JPH06187248A - Data error detection and correction control circuit - Google Patents

Data error detection and correction control circuit

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JPH06187248A
JPH06187248A JP4354486A JP35448692A JPH06187248A JP H06187248 A JPH06187248 A JP H06187248A JP 4354486 A JP4354486 A JP 4354486A JP 35448692 A JP35448692 A JP 35448692A JP H06187248 A JPH06187248 A JP H06187248A
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JP
Japan
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data
correction
error detection
bit
input data
Prior art date
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JP4354486A
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Japanese (ja)
Inventor
亨 ▲瀧▼島
Toru Takishima
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To make the proper choice of high-speed or reliable processing and flexibly cope with alterations of system specifications after development and designing by including a selecting means which selectively leads out the outputs of a 1st and a 2nd error detecting and correcting means according to an external command. CONSTITUTION:When input data are write data, an SEC-DED circuit 3 generates check bits for 1-bit correction and 2-bit error detection from the input data, adds them to the input data, and outputs the resulting data as data 13. When the input data are the write data, an SbEC-DbED circuit 4 generates check bits for adjacent (b)-bit burst error correction and two-adjacent (b)-bit burst error detection from the input data, adds them to the input data, and outputs data 18. The data outputs (check-bit added data) of both the circuits 3 and 4 are inputted to a selector 9 and led out as write data 17 selectively according to an external mode signal 24.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はデータエラー検出訂正制
御回路に関し、特にメモリのリード/ライトデータのエ
ラー検出訂正用のデータエラー検出訂正制御回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data error detection / correction control circuit, and more particularly to a data error detection / correction control circuit for error detection / correction of memory read / write data.

【0002】[0002]

【従来の技術】この様なメモリデータに対するエラー検
出訂正用の回路として大別すると次の2つに分けられ
る。すなわち、1ビットエラー訂正・2ビットエラー検
出用の回路とバースト状の隣接多ビットエラー検出・訂
正用の回路とがある。
2. Description of the Related Art Circuits for detecting and correcting errors in such memory data are roughly classified into the following two. That is, there are a circuit for 1-bit error correction / 2-bit error detection and a circuit for burst-like adjacent multi-bit error detection / correction.

【0003】前者の1ビットエラー検出・訂正用回路
は、メモリライトデータに対しては、1ビットエラー訂
正,2ビットエラー検出用のチェックビットを生成して
これを当該ライトデータに付加して出力し、またメモリ
リードデータに対しては、このリードデータに付加され
ているチェックビットからシンドロームを生成するもの
であり、SEC−DED(Single bit Er
ror Correction−Double bit
Eerror Detection)回路と称され
る。
The former 1-bit error detection / correction circuit generates a check bit for 1-bit error correction and 2-bit error detection for memory write data, adds it to the write data, and outputs it. For memory read data, the syndrome is generated from the check bit added to this read data, and SEC-DED (Single bit Er) is used.
error correction-Double bit
It is called an Error Detection circuit.

【0004】後者の隣接多ビットのバーストエラー検出
・訂正回路は、ライトデータに対しては、隣接bビット
(bは2以上の整数であり、4の倍数が一般的である)
エラー訂正,2つの隣接bビットエラー検出用のチェッ
クビットを生成してこれを当該ライトデータに付加して
出力し、またメモリリードデータに対しては、このリー
ドデータに付加されているチェックビットからシンドロ
ームを生成するものであり、SbEC−DbED(Si
ngle b bit Error Correcti
on−Double b bit Eorror De
tection)回路と称される。
The latter adjacent multi-bit burst error detection / correction circuit, for write data, has adjacent b bits (b is an integer of 2 or more and is generally a multiple of 4).
A check bit for error correction and two adjacent b-bit error detection is generated and added to the write data to be output. For memory read data, the check bit added to this read data is used. It generates a syndrome, and is based on SbEC-DbED (Si
single b bit Error Correcti
on-Double b bit Error De
circuit).

【0005】メモリLSIには、これ等SEC−DED
回路またはSbEC−DbEDのいずれかのエラー検出
訂正回路が組込まれた汎用メモリLSIがある。ここ
で、SEC−DED用とSbEC−DbED用とのメモ
リを比較すると、SEC−DED用は、SbEC−Db
ED用に比べて符号化部部分のゲート段数が少ないため
に、動作速度の性能は良いが符号の訂正能力は低いの
で、信頼性は落ちることになる。
The memory LSI has these SEC-DED
There is a general-purpose memory LSI incorporating an error detection / correction circuit of either the circuit or the SbEC-DbED. Here, comparing the memory for SEC-DED and the memory for SbEC-DbED, the memory for SEC-DED is SbEC-Db.
Since the number of gate stages in the encoding unit is smaller than that for the ED, the operation speed performance is good, but the code correction ability is low, so the reliability decreases.

【0006】一方、SbEC−DbED用は、SEC−
DED用に比べて符号化部分のゲート段数が多いため
に、動作速度の性能は落ちるが、符号訂正能力は高いの
で、信頼性は良い。
On the other hand, for SbEC-DbED, SEC-
Since the number of gate stages in the coding portion is larger than that for the DED, the performance of the operating speed is reduced, but the code correction capability is high, so the reliability is good.

【0007】従って、従来の汎用メモリLSIでは、高
速性を優先するか、信頼性を優先するかというシステム
側の仕様要求に合せて、SEC−DED用かSbEC−
DbED用かを選択してメモリ開発,設計及び製造を行
っている。
Therefore, in the conventional general-purpose memory LSI, either for SEC-DED or for SbEC-depending on the specification requirements of the system side, that is, whether high speed or high reliability is prioritized.
We are developing, designing and manufacturing the memory by selecting whether it is for DbED.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】この様に、従来では、
汎用メモリLSIを開発,設計するに際して、システム
側の仕様要求に合せてその都度SEC−DED用メモリ
LSIとするか、SbEC−DbED用メモリLSIと
するかを選択しており、よってシステム開発後にこれを
変更する必要が生じて変更する場合には、多大な開発費
や開発量が必要となるという問題がある。また、高信頼
性化と高速化とのいずれにも対応できるような汎用メモ
リLSIの開発も要求されてきており、この要求を満足
することができないという欠点もある。
As described above, in the prior art,
When developing and designing a general-purpose memory LSI, the SEC-DED memory LSI or the SbEC-DbED memory LSI is selected each time according to the specification requirements of the system side. However, there is a problem that a large amount of development cost and a large amount of development are required in the case where the change is required. Further, there has been a demand for development of a general-purpose memory LSI capable of coping with both high reliability and high speed, and there is a drawback that this demand cannot be satisfied.

【0009】そこで、本発明はかかる従来技術の問題を
解消すべくなされたものであって、その目的とするとこ
ろは、外部指令に応じて高速化と信頼性化とを適宜選択
可能として、開発・設計後のシステム仕様変更に柔軟に
対処可能なデータエラー検出訂正制御回路を提供するこ
とにある。
Therefore, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, and the object thereof is to develop by making it possible to appropriately select high speed and high reliability in accordance with an external command. -To provide a data error detection / correction control circuit capable of flexibly coping with changes in system specifications after design.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明によるデータエラ
ー検出訂正制御回路は、1ビットエラー訂正及び2ビッ
トエラー検出用のチェックビットを生成して入力データ
に付加して出力し、また入力データに付加された前記チ
ェックビットから当該入力データのエラー検出訂正をな
す第1のエラー検出訂正手段と、バースト状の隣接bビ
ット(bは2以上の整数)エラー訂正及び隣接bビット
エラー検出用のバーストエラーチェックビットを生成し
て入力データに付加して出力し、また入力データに付加
された前記バーストエラーチェックビットから当該入力
データのバーストエラー検出訂正をなす第2のエラー検
出訂正手段と、外部指令に応じて前記第1及び第2のエ
ラー検出訂正手段の出力を択一的に導出する選択手段と
を含むことを特徴とする。
A data error detection / correction control circuit according to the present invention generates a check bit for 1-bit error correction and 2-bit error detection, adds it to input data, and outputs it. First error detection / correction means for performing error detection / correction of the input data from the added check bits, burst-like adjacent b-bit (b is an integer of 2 or more) error correction and adjacent b-bit error detection burst Second error detection and correction means for generating an error check bit, adding it to the input data and outputting it, and performing burst error detection and correction of the input data from the burst error check bit added to the input data, and an external command. Selection means for selectively deriving outputs of the first and second error detection and correction means according to To.

【0011】[0011]

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例についい
て詳述する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明の実施例のブロック図であ
る。本発明によるデータエラー検出訂正制御回路1にお
いて、レジスタ2はメモリリード/ライトデータ11を
取込み、この取込みデータ12をSEC−DED回路3
及びSbEC−DbED回路4へ夫々供給する。SEC
−DED回路3は、入力データがライトデータであれ
ば、この入力データから1ビットエラー訂正,2ビット
エラー検出用のチェックビットを生成してこれを入力デ
ータに付加してデータ13として出力するもので、また
入力データがリードデータであれば、この入力データに
付加されたチェックビットからシンドロームを生成す
る。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. In the data error detection / correction control circuit 1 according to the present invention, the register 2 takes in the memory read / write data 11, and takes the taken data 12 in the SEC-DED circuit 3.
And SbEC-DbED circuit 4 respectively. SEC
If the input data is write data, the DED circuit 3 generates a check bit for 1-bit error correction and 2-bit error detection from this input data, adds this to the input data, and outputs it as data 13. If the input data is read data, the syndrome is generated from the check bit added to the input data.

【0013】SbEC−DbED回路4は、入力データ
がライトデータであれば、この入力データから隣接bビ
ットのバーストエラー訂正,2つの隣接bビットのバー
ストエラー検出用のチェックビットを生成してこれを入
力データに付加してデータ18として出力するものであ
り、また入力データがリードデータであれば、この入力
データに付加されたバーストエラー用のチェックビット
からシンドロームを生成する。
If the input data is write data, the SbEC-DbED circuit 4 generates check bits for burst error correction of adjacent b bits and detection of burst error of two adjacent b bits from the input data and outputs the check bits. The data is added to the input data and output as data 18. If the input data is read data, a syndrome is generated from the check bit for burst error added to this input data.

【0014】これ等両回路3,4は外部からのリード/
ライト制御信号に応じてシンドロームを生成するかチェ
ックビットを生成するかの機能が選択されるようになっ
ている。
These two circuits 3 and 4 are connected to external leads /
A function of generating a syndrome or a check bit is selected according to the write control signal.

【0015】そして、これ等両回路3及び4のデータ出
力(チェックビット付加データ)13及び18はセレク
タ9に入力され、外部モード信号24に応じて択一的に
ライトデータ17として導出されることになる。
The data outputs (check bit additional data) 13 and 18 of these two circuits 3 and 4 are input to the selector 9 and selectively derived as the write data 17 according to the external mode signal 24. become.

【0016】デコーダ5及び6は対応する回路3及び4
から生成されたシンドローム13及び18を夫々解読し
てそのデコード出力15及び20を夫々出力する。訂正
回路7及び8は対応するデコード5及び6のデコード出
力15及び20と対応する回路3及び4からの各リード
データ出力14及び19とを夫々入力として、リードデ
ータの訂正を行い訂正後のリードデータ16及び21を
夫々出力する。これ等両データ出力16及び21はセレ
クタ10へ入力され、外部モード信号24に応じて択一
的にリードデータ22として導出されるようになってい
る。
Decoders 5 and 6 have corresponding circuits 3 and 4, respectively.
The syndromes 13 and 18 generated from are decoded respectively, and the decoded outputs 15 and 20 are output respectively. The correction circuits 7 and 8 receive the decoded outputs 15 and 20 of the corresponding decodes 5 and 6 and the read data outputs 14 and 19 from the corresponding circuits 3 and 4, respectively, to correct the read data and perform the read after the correction. The data 16 and 21 are output respectively. Both of these data outputs 16 and 21 are input to the selector 10 and selectively derived as the read data 22 according to the external mode signal 24.

【0017】以下に本回路1をメモリ書込データ制御用
として使った場合について説明する。書込データ11が
入力されると、レジスタ2にセットされる。このとき書
込/読出制御信号23が書込指定になっているため、セ
ット後の書込データ12は、SEC−DED回路3に入
力され、1ビットエラー訂正,2ビットエラー検出用の
チェックビット及び書込データ13が生成される。
The case where this circuit 1 is used for controlling memory write data will be described below. When the write data 11 is input, it is set in the register 2. At this time, since the write / read control signal 23 is set to write, the write data 12 after being set is input to the SEC-DED circuit 3 and the check bit for 1-bit error correction and 2-bit error detection. And write data 13 is generated.

【0018】また、書込データ12はSbEC−DbE
D回路4にも入力され、隣接bビットのバーストエラー
訂正,2つの隣接bビットのバーストエラー検出用のチ
ェックビット及び書込データ18が生成される。
The write data 12 is SbEC-DbE.
It is also input to the D circuit 4, and a check bit and a write data 18 for burst error correction of two adjacent b bits and burst error detection of two adjacent b bits are generated.

【0019】高速化/信頼性モード信号24が高速化指
定であると、チェックビット及び書込データ13がセレ
クタ9によって選択され、チェックビット及び書込デー
タ17が出力される。また信頼性指定であると、チェッ
クビット及び書込データ18が選択されて出力される。
When the speed-up / reliability mode signal 24 is designated as speed-up, the check bit and write data 13 are selected by the selector 9, and the check bit and write data 17 are output. If the reliability is designated, the check bit and the write data 18 are selected and output.

【0020】次に、本回路1を読出データ制御用として
使った場合について説明する。読出データ11が入力さ
れると、レシスタ2にセットされる。このとき書込/読
出制御信号23が読出指定になっているため、セット後
の読出データ12はSEC−DED回路3に入力され、
1ビットエラー訂正,2ビットエラー検出用のシンドロ
ーム13と読出データ14とが生成される。また、Sb
EC−DbED回路4にも入力され、隣接bビットエラ
ー訂正,2つの隣接bビットエラー検出用のシンドロー
ム18と読出データ19とが生成される。
Next, a case where the circuit 1 is used for controlling read data will be described. When the read data 11 is input, it is set in the register 2. At this time, since the write / read control signal 23 is designated to read, the read data 12 after being set is input to the SEC-DED circuit 3,
A syndrome 13 for 1-bit error correction and 2-bit error detection and read data 14 are generated. Also, Sb
It is also input to the EC-DbED circuit 4, and a syndrome 18 and read data 19 for adjacent b-bit error correction and two adjacent b-bit error detection are generated.

【0021】シンドローム13はデコーダ5で解読さ
れ、デコード信号15を出力する。読出データ12に1
ビットエラーがあれば、デコード信号が論理“1”とな
るため、読出データ14は訂正回路7で訂正される。1
ビットエラーでなければ、デコード信号15は論理
“0”であるため、読出データ14は訂正されずに訂正
回路7から出力される。
The syndrome 13 is decoded by the decoder 5 and outputs a decode signal 15. 1 in read data 12
If there is a bit error, the decode signal becomes a logic "1", so the read data 14 is corrected by the correction circuit 7. 1
If there is no bit error, the decode signal 15 is a logical "0", so the read data 14 is output from the correction circuit 7 without being corrected.

【0022】一方、シンドローム18はデコーダ6で解
読され、デコード信号20を出力する。読出データ12
に隣接bビットエラーがあれば、デコード信号20が論
理“1”となるため、読出データ19は訂正回路8で訂
正される。隣接bビットエラーでなければ、デコード信
号20は論理“0”であるため、読出データ19は訂正
されずに訂正回路8から出力される。
On the other hand, the syndrome 18 is decoded by the decoder 6 and outputs a decode signal 20. Read data 12
If there is an adjacent b-bit error, the decode signal 20 becomes a logic "1", so that the read data 19 is corrected by the correction circuit 8. If there is no adjacent b-bit error, the decode signal 20 is a logical "0", and therefore the read data 19 is output from the correction circuit 8 without being corrected.

【0023】高速化/信頼性モード信号24が高速化指
定であると、読出データ16がセレクト10によって選
択され、読出データ22が出力され、信頼性指定である
と、読出データ21が選択されて出力される。
When the speed-up / reliability mode signal 24 is designated as speed-up, the read data 16 is selected by the select 10 and the read data 22 is output. When the speed-reliability is designated, the read data 21 is selected. Is output.

【0024】図2は本発明の他の実施例のブロック図を
示し、図1と同等部分は同一符号にて示す。本回路は2
0では、全バイト書込データ制御,部分書込データ制
御,並びに読出データ制御を全て兼ねることができる。
以下に夫々の動作について説明する。
FIG. 2 shows a block diagram of another embodiment of the present invention, and the same portions as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. This circuit is 2
With 0, all byte write data control, partial write data control, and read data control can be combined.
Each operation will be described below.

【0025】全バイト書込動作の場合、部分書込動作指
示信号25が全バイト書込指定であるため、書込データ
31が全てセレクタ30によって選択され、図1のデー
タエラー検出訂正制御回路1内のレジスタ2に送られ
る。それ以降の動作は、前述の図1の回路1を書込デー
タ制御用として使った場合と同様であり、チェックビッ
ト及び書込データ17回路が本回路20から出力され
る。
In the case of the all-byte write operation, since the partial write operation instruction signal 25 designates all-byte write, all the write data 31 is selected by the selector 30, and the data error detection / correction control circuit 1 of FIG. It is sent to register 2 inside. The subsequent operation is the same as when the circuit 1 of FIG. 1 described above is used for controlling write data, and the check bit and write data 17 circuit is output from this circuit 20.

【0026】また、読出動作の場合は、部分書込動作指
示信号25が読出指定であるため、読出データ32が全
てセレクタ30によって選択され、図1の回路1内のレ
ジスタ2に送られる。それ以降の動作は、前述の回路1
を読出データ制御用として使った場合と同様であり、読
出データ22が本回路20から出力される。
In the case of the read operation, since the partial write operation instruction signal 25 designates the read operation, all the read data 32 are selected by the selector 30 and sent to the register 2 in the circuit 1 of FIG. Subsequent operations are the same as the circuit 1 described above.
Is used for controlling read data, and read data 22 is output from this circuit 20.

【0027】さらに、部分書込動作の場合は、部分書込
動作指示信号25が部分書込指定であるため、指定され
たバイトは書込データ31がセレクタ30によって選択
され、指定外のバイトは読出データ22が選択されてレ
ジスタ2に送られる。それ以降の動作は前述の回路1を
書込データ制御用として使った場合と同様であり、チェ
ックビット及び書込データ17が本回路20から出力さ
れる。これにより、メモリからの読出データ22の一部
に指定バイトだけ書込データがマージされて、再びメモ
リライトデータ17となってメモリへ書込まれる。
Further, in the case of the partial write operation, since the partial write operation instruction signal 25 is the partial write designation, the write data 31 of the designated byte is selected by the selector 30, and the undesignated byte is The read data 22 is selected and sent to the register 2. The subsequent operation is the same as when the circuit 1 described above is used for controlling the write data, and the check bit and the write data 17 are output from this circuit 20. As a result, a part of the read data 22 from the memory is merged with the write data by a designated byte, and the memory write data 17 is written again in the memory.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、1ビット
エラー訂正コード用のSEC−DED回路と隣接多ビッ
トエラー訂正用のSbEC−DbED回路との両回路を
有し、訂正モードの切替設定のみで、これらのいずれか
を選択するようにしたので、性能重視のシステムでも信
頼性重視のシステムでも、使用することが可能となり、
訂正機能を有するメモリLSIの適用範囲を拡大する効
果がある。
As described above, the present invention has both the SEC-DED circuit for 1-bit error correction code and the SbEC-DbED circuit for adjacent multi-bit error correction, and the correction mode switching setting. Only one of them is selected, so it can be used in both performance-oriented systems and reliability-oriented systems.
This has the effect of expanding the application range of the memory LSI having the correction function.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 データエラー検出訂正用制御回路 2 レジスタ 3 SEC−DED回路 4 SbEC−DbED回路 5,6 デコーダ 7,8 訂正回路 9,10,30 セレクタ 1 Data Error Detection and Correction Control Circuit 2 Register 3 SEC-DED Circuit 4 SbEC-DbED Circuit 5, 6 Decoder 7, 8 Correction Circuit 9, 10, 30 Selector

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1ビットエラー訂正及び2ビットエラー
検出用のチェックビットを生成して入力データに付加し
て出力し、また入力データに付加された前記チェックビ
ットから当該入力データのエラー検出訂正をなす第1の
エラー検出訂正手段と、バースト状の隣接bビット(b
は2以上の整数)エラー訂正及び隣接bビットエラー検
出用のバーストエラーチェックビットを生成して入力デ
ータに付加して出力し、また入力データに付加された前
記バーストエラーチェックビットから当該入力データの
バーストエラー検出訂正をなす第2のエラー検出訂正手
段と、外部指令に応じて前記第1及び第2のエラー検出
訂正手段の出力を択一的に導出する選択手段とを含むこ
とを特徴とするデータエラー検出訂正制御回路。
1. A check bit for 1-bit error correction and 2-bit error detection is generated and added to input data for output, and error detection and correction of the input data is performed from the check bit added to the input data. The first error detecting and correcting means and the burst-like adjacent b bits (b
Is an integer greater than or equal to 2) A burst error check bit for error correction and adjacent b-bit error detection is generated and added to the input data for output, and the burst error check bit added to the input data is used to output the input data. It is characterized by including a second error detection / correction means for detecting and correcting a burst error and a selection means for selectively deriving outputs of the first and second error detection / correction means in response to an external command. Data error detection and correction control circuit.
【請求項2】 外部制御信号に応じて前記入力データと
前記選択手段の出力データとの一方を選択して前記第1
及び第2のエラー検出訂正手段へ供給する手段を更に含
むことを特徴とするデータエラー検出訂正制御回路。
2. One of the input data and the output data of the selecting means is selected according to an external control signal to select the first data.
And a data error detection / correction control circuit further comprising means for supplying to the second error detection / correction means.
JP4354486A 1992-12-16 1992-12-16 Data error detection and correction control circuit Pending JPH06187248A (en)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207376A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Nonvolatile storage device and memory controller
JP2007305267A (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Toshiba Corp Semiconductor storage device
JP2008508632A (en) * 2004-08-02 2008-03-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Data storage and playback device
JP2008192054A (en) * 2007-02-07 2008-08-21 Megachips Lsi Solutions Inc Semiconductor memory system
JP2009048758A (en) * 2007-08-16 2009-03-05 Samsung Electronics Co Ltd Nonvolatile semiconductor memory system having high-speed fast programming function and reading method thereof
JP2009245218A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Nec Corp Memory device and memory control method
US8412879B2 (en) 2002-10-28 2013-04-02 Sandisk Technologies Inc. Hybrid implementation for error correction codes within a non-volatile memory system
US8910017B2 (en) 2012-07-02 2014-12-09 Sandisk Technologies Inc. Flash memory with random partition
JP2016134167A (en) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 Memory system and processor
US9632856B2 (en) 2013-02-26 2017-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices including error correction circuits and methods of operating the semiconductor memory devices
US9786387B2 (en) 2014-08-26 2017-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694596A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Fujitsu Ltd Memory control system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694596A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Fujitsu Ltd Memory control system

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8412879B2 (en) 2002-10-28 2013-04-02 Sandisk Technologies Inc. Hybrid implementation for error correction codes within a non-volatile memory system
US8402325B2 (en) 2004-08-02 2013-03-19 St-Ericsson Sa Data storage and replay apparatus
JP2008508632A (en) * 2004-08-02 2008-03-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Data storage and playback device
JP2007207376A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Nonvolatile storage device and memory controller
JP2007305267A (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Toshiba Corp Semiconductor storage device
JP2008192054A (en) * 2007-02-07 2008-08-21 Megachips Lsi Solutions Inc Semiconductor memory system
KR101397549B1 (en) * 2007-08-16 2014-05-26 삼성전자주식회사 Non-volatile semiconductor memory device and system capable of fast rogramming and read method thereof
JP2009048758A (en) * 2007-08-16 2009-03-05 Samsung Electronics Co Ltd Nonvolatile semiconductor memory system having high-speed fast programming function and reading method thereof
US8898543B2 (en) 2007-08-16 2014-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, system, and method providing fast program and read operations
JP2009245218A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Nec Corp Memory device and memory control method
US8910017B2 (en) 2012-07-02 2014-12-09 Sandisk Technologies Inc. Flash memory with random partition
US9632856B2 (en) 2013-02-26 2017-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices including error correction circuits and methods of operating the semiconductor memory devices
US10684793B2 (en) 2013-02-26 2020-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices including error correction circuits and methods of operating the semiconductor memory devices
US9786387B2 (en) 2014-08-26 2017-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same
US10090066B2 (en) 2014-08-26 2018-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same
JP2016134167A (en) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 Memory system and processor

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