＨ２に拡
げ、この位置Ａから陽極筒体１との接合部までを高さＨ
２にして熱容量的に高出力のマグネトロンにも対応させ
たが、陽極ベイン２の位置Ａから陽極筒体１との接合部
までの間の上端部Ｂおよび下端部Ｃの形状は、高出力の
マグネトロンに対して熱容量的に対応できる形状であれ
ばどのような形状であってもよく、図７に示す形状に限
定されるものではない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、陽極ベイ
ンの軸方向の寸法を各磁極片の径小端面間の距離の７０
パーセント以下にしたので、作用空間において陰極面付
近の軸方向の磁界強度のばらつきが抑えられ、陽極ベイ
ンの内端面付近の軸方向の磁界強度分布がほぼ均一化さ
れる。そのため、ラインノイズの発生を軽減することが
できる。
ンの軸方向の寸法を各磁極片の径小端面間の距離の７０
パーセント以下にしたので、作用空間において陰極面付
近の軸方向の磁界強度のばらつきが抑えられ、陽極ベイ
ンの内端面付近の軸方向の磁界強度分布がほぼ均一化さ
れる。そのため、ラインノイズの発生を軽減することが
できる。
【００１６】また、径大および径小の均圧リング付近に
おける電界の乱れが少なくなり、これによってもライン
ノイズの発生をさらに軽減することができる。
おける電界の乱れが少なくなり、これによってもライン
ノイズの発生をさらに軽減することができる。
【図１】本発明のマグネトロンの一実施例の陽極構体を
示す断面図
示す断面図
【図２】同実施例の半径方向寸度に対する磁界強度の分
布特性図
布特性図
【図３】同実施例の陽極ベインの内端面における軸方向
の磁界強度の特性図
の磁界強度の特性図
【図４】同実施例の陰極面における軸方向の磁界強度の
特性図
特性図
【図５】同実施例の３０〜３００ＭＨｚ帯のノイズレベ
ルの特性図
ルの特性図
【図６】マグネトロンから検出される５０ＭＨｚ帯のノ
イズレベルの特性図
イズレベルの特性図
【図７】別の実施例の陽極構体を示す断面図
【図８】従来のマグネトロンの陽極構体を示す断面図
【図９】同従来例の半径方向寸度に対する磁界強度の分
布特性図
布特性図
【図１０】同従来例の３０〜３００ＭＨｚ帯のノイズレ
ベルの特性図
ベルの特性図
１ 陽極筒体 ２ 陽極ベイン ５，６ 磁極片 Ｈ 陽極ベインの軸方向の高さ Ｌ 両磁極片の径小端面同士の距離
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 欣宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内 (72)発明者 吉原 正訓 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の陽極ベインを内周面に有する陽極
筒体とこの陽極筒体の軸方向の両開口に取り付けられる
漏斗状の一対の磁極片とで、一対の前記磁極片の径小端
面を互いに対向させて共振空胴を形成し、この空胴から
信号を取り出すマグネトロンにおいて、前記陽極ベイン
の前記軸方向の寸法が前記各磁極片の径小端面間の距離
の７０パーセント以下になるよう構成したマグネトロ
ン。 - 【請求項２】 陽極ベインを、陽極ベインの軸方向の寸
法が陽極ベインの内端部より陽極筒体の内周面側の方が
大きくなるよう形成した請求項１に記載のマグネトロ
ン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP965093A JPH06223729A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP965093A JPH06223729A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223729A true JPH06223729A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11726096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP965093A Pending JPH06223729A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223729A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040044707A (ko) * | 2002-11-21 | 2004-05-31 | 삼성전자주식회사 | 전자레인지용 마그네트론 |
| US7053556B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron with a specific dimension reducing unnecessary radiation |
| JP2006260976A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
| JP2006278311A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Lg Electronics Inc | マグネトロン |
| JP2007335351A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロン |
| JP2008027832A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
| US8525413B2 (en) | 2007-09-11 | 2013-09-03 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron for microwave oven |
| CN104253006A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 广东威特真空电子制造有限公司 | 磁控管管芯及磁控管 |
| US9653246B2 (en) | 2014-12-03 | 2017-05-16 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP965093A patent/JPH06223729A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040044707A (ko) * | 2002-11-21 | 2004-05-31 | 삼성전자주식회사 | 전자레인지용 마그네트론 |
| US6774568B2 (en) | 2002-11-21 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetron for microwave oven |
| US7053556B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron with a specific dimension reducing unnecessary radiation |
| EP1562218A3 (en) * | 2004-02-09 | 2008-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron |
| KR101103793B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2012-01-06 | 파나소닉 주식회사 | 마그네트론 |
| JP2006260976A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
| JP2006278311A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Lg Electronics Inc | マグネトロン |
| JP2007335351A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロン |
| JP2008027832A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
| US8525413B2 (en) | 2007-09-11 | 2013-09-03 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron for microwave oven |
| CN104253006A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 广东威特真空电子制造有限公司 | 磁控管管芯及磁控管 |
| US9653246B2 (en) | 2014-12-03 | 2017-05-16 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron |
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