JPH06181243A - ワイヤーボンディング装置 - Google Patents

ワイヤーボンディング装置

Info

Publication number
JPH06181243A
JPH06181243A JP33168892A JP33168892A JPH06181243A JP H06181243 A JPH06181243 A JP H06181243A JP 33168892 A JP33168892 A JP 33168892A JP 33168892 A JP33168892 A JP 33168892A JP H06181243 A JPH06181243 A JP H06181243A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
wedge
crimping
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP33168892A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0779118B2 (ja
Inventor
Noriyuki Takao
典行 高尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4331688A priority Critical patent/JPH0779118B2/ja
Publication of JPH06181243A publication Critical patent/JPH06181243A/ja
Publication of JPH0779118B2 publication Critical patent/JPH0779118B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48455Details of wedge bonds
    • H01L2224/48456Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313Wedge
    • H01L2224/78314Shape
    • H01L2224/78317Shape of other portions
    • H01L2224/78318Shape of other portions inside the capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 超音波ボンディングにおけるワイヤーネック
部のクラックによるワイヤー破断防止と接合面積の拡大
を同時に実現する。 【構成】 ウェッジ本体5のワイヤー4と接する圧着部
に、曲率半径の小さい半円形状のグルーブ部5gと、曲
率半径の大きい円弧形状のコーンケーブ部5fとを形成
する。これにより、ワイヤーのネック部4aのワイヤー
厚を厚くしてワイヤー破断を防止し、同時に接触圧の接
合部周辺への集中を少なくすることにより、接合面積を
拡大することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ボンディングツールと
してウェッジを有するワイヤーボンディング装置に関
し、特にアルミワイヤーの超音波ウェッジボンディング
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICやトランジスタ等の半導体装置は、
ワイヤーボンディングによって外部リードと半導体ペレ
ット(以下、ペレットという)とを接続することが多
い。特にパワートランジスタでは、電流容量の大きいア
ルミワイヤーを用いて超音波ボンディングが行われてい
る。その概要を図5に示す。
【0003】まず、リードフレームのペレットマウント
部1にペレット2をマウントし、ペレット2上の電極と
リードフレームのリード3とを電気的に接続し、ペレッ
ト2を含む主要部を樹脂モールドした後に、リード間を
連結したタイバーを切断除去して、リードを独立させ製
造される。
【0004】ペレット上の電極とリードフレームのリー
ド3とを電気的に接続するに際しては、アルミニウムの
金属細線(以下、アルミワイヤーという)4をペレット
上の電極とリードフレームのリード遊端部とに順次押し
付け、押圧と同時にボンディング面に平行に超音波振動
を加えて接合させる超音波ボンディング装置が通常使用
される。
【0005】この超音波ボンディング装置の要部を図
3,図4に示す。この要部はウェッジと呼ばれる。図3
(a),(b)に示すように、コーンケーブタイプのウ
ェッジ本体5は、超音波ホーン(図示せず)に接続さ
れ、その下端面5aにワイヤー4をガイドする凹みを有
し、その後方にワイヤー4を導く挿入孔5bが形成され
ていた。
【0006】そしてワイヤー送り機構(図示せず)より
繰り出されたワイヤー4は、挿入孔5bを通ってウェッ
ジ下端面5aにガイドされる。ここで、ウェッジ下端面
5aをワイヤー4とペレット2の電極に押し付け、超音
波振動を加えると、ワイヤー4は塑性流動を生じ、超音
波の振動で両金属界面の酸化膜が破壊され、新生面の接
触による原子的結合を生じる。
【0007】コーンケーブタイプのウェッジでは、下端
面5aが緩やかな円弧形状のため、ボンディング後のワ
イヤーの断面は半月状になる(図3(d))。この場
合、ワイヤー4の前端では十分な接合面積が得られる
が、後端では、ワイヤー4が半月状に押し潰されるた
め、ワイヤーの立上り部との間にくびれとなるネック部
4aが形成されてしまう(図3(c))。
【0008】超音波ボンディングでは、溶着が加圧の中
心部ではなく、その周辺にドーナツ状に生じる。この現
象については、Mindlinの弾性体モデルによる説
明がなされている。すなわち、強く押し付けられている
中心部はノンスリップ区域4cであり、スリップ域4b
は接触圧の低くなる周辺部に生じるため、溶着がドーナ
ツ状になる(図3(e))。
【0009】コーンケーブタイプでは、接触圧が比較的
分散しやすく、スリップ域4bが広くなるため、溶着面
積が大きい代りに、ワイヤーの厚みが薄くなりやすく、
ネック部4aに生じるクラックによりワイヤー破断とな
りやすい。
【0010】一方、図4(a),(b)に示すグルーブ
タイプのウェッジ本体5は下端面5aに溝5cがあり、
ボンディング後のワイヤーの形状は図4(c),(d)
に示すような中央部の盛り上がった形になる。そのた
め、ネック部4aにクラックが生じても、ワイヤーの厚
みが厚いため、ワイヤー破断は起こりにくい。しかし、
スリップ域4bに接触圧が集中するため、溶着面積が狭
くなり、接合強度が小さくなる傾向がある。
【0011】また、ネック部4aのクラックを防止する
ため、図6(a),(b)に示すような構造のものが提
案されている(実開平1−86245号公報)。このも
のでは、ネック部の溝を上にずらして上段溝5dとする
ことにより、ネック部の加圧を弱くしている。図3,図
4のようなウェッジの場合、ネック部より先端側では超
音波振動しているが、ネック部より奥の非接触側では、
急激に振動がなくなり、ネック部にストレスがかかりや
すい。図6のような形状にすることにより、振動が徐々
になくなるため、ストレスがかかりにくい。ただし、段
差部5eでは、かなりのストレスが残るため、クラック
を完全に除くことはできない。また、接合面積も通常の
グルーブタイプに比べて小さくなる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のボン
ディング装置では、ネック部のクラックによるワイヤー
破断防止と、接合面積の拡大という相反する課題を解決
できない。
【0013】すなわち、ワイヤーの厚みを充分残してワ
イヤー破断を防止しながら、接触圧の接合周辺部の集中
を防ぎ、接合面積を拡大することができないという問題
点があった。
【0014】本発明の目的は、ワイヤーネック部のクラ
ックによるワイヤー破断防止と接合面積の拡大とを同時
に満たすワイヤーボンディング装置を提供することにあ
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るワイヤーボンディング装置は、圧着部
を備えたウェッジ本体を有し、ウェッジ本体の圧着部で
ワイヤーをボンディング面に押付けて加圧振動させボン
ディングするワイヤーボンディング装置であって、ウェ
ッジ本体の圧着部は、コーンケーブ部とグルーブ部とを
有し、コーンケーブ部は、曲率半径の大きな円弧状に上
方に凹んで形成され、圧着部に供給されたワイヤーの先
端部を圧着するものであり、グルーブ部は、曲率半径の
小さな半円形状に上方に凹んで形成され、圧着部に供給
されたワイヤーの後端部を圧着するものであり、コーン
ケーブ部とグルーブ部との構造境界は、円弧状に形成さ
れたものである。
【0016】また、圧着部を備えたウェッジ本体を有
し、ウェッジ本体の圧着部でワイヤーをボンディング面
に押付けて加圧振動させボンディングするワイヤーボン
ディング装置であって、ウェッジ本体の圧着部は、フラ
ット部とグルーブ部とを有し、フラット部は、平坦状に
形成され、圧着部に供給されたワイヤーの先端部を圧着
するものであり、グルーブ部は、曲率半径の小さな半円
形状に上方に凹んで形成され、圧着部に供給されたワイ
ヤーの後端部を圧着するものであり、フラット部とグル
ーブ部との構造境界は、円弧状に形成されたものであ
る。
【0017】
【作用】超音波ボンディングのメカニズムとして、以下
のように説明されている。すなわち、ウェッジの荷重に
よりワイヤーが変形するにつれてワイヤーに加わる圧力
は減少していくが、接合に必要な摺動は接触面の周辺部
で生じる。接合部は時間とともに中心部に向かって拡大
していくが、ワイヤーの厚さをできる限り大きくするた
め、超音波時間はできるだけ短時間で行う。
【0018】そこで、本発明は、従来のウェッジ本体下
端面に設けた溝の一部をコーンケーブ状、あるいはフラ
ット状にすることにより、この部分には、接合周辺部と
同じ圧力がかかるようにして接合面積を拡大する。
【0019】又、ワイヤーのネック部に相当する部分
は、グルーブ状にすることにより、ワテヤーのネック部
が薄くなるのを防ぎ、ネック部の引張強度を低下させな
いで接合面積を拡大する。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【0021】(実施例1)図1(a)は、本発明の実施
例1を示す正面図、(b)は、同側面図、(c)は、同
背面図である。
【0022】図1において、ウェッジ本体5は、下端面
が圧着面として形成され、圧着面に向けて下傾した挿入
孔5bが設けられている。ワイヤー4は、挿入孔5a内
に挿通されてウェッジ本体5の下端面に供給される。
【0023】ウェッジ本体5の圧着面は、ワイヤー4の
先端側を押圧する部分が上方に大きさ曲率半径をもって
緩やかな円弧形状に凹んだコーンケーブ部5fとして形
成されている。また、ウェッジ本体5の圧着面は、ワイ
ヤー4の後端部すなわちネック部が形成される側が上方
に小さな曲率半径をもって半円形状に凹んだグルーブ部
5gとして形成している。
【0024】また、ウェッジ本体5のコーンケーブ部5
fとグルーブ部5gとの構造境界5hは、ペレット側に
近づくにつれてコーンケーブ部5fの割合が大きくなる
ように円弧状に形成してある。
【0025】このウェッジを使用してボンディングした
ワイヤーの形状は図1(d),(e)に示すように、ワ
イヤー4の先端側ではコーンケーブ状となり、図1
(d),(f)に示すように、ワイヤーネック側は、グ
ルーブ状になっており、ワイヤーネック部4aでのワイ
ヤー4の厚味が厚くなっている。
【0026】図1(g)にワイヤーの接合状態を示す。
接合はスリップ域4bに集中するが、このスリップ域4
bの面積が広く、十分な接合面積が得られる。
【0027】(実施例2)図2は、本発明の実施例2に
係るワイヤーボンディング装置のウェッジを示すととも
に、接合により形成されたワイヤーの形状を示す図であ
る。
【0028】本実施例は、ワイヤー4の先端側のウェッ
ジ本体下端面をフラット部5kとし、グルーブ部5gと
の構造境界5hをウェッジペレット側に近づくにつれて
グルーブ部5gの割合が大きくなるようにすることにあ
る。
【0029】このウェッジを使用してボンディングした
ワイヤーの形状を図2(d),(e),(f)に示す。
ワイヤーネック部4aのアルミは厚いまま残っており、
先端はフラットになっている。
【0030】図2(g)にワイヤーの接合状態を示す。
ウェッジ本体5のフラット部5kは、接触圧が低めにな
るため、スリップ域4bが広くなり、接合面積が広くな
る。
【0031】本発明と従来例との比較を行った結果を下
記の表1に示してある。
【0032】
【表1】
【0033】表1から明らかなように、本発明では、ワ
イヤーのネック部の破断防止と接合面積の拡大を同時に
満足している。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェッジ
の金属細線と接する圧着部に複数の断面形状を形成した
ので、ネック部のクラックによるワイヤー破断防止と接
合面積の拡大を同時に満足できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施例1を示す正面図、
(b)は同側面図、(c)は同背面図、(d)はボンデ
ィング状態を示す図、(e)は(d)のC−C’線断面
図、(f)は(d)のD−D’線断面図、(g)はボン
ディング状態を示す平面図である。
【図2】(a)は本発明の実施例2を示す正面図、
(b)は同側面図、(c)は同背面図、(d)はボンデ
ィング状態を示す図、(e)は(d)のE−E’線断面
図、(f)は(d)のF−F’線断面図、(g)はボン
ディング状態を示す平面図である。
【図3】(a)は従来例を示す正面図、(b)は同側面
図、(c)はボンディング状態を示す図、(d)は
(c)のA−A’線断面図、(e)はボンディング状態
を示す図である。
【図4】(a)は従来例を示す正面図、(b)は同側面
図、(c)はボンディング状態を示す図、(d)は
(c)のB−B’線断面図、(e)はボンディング状態
を示す図である。
【図5】ワイヤーボンディング後の全体を示す断面図で
ある。
【図6】(a)は従来例を示す正面図、(b)は同側面
図である。
【符号の説明】
4a ワイヤーネック部 4b スリップ域 4c ノンスリップ域 5 ウェッジ本体 5f コーンケーブ部 5g グルーブ部 5h 構造境界 5k フラット部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧着部を備えたウェッジ本体を有し、ウ
    ェッジ本体の圧着部でワイヤーをボンディング面に押付
    けて加圧振動させボンディングするワイヤーボンディン
    グ装置であって、 ウェッジ本体の圧着部は、コーンケーブ部とグルーブ部
    とを有し、 コーンケーブ部は、曲率半径の大きな円弧状に上方に凹
    んで形成され、圧着部に供給されたワイヤーの先端部を
    圧着するものであり、 グルーブ部は、曲率半径の小さな半円形状に上方に凹ん
    で形成され、圧着部に供給されたワイヤーの後端部を圧
    着するものであり、 コーンケーブ部とグルーブ部との構造境界は、円弧状に
    形成されたものであることを特徴とするワイヤーボンデ
    ィング装置。
  2. 【請求項2】 圧着部を備えたウェッジ本体を有し、ウ
    ェッジ本体の圧着部でワイヤーをボンディング面に押付
    けて加圧振動させボンディングするワイヤーボンディン
    グ装置であって、 ウェッジ本体の圧着部は、フラット部とグルーブ部とを
    有し、 フラット部は、平坦状に形成され、圧着部に供給された
    ワイヤーの先端部を圧着するものであり、 グルーブ部は、曲率半径の小さな半円形状に上方に凹ん
    で形成され、圧着部に供給されたワイヤーの後端部を圧
    着するものであり、 フラット部とグルーブ部との構造境界は、円弧状に形成
    されたものであることを特徴とするワイヤーボンディン
    グ装置。
JP4331688A 1992-12-11 1992-12-11 ワイヤーボンディング装置 Expired - Fee Related JPH0779118B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4331688A JPH0779118B2 (ja) 1992-12-11 1992-12-11 ワイヤーボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4331688A JPH0779118B2 (ja) 1992-12-11 1992-12-11 ワイヤーボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06181243A true JPH06181243A (ja) 1994-06-28
JPH0779118B2 JPH0779118B2 (ja) 1995-08-23

Family

ID=18246473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4331688A Expired - Fee Related JPH0779118B2 (ja) 1992-12-11 1992-12-11 ワイヤーボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0779118B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6100511A (en) * 1996-02-12 2000-08-08 Daimler-Benz Aktiengesellschaft Method of bonding insulating wire and device for carrying out this method
WO2013067270A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 Invensas Corporation Bonding wedge
US9931709B2 (en) 2016-01-26 2018-04-03 Orthodyne Electronics Corporation Wedge bonding tools, wedge bonding systems, and related methods

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6100511A (en) * 1996-02-12 2000-08-08 Daimler-Benz Aktiengesellschaft Method of bonding insulating wire and device for carrying out this method
WO2013067270A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-10 Invensas Corporation Bonding wedge
US9931709B2 (en) 2016-01-26 2018-04-03 Orthodyne Electronics Corporation Wedge bonding tools, wedge bonding systems, and related methods
US10987753B2 (en) 2016-01-26 2021-04-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Wedge bonding tools, wedge bonding systems, and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0779118B2 (ja) 1995-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5953624A (en) Bump forming method
TWI383483B (zh) 導線架及其製造方法、與半導體裝置及其製造方法
JP2006013512A (ja) ワイヤボンディング用キャピラリ
JP2852134B2 (ja) バンプ形成方法
JP2008235849A (ja) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
JPH06181243A (ja) ワイヤーボンディング装置
JPS59191338A (ja) ワイヤボンダ用ツ−ル
JP3455126B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
US9780053B2 (en) Method of forming a bondpad and bondpad
JPH08315886A (ja) プレスコンタクト
JP4219781B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2914337B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPS5853502B2 (ja) 金属細線の接続方法
JP2003158149A (ja) ワイヤボンディング方法とこのワイヤボンディングに使用するキャピラリの構造
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0748507B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2978852B2 (ja) 半導体装置のワイヤボンディング接続方法
JPH09148358A (ja) ワイヤボンディングダメージ防止用キャピラリー
JP2004179214A (ja) ボンディングワイヤの切断方法及びボンディングキャピラリ
JPH01286343A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH09330944A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2002280412A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH08153756A (ja) 半導体装置のワイヤボンディング方法及びそのための装置
JPH03229435A (ja) ワイヤーボンディング用キャピラリ

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees