JPH0621310B2 - 高導電性Ａｌ―Ｍｇ―Ｓｉ系合金管の製造方法 - Google Patents
高導電性Ａｌ―Ｍｇ―Ｓｉ系合金管の製造方法Info
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- JPH0621310B2 JPH0621310B2 JP2165766A JP16576690A JPH0621310B2 JP H0621310 B2 JPH0621310 B2 JP H0621310B2 JP 2165766 A JP2165766 A JP 2165766A JP 16576690 A JP16576690 A JP 16576690A JP H0621310 B2 JPH0621310 B2 JP H0621310B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電気伝導性に優れたアルミニウム合金管の製
造方法に関し、特に大容量導電用管路気中送電線の外部
円筒導体に使用される高導電性Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金
押出管の製造方法に関するものである。
造方法に関し、特に大容量導電用管路気中送電線の外部
円筒導体に使用される高導電性Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金
押出管の製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 管路気中送電線は、新しいタイプの地中送電ケーブルと
して、最近実用化されつつある送電線である。第３図並
びに第４図はその管路気中送電線の断面を示したもの
で、内部円筒導体１及び外部円筒導体２にアルミニウム
合金製のパイプが使用され、導体１，２の空間に絶縁体
として六弗化硫黄（ＳＦ６）ガスが使用されている。そ
して、内部円筒導体１の内部には撚線導体３が収納され
ている。
して、最近実用化されつつある送電線である。第３図並
びに第４図はその管路気中送電線の断面を示したもの
で、内部円筒導体１及び外部円筒導体２にアルミニウム
合金製のパイプが使用され、導体１，２の空間に絶縁体
として六弗化硫黄（ＳＦ６）ガスが使用されている。そ
して、内部円筒導体１の内部には撚線導体３が収納され
ている。
かかるアルミニウム合金製パイプの材質については、ま
だ確立したものはないが、導電性、加工性及び現地溶接
性の良好なものが要求されている。このために押出用合
金の代表的な合金であるJIS 6063、6101等の合金が使用
されている。
だ確立したものはないが、導電性、加工性及び現地溶接
性の良好なものが要求されている。このために押出用合
金の代表的な合金であるJIS 6063、6101等の合金が使用
されている。
又、本出願人は、先に特願平１−19836 号で、Ｍｇ、Ｓ
ｉ、Ｆｅ及び他の不純物を規制し、残部が実質的にＡｌ
からなり、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の面積率が１．２％以下で
ある電気伝導性に優れたアルミニウム合金材料、及び上
記組成の合金を均質化処理した後、10〜70℃／hrの冷却
速度で冷却した後、熱間押出をする製造法を提案した。
ｉ、Ｆｅ及び他の不純物を規制し、残部が実質的にＡｌ
からなり、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の面積率が１．２％以下で
ある電気伝導性に優れたアルミニウム合金材料、及び上
記組成の合金を均質化処理した後、10〜70℃／hrの冷却
速度で冷却した後、熱間押出をする製造法を提案した。
更に線材で導電性に優れたアルミニウム合金材料及びそ
の製造方法として、次のようなものが提案されている。
の製造方法として、次のようなものが提案されている。
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｆｅを規制したアルミニウム合金
で、Ｍｇ２Ｇｅを析出させ、導電率を低下させずに強度
を向上させるもの（特開昭48−53916） Ｆｅ、Ｍｇ、Ｓｉ（Ｂｅ又はＳｂ）を規制したアルミ
ニウム合金で、電気アルミニウム地金にＭｇ、Ｓｉ、Ｓ
ｂを添加して得られ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅによって導電率
を低下させずに強度を高め、耐食性の劣化をＢｅ又はＳ
ｂで防止するもの（特開昭49−49814 及び特開昭49−49
815） Ｍｇ、Ｓｉを規制し、荒引き線材を60％以上で冷間加
工の後、120〜180℃で一次熱処理後、15％以上の冷間加
工を行い、130〜240℃で二次熱処理することにより、Ｍ
ｇ２Ｓｉ析出物を微細にし、強度を高める方法（特開昭
53−76114） Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂを規制し、塩素ガス又はフロン
ガスによる脱ガスを施し、更にＴｉ、Ｂ処理を行うこと
により、鋳塊の割れを防止する方法（特開昭53−13581
4） Ｚｒ、Ｓｉ、Ｍｇを規制し、鋳塊を５℃/sec以上で冷
却しながら200℃までを80％以上の加工を行い、その後6
5％以上の冷間加工を行った後、300〜450℃で20〜100時
間の熱処理を行うことにより、耐熱性と高強度を行う方
法（特開昭56−65968）。
で、Ｍｇ２Ｇｅを析出させ、導電率を低下させずに強度
を向上させるもの（特開昭48−53916） Ｆｅ、Ｍｇ、Ｓｉ（Ｂｅ又はＳｂ）を規制したアルミ
ニウム合金で、電気アルミニウム地金にＭｇ、Ｓｉ、Ｓ
ｂを添加して得られ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅによって導電率
を低下させずに強度を高め、耐食性の劣化をＢｅ又はＳ
ｂで防止するもの（特開昭49−49814 及び特開昭49−49
815） Ｍｇ、Ｓｉを規制し、荒引き線材を60％以上で冷間加
工の後、120〜180℃で一次熱処理後、15％以上の冷間加
工を行い、130〜240℃で二次熱処理することにより、Ｍ
ｇ２Ｓｉ析出物を微細にし、強度を高める方法（特開昭
53−76114） Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂを規制し、塩素ガス又はフロン
ガスによる脱ガスを施し、更にＴｉ、Ｂ処理を行うこと
により、鋳塊の割れを防止する方法（特開昭53−13581
4） Ｚｒ、Ｓｉ、Ｍｇを規制し、鋳塊を５℃/sec以上で冷
却しながら200℃までを80％以上の加工を行い、その後6
5％以上の冷間加工を行った後、300〜450℃で20〜100時
間の熱処理を行うことにより、耐熱性と高強度を行う方
法（特開昭56−65968）。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のJIS 6063合金は、電気伝導度が53〜55％（IACS，
％）と、純度99.5％の普通アルミニウムの57〜59％に比
べ低く、送電時の電力損失が大きくなっていた。又、JI
S 6101合金は溶接性が劣るため、管路の接合法を工夫し
なければならないという欠点があった。
％）と、純度99.5％の普通アルミニウムの57〜59％に比
べ低く、送電時の電力損失が大きくなっていた。又、JI
S 6101合金は溶接性が劣るため、管路の接合法を工夫し
なければならないという欠点があった。
又、先に提案した特願平１−19836 号に記載の発明は、
均質化処理した後10〜70℃／hrの冷却速度で冷却しなけ
ればならないので、冷却炉が必要となるという欠点があ
る。更に〜で提案されているものは、いずれも鋼ベ
ルトと鋳造輪を用いた連続鋳造法（プロペルチ方式）で
製造されるものであり、本発明の対象である管用には使
用できないものである。
均質化処理した後10〜70℃／hrの冷却速度で冷却しなけ
ればならないので、冷却炉が必要となるという欠点があ
る。更に〜で提案されているものは、いずれも鋼ベ
ルトと鋳造輪を用いた連続鋳造法（プロペルチ方式）で
製造されるものであり、本発明の対象である管用には使
用できないものである。
そこで本発明の目的は、電気導電率がＩＡＣＳ表現で60
％以上が得られるアルミニウム合金押出管の製造法を提
供するものである。
％以上が得られるアルミニウム合金押出管の製造法を提
供するものである。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために本発明は、Ｍｇ：０．３〜
０．８％、Ｓｉ：０．３〜０．８％、Ｆｅ：≦0.10％、
Ｂ：0.0003〜0.0030％を含有し、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｚｒの遷移金属をいずれも0.0030％以下で、かつこ
れらの合計を0.0100％以下及び他の不純物の合計を0.00
50％以下とし、残部が実質的にAlからなるアルミニウム
合金を450〜600℃で８〜２４時間均質化処理した後、30
0〜400℃にて８〜２４時間の析出処理した後、通常の条
件で熱間押出焼入れ及び時効処理を行う高導電性Ａｌ−
Ｍｇ−Ｓｉ系合金管の製造方法である。
０．８％、Ｓｉ：０．３〜０．８％、Ｆｅ：≦0.10％、
Ｂ：0.0003〜0.0030％を含有し、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｚｒの遷移金属をいずれも0.0030％以下で、かつこ
れらの合計を0.0100％以下及び他の不純物の合計を0.00
50％以下とし、残部が実質的にAlからなるアルミニウム
合金を450〜600℃で８〜２４時間均質化処理した後、30
0〜400℃にて８〜２４時間の析出処理した後、通常の条
件で熱間押出焼入れ及び時効処理を行う高導電性Ａｌ−
Ｍｇ−Ｓｉ系合金管の製造方法である。
［作 用］ 本発明における合金の成分範囲並びに製造条件の限定理
由は下記の通りである。
由は下記の通りである。
Ｍｇ：ＭｇはＳｉと共存してＭｇ２Ｓｉ析出物を形成
し、強度の向上に寄与するが、Ｍｇ含有量が高くなると
電気伝導度が低くなる。したがって、Ｍｇの含有量が０
３％未満の場合には導体としての強度が不足し、０．８
％を超えると電気伝導度が低下する。したがって、Ｍｇ
含有量を０．３〜０．８％と定めた。なお、両性能のか
ねあいで、0.35〜０．５％がより好ましい。
し、強度の向上に寄与するが、Ｍｇ含有量が高くなると
電気伝導度が低くなる。したがって、Ｍｇの含有量が０
３％未満の場合には導体としての強度が不足し、０．８
％を超えると電気伝導度が低下する。したがって、Ｍｇ
含有量を０．３〜０．８％と定めた。なお、両性能のか
ねあいで、0.35〜０．５％がより好ましい。
Ｓｉ：ＳｉはＭｇと共存してＭｇ２Ｓｉ析出物を形成
し、強度の向上に寄与するが、Ｓｉ含有量が高くなると
電気伝導度と溶接性が低下する。Ｓｉが含有量０．３％
未満の場合には、単体としての強度が不足し、０．８％
を超えると電気伝導度が低下する。したがって、０．３
〜０．８％と定めた。なお、両性能のかねあいで0.35〜
０．５％がより好ましい。
し、強度の向上に寄与するが、Ｓｉ含有量が高くなると
電気伝導度と溶接性が低下する。Ｓｉが含有量０．３％
未満の場合には、単体としての強度が不足し、０．８％
を超えると電気伝導度が低下する。したがって、０．３
〜０．８％と定めた。なお、両性能のかねあいで0.35〜
０．５％がより好ましい。
１ｅ：Ｆｅは、アルミニウム合金の電気伝導度を下げる
ため0.10％以下とする。
ため0.10％以下とする。
Ｂ：Ｂは合金鋳塊の結晶組織を微細化させると同時に、
アルミニウム溶湯中に含有している不純物元素（Ｍｎ、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ）をボロン化合物として沈降除去
させる作用があり、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ含有量
を軽減させ、導電率を高める効果がある。その量が0.00
03％未満ではその効果がなく、0.0030％を超えるとボロ
ン化合物が残存し、導電率を低下させる。したがって、
Ｂ含有量を0.0003〜0.0030％とする必要がある。
アルミニウム溶湯中に含有している不純物元素（Ｍｎ、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ）をボロン化合物として沈降除去
させる作用があり、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ含有量
を軽減させ、導電率を高める効果がある。その量が0.00
03％未満ではその効果がなく、0.0030％を超えるとボロ
ン化合物が残存し、導電率を低下させる。したがって、
Ｂ含有量を0.0003〜0.0030％とする必要がある。
Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ：Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｚｒは、アルミニウム地金中に含有しているものであ
り、いずれも電気導電率を低下させる作用がある。した
がって、それぞれの最大含有量を0.0030％以下とし、更
にこれらの全含有量を0.0100％以下とすることが好まし
い。
Ｚｒは、アルミニウム地金中に含有しているものであ
り、いずれも電気導電率を低下させる作用がある。した
がって、それぞれの最大含有量を0.0030％以下とし、更
にこれらの全含有量を0.0100％以下とすることが好まし
い。
その他の不純物：その他の不純物は、いずれも電気伝導
率を低下させる作用がある。したがって少ない方が好ま
しく、全含有量を0.0050％以下とするのが好ましい。
率を低下させる作用がある。したがって少ない方が好ま
しく、全含有量を0.0050％以下とするのが好ましい。
Ｍｇ２Ｓｉ析出物：Ｍｇ２Ｓｉ析出物は、強度を確保す
るために必要であるが、形状が大きくなると電気伝導率
を低下させる作用がある。強度及び導電率を確保するた
めに析出物の長さを５μｍ以下とするのが好ましい。
るために必要であるが、形状が大きくなると電気伝導率
を低下させる作用がある。強度及び導電率を確保するた
めに析出物の長さを５μｍ以下とするのが好ましい。
均質化処理条件：鋳塊の均質化処理条件は450〜600℃の
温度域が好ましい。これが450℃未満では鋳造時に晶出
したＭｇ−Ｓｉ系の晶出物が十分に溶入しないため、強
度が低くなる。処理時間が８時間未満の場合も同様であ
る。又、均質化処理温度が600℃を超えると強度は高く
なるが、電気伝導度が低下する。処理時間が２４時間を
超える場合も同様である。鋳塊の均質化処理は、Ａｌ−
Ｆｅ−Ｓｉ系及びＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系の共晶化合物を凝
集させ、押出性を向上させるために行う。450℃未満で
あるとＦｅ、Ｓｉ、Ｍｇ原子の拡散速度が低く、共晶化
合物の凝集が起こらないので押出性を低下させる。又、
600℃を超えると鋳塊の一部に溶解が起こるようにな
る。
温度域が好ましい。これが450℃未満では鋳造時に晶出
したＭｇ−Ｓｉ系の晶出物が十分に溶入しないため、強
度が低くなる。処理時間が８時間未満の場合も同様であ
る。又、均質化処理温度が600℃を超えると強度は高く
なるが、電気伝導度が低下する。処理時間が２４時間を
超える場合も同様である。鋳塊の均質化処理は、Ａｌ−
Ｆｅ−Ｓｉ系及びＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系の共晶化合物を凝
集させ、押出性を向上させるために行う。450℃未満で
あるとＦｅ、Ｓｉ、Ｍｇ原子の拡散速度が低く、共晶化
合物の凝集が起こらないので押出性を低下させる。又、
600℃を超えると鋳塊の一部に溶解が起こるようにな
る。
析出処理：均質化処理により固溶したＭｇ、Ｓｉを、析
出処理によってＭｇ２Ｓｉ化合物として結晶粒内に均一
微細に析出させ、押出を容易にすると同時に、押出後の
材料の再結晶粒を微細化させ、強度を高める効果があ
る。この温度が300未満であると、Ｍｇ２Ｓｉ化合物の
析出が不十分となり、強度を高める効果が軽減される。
又、400℃を超えるとＭｇ２Ｓｉ化合物の析出物が大き
くなって再結晶の微細化が得られず、強度向上の効果が
なくなる。その他押出温度は、350℃未満では押出圧力
が大きくなり、550℃を超えると押出材の表面状態が悪
くなり、不純物元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ）な
どの再固溶によって導電率が低下するので好ましくな
い。押出後450〜500℃から焼入及び250〜300℃で時効処
理を行いＭｇ２Ｓｉ化合物を微細に析出させる。
出処理によってＭｇ２Ｓｉ化合物として結晶粒内に均一
微細に析出させ、押出を容易にすると同時に、押出後の
材料の再結晶粒を微細化させ、強度を高める効果があ
る。この温度が300未満であると、Ｍｇ２Ｓｉ化合物の
析出が不十分となり、強度を高める効果が軽減される。
又、400℃を超えるとＭｇ２Ｓｉ化合物の析出物が大き
くなって再結晶の微細化が得られず、強度向上の効果が
なくなる。その他押出温度は、350℃未満では押出圧力
が大きくなり、550℃を超えると押出材の表面状態が悪
くなり、不純物元素（Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ）な
どの再固溶によって導電率が低下するので好ましくな
い。押出後450〜500℃から焼入及び250〜300℃で時効処
理を行いＭｇ２Ｓｉ化合物を微細に析出させる。
［実施例］ 第１表に示した組成のアルミニウム合金溶湯を、フィル
ター処理して非金属介在物を除去した後、外径520mm、
内径150mmの中空鋳塊に鋳造し、外周を面削により外径5
00mmとした。これを470℃で１０時間の均質化処理後、3
50℃で８時間の析出処理をした後、450℃で押出加工を
行い、外径150mm、肉厚18mmの管材を得た。これを更に2
80℃で７時間の時効処理を行った後、試験片を切り出
し、Ｍｇ２Ｓｉ析出物、機械的性質及び導電率の試験を
行った。
ター処理して非金属介在物を除去した後、外径520mm、
内径150mmの中空鋳塊に鋳造し、外周を面削により外径5
00mmとした。これを470℃で１０時間の均質化処理後、3
50℃で８時間の析出処理をした後、450℃で押出加工を
行い、外径150mm、肉厚18mmの管材を得た。これを更に2
80℃で７時間の時効処理を行った後、試験片を切り出
し、Ｍｇ２Ｓｉ析出物、機械的性質及び導電率の試験を
行った。
Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさの測定は、倍率400倍の光学
顕微鏡写真から求めた。具体的には第１図が析出処理材
の写真で第２図が析出処理を行わないものの写真であ
る。この写真を画像解析装置にかけ、析出物の粒径分布
を統計的に処理してＭｇ２Ｓｉ析出物の大きさ（最大
値）を求めた。
顕微鏡写真から求めた。具体的には第１図が析出処理材
の写真で第２図が析出処理を行わないものの写真であ
る。この写真を画像解析装置にかけ、析出物の粒径分布
を統計的に処理してＭｇ２Ｓｉ析出物の大きさ（最大
値）を求めた。
導電率の測定は、JIS H 0505「非金属材料の体積抵抗率
及び導電率測定方法」により求めた。機械的性質は、JI
S Z 2201「金属材料引張試験片」４号試験片によった。
これらの結果を第１表に示した。
及び導電率測定方法」により求めた。機械的性質は、JI
S Z 2201「金属材料引張試験片」４号試験片によった。
これらの結果を第１表に示した。
第１表の結果から、発明材料であるＮo.１〜５は、Ｍｇ
２Ｓｉ析出物の大きさはいずれも５μｍ以下、引張強さ
が10kgf/mm２以上、０．２％耐力が6kg/mm２以上及び導
電率が60％以上のＩＡＣＳ値が得られた。
２Ｓｉ析出物の大きさはいずれも５μｍ以下、引張強さ
が10kgf/mm２以上、０．２％耐力が6kg/mm２以上及び導
電率が60％以上のＩＡＣＳ値が得られた。
これに対して、比較材料のＮo.６はＭｇ含有量が0.22％
と低いため、耐力が５．８kgf/mm２と僅かに低く、Ｍｇ
２Ｓｉ析出物の大きさが８μｍとなり導電率59.2％と低
くなった。Ｎo.７はＭｇ含有量が1.02％と高いため、Ｍ
ｇ２Ｓｉ析出物の大きさが10μｍとなり、導電率が59.8
％と低くなった。Ｎo.８は、Ｓｉ含有量が0.24％と低い
ため、引張強さが9.6kgf／mm２と僅かに低くなった。Ｎ
o.９は、Ｓｉ量が0.98％と高いため、Ｍｇ２Ｓｉ析出物
の大きさが10μｍ及び単体Ｓｉ析出物が存在し、導電率
が58.6％と低くなった。Ｎo.10はＢ含有量が0.0040％と
高いためＢ化合物が残存し、導電率が58.7％と低くなっ
た。Ｎo.11〜15は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒの含有
量がそれぞれ高く、いずれも導電率が60％以下となっ
た。Ｎo.16は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ含有量の和
が0.0105％と高く、導電率が58％と低くなった。
と低いため、耐力が５．８kgf/mm２と僅かに低く、Ｍｇ
２Ｓｉ析出物の大きさが８μｍとなり導電率59.2％と低
くなった。Ｎo.７はＭｇ含有量が1.02％と高いため、Ｍ
ｇ２Ｓｉ析出物の大きさが10μｍとなり、導電率が59.8
％と低くなった。Ｎo.８は、Ｓｉ含有量が0.24％と低い
ため、引張強さが9.6kgf／mm２と僅かに低くなった。Ｎ
o.９は、Ｓｉ量が0.98％と高いため、Ｍｇ２Ｓｉ析出物
の大きさが10μｍ及び単体Ｓｉ析出物が存在し、導電率
が58.6％と低くなった。Ｎo.10はＢ含有量が0.0040％と
高いためＢ化合物が残存し、導電率が58.7％と低くなっ
た。Ｎo.11〜15は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒの含有
量がそれぞれ高く、いずれも導電率が60％以下となっ
た。Ｎo.16は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ含有量の和
が0.0105％と高く、導電率が58％と低くなった。
実施例２ 第１表に示したアルミニウム合金組成のＮo.２ないし５
材を、実施例１と同じ方法で鋳造、面削した後、均質化
処理、析出処理を第２表に示す条件で行った後、450℃
で押出加工を行った後、480℃に２時間保持した後水中
に焼入れ後、280℃で８時間の時効処理を行って試験材
を得た。これらを実施例１と同様に各種試験を行い、そ
の結果を第２表に示した。
材を、実施例１と同じ方法で鋳造、面削した後、均質化
処理、析出処理を第２表に示す条件で行った後、450℃
で押出加工を行った後、480℃に２時間保持した後水中
に焼入れ後、280℃で８時間の時効処理を行って試験材
を得た。これらを実施例１と同様に各種試験を行い、そ
の結果を第２表に示した。
発明例のＮo.17〜23は、いずれもＭｇ２Ｓｉ析出物の大
きさが５μｍ以下であり、引張強さが11.9kgf/mm２以
上、０．２％耐力が６．９kgf/mm２以上及び導電率が60
％以上ＩＡＣＳ値が得られた。
きさが５μｍ以下であり、引張強さが11.9kgf/mm２以
上、０．２％耐力が６．９kgf/mm２以上及び導電率が60
％以上ＩＡＣＳ値が得られた。
これに対し、比較例のＮo.24は均質化処理温度が400℃
と低いため、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさが10μｍとな
り、導電率が55.8％と低く、又、耐力が５．３kgf/mm２
と低くなった。Ｎo.25は析出処理温度が250℃と低いた
め、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさが10μｍとなり、導電率
が55.2％と低くなった。Ｎo.26〜29は、アルミニウム合
金組成が異なるが、それぞれ析出処理温度が450℃と高
いため、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさが15〜20μｍと大き
くなり、導電率が55.9〜57.8％と低くなった。
と低いため、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさが10μｍとな
り、導電率が55.8％と低く、又、耐力が５．３kgf/mm２
と低くなった。Ｎo.25は析出処理温度が250℃と低いた
め、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさが10μｍとなり、導電率
が55.2％と低くなった。Ｎo.26〜29は、アルミニウム合
金組成が異なるが、それぞれ析出処理温度が450℃と高
いため、Ｍｇ２Ｓｉ析出物の大きさが15〜20μｍと大き
くなり、導電率が55.9〜57.8％と低くなった。
［発明の効果］ このようにして、本発明は、Ｍｇ２Ｓｉ含有量をそれぞ
れ０．３〜０．８％に規制したアルミニウム合金をボロ
ン処理することによって、遷移金属元素を極微量に制限
し、均質化処理後析出処理することによって、Ｍｇ２Ｓ
ｉ析出物を微細することにより、導電率が60％以上のＩ
ＡＣＳ値が得られ、管路中送電線に用いられる有用なア
ルミニウム合金が得られた。
れ０．３〜０．８％に規制したアルミニウム合金をボロ
ン処理することによって、遷移金属元素を極微量に制限
し、均質化処理後析出処理することによって、Ｍｇ２Ｓ
ｉ析出物を微細することにより、導電率が60％以上のＩ
ＡＣＳ値が得られ、管路中送電線に用いられる有用なア
ルミニウム合金が得られた。
第１図は本発明の析出処理材の結晶の構造の電子顕微鏡
写真、第２図は析出処理をしないものの結晶の構造の電
子顕微鏡写真、第３図並びに第４図は本発明を適用した
送電線の断面図である。 １……内部円筒導体、２……外部円筒導体、 ３……撚線導体。
写真、第２図は析出処理をしないものの結晶の構造の電
子顕微鏡写真、第３図並びに第４図は本発明を適用した
送電線の断面図である。 １……内部円筒導体、２……外部円筒導体、 ３……撚線導体。
Claims (1)
- 【請求項１】Mg：０．３〜０．８％、Si：０．３〜０．
８％、Ｂ：0.0003〜0.0030％を含有し、不可避不純物と
してFe：≦0.10％、Mn、Cr、Ti、Ｖ、Zrの還移金属をい
ずれも0.0030％以下で、かつ、これらの合計を0.0100％
以下及び他の不純物の合計を0.0050％以下とし、残部が
実質的にAlからなるアルミニウム合金を450〜600℃で８
〜２４時間均質化処理をした後、300〜400℃にて８〜２
４時間の析出処理をした後、通常の条件で熱間押出、焼
入れ及び時効処理を行うことを特徴とする高導電性Al−
Mg−Si系合金管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2165766A JPH0621310B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 高導電性Ａｌ―Ｍｇ―Ｓｉ系合金管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2165766A JPH0621310B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 高導電性Ａｌ―Ｍｇ―Ｓｉ系合金管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456744A JPH0456744A (ja) | 1992-02-24 |
| JPH0621310B2 true JPH0621310B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=15818638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2165766A Expired - Fee Related JPH0621310B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 高導電性Ａｌ―Ｍｇ―Ｓｉ系合金管の製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH0621310B2 (ja) |
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-
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- 1990-06-26 JP JP2165766A patent/JPH0621310B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456744A (ja) | 1992-02-24 |
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