JPH06204189A - ドライエッチング装置反応管内壁のクリーニング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置反応管内壁のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH06204189A JPH06204189A JP5000921A JP92193A JPH06204189A JP H06204189 A JPH06204189 A JP H06204189A JP 5000921 A JP5000921 A JP 5000921A JP 92193 A JP92193 A JP 92193A JP H06204189 A JPH06204189 A JP H06204189A
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- dry etching
- ecr
- wall
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応管３を大気開放することなく除去し、装置
稼働率の向上を図る。 【構成】ＥＣＲプラズマ発生によるドライエッチング装
置において、反応管内壁には付着した汚れを除去する際
に、上下電磁石７，８へ供給する電流値を変動させ電子
の円運動におけるマイクロ波の共鳴吸収するＥＣＲポイ
ントを移動させ、反応管３内全域に一様にイオンを衝突
させて反応管内に付着する汚れを除去する。
稼働率の向上を図る。 【構成】ＥＣＲプラズマ発生によるドライエッチング装
置において、反応管内壁には付着した汚れを除去する際
に、上下電磁石７，８へ供給する電流値を変動させ電子
の円運動におけるマイクロ波の共鳴吸収するＥＣＲポイ
ントを移動させ、反応管３内全域に一様にイオンを衝突
させて反応管内に付着する汚れを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング装置の
反応管内壁のクリーニング方法に関し、特に磁場を印加
するＥＣＲプラズマによるドライエッチング装置のクリ
ーニング方法に関するものである。
反応管内壁のクリーニング方法に関し、特に磁場を印加
するＥＣＲプラズマによるドライエッチング装置のクリ
ーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２はドライエッチング装置の一例にお
ける概略を示す図である。従来、この種のドライエッチ
ング装置は、図２に示すように、マイクロ波を発生する
マイクロ波発振器６と、このマイクロ波発振器６のマイ
クロ波を導びく導波管２と接続するチャンバと、チャン
バにマイクロ波を導入しＥＣＲプラズマを発生する領域
を包む反応管３と、マイクロ波に磁場を印加する上電磁
石７及び下電磁石８と、チャンバに収納されるとともに
被加工物を載置する電極４と、電極４に高周波電力を印
加する高周波発振器５とを備えている。
ける概略を示す図である。従来、この種のドライエッチ
ング装置は、図２に示すように、マイクロ波を発生する
マイクロ波発振器６と、このマイクロ波発振器６のマイ
クロ波を導びく導波管２と接続するチャンバと、チャン
バにマイクロ波を導入しＥＣＲプラズマを発生する領域
を包む反応管３と、マイクロ波に磁場を印加する上電磁
石７及び下電磁石８と、チャンバに収納されるとともに
被加工物を載置する電極４と、電極４に高周波電力を印
加する高周波発振器５とを備えている。
【０００３】このような磁場を印加しＥＣＲプラズマを
発生させエッチングするドライエッチング装置は、比較
的に低圧でイオン密度の高く、しかも垂直成分が得られ
ることから異方性エッチングに用いられてきた。また、
このドライエッチング装置では、反応管３にはエッチン
グ物質が被着し、定期的にクリーニングする必要があっ
た。
発生させエッチングするドライエッチング装置は、比較
的に低圧でイオン密度の高く、しかも垂直成分が得られ
ることから異方性エッチングに用いられてきた。また、
このドライエッチング装置では、反応管３にはエッチン
グ物質が被着し、定期的にクリーニングする必要があっ
た。
【０００４】このようなドライエッチング装置のクリー
ニングは、通常のエッチング手順と同じように、マグネ
トロンなどのマイクロ波発振管６により反応管３にマイ
クロ波を導入し、このマイクロ波に磁場を印加させるこ
とによりＥＣＲプラズマを発生し、このプラズマイオン
を反応管３の内壁に衝突させ、付着した反応生成物１０
を取り去っていた。
ニングは、通常のエッチング手順と同じように、マグネ
トロンなどのマイクロ波発振管６により反応管３にマイ
クロ波を導入し、このマイクロ波に磁場を印加させるこ
とによりＥＣＲプラズマを発生し、このプラズマイオン
を反応管３の内壁に衝突させ、付着した反応生成物１０
を取り去っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のクリー
ニング方法では、反応管内壁に付着した反応生成物をプ
ラズマイオンで除去するものの、プラズマイオン密度が
低い領域では、クリーニング効果が低下し、反応生成物
を完全に取り去ることが困難であった。従って、反応管
を大気開放し、薬液によるクリーニングを行う頻度が高
く、装置の不稼働時間が多かった。
ニング方法では、反応管内壁に付着した反応生成物をプ
ラズマイオンで除去するものの、プラズマイオン密度が
低い領域では、クリーニング効果が低下し、反応生成物
を完全に取り去ることが困難であった。従って、反応管
を大気開放し、薬液によるクリーニングを行う頻度が高
く、装置の不稼働時間が多かった。
【０００６】従って、本発明の目的は、薬液の使用や、
装置の稼働率を低下させること無く反応管内を清掃出来
るドライエッチング装置反応間内壁のクリーニング方法
を提供することである。
装置の稼働率を低下させること無く反応管内を清掃出来
るドライエッチング装置反応間内壁のクリーニング方法
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管内にマ
イクロ波を導入し磁場を印加しＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｃｙｃｔｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）現象を
利用するドライエッチング装置において、前記磁場を変
える電磁コイルに流す電流を変えることによって前記Ｅ
ＣＲを発生するポイントを前記反応管内で移動させ該反
応管内壁の汚れを除去することを特徴とするドライエッ
チング装置反応管内壁のクリーニング方法である。
イクロ波を導入し磁場を印加しＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｃｙｃｔｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）現象を
利用するドライエッチング装置において、前記磁場を変
える電磁コイルに流す電流を変えることによって前記Ｅ
ＣＲを発生するポイントを前記反応管内で移動させ該反
応管内壁の汚れを除去することを特徴とするドライエッ
チング装置反応管内壁のクリーニング方法である。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明のクリーニ
ング方法の一実施例を説明するための上下電磁石に流す
電流値とＥＣＲポイントを示すグラフ及び反応間近傍を
示す図である。本発明のクリーニング方法は、磁場を変
えることによってＥＣＲポイントが変ることを着目し、
磁場を変えてＥＣＲポイントを反応管３内を上下に移動
させることによって、発生するプラズマイオンの方向を
種々えて反応管３内壁に衝突させるイオンを一様にし、
内壁に付着する反応生成物を取去ることである。
ング方法の一実施例を説明するための上下電磁石に流す
電流値とＥＣＲポイントを示すグラフ及び反応間近傍を
示す図である。本発明のクリーニング方法は、磁場を変
えることによってＥＣＲポイントが変ることを着目し、
磁場を変えてＥＣＲポイントを反応管３内を上下に移動
させることによって、発生するプラズマイオンの方向を
種々えて反応管３内壁に衝突させるイオンを一様にし、
内壁に付着する反応生成物を取去ることである。
【００１０】ここで、試みに磁場を変えるための円筒状
の電磁コイルである上下電磁石７，８に電流値を変えて
種々の電流を流し、ＥＣＲポイントを求めてみたとこ
ろ、コイルに流す電流を増加させると、ＥＣＲポイント
は被加工物側に寄り、逆に減ずると被加工物側より離れ
反応管３の上部に近づくという知見を得た。このことは
被加工物に投射される斜めイオンを減少させるために電
磁コイルで磁場を印加し、ＥＣＲポイントを被加工物に
近づける理由からでも理解出来る。
の電磁コイルである上下電磁石７，８に電流値を変えて
種々の電流を流し、ＥＣＲポイントを求めてみたとこ
ろ、コイルに流す電流を増加させると、ＥＣＲポイント
は被加工物側に寄り、逆に減ずると被加工物側より離れ
反応管３の上部に近づくという知見を得た。このことは
被加工物に投射される斜めイオンを減少させるために電
磁コイルで磁場を印加し、ＥＣＲポイントを被加工物に
近づける理由からでも理解出来る。
【００１１】次に、具体的に本発明のクリーニングの一
実施例について説明する。例えば、図１（ａ）に示すグ
ラフでＡ点及びＢ点で示す電流を流したとき、ＥＣＲポ
イントが、正常のエッチングが出来る位置とすると、こ
の位置より被加工物より離れてＥＣＲポイントをもって
くれば、被加工物側に抽出されるイオンが少なくなり、
反応管３の内壁に衝突するイオンが増加することにな
る。従って、まず、点Ａ，Ｂでの電流を上電磁石７及び
下電磁石８に流し、徐々に電流を減らし、反応間３の上
側にＥＣＲポイントを移動させる。このことにより、イ
オンは反応間３の内壁に一様に衝突し、反応生成物を完
全に取去ることが出来る。
実施例について説明する。例えば、図１（ａ）に示すグ
ラフでＡ点及びＢ点で示す電流を流したとき、ＥＣＲポ
イントが、正常のエッチングが出来る位置とすると、こ
の位置より被加工物より離れてＥＣＲポイントをもって
くれば、被加工物側に抽出されるイオンが少なくなり、
反応管３の内壁に衝突するイオンが増加することにな
る。従って、まず、点Ａ，Ｂでの電流を上電磁石７及び
下電磁石８に流し、徐々に電流を減らし、反応間３の上
側にＥＣＲポイントを移動させる。このことにより、イ
オンは反応間３の内壁に一様に衝突し、反応生成物を完
全に取去ることが出来る。
【００１２】このように、磁場を変えることによってＥ
ＣＲポイントを変えることが出来るので、一定時間内で
周期的に電流を変えれば、ＥＣＲポイントを連続的に変
り、反応管の内壁を一様にイオンを衝突させ、反応生成
物を除去することが出来る。
ＣＲポイントを変えることが出来るので、一定時間内で
周期的に電流を変えれば、ＥＣＲポイントを連続的に変
り、反応管の内壁を一様にイオンを衝突させ、反応生成
物を除去することが出来る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、電磁石への
電流値を変動させＥＣＲポイントを移動させ、高密度プ
ラズマイオンを反応管内壁全域に一様に衝突させること
によって、反応管内に付着する反応生成物を完全に除去
することが出来るという効果がある。また、このことに
より反応管を大気開放し、薬液によるクリーニングを行
う必要が無く、ドライエッチングの合間に出来、稼働率
の向上を計れるという効果がある。
電流値を変動させＥＣＲポイントを移動させ、高密度プ
ラズマイオンを反応管内壁全域に一様に衝突させること
によって、反応管内に付着する反応生成物を完全に除去
することが出来るという効果がある。また、このことに
より反応管を大気開放し、薬液によるクリーニングを行
う必要が無く、ドライエッチングの合間に出来、稼働率
の向上を計れるという効果がある。
【図１】本発明のクリーニング方法を説明するための上
下電磁石に流す電流値とＥＣＲポイントを示すグラフ及
び反応管近傍を示す図である。
下電磁石に流す電流値とＥＣＲポイントを示すグラフ及
び反応管近傍を示す図である。
【図２】ドライエッチング装置の一例における概略を示
す図である。
す図である。
１ ガス導入管 ２ 導波管 ３ 反応管 ４ 電極 ５ 高周波発振器 ６ マイクロ波発振器 ７ 上電磁器 ８ 下電磁器 １０ 反応生成物
Claims (1)
- 【請求項１】 反応管内にマイクロ波を導入し磁場を印
加しＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｔｏｔｒｏｎ
Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）現象を利用するドライエッチング
装置において、前記磁場を変える電磁コイルに流す電流
を変えることによって前記ＥＣＲを発生するポイントを
前記反応管内で移動させ該反応管内壁の汚れを除去する
ことを特徴とするドライエッチング装置反応管内壁のク
リーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5000921A JPH06204189A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | ドライエッチング装置反応管内壁のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5000921A JPH06204189A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | ドライエッチング装置反応管内壁のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204189A true JPH06204189A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11487155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5000921A Pending JPH06204189A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | ドライエッチング装置反応管内壁のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204189A (ja) |
-
1993
- 1993-01-07 JP JP5000921A patent/JPH06204189A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991102 |