JPH0621435A - ホットエレクトロントランジスタ - Google Patents
ホットエレクトロントランジスタInfo
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- JPH0621435A JPH0621435A JP19621792A JP19621792A JPH0621435A JP H0621435 A JPH0621435 A JP H0621435A JP 19621792 A JP19621792 A JP 19621792A JP 19621792 A JP19621792 A JP 19621792A JP H0621435 A JPH0621435 A JP H0621435A
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- Japan
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- hot electron
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- electron transistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い電流増幅率が得られ、かつ高速動作が可
能なホットエレクトロントランジスタを実現する。 【構成】 ホットエレクトロントランジスタのベースの
中心から厚さ方向に測った距離をｘとするとき、ベース
のポテンシャルＶ（ｘ）が近似的に Ｖ（ｘ）＝−｛（ｈ／２π）2 ／８ｍ｝｛β2 ／cosh 2
（αｘ）｝（Ａ） （ｈ：プランク定数、ｍ：電子の質量） β／α＝２｛ｎ（ｎ＋１）｝1/2 （ｎ：整数）
（Ｂ） で表されるようにする。
能なホットエレクトロントランジスタを実現する。 【構成】 ホットエレクトロントランジスタのベースの
中心から厚さ方向に測った距離をｘとするとき、ベース
のポテンシャルＶ（ｘ）が近似的に Ｖ（ｘ）＝−｛（ｈ／２π）2 ／８ｍ｝｛β2 ／cosh 2
（αｘ）｝（Ａ） （ｈ：プランク定数、ｍ：電子の質量） β／α＝２｛ｎ（ｎ＋１）｝1/2 （ｎ：整数）
（Ｂ） で表されるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ホットエレクトロン
トランジスタに関する。
トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ホットエレクトロントランジスタは、室
温で高速動作が可能なトランジスタとして注目され、こ
れまでに様々なタイプのものが提案されている。そし
て、最近では、半導体微細加工技術や高度なエピタキシ
ー技術の使用により、キャリアがフォノン散乱を受けな
い程度にベースの厚さが十分に小さい（数ｎｍ〜数１０
ｎｍ）、高速動作が期待されるホットエレクトロントラ
ンジスタも試作されるようになってきた（例えば、Jpn.
J. Appl. Phys. 29(12), L2414(1990))。
温で高速動作が可能なトランジスタとして注目され、こ
れまでに様々なタイプのものが提案されている。そし
て、最近では、半導体微細加工技術や高度なエピタキシ
ー技術の使用により、キャリアがフォノン散乱を受けな
い程度にベースの厚さが十分に小さい（数ｎｍ〜数１０
ｎｍ）、高速動作が期待されるホットエレクトロントラ
ンジスタも試作されるようになってきた（例えば、Jpn.
J. Appl. Phys. 29(12), L2414(1990))。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のホットエレクトロントランジスタにおいても、高
い電流増幅率が得られないというホットエレクトロント
ランジスタの最大の欠点は、依然として残されていると
言える。
従来のホットエレクトロントランジスタにおいても、高
い電流増幅率が得られないというホットエレクトロント
ランジスタの最大の欠点は、依然として残されていると
言える。
【０００４】従って、この発明の目的は、高い電流増幅
率が得られ、かつ高速動作が可能なホットエレクトロン
トランジスタを提供することにある。
率が得られ、かつ高速動作が可能なホットエレクトロン
トランジスタを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者の検討によれ
ば、ホットエレクトロントランジスタにおいて、ベース
におけるフォノンによるキャリアの散乱がなくなっても
高い電流増幅率が得られないのは、エミッタバリア端か
らコレクタバリア端に至るポテンシャルの形状で決まる
量子力学的反射は必ずしも減少しないことに一つの問題
があると考えられる。従って、高い電流増幅率を得るた
めには、ベースのポテンシャルの形状を最適化して量子
力学的反射が生じないようにする必要がある。
ば、ホットエレクトロントランジスタにおいて、ベース
におけるフォノンによるキャリアの散乱がなくなっても
高い電流増幅率が得られないのは、エミッタバリア端か
らコレクタバリア端に至るポテンシャルの形状で決まる
量子力学的反射は必ずしも減少しないことに一つの問題
があると考えられる。従って、高い電流増幅率を得るた
めには、ベースのポテンシャルの形状を最適化して量子
力学的反射が生じないようにする必要がある。
【０００６】今、図１に示すようなポテンシャルＶ
（ｘ）を考え、これに左方から電子波が入射したとす
る。このポテンシャルＶ（ｘ）を
（ｘ）を考え、これに左方から電子波が入射したとす
る。このポテンシャルＶ（ｘ）を
【数１】 とすると、この場合のシュレーディンガー方程式は
【数２】 となる。ただし、ｈはプランク定数、ｍは電子の質量、
Ｅは電子のエネルギー、ψ（ｘ）は電子の波動関数を表
す。
Ｅは電子のエネルギー、ψ（ｘ）は電子の波動関数を表
す。
【０００７】この（２）式のシュレーディンガー方程式
を解いて入射波の反射係数Ｒを求めると、
を解いて入射波の反射係数Ｒを求めると、
【数３】 となることがわかっている。
【０００８】（３）式より、ｓ＝ｎ（ｎ：整数）とすれ
ば、Ｒ＝０となって反射波はなくなり、全てのエネルギ
ーの電子がポテンシャルＶ（ｘ）を１００％透過するこ
とがわかる。その条件は、ｓ（ｓ＋１）＝β2 ／４α2
の式にｓ＝ｎを代入してβ／αについて解くことによ
り、
ば、Ｒ＝０となって反射波はなくなり、全てのエネルギ
ーの電子がポテンシャルＶ（ｘ）を１００％透過するこ
とがわかる。その条件は、ｓ（ｓ＋１）＝β2 ／４α2
の式にｓ＝ｎを代入してβ／αについて解くことによ
り、
【数４】 と表される。
【０００９】この発明は、以上の検討に基づいて案出さ
れたものである。
れたものである。
【００１０】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明によるホットエレクトロントランジスタは、ベー
スの中心から厚さ方向に測った距離をｘとするとき、ベ
ースのポテンシャルが近似的に Ｖ（ｘ）＝−｛（ｈ／２π）2 ／８ｍ｝｛β2 ／cosh 2（αｘ）｝（Ａ） （ｈ：プランク定数、ｍ：電子の質量） β／α＝２｛ｎ（ｎ＋１）｝1/2 （ｎ：整数） （Ｂ） で表されるものである。
の発明によるホットエレクトロントランジスタは、ベー
スの中心から厚さ方向に測った距離をｘとするとき、ベ
ースのポテンシャルが近似的に Ｖ（ｘ）＝−｛（ｈ／２π）2 ／８ｍ｝｛β2 ／cosh 2（αｘ）｝（Ａ） （ｈ：プランク定数、ｍ：電子の質量） β／α＝２｛ｎ（ｎ＋１）｝1/2 （ｎ：整数） （Ｂ） で表されるものである。
【００１１】ベースをｎ型Aly Ga1-y Asにより形成する
場合には、このｎ型Aly Ga1-y AsのAl組成比ｙをｘ（ｎ
ｍ）とともに近似的に ｙ（ｘ）＝０．４０６｛１−１／cosh 2（０．４ｘ）｝ で表されるように変化させることによりベースのポテン
シャルＶ（ｘ）を（Ａ）式及び（Ｂ）式で表されるよう
なものにすることができる。
場合には、このｎ型Aly Ga1-y AsのAl組成比ｙをｘ（ｎ
ｍ）とともに近似的に ｙ（ｘ）＝０．４０６｛１−１／cosh 2（０．４ｘ）｝ で表されるように変化させることによりベースのポテン
シャルＶ（ｘ）を（Ａ）式及び（Ｂ）式で表されるよう
なものにすることができる。
【００１２】
【作用】上述のように構成されたこの発明によるホット
エレクトロントランジスタによれば、ベースのポテンシ
ャルＶ（ｘ）が（Ａ）式及び（Ｂ）式で表されるように
なっていることにより、エミッタから注入される電子が
エミッタバリア端からコレクタバリア端に達するまでの
間に量子力学的反射を受けることが実質的になくなり、
これによって高い電流増幅率を得ることができる。ま
た、エミッタから注入される電子はベースをバリスティ
ックにしかも量子力学的反射を受けることなく走行する
ことができるため、ベース走行時間が短く、従って高速
動作が可能である。
エレクトロントランジスタによれば、ベースのポテンシ
ャルＶ（ｘ）が（Ａ）式及び（Ｂ）式で表されるように
なっていることにより、エミッタから注入される電子が
エミッタバリア端からコレクタバリア端に達するまでの
間に量子力学的反射を受けることが実質的になくなり、
これによって高い電流増幅率を得ることができる。ま
た、エミッタから注入される電子はベースをバリスティ
ックにしかも量子力学的反射を受けることなく走行する
ことができるため、ベース走行時間が短く、従って高速
動作が可能である。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１４】図２は一般的な構造のホットエレクトロン
トランジスタにこの発明を適用した一実施例を示し、図
３は図２に示すホットエレクトロントランジスタの特殊
な一例を示す。
トランジスタにこの発明を適用した一実施例を示し、図
３は図２に示すホットエレクトロントランジスタの特殊
な一例を示す。
【００１５】図２及び図３に示すように、この実施例に
よるホットエレクトロントランジスタは、エミッタ、エ
ミッタバリア、ベース、コレクタバリア及びコレクタか
ら成五つの領域により構成されている。
よるホットエレクトロントランジスタは、エミッタ、エ
ミッタバリア、ベース、コレクタバリア及びコレクタか
ら成五つの領域により構成されている。
【００１６】この場合、ベースのポテンシャルＶ（ｘ）
の形状は上記（Ａ）式及び（Ｂ）式で表されるように選
ばれている。これによって、エミッタから注入される電
子はエミッタバリア端からコレタクバリア端に至るまで
ベース中をバリスティックにしかも量子力学的反射を受
けることなく走行することができ、このため高い電流増
幅率が得られるとともに、高速動作が可能である。
の形状は上記（Ａ）式及び（Ｂ）式で表されるように選
ばれている。これによって、エミッタから注入される電
子はエミッタバリア端からコレタクバリア端に至るまで
ベース中をバリスティックにしかも量子力学的反射を受
けることなく走行することができ、このため高い電流増
幅率が得られるとともに、高速動作が可能である。
【００１７】図４は図３に示すタイプのホットエレクト
ロントランジスタの具体的な設計例を示す。ここで、図
４Ａは断面図、図４Ｂは伝導帯を示すエネルギーバンド
図である。図４Ｂ中、ＥC は伝導帯の底のエネルギーを
示す。
ロントランジスタの具体的な設計例を示す。ここで、図
４Ａは断面図、図４Ｂは伝導帯を示すエネルギーバンド
図である。図４Ｂ中、ＥC は伝導帯の底のエネルギーを
示す。
【００１８】図４Ａに示すように、このホットエレクト
ロントランジスタにおいては、コレクタを構成するｎ++
型GaAs基板１上に、コレクタバリアを構成するAlz Ga
1-z As層２、ベースを構成するｎ型Aly Ga1-y As層３、
エミッタバリアを構成するAlzGa1-z As層４及びエミッ
タを構成するｎ++型GaAs層５が順次積層されている。こ
の場合、Alz Ga1-z As層４及びｎ++型GaAs層５はメサ形
状を有する。
ロントランジスタにおいては、コレクタを構成するｎ++
型GaAs基板１上に、コレクタバリアを構成するAlz Ga
1-z As層２、ベースを構成するｎ型Aly Ga1-y As層３、
エミッタバリアを構成するAlzGa1-z As層４及びエミッ
タを構成するｎ++型GaAs層５が順次積層されている。こ
の場合、Alz Ga1-z As層４及びｎ++型GaAs層５はメサ形
状を有する。
【００１９】ここでは、一例として、ベースを構成する
ｎ型Aly Ga1-y As層３の厚さは２０（ｎｍ）、コレクタ
バリアを構成するAlz Ga1-z As層２及びエミッタバリア
を構成するAlz Ga1-z As層４の厚さはそれぞれ２００
（ｎｍ）であるとする。また、ｎ++型GaAs層５の厚さは
例えば１５０ｎｍである。
ｎ型Aly Ga1-y As層３の厚さは２０（ｎｍ）、コレクタ
バリアを構成するAlz Ga1-z As層２及びエミッタバリア
を構成するAlz Ga1-z As層４の厚さはそれぞれ２００
（ｎｍ）であるとする。また、ｎ++型GaAs層５の厚さは
例えば１５０ｎｍである。
【００２０】ｎ++型GaAs層５上にはエミッタ電極６が形
成され、Alz Ga1-z As層４及びｎ++型GaAs層５の周囲の
ｎ型Aly Ga1-y As層３上にはベース電極７が形成され、
ｎ++型GaAs基板１の裏面にはコレクタ電極８が形成され
ている。これらのエミッタ電極６、ベース電極７及びコ
レクタ電極８は、例えばNi/Au-Ge合金のようなオーミッ
ク金属から成る。
成され、Alz Ga1-z As層４及びｎ++型GaAs層５の周囲の
ｎ型Aly Ga1-y As層３上にはベース電極７が形成され、
ｎ++型GaAs基板１の裏面にはコレクタ電極８が形成され
ている。これらのエミッタ電極６、ベース電極７及びコ
レクタ電極８は、例えばNi/Au-Ge合金のようなオーミッ
ク金属から成る。
【００２１】この図４Ａに示すホットエレクトロントラ
ンジスタを製造するには、ｎ++型GaAs基板１上に分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）法や有機金属化学気相成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法によりAlz Ga1-z As層２、ｎ型Aly Ga1-y
As層３、Alz Ga1-z As層４及びｎ++型GaAs層５を順次エ
ピタキシャル成長させた後、ｎ++型GaAs層５及びAlzGa
1-z As層４を例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
法により基板表面に対して垂直に順次エッチングしてメ
サ形状を形成し、その後にエミッタ電極６、ベース電極
７及びコレクタ電極８を形成すればよい。
ンジスタを製造するには、ｎ++型GaAs基板１上に分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）法や有機金属化学気相成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法によりAlz Ga1-z As層２、ｎ型Aly Ga1-y
As層３、Alz Ga1-z As層４及びｎ++型GaAs層５を順次エ
ピタキシャル成長させた後、ｎ++型GaAs層５及びAlzGa
1-z As層４を例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
法により基板表面に対して垂直に順次エッチングしてメ
サ形状を形成し、その後にエミッタ電極６、ベース電極
７及びコレクタ電極８を形成すればよい。
【００２２】この図４Ａに示すホットエレクトロントラ
ンジスタにおいては、ベースを構成するｎ型Aly Ga1-y
As層３のポテシャルＶ（ｘ）を上記（Ａ）式及び（Ｂ）
式で表されるものにするために、このｎ型Aly Ga1-y As
層３のAl組成比ｙをｘの関数として次のように変化させ
る。ここでは、このｎ型Aly Ga1-y As層３の厚さ方向の
中心をｘの原点（ｘ＝０）にとり、＋ｘ方向を図４Ａ中
上方向にとる。この場合、ｎ型Aly Ga1-y As層３の厚さ
は２０（ｎｍ）であるから、−１０（ｎｍ）≦ｘ≦１０
（ｎｍ）である。
ンジスタにおいては、ベースを構成するｎ型Aly Ga1-y
As層３のポテシャルＶ（ｘ）を上記（Ａ）式及び（Ｂ）
式で表されるものにするために、このｎ型Aly Ga1-y As
層３のAl組成比ｙをｘの関数として次のように変化させ
る。ここでは、このｎ型Aly Ga1-y As層３の厚さ方向の
中心をｘの原点（ｘ＝０）にとり、＋ｘ方向を図４Ａ中
上方向にとる。この場合、ｎ型Aly Ga1-y As層３の厚さ
は２０（ｎｍ）であるから、−１０（ｎｍ）≦ｘ≦１０
（ｎｍ）である。
【００２３】今、このｎ型Aly Ga1-y As層３のAl組成比
ｙを０〜０．４の範囲で変化させるとする。そして、こ
のｎ型Aly Ga1-y As層３における電子の質量ｍとして、
ｙを０〜０．４の範囲で変化させるとする。そして、こ
のｎ型Aly Ga1-y As層３における電子の質量ｍとして、
【数５】 で表されるAly Ga1-y Asの有効質量の式にAl組成比ｙの
平均値ｙ＝０．２を代入したときの値、すなわちｍ≒
０．０８４ｍ0 （ｍ0 ：電子の静止質量）を使用する。
平均値ｙ＝０．２を代入したときの値、すなわちｍ≒
０．０８４ｍ0 （ｍ0 ：電子の静止質量）を使用する。
【００２４】ここで、一例としてα＝４×１０
8 （ｍ-1）、ｎ＝２とすると、上記（Ｂ）式よりβ2 ＝
４ｎ（ｎ＋１）α2 ＝４×２×３α2 ＝４3 ×６×１０
16（ｍ-2）となる。このとき、
8 （ｍ-1）、ｎ＝２とすると、上記（Ｂ）式よりβ2 ＝
４ｎ（ｎ＋１）α2 ＝４×２×３α2 ＝４3 ×６×１０
16（ｍ-2）となる。このとき、
【数６】 となる。従って、ポテンシャルＶ（ｘ）は、
【数７】 となる。
【００２５】この（７）式で示されるポテンシャルＶ
（ｘ）の形状をｎ型Aly Ga1-y As層３の伝導帯に実現す
るためには、次のようにすればよい。
（ｘ）の形状をｎ型Aly Ga1-y As層３の伝導帯に実現す
るためには、次のようにすればよい。
【００２６】すなわち、
【数８】 で表されるAly Ga1-y Asのエネルギーギャップの式にお
いて、伝導帯の不連続をいわゆるDingleの８５％則を適
用して求めると、 １．２４７ｙ×０．８５＝１．０６ｙ となる。従って、Ｖ（ｘ）の底をエネルギーの原点とし
たとき、 １．０６ｙ（ｘ）＝Ｖ（ｘ）＋０．４３ となるようにすればよい（図４Ｂ参照）。
いて、伝導帯の不連続をいわゆるDingleの８５％則を適
用して求めると、 １．２４７ｙ×０．８５＝１．０６ｙ となる。従って、Ｖ（ｘ）の底をエネルギーの原点とし
たとき、 １．０６ｙ（ｘ）＝Ｖ（ｘ）＋０．４３ となるようにすればよい（図４Ｂ参照）。
【００２７】これより、
【数９】 となる。
【００２８】（９）式のαにα＝（４3 ×６×１０16）
1/2 （ｍ-1）を代入すると、
1/2 （ｍ-1）を代入すると、
【数１０】 となる。ただし、ｘの単位はｎｍである。
【００２９】以上より、ベースを構成するｎ型Aly Ga
1-y As層３のポテンシャルＶ（ｘ）を上記（Ａ）式及び
（Ｂ）式で表されるものにするためには、ｎ型Aly Ga
1-y As層３のAl組成比ｙを（１０）式に従って変化させ
ればよい。この場合、このAl組成比ｙは、ｘ＝０におけ
る０から＋ｘ方向及び−ｘ方向に向かって次第に増加
し、ｘ＝±１０ｎｍにおいて０．４となる。
1-y As層３のポテンシャルＶ（ｘ）を上記（Ａ）式及び
（Ｂ）式で表されるものにするためには、ｎ型Aly Ga
1-y As層３のAl組成比ｙを（１０）式に従って変化させ
ればよい。この場合、このAl組成比ｙは、ｘ＝０におけ
る０から＋ｘ方向及び−ｘ方向に向かって次第に増加
し、ｘ＝±１０ｎｍにおいて０．４となる。
【００３０】一方、エミッタバリアを構成するAlz Ga
1-z As層４のAl組成比ｚは、ｎ++型GaAs層５との界面に
おける０からｎ型Aly Ga1-y As層３との界面における
０．４まで線形に増加させればよい。同様に、コレタク
バリアを構成するAlz Ga1-z As層２のAl組成比ｚは、ｎ
++型GaAs基板１との界面における０からｎ型Aly Ga1-y
As層３との界面における０．４まで線形に増加させれば
よい。
1-z As層４のAl組成比ｚは、ｎ++型GaAs層５との界面に
おける０からｎ型Aly Ga1-y As層３との界面における
０．４まで線形に増加させればよい。同様に、コレタク
バリアを構成するAlz Ga1-z As層２のAl組成比ｚは、ｎ
++型GaAs基板１との界面における０からｎ型Aly Ga1-y
As層３との界面における０．４まで線形に増加させれば
よい。
【００３１】この場合、ｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga
1-z As層４とのAl組成比はそれらの界面で同一であり、
ｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga1-z As層２とのAl組成比
もそれらの界面で同一であるため、図４Ｂに示すよう
に、伝導帯はｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga1-z As層４
との界面及びｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga1-z As層２
との界面で連続的につながっている。
1-z As層４とのAl組成比はそれらの界面で同一であり、
ｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga1-z As層２とのAl組成比
もそれらの界面で同一であるため、図４Ｂに示すよう
に、伝導帯はｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga1-z As層４
との界面及びｎ型Aly Ga1-y As層３とAlz Ga1-z As層２
との界面で連続的につながっている。
【００３２】以上、この発明の一実施例につき具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。
【００３３】例えば、上述の実施例によるホットエレク
トロントランジスタは、具体的な設計例で用いたAlGaAs
／GaAs系の材料以外の材料を用いて形成してもよい。
トロントランジスタは、具体的な設計例で用いたAlGaAs
／GaAs系の材料以外の材料を用いて形成してもよい。
【００３４】また、上述の実施例によるホットエレクト
ロントランジスタと同様なエネルギーバンド構造は、同
一の材料、例えばGaAsやSiなどを用いてｎｐｎｐｎ構造
を形成し、これらの各層の不純物濃度を適切に選ぶこと
によっても実現することが可能である。
ロントランジスタと同様なエネルギーバンド構造は、同
一の材料、例えばGaAsやSiなどを用いてｎｐｎｐｎ構造
を形成し、これらの各層の不純物濃度を適切に選ぶこと
によっても実現することが可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
高い電流増幅率が得られ、かつ高速動作が可能なホット
エレクトロントランジスタを実現することができる。
高い電流増幅率が得られ、かつ高速動作が可能なホット
エレクトロントランジスタを実現することができる。
【図１】ポテンシャルＶ（ｘ）に電子波が入射する様子
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図２】この発明の一実施例によるホットエレクトロン
トランジスタのエネルギーバンド図である。
トランジスタのエネルギーバンド図である。
【図３】図２に示すホットエレクトロントランジスタの
特殊な一例のエネルギーバンド図である。
特殊な一例のエネルギーバンド図である。
【図４】図３に示すホットエレクトロントランジスタの
具体的な設計例を示す断面図及びエネルギーバンド図で
ある。
具体的な設計例を示す断面図及びエネルギーバンド図で
ある。
１ ｎ++型GaAs基板 ２、４ Alz Ga1-z As層 ３ ｎ型Aly Ga1-y As層 ５ ｎ++型GaAs層 ６ エミッタ電極 ７ ベース電極 ８ コレクタ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ベースの中心から厚さ方向に測った距離
をｘとするとき、上記ベースのポテンシャルが近似的に Ｖ（ｘ）＝−｛（ｈ／２π）2 ／８ｍ｝｛β2 ／cosh 2（αｘ）｝（Ａ） （ｈ：プランク定数、ｍ：電子の質量） β／α＝２｛ｎ（ｎ＋１）｝1/2 （ｎ：整数） （Ｂ） で表されるホットエレクトロントランジスタ。 - 【請求項２】 Al組成比ｙがｘ（ｎｍ）とともに近似的
に ｙ（ｘ）＝０．４０６｛１−１／cosh 2（０．４ｘ）｝ で表されるように変化するｎ型Aly Ga1-y Asにより上記
ベースが形成されている請求項１記載のホットエレクト
ロントランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19621792A JPH0621435A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | ホットエレクトロントランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19621792A JPH0621435A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | ホットエレクトロントランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621435A true JPH0621435A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16354156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19621792A Pending JPH0621435A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | ホットエレクトロントランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621435A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895931A (en) * | 1994-11-24 | 1999-04-20 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| WO2005022585A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface light source |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP19621792A patent/JPH0621435A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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