JPH06211749A - 光学活性化合物および表示素子 - Google Patents
光学活性化合物および表示素子Info
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- JPH06211749A JPH06211749A JP690193A JP690193A JPH06211749A JP H06211749 A JPH06211749 A JP H06211749A JP 690193 A JP690193 A JP 690193A JP 690193 A JP690193 A JP 690193A JP H06211749 A JPH06211749 A JP H06211749A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 低電圧駆動が可能で高速応答性に優れたな３
つの安定な分子配列状態を有する反強誘電性液晶材料、
およびそれを用いた表示素子を提供する。 【構成】 例えば(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ウンデ
シルオキシビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフ
ルオロ−４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシ
ペンチルオキシカルボニル）フェニルエステルを含む式
（１）の光学活性化合物、およびそれを用いた表示素
子。 ［但し、上記一般式（１）中、Ｒは炭素数８〜１２のア
ルキル基を表す。］
つの安定な分子配列状態を有する反強誘電性液晶材料、
およびそれを用いた表示素子を提供する。 【構成】 例えば(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ウンデ
シルオキシビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフ
ルオロ−４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシ
ペンチルオキシカルボニル）フェニルエステルを含む式
（１）の光学活性化合物、およびそれを用いた表示素
子。 ［但し、上記一般式（１）中、Ｒは炭素数８〜１２のア
ルキル基を表す。］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学活性化合物及びこ
れを用いた表示素子に関する。さらに詳しくは、本発明
の化合物は液晶性化合物としての用途が期待できるもの
であり、高速応答性に優れた３つの安定な分子配列状態
を有するカイラルスメクチックＣA相を示す反強誘電性
液晶材料、およびこれを用いた表示素子に関するもので
ある。
れを用いた表示素子に関する。さらに詳しくは、本発明
の化合物は液晶性化合物としての用途が期待できるもの
であり、高速応答性に優れた３つの安定な分子配列状態
を有するカイラルスメクチックＣA相を示す反強誘電性
液晶材料、およびこれを用いた表示素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】反強誘電性液晶はその特性により、強誘
電性液晶の問題点を解消しうる材料として注目されてい
る。即ち、反強誘電性液晶素子において反強誘電性液晶
は、強誘電性液晶が持っている２つの安定状態に加え
て、電界無印加時に１つの安定状態（第３の安定状態）
を持っている。この第３の安定状態では、分子層間の自
発分極は打ち消されるために、配向膜に絶縁性の材料を
用いた場合でも誘電分極を生ずることはない。また、も
う１つの大きな特徴としては、電界印加により層構造が
ブックシェルフ構造とシェブロン構造の間でスイッチン
グすることが知られている。この層構造のスイッチング
により、欠陥が少なく、また一度生じた欠陥を電界印加
により自己修復できる液晶素子の作成が可能となる。
電性液晶の問題点を解消しうる材料として注目されてい
る。即ち、反強誘電性液晶素子において反強誘電性液晶
は、強誘電性液晶が持っている２つの安定状態に加え
て、電界無印加時に１つの安定状態（第３の安定状態）
を持っている。この第３の安定状態では、分子層間の自
発分極は打ち消されるために、配向膜に絶縁性の材料を
用いた場合でも誘電分極を生ずることはない。また、も
う１つの大きな特徴としては、電界印加により層構造が
ブックシェルフ構造とシェブロン構造の間でスイッチン
グすることが知られている。この層構造のスイッチング
により、欠陥が少なく、また一度生じた欠陥を電界印加
により自己修復できる液晶素子の作成が可能となる。
【０００３】反強誘電性液晶材料を用いた液晶表示素子
は、２枚の直行する偏光板の間に液晶セルを挟み込み、
スメクチック相における分子層の法線方向と偏光子また
は検光子の方向が一致するように設置し、電界無印加時
の第３の安定状態を暗状態とし、電界印加により他方の
安定状態に変化させ、その状態を明状態として用いるこ
とにより、明および暗の表示を行わせるものである。し
かしながら、反強誘電性液晶は、第３の安定状態からも
う一方の安定状態へ、即ち暗状態から明状態へ変化させ
るために必要な印加電圧が高いといわれ、このことによ
り十分な応答速度を得るために大きな電圧を印加する必
要があるという問題点が指摘されてきた。この問題点を
解決する方法として、数種の化合物の配合による方法
（特開平3-223390号公報）が知られている。
は、２枚の直行する偏光板の間に液晶セルを挟み込み、
スメクチック相における分子層の法線方向と偏光子また
は検光子の方向が一致するように設置し、電界無印加時
の第３の安定状態を暗状態とし、電界印加により他方の
安定状態に変化させ、その状態を明状態として用いるこ
とにより、明および暗の表示を行わせるものである。し
かしながら、反強誘電性液晶は、第３の安定状態からも
う一方の安定状態へ、即ち暗状態から明状態へ変化させ
るために必要な印加電圧が高いといわれ、このことによ
り十分な応答速度を得るために大きな電圧を印加する必
要があるという問題点が指摘されてきた。この問題点を
解決する方法として、数種の化合物の配合による方法
（特開平3-223390号公報）が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来知られ
ている反強誘電性液晶材料に比べ、単独で室温を含む広
い温度領域で反強誘電性を示し、且つ第３の安定状態か
ら他方の安定状態に変化させるために必要な印加電圧が
低い反強誘電性液晶の材料を提供し、この特性により従
来の反強誘電性液晶素子の問題点を解消することであ
る。
ている反強誘電性液晶材料に比べ、単独で室温を含む広
い温度領域で反強誘電性を示し、且つ第３の安定状態か
ら他方の安定状態に変化させるために必要な印加電圧が
低い反強誘電性液晶の材料を提供し、この特性により従
来の反強誘電性液晶素子の問題点を解消することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、下記の一般式(1)
を達成するため鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、下記の一般式(1)
【０００６】
【化３】
【０００７】［但し、上記一般式(1)中、Ｒは炭素数８
〜１２のアルキル基を表す。］で示される光学活性化合
物、およびそれを用いた表示素子である。本発明による
化合物は、低電圧駆動が可能な３つの安定な分子配列状
態を有するカイラルスメクチックＣA相をとる反強誘電
性液晶材料として有用なものである。
〜１２のアルキル基を表す。］で示される光学活性化合
物、およびそれを用いた表示素子である。本発明による
化合物は、低電圧駆動が可能な３つの安定な分子配列状
態を有するカイラルスメクチックＣA相をとる反強誘電
性液晶材料として有用なものである。
【０００８】本発明の光学活性化合物の具体名を挙げれ
ば、以下のものを例示することができる。 Ｎｏ.１：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−オクチルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−
４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
オキシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.２：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ノニルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−４
−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオ
キシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.３：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−デシルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−４
−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオ
キシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.４：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ウンデシルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ
−４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチ
ルオキシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.５：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ドデシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−
４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
オキシカルボニル）フェニルエステル
ば、以下のものを例示することができる。 Ｎｏ.１：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−オクチルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−
４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
オキシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.２：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ノニルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−４
−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオ
キシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.３：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−デシルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−４
−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオ
キシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.４：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ウンデシルオ
キシビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ
−４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチ
ルオキシカルボニル）フェニルエステル Ｎｏ.５：(Ｒ)−３’−フルオロ−４’−ドデシルオキ
シビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−
４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
オキシカルボニル）フェニルエステル
【０００９】［本発明化合物の一般的製造法］本発明の
一般式(1)で示される化合物は、以下に示す方法により
製造することができる。以下反応式で例示するが、式中
Ｒは一般式(1)で定義したものと同一であり、式中の
( )番号は上段の化合物を表す。反応式 ：
一般式(1)で示される化合物は、以下に示す方法により
製造することができる。以下反応式で例示するが、式中
Ｒは一般式(1)で定義したものと同一であり、式中の
( )番号は上段の化合物を表す。反応式 ：
【００１０】
【化４】
【００１１】反応工程（I）は、脱水縮合剤としてジシ
クロヘキシルカルボジイミド等を用い、触媒としてＮ，
Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン等の有機塩基を用
い、溶媒として塩化メチレン、クロロホルム等を用いる
ことにより容易に実施できる。反応工程（II）は、脱ベ
ンジル化工程であるが、公知の方法により実施できる。
例えば、触媒としてパラジウム炭素を用い、溶媒として
エタノール、酢酸などを用い常圧水添することにより実
施できる。反応工程（III）は、反応工程（I）と全く同
様に実施でき、容易に本発明の目的化合物である一般式
(1)の化合物に導くことができる。
クロヘキシルカルボジイミド等を用い、触媒としてＮ，
Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン等の有機塩基を用
い、溶媒として塩化メチレン、クロロホルム等を用いる
ことにより容易に実施できる。反応工程（II）は、脱ベ
ンジル化工程であるが、公知の方法により実施できる。
例えば、触媒としてパラジウム炭素を用い、溶媒として
エタノール、酢酸などを用い常圧水添することにより実
施できる。反応工程（III）は、反応工程（I）と全く同
様に実施でき、容易に本発明の目的化合物である一般式
(1)の化合物に導くことができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明による反強誘電性液晶化合物は、
従来知られている反強誘電性液晶材料に比べ、単独で室
温を含む広い温度領域で反強誘電性を示し、且つ第３の
安定状態から他方の安定状態に変化させるために必要な
印加電圧が低い反強誘電性液晶材料が提供される。この
特性は、従来の反強誘電性液晶素子の問題点を解決でき
るものである。
従来知られている反強誘電性液晶材料に比べ、単独で室
温を含む広い温度領域で反強誘電性を示し、且つ第３の
安定状態から他方の安定状態に変化させるために必要な
印加電圧が低い反強誘電性液晶材料が提供される。この
特性は、従来の反強誘電性液晶素子の問題点を解決でき
るものである。
【００１３】
【実施例】以下実施例により本発明を更に具体的に説明
する。なお、実施例および比較例中の相転移温度の測定
および相の同定は、ＤＳＣ、および実施例１で説明する
素子を作成し、その電場応答を偏光顕微鏡で観察する方
法により実施した。また、相転移温度（℃）の表示に用
いた略号：Ｃｒｙは結晶相を、ＳｍＣＡ＊はカイラルス
メクチックＣＡ相を、ＳｍＡはスメクチックＡ相を、Ｉ
ｓｏは等方性液体相を表す。また、上段の値は５℃／ｍ
ｉｎで昇温したとき、下段の値は５℃／ｍｉｎで降温し
たときの相転移温度を表す。
する。なお、実施例および比較例中の相転移温度の測定
および相の同定は、ＤＳＣ、および実施例１で説明する
素子を作成し、その電場応答を偏光顕微鏡で観察する方
法により実施した。また、相転移温度（℃）の表示に用
いた略号：Ｃｒｙは結晶相を、ＳｍＣＡ＊はカイラルス
メクチックＣＡ相を、ＳｍＡはスメクチックＡ相を、Ｉ
ｓｏは等方性液体相を表す。また、上段の値は５℃／ｍ
ｉｎで昇温したとき、下段の値は５℃／ｍｉｎで降温し
たときの相転移温度を表す。
【００１４】［実施例１］ I：（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウンデシルオキシ
ビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−４
−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオ
キシカルボニル）フェニルエステルの合成
ビフェニル−４−カルボン酸−２，５−ジフルオロ−４
−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオ
キシカルボニル）フェニルエステルの合成
【００１５】(1)（Ｒ）−２，５−ジフルオロ−４−ベ
ンジルオキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−
メトキシペンチルエステルの製造 ２，５−ジフルオロ−４−ベンジルオキシ安息香酸４８
０mg（１.８０mmol）、（Ｒ）−１−トリフルオロメチ
ル−５−メトキシペンタノール２８０mｇ（１.５０mmo
l）、およびＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１１０mg
（０.９０mmol）に塩化メチレン２０mlを加え、室温に
て撹拌した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド４６０
mg（２.２５mmol）を加え室温にて１時間反応させた。
反応終了後、析出した固形物を濾別し、水洗、５％酢酸
水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メチレンを留去
し、粗目的物を得た。このものをシリカゲルクロマトグ
ラフィーにより精製することにより、目的の（Ｒ）−
２，５−ジフルオロ−４−ベンジルオキシ安息香酸−１
−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルエステル
５００mg（１.１６mmol）を得た。
ンジルオキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−
メトキシペンチルエステルの製造 ２，５−ジフルオロ−４−ベンジルオキシ安息香酸４８
０mg（１.８０mmol）、（Ｒ）−１−トリフルオロメチ
ル−５−メトキシペンタノール２８０mｇ（１.５０mmo
l）、およびＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１１０mg
（０.９０mmol）に塩化メチレン２０mlを加え、室温に
て撹拌した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド４６０
mg（２.２５mmol）を加え室温にて１時間反応させた。
反応終了後、析出した固形物を濾別し、水洗、５％酢酸
水溶液による洗浄、水洗を経た後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥させた。乾燥剤を濾別し、塩化メチレンを留去
し、粗目的物を得た。このものをシリカゲルクロマトグ
ラフィーにより精製することにより、目的の（Ｒ）−
２，５−ジフルオロ−４−ベンジルオキシ安息香酸−１
−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルエステル
５００mg（１.１６mmol）を得た。
【００１６】（２）（Ｒ）−２，５−ジフルオロ−４−
ヒドロキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−メ
トキシペンチルエステルの製造 上記（１）で得られた（Ｒ）−２，５−ジフルオロ−４
−ベンジルオキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−
５−メトキシペンチルエステル５００mg（１.１６mmo
l）を酢酸１０mlに溶解した後、水素雰囲気下５％パラ
ジウム炭素１２０mgを用い、室温にて２時間反応させ
た。反応終了後、パラジウム炭素を濾別し、酢酸を留去
し、粗目的物を得た。このものをシリカゲルクロマトグ
ラフィーにより精製することにより、目的の（Ｒ）−
２，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸−１−ト
リフルオロメチル−５−メトキシペンチルエステル３０
０mg（０.８８mmol）を得た。
ヒドロキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−メ
トキシペンチルエステルの製造 上記（１）で得られた（Ｒ）−２，５−ジフルオロ−４
−ベンジルオキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−
５−メトキシペンチルエステル５００mg（１.１６mmo
l）を酢酸１０mlに溶解した後、水素雰囲気下５％パラ
ジウム炭素１２０mgを用い、室温にて２時間反応させ
た。反応終了後、パラジウム炭素を濾別し、酢酸を留去
し、粗目的物を得た。このものをシリカゲルクロマトグ
ラフィーにより精製することにより、目的の（Ｒ）−
２，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸−１−ト
リフルオロメチル−５−メトキシペンチルエステル３０
０mg（０.８８mmol）を得た。
【００１７】（３）（Ｒ）−３’−フルオロ−４’−ウ
ンデシルオキシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１
−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオキシカ
ルボニル）フェニルエステルの製造 上記（２）で得られた（Ｒ）−２，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−
メトキシペンチルエステル４０mg（０．１０mmol）、
３’−フルオロ−４’−ウンデシルオキシビフェニル−
４−カルボン酸５０mg（０.１３mmol）、及びＮ，Ｎ−
ジメチル−４−アミノピリジン７mg（０.０６mmol）に
塩化メチレン１０mlを加え、室温にて撹拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド３１mg（０.１５mmol）を
加え、室温にて２時間反応させた。反応終了後、析出し
た固形物を濾別し、水洗、５％酢酸水溶液による洗浄、
水洗を経た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾
燥剤を濾別した後、塩化メチレンを留去し、粗目的物を
得た。このものをシリカゲルクロマトグラフィーにより
精製することにより、目的の（Ｒ）−３’−フルオロ−
４’−ウンデシルオキシビフェニル−４−カルボン酸−
４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
オキシカルボニル）フェニルエステル５０mg（０．０７
mmol）を得た。
ンデシルオキシビフェニル−４−カルボン酸−４−（１
−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチルオキシカ
ルボニル）フェニルエステルの製造 上記（２）で得られた（Ｒ）−２，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシ安息香酸−１−トリフルオロメチル−５−
メトキシペンチルエステル４０mg（０．１０mmol）、
３’−フルオロ−４’−ウンデシルオキシビフェニル−
４−カルボン酸５０mg（０.１３mmol）、及びＮ，Ｎ−
ジメチル−４−アミノピリジン７mg（０.０６mmol）に
塩化メチレン１０mlを加え、室温にて撹拌した後、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド３１mg（０.１５mmol）を
加え、室温にて２時間反応させた。反応終了後、析出し
た固形物を濾別し、水洗、５％酢酸水溶液による洗浄、
水洗を経た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾
燥剤を濾別した後、塩化メチレンを留去し、粗目的物を
得た。このものをシリカゲルクロマトグラフィーにより
精製することにより、目的の（Ｒ）−３’−フルオロ−
４’−ウンデシルオキシビフェニル−４−カルボン酸−
４−（１−トリフルオロメチル−５−メトキシペンチル
オキシカルボニル）フェニルエステル５０mg（０．０７
mmol）を得た。
【００１８】1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ppm）：0.88(t,3
H), 1.20-1.70(m,20H), 1.80-2.00(m,4H), 3.30(s,3H),
3.40(t,2H),4.10(t,2H), 5.50-5.65(m,1H), 7.05(t,1
H), 7.20-7.30(m,1H), 7.40(t,2H),7.70(d,2H), 7.80-
7.90(m,1H), 8.25(d,2H)
H), 1.20-1.70(m,20H), 1.80-2.00(m,4H), 3.30(s,3H),
3.40(t,2H),4.10(t,2H), 5.50-5.65(m,1H), 7.05(t,1
H), 7.20-7.30(m,1H), 7.40(t,2H),7.70(d,2H), 7.80-
7.90(m,1H), 8.25(d,2H)
【００１９】ＩＲスペクトル（cm-1）：2850, 1800, 17
30, 1590, 1500, 1240, 1160, 1120, 1000, 880, 750
30, 1590, 1500, 1240, 1160, 1120, 1000, 880, 750
【００２０】相転移温度（℃）：
【００２１】
【化５】
【００２２】II．素子の調製および評価 透明電極付きの２枚のガラス基板に、配向膜としてポリ
イミドをスピンコートした後、ラビング処理を施し、そ
れらを、それぞれのラビング方向が互いに平行となるよ
うに、１．５μｍのギャップ間隔で貼り合わせ、セルを
組み立てた。このセルに上記Ｉで合成した化合物を等方
性液体相にして注入し、その後、液晶状態まで徐冷し
た。これを透過軸を直交させた偏光子と検光子とで挟
み、印加電圧が０Ｖのとき、透過光量が最小となるよう
に、偏光子に対するセルの角度を調整した。以上の手順
で作製した素子について、２５℃における印加電圧変化
に対する透過光量変化を測定したところ、完全に明状態
に変化する電圧は５.７Ｖであった。この値を電界強度
で表すために、電極間距離で補正すると、３.８Ｖ／μ
ｍとなった。
イミドをスピンコートした後、ラビング処理を施し、そ
れらを、それぞれのラビング方向が互いに平行となるよ
うに、１．５μｍのギャップ間隔で貼り合わせ、セルを
組み立てた。このセルに上記Ｉで合成した化合物を等方
性液体相にして注入し、その後、液晶状態まで徐冷し
た。これを透過軸を直交させた偏光子と検光子とで挟
み、印加電圧が０Ｖのとき、透過光量が最小となるよう
に、偏光子に対するセルの角度を調整した。以上の手順
で作製した素子について、２５℃における印加電圧変化
に対する透過光量変化を測定したところ、完全に明状態
に変化する電圧は５.７Ｖであった。この値を電界強度
で表すために、電極間距離で補正すると、３.８Ｖ／μ
ｍとなった。
【００２３】［実施例２〜５］上記実施例１と同様にし
て、上記一般式（１）におけるＲが表１に示される化合
物を合成し、それぞれの化合物の相転移温度および反強
誘電相上限温度より２０℃低い温度における暗状態から
明状態に完全に変化する電圧を測定し、素子の電極間距
離で補正し、電界強度とした。これらの結果を表１に示
した。
て、上記一般式（１）におけるＲが表１に示される化合
物を合成し、それぞれの化合物の相転移温度および反強
誘電相上限温度より２０℃低い温度における暗状態から
明状態に完全に変化する電圧を測定し、素子の電極間距
離で補正し、電界強度とした。これらの結果を表１に示
した。
【００２４】
【表１】
【００２５】［比較例１］上記実施例１と同様にして、
下記式（６）の化合物を合成し、相転移温度および反強
誘電相上限温度より２０℃低い温度における暗状態から
明状態に完全に変化する電圧を測定し、素子の電極間距
離で補正し、電界強度とした。これらの結果を表２に示
した。この化合物では、本発明の化合物に比べ暗状態か
ら明状態に変化するために必要な電界強度は大きかっ
た。
下記式（６）の化合物を合成し、相転移温度および反強
誘電相上限温度より２０℃低い温度における暗状態から
明状態に完全に変化する電圧を測定し、素子の電極間距
離で補正し、電界強度とした。これらの結果を表２に示
した。この化合物では、本発明の化合物に比べ暗状態か
ら明状態に変化するために必要な電界強度は大きかっ
た。
【００２６】
【化６】
【００２７】
【表２】
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式(1)で示される光学活性化合
物。 【化１】 ［但し、上記一般式(1)中、Ｒは炭素数８〜１２のアル
キル基を表す。］ - 【請求項２】 下記一般式(1)で示される光学活性化合
物を用いた表示素子。 【化２】 ［但し、上記一般式(1)中、Ｒは炭素数８〜１２のアル
キル基を表す。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP690193A JPH06211749A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 光学活性化合物および表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP690193A JPH06211749A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 光学活性化合物および表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211749A true JPH06211749A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=11651139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP690193A Pending JPH06211749A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 光学活性化合物および表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06211749A (ja) |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP690193A patent/JPH06211749A/ja active Pending
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