JPH06186727A - マスクパターン配列方法 - Google Patents

マスクパターン配列方法

Info

Publication number
JPH06186727A
JPH06186727A JP33699392A JP33699392A JPH06186727A JP H06186727 A JPH06186727 A JP H06186727A JP 33699392 A JP33699392 A JP 33699392A JP 33699392 A JP33699392 A JP 33699392A JP H06186727 A JPH06186727 A JP H06186727A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
phase shifter
mask
transmission
arranging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP33699392A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3166358B2 (ja
Inventor
Akira Imai
彰 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP33699392A priority Critical patent/JP3166358B2/ja
Publication of JPH06186727A publication Critical patent/JPH06186727A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3166358B2 publication Critical patent/JP3166358B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 位相シフトマスクのマスクパターン配列にお
いて、マスク設計者が位相シフタパターンの形状、寸
法、位置を決定して配置するため、マスクパターン配列
工程が複雑であるという問題を解決する。 【構成】 位相シフトマスクのマスクパターン配列方法
において、所定の透過パターンを配置する工程と、位相
シフタパターンを配置する透過パターンを選択する工程
と、位相シフタパターンを配置する命令を実行すること
により該透過パターン上に位相シフタパターンを自動的
に配置する工程とを含むマスクパターン配列方法より構
成される。 【効果】 マスクパターン配列工程を簡略化し、配列効
率を向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、超伝導体
素子、磁性体素子、光集積回路素子、等の各種固体素子
における微細パターン形成に用いられる投影露光用マス
クのマスクパターン配列方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、大規模集積回路等の固体素子にお
ける微細パターンの形成には、主に縮小投影露光法が用
いられてきた。上記方法を用いて、解像力を飛躍的に向
上することができる方法の一つに、マスク上のとなり合
った透過領域を通過した露光光の間に位相差を導入する
方法(以下、位相シフト法と呼ぶ)がある。
【0003】この方法は、例えば細長い透過領域と不透
明領域の繰返しパターンの場合、マスク上の互いにとな
り合った透過領域を通過した光の位相差がほぼ180度
になるように、上記透過領域のひとつおきに位相差を導
入するための透明材料(以下、位相シフタと呼ぶ)をマ
スク上に設けるものである。位相シフト法で用いるマス
クは、従来用いられてきたようなクロムマスクの所定の
透過領域上に位相シフタを設けることにより作製するこ
とができる。これについては、例えば、アイ・イ−・イ
−・イ−、トランザクション オン エレクトロン デ
バイスイズ、イ− ディ− 29、ナンバ−12(19
82年)第1828頁から第1836頁(IEEE,T
rans.Electron Devices,ED2
9,No.12(1982)pp1828−1836)
において論じられている。
【0004】上述の位相シフトマスクのマスクパターン
を配列する方法において、特に位相シフタパターンを配
置する方法としては、たとえばマスクパターン設計者が
位相シフタパターンの寸法、形状等を設計して位相シフ
タパターンをひとつずつ所定の位置に配置する方法や、
あるいは第38回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
No2.29p−ZC−16や第39回応用物理学関係
連合講演会講演予稿集No2.30p−NA−9におい
て述べられているように位相シフタパターンを自動的に
配置する方法がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、位
相シフタパターンを設計者が形状、寸法、位置を設計し
て所定の透過パターン上に配置し、この配置デ−タに従
ってマスクパターンを配列するため、マスクパターン配
置工程が複雑であるという問題があった。また、自動的
に位相シフタパターンを配置する方法では、連続した透
過領域内に位相シフタパターンエッジが配置されて遮光
パターンとなってしまうといったような位相シフタパタ
ーン配置に矛盾が生じて自動的に配置できなくなった場
合に、設計者が上記と同様に形状、寸法、位置を設計し
て位相シフタパターンを配置し直さなければならず、同
様にマスクパターンの配置工程が複雑になってしまうと
いう問題もあった。また、一度配置した位相シフタパタ
ーンを除去する場合も、始めから位相シフタパターンを
それぞれ選択しなければならなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記問題は、光学系を用
いてマスクパターンを基板上に露光する際に用いられる
所定の透過パターンと透過光に位相差を与えるための位
相シフタパターンを有する位相シフトマスクのマスクパ
ターン配列方法において、所定の透過パターンを配置す
る工程と、位相シフタパターンを配置する透過パターン
を選択する工程と、位相シフタパターンを配置する命令
を実行することにより該透過パターン上に位相シフタパ
ターンを自動的に配置する工程とを含むマスクパターン
配列方法により、さらに、位相シフタパターンの寸法を
該位相シフタパターンを配置する透過パターン寸法に位
相シフタパターン加工工程での位相シフタパターン配置
精度、加工精度をそれぞれ加算もしくは減算した寸法と
するマスクパターン配列方法により、さらに、位相シフ
タパターンを配置した透過パターンを選択する工程と、
位相シフタパターンを除去する命令を実行することによ
り該透過パターン上に配置された位相シフタパターンを
除去する工程とを含むマスクパターン配列方法により解
決される。
【0007】
【作用】位相シフトマスクでは、たとえば細長い透過領
域と不透明領域が周期的に繰り返し配置されたラインア
ンドスペースパターンでは、透過領域ひとつおきに露光
光に位相差を180度与えるための位相シフタパターン
を配置する。
【0008】このような位相シフトマスクを作製するに
は、通常、遮光膜を加工して遮光パターンを形成した
後、位相シフタ膜を加工する工程を行なう。これより、
遮光膜を加工するための透過パターン(遮光パターン)
を描画する工程、及び位相シフタ膜を加工するための位
相シフタパターンを描画する工程が必要となる。
【0009】ここで、位相シフタパターンを加工する工
程では、すでに遮光膜を加工して形成した透過パターン
上に所定の位相シフタパターンを位置合わせをして重ね
て描画する。このため、マスクパターンを配列する場合
には、位置精度、加工精度等を考慮して位相シフタパタ
ーンを所定の位置に配置することが必要である。
【0010】従来、位相シフタパターンの配置方法とし
ては、たとえば、マスクパターン設計者が配置精度、加
工精度等を考慮して位相シフタパターンの寸法、形状、
位置を形成して所定の透過パターン上に配置する方法が
用いられてきた。あるいは、所定の透過パターンを配置
した後に、位相シフタパターンを自動的に配置するプロ
グラムを用いて所定の位相シフタパターンを配置する方
法も用いられてきた。しかし、後者の方法では位相シフ
タパターン配置上の矛盾が生じた場合は、位相シフタパ
ターンを配置するための初期設定を変化させて再度上記
プログラムを用いて配置するか、あるいは上記プログラ
ムにより自動的に配置できない場合は設計者が判断して
位相シフタパターンを配置し直すことが必要であった。
【0011】ここで、上述の位相シフタパターン配置上
の矛盾の例としては、連続した透過パターン領域内に位
相シフタパターンエッジが配置されてしまう場合があげ
られる。すなわち、位相シフタパターンエッジ部分で位
相差が180度変化しこれが遮光パターンとして転写さ
れてしまうことにより、透過パターン領域に対応した連
続したレジストパターンを形成できなくなってしまう。
【0012】以上で述べたように、従来の技術では位相
シフタパターンを配置し、この配置デ−タに従ってマス
クパターンを配列するため、マスクパターン配置工程が
複雑であった。そこで、この工程をより簡便にするため
に、位相シフタパターンを配置する透過パターンを選択
し、位相シフタパターンを配置する命令を実行すること
により位相シフタパターンの形状、寸法、位置を自動的
に形成して位相シフタパターンを配置するように、マス
クパターン配列システムを構築する。
【0013】従来は、所望の領域に位相シフタパターン
が配置されるように設計者が位相シフタパターンの形
状、寸法等を設定して配置していた。これに対して、本
発明では位相シフタパターンを配置する透過パターンを
選択し、位相シフタパターンを配置する命令を実行する
ことにより位相シフタパターンを配置できるので、位相
シフタパターンの配置をより簡便に行なうことができ
る。
【0014】工程流れ図の例を図1に示す。まず、所定
の透過パターンを配置する工程1を行なう。次に、位相
シフタパターンを配置する透過パターンを選択する工程
2を行なう。選択する透過パターン図形は複数でも構わ
ない。最後に、位相シフタパターンを配置する命令を実
行して位相シフタパターンを配置する工程3を行なう。
以上の工程を繰り返すことにより、所望の位相シフタパ
ターンを配置することができる。
【0015】このように、マスクパターン設計者は位相
シフタパターンの寸法、形状等を位相シフタパターンを
配置する透過パターンそれぞれに対して考慮する必要が
なく、どの透過パターンに対して位相シフタパターンを
配置するのか否かを判断し、選択し、位相シフタパター
ンを配置する命令を実行すればよい。従って、効率的に
位相シフタパターンを配置することができる。
【0016】次に、具体例を用いてさらに説明する。た
とえば、図2に示したような透過パターンを設計し、こ
れに位相シフタパターンを配置する場合を考える。
【0017】ここで、マスクパターンをマスクパターン
配列用CAD(ComputerAided Desi
ng)システムを用いて配列する場合を考える。
【0018】まず、透過パターン10及び、位相シフタ
パターンを配置する透過パターン11を同じ透過パター
ンとして配置した後、あるいは配置中に、位相シフタパ
ターンを配置する透過パターン11をCADシステム上
で選択する。透過パターン図形選択の方法としては、例
えば、CADシステムでポインティングデバイスとして
マウスを用いている場合、マウスの位置を示すマウスカ
ーソルを位相シフタパターンを配置する透過パターン1
1内に移動しマウスの左ボタンをクリックして選択する
方法等がある。
【0019】ここで、透過パターンの表示方法を、選択
した透過パターンと選択されていない透過パターンとで
変えることにより、透過パターンの選択状態を簡単に判
別できる。例えば、選択されていない透過パターンの表
示色を緑、選択した透過パターンの表示色を赤とすれ
ば、色の違いにより区別することができる。なお、誤っ
た透過パターンを選択してしまった場合に、選択状態を
解除できるようにすれば、配列効率が向上することは言
うまでもないことである。
【0020】つぎに、位相シフタパターンを配置する命
令を実行する。これには、キーボードから命令を入力し
て実行する方法、CADシステムの画面のメニュー内か
ら命令を選択して実行する方法等がある。
【0021】ここで、位相シフタパターンが配置された
ことを表示する方法としては、位相シフタパターンを配
置した透過パターンの表示色を上述の緑、赤とは異なる
色、例えば水色とする方法や、例えば図2に示したよう
に透過パターンが含まれるように位相シフタパターン1
2を重ねて表示する方法等がある。
【0022】一方、実際に位相シフタパターンを配置す
るには、配置する位相シフタパターンの寸法、形状を決
定しなければならない。
【0023】ここで、実際のマスク配列工程の例とし
て、透過パターン決定後のマスク基板上に位相シフタ膜
を積層し、これをネガ型レジストを用いて湿式エッチン
グにより位相シフタパターンに加工する場合を考える。
位相シフタの膜厚は、露光波長365nm(高圧水銀灯
のi線)における屈折率が1.45のシリコン酸化膜を
位相シフタに用いる場合には、406nm程度の値にな
る。この膜を湿式エッチングするとレジストパターンエ
ッジよりマスク上寸法で0.4μm程度サイドエッチン
グされてしまうため、あらかじめマスク上寸法で0.8
μmだけ位相シフタパターンの寸法を大きくしておく必
要がある。また、位相シフタパターンを描画する際の位
置合わせずれ量がマスク上寸法で0.2μm以下である
とすると、この分も寸法を大きくしなければならない。
さらに、位相シフタパターンを配置する透過パターンに
隣接して別の透過パターンが存在する場合には、決定さ
れた位相シフタパターンが別の透過パターンに対して影
響を与えないように考慮しなければならない。これは、
例えば位相シフタパターン寸法の補正量が不適切である
と、隣接した透過パターン上に不要な位相シフタパター
ンが重なって決定されてしまうことを防ぐためである。
【0024】以上で述べたような位相シフタ寸法変換量
等のパラメータはあらかじめ設定されるものであるが、
CADプログラムの命令あるいは設定状態の一つとし
て、あるいは、マスクパターン配列の初期設定パラメー
タとして登録するようにしておけば、パターン設計者が
マスク配列時の加工誤差等を考慮する必要がなく、パタ
ーン配列工程がより簡略化される。従って、パターン配
列工程の効率を向上することができる。
【0025】以上で述べたようにして、位相シフタパタ
ーン12を簡便に配置することができる。
【0026】なお、位相シフタパターンを配置する透過
パターンを選択すると同時に自動的に位相シフタパター
ンが配置されるようにする方法もある。例えば、透過パ
ターンを配置する状態(モード)と、位相シフタパター
ンを配置する状態(モード)を別の状態になるように設
定すればよい。すなわち、透過パターンを配置するモー
ドでは透過パターンを配置し、位相シフタパターンを配
置するモードでは位相シフタパターンを配置する透過パ
ターンを選択することにより位相シフタパターンを自動
的に配置するように設定する。これらのモードの切り替
えはCADシステムの命令により簡単に行えるようにす
ればよい。さらに、配置した位相シフタパターンを除去
する場合も、同様に、位相シフタパターンを除去するモ
ードを設定すればよいことは言うまでもないことであ
る。
【0027】一方、一度配置した位相シフタパターンを
除去する場合にも、同様の操作により位相シフタパター
ンを除去するようにすればパターン配列工程を簡略化で
きる。例えば上述のように色によって位相シフタの配置
の有無を表示する場合には位相シフタパターン自体をC
ADシステムの画面上で選択できないので、位相シフタ
パターンを配置した透過パターンを選択し、位相シフタ
パターンを除去する命令を実行して位相シフタパターン
を除去すればよい。
【0028】
【実施例】
〈実施例1〉図5、及び図6は、本発明の概要を示した
ものである。
【0029】第1画面61上には全体のマスクパターン
のうちの1部分のマスクパターンが表示されている。こ
れらのマスクパターンは複数の透過パターンA、Bから
なっている。 図5において、マウスカーソル64は、
ポインティングデバイスとして用いられているマウス5
4を人間が操作することによって移動できる。そこで、
このマウスカーソル64を位相シフタパターンを配置さ
せたい透過パターンAの図形内に移動し、マウスボタン
をクリックする。この情報がデータ処理部52に伝えら
れ、予め、データ処理部52に登録されている位相シフ
トパターンの配置パラメータを用いて、透過パターンA
に応じた位相シフトパターンを得るための処理が行われ
る。このようにして、図6における新たな斜線部で示し
た位相シフトパターンCを得ることができる。なお、デ
ータ出力部53にその結果を出力することも可能であ
る。その詳細は、以下、本発明の実施例として、説明す
る。
【0030】以下、本発明の一実施例を説明する。
【0031】最小設計寸法0.35μmの64メガビッ
トDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)配
線パターン配列工程用位相シフトマスクのマスクパター
ンを配列した。本実施例で配列した位相シフトマスクは
縮小比5:1のi線(波長365nm)縮小投影露光装
置で用いるものである。本実施例におけるマスクパター
ン配列方法を図3を用いて説明する。
【0032】まず、所定の透過パターンを設計し、マス
クパターン配列用CAD(Computer Aide
d Design)システムを用いて上記透過パターン
を配置した(工程1)。
【0033】次に、位相シフタパターンを配置する透過
パターン図形をCADシステム上で選択した(工程
2)。本実施例で用いたCADシステムはポインティン
グデバイスとしてマウスを用いており、マウスカーソル
を透過パターン図形内に移動しマウスボタンをクリック
することにより位相シフタパターンを配置する透過パタ
ーンを選択した。本実施例で用いたマウスのマウスボタ
ンは左、中、右の3個あるが、本実施例では左のマウス
ボタンをクリックすることにより透過パターン図形を選
択するようにした。ここで、マウスカーソルが透過パタ
ーン図形内に無い場合は、マウスカーソルに最も近い透
過パターン図形が位相シフタパターンを配置する透過パ
ターンとして選択されるようにしてもよい。なお、透過
パターン図形の選択方法は上記に限らないことは言うま
でもないことである。
【0034】以上の動作を複数回繰り返して透過パター
ン図形を複数個選択した後、画面上のメニューから位相
シフタパターンを配置する命令を選択、実行して位相シ
フタパターンを配置した(工程3)。この命令選択もマ
ウスカーソルを画面上のメニューの位相シフタパターン
を配置する命令を表わす部分に移動してマウスボタンを
クリックして選択した。なお、命令の入力方法はこれに
限らず、例えばキーボードから同様の命令を入力するよ
うにしてもかまわない。以上の操作により、位相シフタ
パターンを上記で選択した透過パターン上に自動的に配
置した。
【0035】ここで、上記で配置された位相シフタパタ
ーンは、位相シフタパターン決定時の配置誤差、寸法誤
差、エッチング時に生じる誤差等を考慮しなければなら
ない。
【0036】上記で配置された位相シフタパターンの寸
法や形状を決定するための配置パラメータは、以下で述
べるような条件によってあらかじめ設定されるようにす
ればよい。例えば、位相シフタパターンの加工に用いる
レジストがネガ型かポジ型かによって、位相シフタ膜を
エッチングする方法、例えば異方性乾式エッチングか湿
式エッチングかによって、補正量が異なってくる。ま
た、位相シフタパターン描画時、及び決定時の配置誤差
(配置精度)、寸法誤差(寸法精度)も考慮しなければ
ならない。さらに、パターン転写時に用いる露光光の波
長、位相シフタ膜の材料等によって位相シフタ膜厚が変
化するため、これらが加工精度に影響することも考慮し
なければならない。
【0037】本実施例において、露光波長365nmに
対して屈折率が1.45となるシリコン酸化膜を位相シ
フタに用いた場合、位相シフタ膜厚の最適値は406n
m程度になる。位相シフタ膜の加工にネガ型レジストお
よび湿式エッチング法を用いると、湿式エッチングによ
り406nm程度サイドエッチングされることを考慮し
て、レジストパターン寸法を片側0.4μm程度、幅で
0.8μm程度大きくした。また、位相シフタパターン
描画の重ね合わせの最大ずれ量が0.2μmであったこ
とから、さらに幅を0.4μm大きくした。さらに、位
相シフタパターン加工時の加工ばらつきを考慮して、さ
らに幅を0.2μm大きくする。以上により、レジスト
パターン寸法を位相シフタパターンを配置する透過パタ
ーンの寸法より1.4μm大きくするようにした。以上
で述べた寸法はマスク上の寸法であるため、これに縮小
率を考慮すると、位相シフタパターン寸法を透過パター
ン寸法と比較して0.28μm拡大すれば良い。なお、
ここでは、パターン配列はマスクパターンを転写する基
板上での寸法で設計する場合を考えた。
【0038】以上のような位相シフタ寸法変換値等の配
置パラメータは、例えばCADシステムの命令メニュー
の一つとして、あるいはパターン配置の初期設定パラメ
ータとして登録するようにしておけば、パターン設計者
がマスク配列時の加工誤差等を考慮する必要がなく簡単
にパラメータを設定できるので、パターン配置工程がよ
り簡略化される。従って、パターン配列工程の効率を上
げることができる。本実施例では、最初の位相シフタパ
ターンを配置する前に、キーボードからCADシステム
の設定パラメータを入力する命令を入力、実行して、上
記配置パラメータを設計した。
【0039】以上で述べたようにして設計したマスクパ
ターンデータを用いることにより、所望の上記位相シフ
トマスクを配列することができた。さらに、配列した位
相シフトマスクを用いることにより前記半導体素子を高
歩留まりで配列できた。
【0040】〈実施例2〉本実施例では実施例1で述べ
たようにして位相シフタパターンを配置する透過パター
ン図形を15図形選択した(工程2)。ここで、選択し
ようとした透過パターン図形にとなりあった図形を誤っ
て1つ選択してしまったので、マウスカーソルを画面上
で誤って選択した透過パターン図形内に移動しマウスの
左ボタンをクリックして選択を解除した(工程4)。次
に、実施例1で述べたようにして位相シフタパターンを
配置する透過パターン図形をさらに5図形選択した後、
画面上のメニューから位相シフタパターンを配置する命
令を選択し、実行した(工程3)。以上の操作により、
位相シフタパターンを上記で選択した透過パターン上に
自動的に配置した。 以上のようにして設計したマスク
パターンデータを用いることにより、所望の位相シフト
マスクを配列することができた。
【0041】〈実施例3〉本実施例では、実施例1で述
べたようにして透過パターンを配置した後、位相シフタ
パターンを配置する透過パターン図形をCADシステム
上で選択した。本実施例では位相シフタパターンを配置
する透過パターンが含まれる領域をCADシステムの画
面上で設定して、この領域内に含まれる透過パターン図
形を選択するようにした。 ここで、位相シフタパター
ンを配置する透過パターンを含む領域を設定する方法と
してはさまざまな方法がある。例えば本実施例では、画
面上のメニューから位相シフタパターンを含む領域を指
定するための命令を選択し、矩形領域の対角の2頂点を
指定して矩形領域を設定し、この矩形領域内に含まれる
透過パターンを選択した。なお、領域の指定方法はこれ
に限らず、例えば多角形領域の頂点を指定することによ
り領域を設定する方法等、他のさまざまな方法を用いる
ことができる。
【0042】以上のようにして位相シフタパターンを配
置したが、位相シフタパターンを誤って1つ配置したこ
とがわかった。そこで、誤って位相シフタパターンを配
置した透過パターンを、マウスカーソルを画面上でこの
透過パターン図形内に移動しマウスの左ボタンをクリッ
クして選択した(工程5)。次に、画面上のメニューか
ら、配置した位相シフタパターンを除去する命令を選択
し、実行した(工程6)。以上の操作により、誤って配
置した位相シフタパターン1つを除去した。
【0043】以上のようにして設計したマスクパターン
データを用いることにより、所望の位相シフトマスクを
配列することができた。
【0044】〈実施例4〉最小設計寸法0.3μmの6
4メガビットDRAM(ダイナミックランダムアクセス
メモリ)配線パタン配列工程用位相シフトマスクのマス
クパターンを配列した。本実施例で配列した位相シフト
マスクは縮小比5:1のKrFエキシマレーザ(波長2
48nm)縮小投影露光装置で用いるものである。
【0045】まず、上記CADシステムを透過パターン
を配置するモードにして所定の透過パターンを設計し、
マスクパターン配列用CADシステムを用いて上記透過
パターンを配置した。
【0046】次に、上記CADシステムを位相シフタパ
ターンを配置するモードに切り替え、位相シフタパター
ンを配置する透過パターン図形をCADシステム上で選
択した。本実施例で用いたCADシステムはポインティ
ングデバイスとしてマウスを用いており、マウスカーソ
ルを透過パターン図形内に移動しマウスの左ボタンをク
リックすることにより位相シフタパターンを配置する透
過パターンを選択した。ここで、透過パターン図形の選
択方法は上記に限らないことは言うまでもないことであ
る。また、モードの切り替えはCADシステムの命令に
より簡単に行えるようにすればよい。なお、配置した位
相シフタパターンを除去する場合も、同様に、位相シフ
タパターンを除去するモードを設定するようにすればよ
い。
【0047】上記で選択した透過パターンに対して、自
動的に位相シフタパターンが配置された。以上の動作を
複数回繰り返して所望の透過パターン上に所望の位相シ
フタパターンを配置した。
【0048】ここで、上記で配置された位相シフタパタ
ーンは、位相シフタパターン形成時の配置誤差、寸法誤
差、エッチング時に生じる誤差等を考慮して、位相シフ
タパターン寸法を透過パターン寸法よりも大きくあるい
は小さくして配置しなければならないことは言うまでも
ないことである。
【0049】以上で述べたようにして配列したマスクパ
ターンデータを用いることにより、所望の上記位相シフ
トマスクを配列することができた。
【0050】
【発明の効果】以上本発明によれば、マスクパターン配
列工程を簡略化し、配列効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である工程の流れを示した工
程流れ図。
【図2】本発明によるマスクパターン配置を示した模式
図。
【図3】本発明の一実施例である工程の流れを示した工
程流れ図。
【図4】本発明の一実施例である工程の流れを示した工
程流れ図。
【図5】本発明の概要を示した図。
【図6】本発明の概要を示した図。
【符号の説明】
1:透過パターンを配置する工程、 2:位相シフタパターンを配置する透過パターンを選択
する工程、 3:位相シフタパターンを配置する工程、 4:位相シフタパターンを配置する透過パターンとして
の選択を解除する工程、 5:誤って位相シフタパターンを配置した透過パターン
を選択する工程、 6:位相シフタパターンを除去する工程、 10:透過パターン、11:位相シフタを配置する透過
パターン、 12:位相シフタパターン、 51:表示部、52:データ処理部、53:データ出力
部、 54:マウス、 61:第1画面、62:第2画面、63:第3画面、 64:マウスカーソル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】画面上にマスク上の透過パターンを表示
    し、上記透過パターンのうち、位相シフトパターンを配
    置すべき透過パターンを選択する工程と、 上記位相シフタパターンの配置パラメータに従って演算
    し、上記位相シフタパターンの大きさを決定する工程
    と、 上記決定された位相シフタパターンを上記画面上に表示
    する工程とからなることを特徴とするマスクパターン配
    列方法。
  2. 【請求項2】請求項1に記載のマスクパターン配列方法
    において、上記位相シフトパターンを決定する工程にお
    ける配置パラメータは、上記位相シフトパターン加工時
    のレジストの種類、エッチング方法、上記位相シフトパ
    ターン決定時の配置誤差、寸法誤差、上記位相シフトパ
    ターン転写時の露光光の波長、位相シフタ膜の材料を含
    むことを特徴とするマスクパターン配列方法。
JP33699392A 1992-12-17 1992-12-17 マスクパターン配列方法 Expired - Fee Related JP3166358B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33699392A JP3166358B2 (ja) 1992-12-17 1992-12-17 マスクパターン配列方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33699392A JP3166358B2 (ja) 1992-12-17 1992-12-17 マスクパターン配列方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06186727A true JPH06186727A (ja) 1994-07-08
JP3166358B2 JP3166358B2 (ja) 2001-05-14

Family

ID=18304477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33699392A Expired - Fee Related JP3166358B2 (ja) 1992-12-17 1992-12-17 マスクパターン配列方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3166358B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008102465A (ja) * 2006-10-23 2008-05-01 Sk Electronics:Kk ハーフトーンマスク及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008102465A (ja) * 2006-10-23 2008-05-01 Sk Electronics:Kk ハーフトーンマスク及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3166358B2 (ja) 2001-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0810474A2 (en) Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor
US5958635A (en) Lithographic proximity correction through subset feature modification
JP4510118B2 (ja) 光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム
JPH09319067A (ja) 光近接効果補正方法
US6194105B1 (en) Method of forming reticle from larger size reticle information
JPH0667403A (ja) ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法
US20110217660A1 (en) System and method of selective optical pattern enhancement for semiconductor manufacturing
JP2005208473A (ja) 自動設計装置,自動設計方法,及びこれらを用いて製造可能なレチクルセット,半導体集積回路
US6534224B2 (en) Phase shift mask and system and method for making the same
CN102341755B (zh) 光刻设备
JP3260474B2 (ja) 位相シフタ自動配置方法及びそれを用いた位相シフタ自動配置装置
JP3166358B2 (ja) マスクパターン配列方法
JP4521076B2 (ja) パターン描画方法
JP4091150B2 (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH1115130A (ja) 半導体製造用ハーフトーンマスクおよびその製造方法
JP2007041024A (ja) 描画データ生成プログラム、電子線描画装置およびマスクの製造方法
JP3577363B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0713326A (ja) フォトマスク設計方法及び設計装置
JPH0934098A (ja) ホトマスク、ホトマスクの製造方法、パタン形成方法、半導体装置の製造方法及びマスクパタン設計用の装置
JP3413984B2 (ja) ホトマスクの製造方法
US8404430B2 (en) Multi-chip reticle photomasks
JP2005079112A (ja) 電子線描画データ編集方法、編集装置及び編集プログラム並びに電子線描画装置
WO2024021854A1 (zh) 电路版图处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品
JP4074329B2 (ja) 光近接効果補正方法
JP2000066370A (ja) マスクパターン作成方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees