JPH0619121A - マスク - Google Patents
マスクInfo
- Publication number
- JPH0619121A JPH0619121A JP17663892A JP17663892A JPH0619121A JP H0619121 A JPH0619121 A JP H0619121A JP 17663892 A JP17663892 A JP 17663892A JP 17663892 A JP17663892 A JP 17663892A JP H0619121 A JPH0619121 A JP H0619121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- film
- substrate
- outer peripheral
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外周部の膜が厚くなることによるマスク周辺
部での膜の剥離を防止できるようにする。 【構成】 薄膜パターン２を形成するためにレジストな
どの回転塗布を行う際、その膜厚が全面に均一に形成さ
れるように、マスク基板３の形状を円形にし、かつ外周
縁を膨出させる。
部での膜の剥離を防止できるようにする。 【構成】 薄膜パターン２を形成するためにレジストな
どの回転塗布を行う際、その膜厚が全面に均一に形成さ
れるように、マスク基板３の形状を円形にし、かつ外周
縁を膨出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマスクの構造技術、特
に、塗布膜を均一に塗布するために用いて効果のある技
術に関するものである。
に、塗布膜を均一に塗布するために用いて効果のある技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７はホトリソグラフィを用いてウェハ
にエッチング処理を行うために用いられる従来のマスク
を示す平面図であり、図８はその正面図である。正方形
の石英ガラス製のマスク基板１の表面には、基板サイズ
より小さい薄膜パターン（例えば、クロムパターン）２
が形成されている。ここではマスクについて示したが、
レチクルにおいても、位相シフト用マスクにおいても、
その形状は同様に正方形である。これは、ハンドリング
がし易いなどの長所がある。
にエッチング処理を行うために用いられる従来のマスク
を示す平面図であり、図８はその正面図である。正方形
の石英ガラス製のマスク基板１の表面には、基板サイズ
より小さい薄膜パターン（例えば、クロムパターン）２
が形成されている。ここではマスクについて示したが、
レチクルにおいても、位相シフト用マスクにおいても、
その形状は同様に正方形である。これは、ハンドリング
がし易いなどの長所がある。
【０００３】マスク基板１にクロムパターンを形成する
場合、マスク基板１を回転させ、その表面にレジストを
塗布する。また、位相シフト用マスクでは位相シフタと
してＳＯＧ（Spin on Glass ）を回転塗布している。
場合、マスク基板１を回転させ、その表面にレジストを
塗布する。また、位相シフト用マスクでは位相シフタと
してＳＯＧ（Spin on Glass ）を回転塗布している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、正方形のマスクにレジストを回転塗布する技術は、
図９（図７のＡ−Ａ′断面における膜厚変化を示すもの
であるが、ここでは膜厚差がよくわかるように拡大して
示している）に示すように、マスクの周辺部で膜厚が非
常に厚くなり、その部分がアライナなどでハンドリング
する際に剥離し、これが発塵源になり、マスク上に付着
すると、加工の際に転写不良（例えば、パターン変形）
を招くという問題がある。
ば、正方形のマスクにレジストを回転塗布する技術は、
図９（図７のＡ−Ａ′断面における膜厚変化を示すもの
であるが、ここでは膜厚差がよくわかるように拡大して
示している）に示すように、マスクの周辺部で膜厚が非
常に厚くなり、その部分がアライナなどでハンドリング
する際に剥離し、これが発塵源になり、マスク上に付着
すると、加工の際に転写不良（例えば、パターン変形）
を招くという問題がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、マスク周辺部で
の膜の剥離を防止することのできる技術を提供すること
にある。
の膜の剥離を防止することのできる技術を提供すること
にある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００８】すなわち、レジストなどの膜が表面に塗布
されるマスク基板を円形または円に近い形状の多角形に
し、かつ外周縁が膨出した曲面形状にしている。
されるマスク基板を円形または円に近い形状の多角形に
し、かつ外周縁が膨出した曲面形状にしている。
【０００９】
【作用】上記した手段によれば、円形にしたマスク基板
は突起状の部分が無いため、レジストなどの塗布膜形成
を行っても基板表面には外周辺に至るまで均一に塗布さ
れる。さらに、外周縁を膨出させているため、マスクの
外周部のレジストなどの回転塗布膜の縁取りができる。
したがって、ハンドリングなどを行っても基板周辺部で
の膜剥離は生ぜず、発塵源になってマスク上に付着する
ことがないので、加工の際に転写不良を生じることがな
い。
は突起状の部分が無いため、レジストなどの塗布膜形成
を行っても基板表面には外周辺に至るまで均一に塗布さ
れる。さらに、外周縁を膨出させているため、マスクの
外周部のレジストなどの回転塗布膜の縁取りができる。
したがって、ハンドリングなどを行っても基板周辺部で
の膜剥離は生ぜず、発塵源になってマスク上に付着する
ことがないので、加工の際に転写不良を生じることがな
い。
【００１０】
【実施例】図１は本発明によるマスクの一実施例を示す
平面図であり、図２は図１の実施例の正面図である。
平面図であり、図２は図１の実施例の正面図である。
【００１１】本発明においては、円板状で且つ周縁に膨
出する丸み４（半球状、楕円形など）を形成したマスク
基板３を用い、その表面に薄膜パターン２（クロムパタ
ーン）を形成している。薄膜パターン２の形成はレジス
ト膜によって行う。また、位相シフトマスクの場合には
シフタとしてＳＯＧ膜を用いている。このような形状の
マスク基板３によれば、回転塗布を行っても周辺部と他
の部分との膜厚を同じにでき、周辺へのハンドリングを
行っても塗布膜剥離を防止でき、剥離が無いために発塵
源となることもない。
出する丸み４（半球状、楕円形など）を形成したマスク
基板３を用い、その表面に薄膜パターン２（クロムパタ
ーン）を形成している。薄膜パターン２の形成はレジス
ト膜によって行う。また、位相シフトマスクの場合には
シフタとしてＳＯＧ膜を用いている。このような形状の
マスク基板３によれば、回転塗布を行っても周辺部と他
の部分との膜厚を同じにでき、周辺へのハンドリングを
行っても塗布膜剥離を防止でき、剥離が無いために発塵
源となることもない。
【００１２】図３は本発明におけるマスク上の位置（図
１のＢ−Ｂ′間）と膜厚の関係を示す測定図である。図
３から明らかなように、本発明によればマスクの周辺と
中心との膜厚の差は殆ど無いことがわかる。
１のＢ−Ｂ′間）と膜厚の関係を示す測定図である。図
３から明らかなように、本発明によればマスクの周辺と
中心との膜厚の差は殆ど無いことがわかる。
【００１３】さらに図４に示す縁取り処理の一例を示す
平面図のように、塗布膜形成中、或いは形成後にマスク
裏面からノズル５を用いてマスク基板３の周辺部にアル
コールを噴射してマスク周辺部の膜を除去（マスク基板
１の地肌が露出した状態）する縁取りを行えば、膜剥離
を完璧に防止することができる。図中、６はマスク基板
３を吸着したまま回転させるスピンチャックである。
平面図のように、塗布膜形成中、或いは形成後にマスク
裏面からノズル５を用いてマスク基板３の周辺部にアル
コールを噴射してマスク周辺部の膜を除去（マスク基板
１の地肌が露出した状態）する縁取りを行えば、膜剥離
を完璧に防止することができる。図中、６はマスク基板
３を吸着したまま回転させるスピンチャックである。
【００１４】さらに、上記縁取りが容易に行えるよう
に、図５に示す本発明にかかるマスク基板の第２例を示
す正面図のように、厚みを薄く（図１のマスク基板３の
厚みが３〜５ｍｍ程度であるのに対し、図５では、例え
ば0.５〜１ｍｍ程度にする）したマスク基板７（外形は
前記実施例と同じ円形で、かつ、外周縁が膨出した曲面
形状にする）を用いるようにしてもよい。しかし、この
ように薄くすると、逆に強度低下や反りが生じ易くなる
という不利な面もある。そこで、図６に示す本発明にか
かるマスク基板の第３例を示す正面図のように、厚みを
落とさず（３〜５ｍｍ程度）に周縁を尖らせ、且つ先端
は丸みを有する形状のマスク基板８（マスク基板７と同
様に、外形は前記実施例と同じ円形である）にしてもよ
い。
に、図５に示す本発明にかかるマスク基板の第２例を示
す正面図のように、厚みを薄く（図１のマスク基板３の
厚みが３〜５ｍｍ程度であるのに対し、図５では、例え
ば0.５〜１ｍｍ程度にする）したマスク基板７（外形は
前記実施例と同じ円形で、かつ、外周縁が膨出した曲面
形状にする）を用いるようにしてもよい。しかし、この
ように薄くすると、逆に強度低下や反りが生じ易くなる
という不利な面もある。そこで、図６に示す本発明にか
かるマスク基板の第３例を示す正面図のように、厚みを
落とさず（３〜５ｍｍ程度）に周縁を尖らせ、且つ先端
は丸みを有する形状のマスク基板８（マスク基板７と同
様に、外形は前記実施例と同じ円形である）にしてもよ
い。
【００１５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００１６】例えば、前記実施例では、マスク基板３，
７，８が円形であるとしたが、できるだけ円に近い多角
形であってもよい。
７，８が円形であるとしたが、できるだけ円に近い多角
形であってもよい。
【００１７】また、前記実施例ではマスクについて示し
たが、本発明をレチクルに適用できることは言うまでも
ない。
たが、本発明をレチクルに適用できることは言うまでも
ない。
【００１８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００１９】すなわち、レジストなどの膜が表面に塗布
されるマスク基板を円形または円に近い形状の多角形に
し、かつ、外周縁を膨出させ、マスク外周部の縁取りを
容易に行えるようにしたことにより、ハンドリングなど
を行っても基板周辺部での膜剥離は生ず、発塵源になっ
てマスク上に付着することがないので、加工の際に転写
不良を生じることがない。特に、位相シフトマスクに用
いる位相シフタＳＯＧ膜に有効である。
されるマスク基板を円形または円に近い形状の多角形に
し、かつ、外周縁を膨出させ、マスク外周部の縁取りを
容易に行えるようにしたことにより、ハンドリングなど
を行っても基板周辺部での膜剥離は生ず、発塵源になっ
てマスク上に付着することがないので、加工の際に転写
不良を生じることがない。特に、位相シフトマスクに用
いる位相シフタＳＯＧ膜に有効である。
【図１】本発明によるマスクの一実施例を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】図１の実施例の正面図である。
【図３】本発明におけるマスク上の位置と膜厚の関係を
示す測定図である。
示す測定図である。
【図４】縁取り処理の一例を示す正面図である。
【図５】本発明にかかるマスク基板の第２例を示す正面
図である。
図である。
【図６】本発明にかかるマスク基板の第３例を示す正面
図である。
図である。
【図７】従来のマスクを示す平面図である。
【図８】図７の従来のマスクの正面図である。
【図９】従来のマスク上の位置と膜厚の関係を示す測定
図である。
図である。
１ マスク基板 ２ 薄膜パターン ３ マスク基板 ４ 丸み ５ ノズル ６ スピンチャック ７，８ マスク基板
Claims (2)
- 【請求項１】 レジスト、ＳＯＧなどの膜が表面に塗布
されるマスク基板を円形または円に近い形状の多角形、
かつ、マスク基板の外周縁が、膨出した曲面形状である
ことを特徴とするマスク。 - 【請求項２】 前記マスク基板を薄く形成することを特
徴とする請求項１記載のマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17663892A JPH0619121A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17663892A JPH0619121A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0619121A true JPH0619121A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16017085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17663892A Pending JPH0619121A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0919875A1 (en) * | 1997-11-25 | 1999-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Mask blank and method of producing mask |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17663892A patent/JPH0619121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0919875A1 (en) * | 1997-11-25 | 1999-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Mask blank and method of producing mask |
| US6162564A (en) * | 1997-11-25 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask blank and method of producing mask |
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