JPH06186541A - 表示素子及びその製造方法 - Google Patents
表示素子及びその製造方法Info
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- JPH06186541A JPH06186541A JP4337493A JP33749392A JPH06186541A JP H06186541 A JPH06186541 A JP H06186541A JP 4337493 A JP4337493 A JP 4337493A JP 33749392 A JP33749392 A JP 33749392A JP H06186541 A JPH06186541 A JP H06186541A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲルネットワーク型高分子配向分散型液晶表
示素子において、反射型ディスプレイとして最適な表示
モードを提供する。 【構成】 ゲルネットワーク型高分子配向分散型液晶表
示素子において、液晶中に２色性色素を混合し、かつ反
射層を形成した。さらに表示素子の製造方法として極め
て弱い紫外線を照射する。 【効果】 従来の反射型ディスプレイに比べて２倍以上
明るく、また細かい文字も十分に表示でき、カラー化も
できる。
示素子において、反射型ディスプレイとして最適な表示
モードを提供する。 【構成】 ゲルネットワーク型高分子配向分散型液晶表
示素子において、液晶中に２色性色素を混合し、かつ反
射層を形成した。さらに表示素子の製造方法として極め
て弱い紫外線を照射する。 【効果】 従来の反射型ディスプレイに比べて２倍以上
明るく、また細かい文字も十分に表示でき、カラー化も
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、テレ
ビ、野外表示板などに用いられる反射型ディスプレイに
応用される表示素子の構造に関する。
ビ、野外表示板などに用いられる反射型ディスプレイに
応用される表示素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ゲル状高分子を液晶中に配向した状態で
分散する技術については、Ｈｉｋｍｅｔ等により研究さ
れている（ヨーロッパ公開特許ＥＰ０４５１９０５Ａ１
など）。これによれば電界印加により光散乱、電界除去
で透明状態を作り出すことができる。また、Ｈｉｋｍｅ
ｔらによれば、誘電異方性が負の液晶を用いて、電界印
加で光吸収散乱、電界除去で透明状態を作り出すことが
できると言う（Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓ
ｔ．，１９９２，Ｖｏｌ．２１３，ＰＰ１１７−１３
１）。
分散する技術については、Ｈｉｋｍｅｔ等により研究さ
れている（ヨーロッパ公開特許ＥＰ０４５１９０５Ａ１
など）。これによれば電界印加により光散乱、電界除去
で透明状態を作り出すことができる。また、Ｈｉｋｍｅ
ｔらによれば、誘電異方性が負の液晶を用いて、電界印
加で光吸収散乱、電界除去で透明状態を作り出すことが
できると言う（Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓ
ｔ．，１９９２，Ｖｏｌ．２１３，ＰＰ１１７−１３
１）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし彼らの表示モー
ドでは、反射型ディスプレイとした場合に十分な明るさ
及びコントラストを得ることができない。例えば電界印
加で光散乱するモードにおいては、背景に黒などの光吸
収版を配置するのであるが、素子部の光散乱が弱いため
に十分な明るさが得られない。また電界印加で光吸収散
乱するモードでは、背景に白い紙などを配置するのであ
るが、電界無印加時には色素の吸収がわずかに残り、十
分な明るさが得られない。
ドでは、反射型ディスプレイとした場合に十分な明るさ
及びコントラストを得ることができない。例えば電界印
加で光散乱するモードにおいては、背景に黒などの光吸
収版を配置するのであるが、素子部の光散乱が弱いため
に十分な明るさが得られない。また電界印加で光吸収散
乱するモードでは、背景に白い紙などを配置するのであ
るが、電界無印加時には色素の吸収がわずかに残り、十
分な明るさが得られない。
【０００４】そこで本発明の目的とするところは、反射
型ディスプレイとして最適な表示モードを提供するとこ
ろにある。
型ディスプレイとして最適な表示モードを提供するとこ
ろにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】２枚の電極間にゲル状あ
るいは編み目状高分子が液晶と同じ方向に配向している
表示素子において、電界印加時に光散乱、電界無印加時
に光吸収が生じることを特徴とする。また、前記高分子
及び液晶層の背面に反射層、あるいは波長補正層と反射
層を配置したことを特徴とする。また前記液晶中にカイ
ラル成分を含有していることを特徴とする。また前記液
晶中に２色性色素を含有していることを特徴とする。ま
た前記基板の少なくとも一方に２端子素子あるいは３端
子素子が形成されていることを特徴とする。また上述の
表示素子の製造方法において、前記高分子を形成する高
分子前駆体と２色性色素を含有する液晶の混合物を２枚
の電極付き基板間に封入して、その後液晶相にて１０ｍ
Ｗ／ｃｍ２以下の強度で波長領域が３００ｎｍから４０
０ｎｍの間である紫外線を照射することを特徴とする。
るいは編み目状高分子が液晶と同じ方向に配向している
表示素子において、電界印加時に光散乱、電界無印加時
に光吸収が生じることを特徴とする。また、前記高分子
及び液晶層の背面に反射層、あるいは波長補正層と反射
層を配置したことを特徴とする。また前記液晶中にカイ
ラル成分を含有していることを特徴とする。また前記液
晶中に２色性色素を含有していることを特徴とする。ま
た前記基板の少なくとも一方に２端子素子あるいは３端
子素子が形成されていることを特徴とする。また上述の
表示素子の製造方法において、前記高分子を形成する高
分子前駆体と２色性色素を含有する液晶の混合物を２枚
の電極付き基板間に封入して、その後液晶相にて１０ｍ
Ｗ／ｃｍ２以下の強度で波長領域が３００ｎｍから４０
０ｎｍの間である紫外線を照射することを特徴とする。
【０００６】次に本発明の詳細を実施例で示す。
【０００７】
（実施例１）本実施例では液晶層の背面に反射層を設け
た例を示す。本実施例の表示素子における断面図を図１
に示した。まず表示素子の製造方法を示す。用いた高分
子前駆体に付いてはＨｉｋｍｅｔ等の材料を用いた。す
なわち、
た例を示す。本実施例の表示素子における断面図を図１
に示した。まず表示素子の製造方法を示す。用いた高分
子前駆体に付いてはＨｉｋｍｅｔ等の材料を用いた。す
なわち、
【０００８】
【化１】
【０００９】である。この高分子前駆体を５％、液晶と
してＴＬ２０２（メルク社製）を９０％、カイラル成分
としてＣＢ１５（メルク社製）を２．５％、２色性色素
としてＳ−３４４（三井東圧染料社製）を２．５％、そ
れぞれを混合して液晶混合物を得た。これを配向処理
（配向膜３と配向膜７）を施した２枚の電極（透明電極
２と反射性電極８、すなわち一方は反射性の電極を用い
ている）付きの基板１と基板９の間隙（間隙は５μｍ）
に封入して、液晶相にて紫外線を照射した。紫外線とし
ては、波長域３００ｎｍから４００ｎｍであり、強度は
２ｍＷ／ｃｍ２とした。重合時の温度を４０℃として２
０分紫外線を照射した。こうして本発明の表示素子を作
製した。こうして作製した表示素子に電界（１ＫＨｚ矩
形波）を印加したときの電気光学特性を図２の実線で示
した。ここで反射率１００％とは、紙を測定系に挿入し
た際の反射率を示している。従来の２色性色素を入れな
いモードについて、背景に黒い吸収板を配置して同様の
測定を行ったところ、図２の破線の様な特性となった。
明らかに本発明のモードが明るいことが分かる。また電
極と反射板を兼ねているため、表示がダブルことがなく
非常にシャープな表示となっている。これは２端子素子
あるいは３端子素子などと組み合わせて掌サイズの電子
機器に登載して小さな文字を表示するにはもってこいの
表示体である。
してＴＬ２０２（メルク社製）を９０％、カイラル成分
としてＣＢ１５（メルク社製）を２．５％、２色性色素
としてＳ−３４４（三井東圧染料社製）を２．５％、そ
れぞれを混合して液晶混合物を得た。これを配向処理
（配向膜３と配向膜７）を施した２枚の電極（透明電極
２と反射性電極８、すなわち一方は反射性の電極を用い
ている）付きの基板１と基板９の間隙（間隙は５μｍ）
に封入して、液晶相にて紫外線を照射した。紫外線とし
ては、波長域３００ｎｍから４００ｎｍであり、強度は
２ｍＷ／ｃｍ２とした。重合時の温度を４０℃として２
０分紫外線を照射した。こうして本発明の表示素子を作
製した。こうして作製した表示素子に電界（１ＫＨｚ矩
形波）を印加したときの電気光学特性を図２の実線で示
した。ここで反射率１００％とは、紙を測定系に挿入し
た際の反射率を示している。従来の２色性色素を入れな
いモードについて、背景に黒い吸収板を配置して同様の
測定を行ったところ、図２の破線の様な特性となった。
明らかに本発明のモードが明るいことが分かる。また電
極と反射板を兼ねているため、表示がダブルことがなく
非常にシャープな表示となっている。これは２端子素子
あるいは３端子素子などと組み合わせて掌サイズの電子
機器に登載して小さな文字を表示するにはもってこいの
表示体である。
【００１０】ここで用いる高分子前駆体としては、Ｈｉ
ｋｍｅｔらがＥＰ０４５１９０５Ａ１で提示している高
分子前駆体を用いることができ、そのほかにも１官能あ
るいは多官能性アクリレートあるいはエポキシなど重合
性の部位を持つもので、ゲル状あるいは編み目状の高分
子が形成できるものであれば用いることができる。
ｋｍｅｔらがＥＰ０４５１９０５Ａ１で提示している高
分子前駆体を用いることができ、そのほかにも１官能あ
るいは多官能性アクリレートあるいはエポキシなど重合
性の部位を持つもので、ゲル状あるいは編み目状の高分
子が形成できるものであれば用いることができる。
【００１１】ここで用いる液晶としては、通常のネマチ
ック相あるいはコレステリック相を示す液晶であれば用
いることができる。
ック相あるいはコレステリック相を示す液晶であれば用
いることができる。
【００１２】ここで用いる２色性色素としては、用いる
用途によりどのような色素でも用いることができるが、
望ましくは２色比が高く耐光性の良好なもの、たとえば
アントラキノン系がよい。ここで用いるカイラル成分に
ついては、用いる用途によりその種類、混合量を最適化
する必要がある。なぜならば、カイラル成分を多量に入
れると駆動電圧が高くなり駆動しにくくなり、余り少な
いと散乱度が低下するからである。もちろんカイラル成
分は無くとも素子として機能する。
用途によりどのような色素でも用いることができるが、
望ましくは２色比が高く耐光性の良好なもの、たとえば
アントラキノン系がよい。ここで用いるカイラル成分に
ついては、用いる用途によりその種類、混合量を最適化
する必要がある。なぜならば、カイラル成分を多量に入
れると駆動電圧が高くなり駆動しにくくなり、余り少な
いと散乱度が低下するからである。もちろんカイラル成
分は無くとも素子として機能する。
【００１３】ここで用いる基板１及び基板９について
は、少なくとも一方は透明である必要がある。材質につ
いては硝子に限らず、樹脂、フィルムの様なものでも用
いることができる。 ここで用いる電極２及び電極８に
ついては、少なくとも一方は透明である必要がある。ま
た一方の電極は反射性の電極であることが望ましい。反
射電極の材質は反射率の高いもの、例えば銀、アルミニ
ウム、ニッケル、クロムなどあるいはこれらの合金など
が利用し易い。
は、少なくとも一方は透明である必要がある。材質につ
いては硝子に限らず、樹脂、フィルムの様なものでも用
いることができる。 ここで用いる電極２及び電極８に
ついては、少なくとも一方は透明である必要がある。ま
た一方の電極は反射性の電極であることが望ましい。反
射電極の材質は反射率の高いもの、例えば銀、アルミニ
ウム、ニッケル、クロムなどあるいはこれらの合金など
が利用し易い。
【００１４】本実施例における液晶層の厚さについて
は、５μｍに限らず用途に応じ最適化する必要がある。
は、５μｍに限らず用途に応じ最適化する必要がある。
【００１５】重合に用いる紫外線については望ましくは
３００ｎｍから４００ｎｍに発光を持つもので強度は１
０ｍＷ／ｃｍ２以下が良い。波長域がこれ以下だと重合
しにくいばかりか液晶が分解されてしまう。また、４０
０ｎｍ以長だと重合しない。強度が１０ｍＷ／ｃｍ２以
上だと、２色性色素が高分子中に取り込まれてしまい、
表示が暗くなる。
３００ｎｍから４００ｎｍに発光を持つもので強度は１
０ｍＷ／ｃｍ２以下が良い。波長域がこれ以下だと重合
しにくいばかりか液晶が分解されてしまう。また、４０
０ｎｍ以長だと重合しない。強度が１０ｍＷ／ｃｍ２以
上だと、２色性色素が高分子中に取り込まれてしまい、
表示が暗くなる。
【００１６】（実施例２）本実施例では液晶層の背面に
波長補正層と反射層を設けた例を示す。図３に本実施例
における表示素子の断面図を示した。本実施例で用いた
材料、製造条件は実施例１と同じである。ただし、カイ
ラル成分は入れない。また、電極２及び電極８について
は２枚とも透明電極を用い、紫外線を照射して素子を作
製した。次に素子の背面に波長補正層１０と反射層１１
として片面にアルミニウム層を形成した１／４波長板
を、アルミニウム面を素子と反対側になるように配置し
た。こうして作製した表示素子の電気光学特性を図４の
実線として示した。また波長補正板の代わりにアルミニ
ウムの反射板を配置した場合の電気光学特性を図４の破
線として示した。明らかに電界を印加した場合の反射率
が向上し、電界無印加の時の反射率は低くなり、結果と
してコントラストも向上していることが分かる。
波長補正層と反射層を設けた例を示す。図３に本実施例
における表示素子の断面図を示した。本実施例で用いた
材料、製造条件は実施例１と同じである。ただし、カイ
ラル成分は入れない。また、電極２及び電極８について
は２枚とも透明電極を用い、紫外線を照射して素子を作
製した。次に素子の背面に波長補正層１０と反射層１１
として片面にアルミニウム層を形成した１／４波長板
を、アルミニウム面を素子と反対側になるように配置し
た。こうして作製した表示素子の電気光学特性を図４の
実線として示した。また波長補正板の代わりにアルミニ
ウムの反射板を配置した場合の電気光学特性を図４の破
線として示した。明らかに電界を印加した場合の反射率
が向上し、電界無印加の時の反射率は低くなり、結果と
してコントラストも向上していることが分かる。
【００１７】この原理を説明する。カイラル成分を入れ
ない場合については、電界を印加していないとき、入射
光の内、配向方向に偏向した光は色素により効率的に吸
収されるが、これに直交する偏光は色素により吸収され
ずに透過する。そして１／４波長層と反射層により偏光
面を９０度ひねられて再び液晶中に入射して、色素によ
り吸収される。このため電界を印加しない場合は１／４
波長層を入れない場合に比べて暗くなる。次に電界を印
加している場合については色素の吸収は生じない代わり
に、液晶と高分子の屈折率のミスマッチによる光散乱が
生じるが、入射光の内配向方向に偏光した光だけが散乱
される。残りの偏光は散乱されずに１／４波長層と反射
層により偏光面を９０度ひねられて再び液晶層に入射し
て、液晶と高分子界面により散乱される。このため電界
を印加する場合には１／４波長板を入れない場合に比べ
て良く散乱され明るくなるのである。
ない場合については、電界を印加していないとき、入射
光の内、配向方向に偏向した光は色素により効率的に吸
収されるが、これに直交する偏光は色素により吸収され
ずに透過する。そして１／４波長層と反射層により偏光
面を９０度ひねられて再び液晶中に入射して、色素によ
り吸収される。このため電界を印加しない場合は１／４
波長層を入れない場合に比べて暗くなる。次に電界を印
加している場合については色素の吸収は生じない代わり
に、液晶と高分子の屈折率のミスマッチによる光散乱が
生じるが、入射光の内配向方向に偏光した光だけが散乱
される。残りの偏光は散乱されずに１／４波長層と反射
層により偏光面を９０度ひねられて再び液晶層に入射し
て、液晶と高分子界面により散乱される。このため電界
を印加する場合には１／４波長板を入れない場合に比べ
て良く散乱され明るくなるのである。
【００１８】波長補正層については１／４波長層に限ら
ず、反射層と組み合わせて偏光面を９０度の奇数倍ひね
り得るもので有ればどのようなものでもかまわない。
ず、反射層と組み合わせて偏光面を９０度の奇数倍ひね
り得るもので有ればどのようなものでもかまわない。
【００１９】波長補正層、反射層の構成はここに示した
ものに限らず、ここに示したような機能を発揮するもの
であればどのような構成でもかまわない。
ものに限らず、ここに示したような機能を発揮するもの
であればどのような構成でもかまわない。
【００２０】ここではカイラル成分を入れていないが、
わずか入れることも可能である。その際液晶層で偏光面
がねじれるので、それを考慮して波長補正板を配置すれ
ば良い。
わずか入れることも可能である。その際液晶層で偏光面
がねじれるので、それを考慮して波長補正板を配置すれ
ば良い。
【００２１】（実施例３）本実施例では先の実施例にお
いて少なくとも一方の基板に２端子素子あるいは３端子
素子を形成する例を示した。図５に本実施例の２端子素
子（ＭＩＭ素子）を用いた表示素子の断面図を示した。
図６に本発明の実施例の３端子素子（ＴＦＴ素子）を用
いた表示素子の断面図を示した。
いて少なくとも一方の基板に２端子素子あるいは３端子
素子を形成する例を示した。図５に本実施例の２端子素
子（ＭＩＭ素子）を用いた表示素子の断面図を示した。
図６に本発明の実施例の３端子素子（ＴＦＴ素子）を用
いた表示素子の断面図を示した。
【００２２】先の実施例１で説明した液晶混合物を封入
する２端子（ＭＩＭ）素子付き基板を説明する。基板１
には電極２として透明電極を形成し、表面を配向処理し
た。基板９にはタンタル電極１３を形成した後、その表
面を酸化して絶縁層１２とした。更にその上に反射性画
素電極８としてクロム層を形成した。このクロム層表面
に配向膜７を形成して配向処理を施した。
する２端子（ＭＩＭ）素子付き基板を説明する。基板１
には電極２として透明電極を形成し、表面を配向処理し
た。基板９にはタンタル電極１３を形成した後、その表
面を酸化して絶縁層１２とした。更にその上に反射性画
素電極８としてクロム層を形成した。このクロム層表面
に配向膜７を形成して配向処理を施した。
【００２３】あるいは次に示すようなＴＦＴ素子基板を
用いても良い。図６に示したように、基板９にゲート電
極１５を形成し、その上にゲート絶縁層１８を形成す
る。更にその上に半導体層１６、引き続きドレイン電極
１７、ソース電極１４を形成し、最後に反射性の画素電
極８を形成した後、配向膜７を形成して配向処理を施し
た。
用いても良い。図６に示したように、基板９にゲート電
極１５を形成し、その上にゲート絶縁層１８を形成す
る。更にその上に半導体層１６、引き続きドレイン電極
１７、ソース電極１４を形成し、最後に反射性の画素電
極８を形成した後、配向膜７を形成して配向処理を施し
た。
【００２４】以上ＭＩＭ素子基板とＴＦＴ素子基板につ
いて説明したが、これらの基板に対して配向処理を施し
た電極付き対向基板１を組み合わせ、電極面を向き合わ
せて間隙５μｍで固定した。
いて説明したが、これらの基板に対して配向処理を施し
た電極付き対向基板１を組み合わせ、電極面を向き合わ
せて間隙５μｍで固定した。
【００２５】こうして作製した空パネルに先に説明した
液晶混合物を封入して、先の条件で紫外線を照射して高
分子前駆体を光重合して液晶と高分子を相分離させた。
液晶混合物を封入して、先の条件で紫外線を照射して高
分子前駆体を光重合して液晶と高分子を相分離させた。
【００２６】以上により大容量ディスプレイを製造する
ことができた。
ことができた。
【００２７】次に、ＭＩＭ素子基板を用いた場合にはＭ
ＩＭ素子駆動用信号を印加する（選択期間６０マイクロ
秒、非選択期間１６ミリ秒）と、非選択期間においても
十分に表示状態を保持でき、動画を表示することができ
た。またＴＦＴ素子基板を用いた場合にはＴＦＴ駆動用
の信号を印加すると同様に非常に明るい動画を表示する
ことができた。ちなみに表示素子としての比抵抗は２×
（１０の１１乗）Ωｃｍ、誘電率は４．５であり、上記
の波形を印加した際の電荷保持率は９５％以上であっ
た。
ＩＭ素子駆動用信号を印加する（選択期間６０マイクロ
秒、非選択期間１６ミリ秒）と、非選択期間においても
十分に表示状態を保持でき、動画を表示することができ
た。またＴＦＴ素子基板を用いた場合にはＴＦＴ駆動用
の信号を印加すると同様に非常に明るい動画を表示する
ことができた。ちなみに表示素子としての比抵抗は２×
（１０の１１乗）Ωｃｍ、誘電率は４．５であり、上記
の波形を印加した際の電荷保持率は９５％以上であっ
た。
【００２８】ここで用いる材料は、比抵抗のできるだけ
大きい材料を用いる。
大きい材料を用いる。
【００２９】用いる反射性電極についてはここではアル
ミニウムを用いたが、銀、ニッケル、クロムあるいはこ
れらの合金など光を反射する電極であれば用いることが
できる。また電極を透明なものとし、素子の裏側に反射
板を用いても良い。
ミニウムを用いたが、銀、ニッケル、クロムあるいはこ
れらの合金など光を反射する電極であれば用いることが
できる。また電極を透明なものとし、素子の裏側に反射
板を用いても良い。
【００３０】用いる２端子素子あるいは３端子素子につ
いてはここに示した構成のＭＩＭ素子あるいはＴＦＴ素
子のほか同様の動作を行う素子であればこれらに限らず
用いることができる。たとえば強誘電体を用いた電荷保
持素子も用いることができる。また素子の開口率を高め
ると、よりいっそう明るい表示が得られる。
いてはここに示した構成のＭＩＭ素子あるいはＴＦＴ素
子のほか同様の動作を行う素子であればこれらに限らず
用いることができる。たとえば強誘電体を用いた電荷保
持素子も用いることができる。また素子の開口率を高め
ると、よりいっそう明るい表示が得られる。
【００３１】本実施例のように２端子素子あるいは３端
子素子を形成した基板に反射層を形成しても良いし、逆
に対向基板側に反射層を形成しても良い。また液晶混合
物中にカイラル成分を入れずに、実施例２の構成におい
て２端子素子あるいは３端子素子を形成した基板を用い
ることもできる。
子素子を形成した基板に反射層を形成しても良いし、逆
に対向基板側に反射層を形成しても良い。また液晶混合
物中にカイラル成分を入れずに、実施例２の構成におい
て２端子素子あるいは３端子素子を形成した基板を用い
ることもできる。
【００３２】配向処理については、液晶が配向するよう
な処理であればどのような方法であっても構わない。も
ちろん配向膜を設けずに基板の素こすりだけでも十分効
果がある。また配向方向については用途に応じ最適化す
る。
な処理であればどのような方法であっても構わない。も
ちろん配向膜を設けずに基板の素こすりだけでも十分効
果がある。また配向方向については用途に応じ最適化す
る。
【００３３】本実施例ではカラーフィルターを設けてい
ないが、図７あるいは図８に示すようにカラーフィルタ
ーを設けるとフルカラー大容量反射型ディスプレイを製
造できる。このとき、カラーフィルター１９を形成する
位置はここに示した例に限らず、例えば電極２の上に形
成することもできれば、２端子素子あるいは３端子素子
を形成した基板上に形成することもできる。
ないが、図７あるいは図８に示すようにカラーフィルタ
ーを設けるとフルカラー大容量反射型ディスプレイを製
造できる。このとき、カラーフィルター１９を形成する
位置はここに示した例に限らず、例えば電極２の上に形
成することもできれば、２端子素子あるいは３端子素子
を形成した基板上に形成することもできる。
【００３４】また以上の全ての実施例において、表示素
子面にノングレア処理あるいは表面反射を防止する処理
を施すことにより極めて視角が広がり、表示が見やすく
なる。
子面にノングレア処理あるいは表面反射を防止する処理
を施すことにより極めて視角が広がり、表示が見やすく
なる。
【００３５】
【発明の効果】以上本発明によれば、ゲル状あるいは編
み目状高分子と液晶を互いに分散した表示素子におい
て、２色性色素と反射層を組み合わせることにより、極
めて明るいコントラストの良好な反射型表示素子を製造
できるようになった。また２端子素子あるいは３端子素
子と組み合わせることにより大容量表示が可能となっ
た。またフルカラー化も容易である。
み目状高分子と液晶を互いに分散した表示素子におい
て、２色性色素と反射層を組み合わせることにより、極
めて明るいコントラストの良好な反射型表示素子を製造
できるようになった。また２端子素子あるいは３端子素
子と組み合わせることにより大容量表示が可能となっ
た。またフルカラー化も容易である。
【図１】 実施例１における表示素子の断面図である。
【図２】 実施例１における表示素子の電気光学特性を
示す図である。実線は実施例１を示し、破線は従来例を
示す。
示す図である。実線は実施例１を示し、破線は従来例を
示す。
【図３】 実施例２における表示素子の断面図である。
【図４】 実施例２における表示素子の電気光学特性を
示す図である。実線は実施例２を示し、破線は従来例を
示す。
示す図である。実線は実施例２を示し、破線は従来例を
示す。
【図５】 実施例３におけるＭＩＭ素子基板を用いた表
示素子の断面図である。
示素子の断面図である。
【図６】 実施例３におけるＴＦＴ素子基板を用いた表
示素子の断面図である。
示素子の断面図である。
【図７】 実施例３におけるカラーフィルターを形成し
た場合のＭＩＭ素子基板を用いた表示素子の断面図であ
る。
た場合のＭＩＭ素子基板を用いた表示素子の断面図であ
る。
【図８】 実施例３におけるカラーフィルターを形成し
た場合のＴＦＴ素子基板を用いた表示素子の断面図であ
る。
た場合のＴＦＴ素子基板を用いた表示素子の断面図であ
る。
１ 基板 ２ 電極 ３ 配向膜 ４ 高分子 ５ 液晶 ６ ２色性色素 ７ 配向膜 ８ 電極 ９ 基板 １０ 波長補正層 １１ 反射層 １２ 絶縁層 １３ タンタル電極 １４ ソース電極 １５ ゲート電極 １６ 半導体層 １７ ドレイン電極 １８ ゲート絶縁層 １９ カラーフィルター
Claims (7)
- 【請求項１】 ２枚の電極付き基板間にゲル状あるいは
編み目状高分子が液晶と同じ方向に配向している表示素
子において、電界印加時に光散乱、電界無印加時に光吸
収が生じることを特徴とする表示素子。 - 【請求項２】 前記高分子及び液晶層の背面に反射層を
配置したことを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項３】 前記高分子及び液晶層の背面に、波長補
正層と反射層を配置したことを特徴とする請求項１記載
の表示素子。 - 【請求項４】 前記液晶中にカイラル成分を含有してい
ることを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項５】 前記液晶中に２色性色素を含有している
ことを特徴とする請求項１記載の表示素子。 - 【請求項６】 前記基板の少なくとも一方に２端子素子
あるいは３端子素子が形成されていることを特徴とする
請求項１記載の表示素子。 - 【請求項７】 ２枚の電極付き基板間にゲル状あるいは
編み目状高分子が２色性色素を含有する液晶と同じ方向
に配向している表示素子において、前記高分子を形成す
る高分子前駆体と２色性色素を含有する液晶の混合物を
２枚の電極付き基板間に封入して、その後液晶相にて１
０ｍＷ／ｃｍ２以下の強度で波長領域が３００ｎｍから
４００ｎｍの間である紫外線を照射することを特徴とす
る表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337493A JPH06186541A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337493A JPH06186541A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 表示素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186541A true JPH06186541A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18309172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337493A Pending JPH06186541A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 表示素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06186541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002249780A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Takashi Kato | 液晶組成物、液晶表示素子および液晶表示方法 |
| TWI384056B (zh) * | 2008-11-25 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | 液晶顯示器及其製造方法 |
| CN107861296A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-03-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、反射式液晶显示面板 |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP4337493A patent/JPH06186541A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002249780A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Takashi Kato | 液晶組成物、液晶表示素子および液晶表示方法 |
| TWI384056B (zh) * | 2008-11-25 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | 液晶顯示器及其製造方法 |
| CN107861296A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-03-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、反射式液晶显示面板 |
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