JPH06179984A - 銅の化学溶解剤 - Google Patents
銅の化学溶解剤Info
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- JPH06179984A JPH06179984A JP4361657A JP36165792A JPH06179984A JP H06179984 A JPH06179984 A JP H06179984A JP 4361657 A JP4361657 A JP 4361657A JP 36165792 A JP36165792 A JP 36165792A JP H06179984 A JPH06179984 A JP H06179984A
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- hydrogen peroxide
- copper
- tetrazol
- stabilizer
- tetrazole
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅の溶解速度が大で実用性の高い銅溶解剤を
提供する。 【構成】 過酸化水素、鉱酸、テトラゾール化合物、脂
肪族アミン及び過酸化水素安定剤を組合せた水溶液によ
り銅溶解剤を形成する。
提供する。 【構成】 過酸化水素、鉱酸、テトラゾール化合物、脂
肪族アミン及び過酸化水素安定剤を組合せた水溶液によ
り銅溶解剤を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は銅（銅合金を包含する）
の溶解剤に関する。
の溶解剤に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】銅はプリント配線板、装飾品、
各種機械部品等として広く利用されており、これら銅製
品の製造乃至回収工程でピックリング、エッチング、化
学研摩等を含めた銅の溶解を伴う処理が行われている。
これらの銅溶解剤としては過酸化水素及び鉱酸を主成分
とする水溶液が広く用いられており、その溶解速度や過
酸化水素の安定性の改善を図るための添加剤も種々提案
されている。特に溶解速度の向上は生産性向上の上で大
きな意義をもち大きな技術的課題である。本発明の目的
は一定の過酸化水素安定性を示した上、銅の溶解速度を
相乗的に向上させうる過酸化水素型の新規銅溶解剤を提
供することにある。
各種機械部品等として広く利用されており、これら銅製
品の製造乃至回収工程でピックリング、エッチング、化
学研摩等を含めた銅の溶解を伴う処理が行われている。
これらの銅溶解剤としては過酸化水素及び鉱酸を主成分
とする水溶液が広く用いられており、その溶解速度や過
酸化水素の安定性の改善を図るための添加剤も種々提案
されている。特に溶解速度の向上は生産性向上の上で大
きな意義をもち大きな技術的課題である。本発明の目的
は一定の過酸化水素安定性を示した上、銅の溶解速度を
相乗的に向上させうる過酸化水素型の新規銅溶解剤を提
供することにある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明の銅溶解剤は、過
酸化水素、鉱酸、テトラゾール化合物、脂肪族アミン及
び過酸化水素安定剤を必須成分として含有する水溶液か
らなることを特徴とする。本発明の溶解剤の適用対象は
前記したとおり銅又は銅合金であり、これらのピックリ
ング、エッチング、化学研摩、回収操作等の化学的な溶
解処理に広く利用される。
酸化水素、鉱酸、テトラゾール化合物、脂肪族アミン及
び過酸化水素安定剤を必須成分として含有する水溶液か
らなることを特徴とする。本発明の溶解剤の適用対象は
前記したとおり銅又は銅合金であり、これらのピックリ
ング、エッチング、化学研摩、回収操作等の化学的な溶
解処理に広く利用される。
【０００４】本発明の銅溶解剤の基本成分である過酸化
水素及び鉱酸はこの種用途に用いられる周知の酸性過酸
化水素水溶液におけると同様の態様で用いられる。過酸
化水素濃度としては通常１０〜２００ｇ／ｌ、好ましく
は５０〜１５０ｇ／ｌが、また鉱酸濃度としては通常１
０〜３００ｇ／ｌ、好ましくは５０〜２００ｇ／ｌが用
いられる。鉱酸としては硫酸、硝酸、リン酸等適宜の鉱
酸を用いうるが、硫酸が最も好ましい。
水素及び鉱酸はこの種用途に用いられる周知の酸性過酸
化水素水溶液におけると同様の態様で用いられる。過酸
化水素濃度としては通常１０〜２００ｇ／ｌ、好ましく
は５０〜１５０ｇ／ｌが、また鉱酸濃度としては通常１
０〜３００ｇ／ｌ、好ましくは５０〜２００ｇ／ｌが用
いられる。鉱酸としては硫酸、硝酸、リン酸等適宜の鉱
酸を用いうるが、硫酸が最も好ましい。
【０００５】本発明ではかかる酸性過酸化水素水溶液に
テトラゾール化合物と脂肪族アミンと非アミン系安定剤
とを共存させることを本質とする。テトラゾール化合物
としてはテトラゾール構造をもつ公知の化合物を適宜用
いることができる。具体例としては１Ｈ−テトラゾー
ル、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１
Ｈ−テトラゾール、５−フエニル−１Ｈ−テトラゾー
ル、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フエニ
ル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル
−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシ
ル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、５，５′−
ビ−１Ｈ−テトラゾール等がある。これらテトラゾール
化合物の添加量は通常０．０１〜１０ｇ／ｌ、好ましく
は０．０５〜１．０ｇ／ｌである。脂肪族アミンとして
は通常アルキル基が炭素数が１〜１２の直鎖もしくは分
枝アルキル基であるモノないしトリアルキルアミンが用
いられる。特に好ましい脂肪族アミンはトリ−ｎ−ブチ
ルアミン、２−エチルヘキシルアミン、トリイソブチル
アミン等がある。これら脂肪族アミンの添加量は通常
０．１〜２０ｇ／ｌ、好ましくは０．５〜１０ｇ／ｌで
ある。
テトラゾール化合物と脂肪族アミンと非アミン系安定剤
とを共存させることを本質とする。テトラゾール化合物
としてはテトラゾール構造をもつ公知の化合物を適宜用
いることができる。具体例としては１Ｈ−テトラゾー
ル、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１
Ｈ−テトラゾール、５−フエニル−１Ｈ−テトラゾー
ル、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フエニ
ル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル
−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシ
ル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、５，５′−
ビ−１Ｈ−テトラゾール等がある。これらテトラゾール
化合物の添加量は通常０．０１〜１０ｇ／ｌ、好ましく
は０．０５〜１．０ｇ／ｌである。脂肪族アミンとして
は通常アルキル基が炭素数が１〜１２の直鎖もしくは分
枝アルキル基であるモノないしトリアルキルアミンが用
いられる。特に好ましい脂肪族アミンはトリ−ｎ−ブチ
ルアミン、２−エチルヘキシルアミン、トリイソブチル
アミン等がある。これら脂肪族アミンの添加量は通常
０．１〜２０ｇ／ｌ、好ましくは０．５〜１０ｇ／ｌで
ある。
【０００６】本発明ではテトラゾール化合物と脂肪族ア
ミン以外に過酸化水素安定剤を添加することを要する。
安定剤により過酸化水素の保存安定性が一応の水準に維
持された系においてテトラゾール化合物と脂肪族アミン
とが銅の溶解速度を相乗的に高めるという作用を示すの
である。安定剤としては銅共存下の酸性過酸化水素水溶
液中の過酸化水素の分解を抑制する機能を有するもので
あればよく、従来知られた適宜の安定剤を用いうる。具
体例としてはアルコール、グリコール、グリコールエー
テル、カルボン酸エステル、アミノ酸、オキシアミノ
酸、カルボン酸アミド、アルデヒド、ケトン、エーテ
ル、フェノール類等の脂肪族アミンには属さない公知の
過酸化水素安定剤があるが、ＯＨ基を有するものが一般
に好ましく用いられる。後記に示す過酸化水素安定性を
系全体として４０℃で３０％以上に高めうる安定剤であ
れば本質的にはいずれでも用いうる。次に実施例に基づ
いて本発明を例証する。
ミン以外に過酸化水素安定剤を添加することを要する。
安定剤により過酸化水素の保存安定性が一応の水準に維
持された系においてテトラゾール化合物と脂肪族アミン
とが銅の溶解速度を相乗的に高めるという作用を示すの
である。安定剤としては銅共存下の酸性過酸化水素水溶
液中の過酸化水素の分解を抑制する機能を有するもので
あればよく、従来知られた適宜の安定剤を用いうる。具
体例としてはアルコール、グリコール、グリコールエー
テル、カルボン酸エステル、アミノ酸、オキシアミノ
酸、カルボン酸アミド、アルデヒド、ケトン、エーテ
ル、フェノール類等の脂肪族アミンには属さない公知の
過酸化水素安定剤があるが、ＯＨ基を有するものが一般
に好ましく用いられる。後記に示す過酸化水素安定性を
系全体として４０℃で３０％以上に高めうる安定剤であ
れば本質的にはいずれでも用いうる。次に実施例に基づ
いて本発明を例証する。
【０００７】実施例 過酸化水素１００ｇ／ｌ、硫酸１５０ｇ／ｌからなる酸
性水溶液とこれに銅を３．０％溶解させたベース溶液を
得る。尚銅溶解時に消費した過酸化水素分は３５％過酸
化水素水を用いて補充し過酸化水素濃度を初期値に回復
させる。このベース溶液にテトラゾール化合物、脂肪族
アミン及び安定剤を加えて銅溶解剤を得る。得られた銅
溶解剤を用いて銅溶解速度と過酸化水素安定性を調べ
る。銅溶解速度は銅板を使用した浸漬法（４０℃／微攪
拌）により、溶解銅が０％と３％の各銅溶解剤について
銅板の１分間当たりの厚さ減少速度（μｍ／ｍｉｎ）で
求めたものである。過酸化水素安定性は銅溶解剤に銅を
３０ｇ／ｌ溶解させ、４０℃又は５０℃で７日間経過後
に残存する過酸化水素を、銅溶解直後の過酸化水素量に
対する割合（％）で求めたものである。結果を表１，２
に示す。
性水溶液とこれに銅を３．０％溶解させたベース溶液を
得る。尚銅溶解時に消費した過酸化水素分は３５％過酸
化水素水を用いて補充し過酸化水素濃度を初期値に回復
させる。このベース溶液にテトラゾール化合物、脂肪族
アミン及び安定剤を加えて銅溶解剤を得る。得られた銅
溶解剤を用いて銅溶解速度と過酸化水素安定性を調べ
る。銅溶解速度は銅板を使用した浸漬法（４０℃／微攪
拌）により、溶解銅が０％と３％の各銅溶解剤について
銅板の１分間当たりの厚さ減少速度（μｍ／ｍｉｎ）で
求めたものである。過酸化水素安定性は銅溶解剤に銅を
３０ｇ／ｌ溶解させ、４０℃又は５０℃で７日間経過後
に残存する過酸化水素を、銅溶解直後の過酸化水素量に
対する割合（％）で求めたものである。結果を表１，２
に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】
【発明の効果】本発明の銅溶解剤は銅共存下に実用的な
安定性を示した上で銅の溶解速度を相乗的に高めること
ができ、銅又は銅合金を用いる工業分野において、銅の
溶解回収をはじめ、ピックリング、エッチング、化学研
摩等の銅の溶解作用を利用する操作に有効に利用され
る。
安定性を示した上で銅の溶解速度を相乗的に高めること
ができ、銅又は銅合金を用いる工業分野において、銅の
溶解回収をはじめ、ピックリング、エッチング、化学研
摩等の銅の溶解作用を利用する操作に有効に利用され
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 過酸化水素、鉱酸、テトラゾール化合
物、脂肪族アミン及び過酸化水素安定剤を必須成分とし
て含有する水溶液からなることを特徴とする銅溶解剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36165792A JP3225470B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 銅の化学溶解剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36165792A JP3225470B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 銅の化学溶解剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179984A true JPH06179984A (ja) | 1994-06-28 |
| JP3225470B2 JP3225470B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=18474440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36165792A Ceased JP3225470B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 銅の化学溶解剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225470B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0890660A1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | MEC CO., Ltd. | Microetching agent for copper or copper alloys |
| KR100459271B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 |
| KR100730519B1 (ko) * | 1996-07-29 | 2007-10-30 | 가부시키 가이샤 에바라 덴산 | 에칭액, 구리표면의 조화처리 방법, 및 인쇄 배선 기판의 제조방법 |
| US7943519B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant, method for fabricating interconnection line using the etchant, and method for fabricating thin film transistor substrate using the etchant |
| KR101412281B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2014-06-25 | 멕크 가부시키가이샤 | 에칭액 및 도체 패턴의 형성 방법 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP36165792A patent/JP3225470B2/ja not_active Ceased
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730519B1 (ko) * | 1996-07-29 | 2007-10-30 | 가부시키 가이샤 에바라 덴산 | 에칭액, 구리표면의 조화처리 방법, 및 인쇄 배선 기판의 제조방법 |
| EP0890660A1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | MEC CO., Ltd. | Microetching agent for copper or copper alloys |
| KR100459271B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 |
| US7943519B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant, method for fabricating interconnection line using the etchant, and method for fabricating thin film transistor substrate using the etchant |
| KR101412281B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2014-06-25 | 멕크 가부시키가이샤 | 에칭액 및 도체 패턴의 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3225470B2 (ja) | 2001-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |