JPH06176962A - 貫通形積層セラミックコンデンサ - Google Patents
貫通形積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH06176962A JPH06176962A JP35342992A JP35342992A JPH06176962A JP H06176962 A JPH06176962 A JP H06176962A JP 35342992 A JP35342992 A JP 35342992A JP 35342992 A JP35342992 A JP 35342992A JP H06176962 A JPH06176962 A JP H06176962A
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Abstract
ンデンサ自体の構造を改良して共振周波数を高めたもの
を提供する。 【構成】信号用内部電極2と積層方向に対向する形の接
地用内部電極1の他に、信号用内部電極2と対向しない
形に、共振周波数を高める接地用内部電極1aを付加し
た。
Description
ラミックコンデンサに関する。
体通信、衛星通信等の例を初めとして電子通信における
高周波、デジタル化は一つの傾向として定着してきてい
る。これに伴い、電子部品も高周波対応が盛んに行われ
てきた。コンデンサ素子については、かっての円盤形素
子から積層チップタイプに移行しており、これにより、
リード線が廃止された分の寄生インダクタンスの低減が
達成できるので、積層チップタイプへの移行は、高周波
対応という立場から考えると傾向に添ったものである。
すなわち、通常、コンデンサ素子の高周波側での使用限
界はこの寄生インダクタンスによって説明されることか
ら、積層チップタイプとすることは、高周波化に寄与す
ることになる。このことを以下に数式を用いて説明す
る。
な場合、静電容量をC、信号周波数をf、複素記号をi
として、 Z=1/2πfCi (1) で記述される。しかしながら、実際にはリード線の有
無、電極の構造素子の実装方法などに応じてコンデンサ
素子は寄生インダクタンスを有し、また、それに応じた
純抵抗成分をも有する。従って、実際にはそのインピー
ダンスZは、寄生インダクタンスをLとし、純抵抗分を
Rとした場合、 Z=2πfLi+1/2πfCi+R (2) と記述できる。この式から分かるように、信号周波数が
低周波の場合は第1項の寄与は少なく、理想に近いと考
えられるが、周波数が上昇するにつれ、第1項の寄与が
顕著になり、もはやコンデンサとしては機能せず、むし
ろインダクターとして機能する領域に達する。このイン
ピーダンスの周波数特性を(2)式に従って考えると、
低周波側では周波数の上昇に伴いインピーダンスが単調
減少を示すが、 1/f=2π(LC)1/2 (3) を満たす共振周波数でインピーダンスの最小値Rを示
し、共振周波数以上では周波数の上昇に伴い単調増加を
示す。また、位相も共振周波数を前後に−i(1−δ)
からi(1+δ):(0<δ<1)に変化する。
いては、高周波に対する性能の指標の一つに自己共振周
波数が広く使われている。前述のように、積層チップコ
ンデンサはリード線がなく、寄生インダクタンスが円盤
形コンデンサよりも小さい特長を有し、高周波化にとっ
て優れた特性を示す。しかしながら、この場合でも寄生
インダクタンスがあり、昨今の著しい高周波化のもとで
はやはり高周波側での限界が見えてきている。つまり、
自己共振周波数を上げるためになるべく静電容量の小さ
くてすむような回路設計がその対処法となっていて、お
おかたの目安として、1GHz では10pF以下の定数のも
のを使うようになっている。
号公報において、図1(A)の斜視図およびそのE−
E、F−F断面図である(B)、(C)に示す構造の貫
通形積層コンデンサが提案されている。この貫通形積層
コンデンサは、接地用内部電極1と信号用内部電極2と
が誘電体層3を挟んでほぼ直角に交差して1組以上積層
され、前記信号用内部電極2は誘電体層3を貫通し、相
対する2つ側面に到達して該2つの側面に形成した信号
用外部電極4、5に接続され、前記接地用内部電極1は
誘電体層3を貫通して前記2つの側面にそれぞれ隣接し
かつ相対する2つの側面に到達して該2面に形成された
接地用外部電極6に接続したものである。また、図2
は、該図1の構造をベースとして提案され、特公昭64
−10927号公報において開示されたもので、接地用
外部電極6をコンデンサの全周に形成したものである。
図1、図2に示す貫通形積層コンデンサは、従来の積層
セラミックコンデンサに比べて自己共振周波数が2倍程
度あり、高周波に用いるコンデンサとして優れている。
クコンデンサにおいて、コンデンサの基板に対する実装
構造によって共振周波数が著しく影響を受けることを見
いだしている。特に、コンデンサの接地用外部電極6を
基板の安定した接地回路にできるだけ近い距離で接続す
れば、100MHz 以上の周波数領域では共振周波数を大
幅に上昇させうることを見いだしている。
て共振周波数の上昇を図ることは、コンデンサやその他
の素子の実装時の配置等の制約を促すことになり、実施
上の困難を伴う場合もあるので、コンデンサ自体の構造
自体で共振周波数の上昇を図ることが好ましい。
層セラミックコンデンサにおいて、コンデンサ自体の構
造を改良して共振周波数を高めたものを提供することを
目的とするものである。
と、従来の貫通形積層セラミックコンデンサの場合、接
地用内部電極1による高周波化のためのシールド効果が
期待するほど無いことを見いだした。この理由は、接地
用内部電極によるシールド効果が充分に得られず、電磁
界成分が流出し、外部接地パターンと影響しあうものと
考えられる。そこで、本発明は、信号用内部電極と積層
方向に対向する形の接地用内部電極の他に、信号用内部
電極と対向しない形に、共振周波数を高める接地用内部
電極を付加したことを特徴とする。
対向しない形のものを付加したので、付加された接地用
内部電極によりシールド効果が向上し、共振周波数が高
くなる。
は、積層セラミックコンデンサの作製技術を踏襲した。
すなわち、誘電体となる粉体を樹脂成分溶媒とともにス
ラリー状とし、このスラリーからドクターブレード法に
よってグリーシートを得た。このシートに貫通形積層コ
ンデンサとなるように、接地用内部電極1、信号用内部
電極2を、図3について後述するように、本発明による
構造と、従来構造とについて種々の形にパラジュームペ
ーストのスクリーン印刷により形成した。印刷後のシー
トを適当な圧力で積層し、素子1個ごとに分割し、その
後焼成した。その後、外部電極4〜6を形成してコンデ
ンサを得た。
造を示す平面図であり、また、このような信号用内部電
極2を用いて構成したコンデンサの断面構造は図1
(B)、(C)で示したとおりである。また、図3
(ロ)、(ハ)は本発明による電極構造を示すもので、
(ニ)、(ホ)はそれぞれ(ロ)、(ハ)の電極構造を
採用したコンデンサの断面図である。図3(ロ)または
(ハ)に示すように、本発明においては、接地用内部電
極として、信号用内部電極2に積層方向に対向する接地
用内部電極1以外に、信号用内部電極2と対向しない形
に、共振周波数を上げるための接地用内部電極1aを付
加したものである。図3(ロ)、(ニ)の例は信号用内
部電極2の片側でかつ該電極2の形成層と同一面に接地
用内部電極1aを形成した例であり、(ハ)、(ホ)の
例は両側に形成した例である。
内部電極2の長手方向の寸法(縦幅L)を3.2mm、横
幅Wを1.6mmとし、高さは内部電極数に応じて表1に
示すように0.5mm、1mm、1.2mm、1.5mmと変化
させた。また、信号用内部電極2の幅aを500μm、
同層の接地用内部電極1aと信号用内部電極2との間隔
bを100μm、各内部電極1、1a、2の厚みを3μ
mとした。
(A)の平面図および(B)の側面図に示すように、絶
縁材でなる基板10に図5(A)に示すように、スルー
ホールを設けるか、あるいは図5(B)に示すようにス
ルーホールを設けないものを用いてコンデンサ9を実装
し、共振周波数を測定することにより行った。この基板
10は、その表面に導体膜でなるストリップライン1
1、12を形成し、裏面には接地層13を形成し、各ス
トリップライン11、12間に試作したコンデンサ9を
搭載し、各ストリップライン11、12の端部をSMA
コネクタ14、15に接続してなるものである。
いてより詳しく説明すると、図5(A)の例は、基板1
0上にコンデンサ9の接地用外部電極6に対応してそれ
ぞれ接地用パターン16を形成し、基板10の裏面の接
地層13と各接地用パターン16とを、接地用外部電極
6になるべく近い2箇所(接地用外部電極6から基板1
0の面方向に3mm以内とすることが好ましい)に設けた
スルーホール17により接続し、前記各接地用パターン
16にコンデンサ9の接地用外部電極6を半田18によ
って接続したものである。また、図5(B)は、スルー
ホール17を設けず、基板10の表面の接地用パターン
16を側面導体19を介して裏面の接地層13に接続し
た例であり、従来の実装構造を踏襲した構造である。
隔、外部電極構造等を変え、また前述のように接地用内
部電極1aを付加したものと付加しないものを構成し、
さらに実装構造をそれぞれ図5(A)、(B)のように
変えたものについて、共振周波数を測定した。この測定
にはマイクロ波ネットワークアナライザーを用いてS2
1パラメーターの減衰特性から共振周波数を求めた。表
1において、外部接地電極形状の欄の図1は側面2面に
接地用外部電極6を形成した構造であり、図2は全周に
形成した構造である。また、表2−1〜表2−5はそれ
ぞれ表1に示した試料番号1〜5に示した構造のものに
おいて、内部電極構造が図3(イ)、(ロ)、(ハ)に
ついて、さらにこれらについてそれぞれ実装構造を図5
(A)、(B)のように構成した場合について、共振周
波数を示すもので、表中のイ、ロ、ハは図3(イ)、
(ロ)、(ハ)の内部電極構造のものを示し、また、
A、Bはそれぞれ図5(A)、(B)の実装構造のもの
を示す。
極2と同層に接地用内部電極1aを設ければ、実装構造
の如何に関わらず、共振周波数を高くすることができ
る。特に図5(B)に示したような従来構造にこの接地
用内部電極1aを付加すれば、共振周波数上昇効果が顕
著である。また、接地用内部電極1aを信号用内部電極
2の両側に設ければその効果が助長される。
デンサは、共振周波数が100MHzよりも小さく、接地
用内部電極1aを設けた場合と設けない場合とで同等の
特性となった。このことから、本発明は、10000pF
未満の静電容量、または、100MHz以上の周波数成分
の除去を行う場合に効果的である。
極1aは必ずしも信号用内部電極2と同層に設ける必要
はないが、印刷工程数を少なくする上では同層に形成す
ることが好ましい。
通形積層セラミックコンデンサにおいて、より高い高周
波化の要求に応えることが可能となる。また、本発明に
おいては、コンデンサ自体の構造によって高周波化を達
成するため、コンデンサや他の素子の基板への実装構造
に対する制約を与えることがなく、汎用性がある。
る接地用内部電極を、前記信号用内部電極の形成面と同
一面でかつ信号用内部電極の側方に付加したので、シー
ルド効果がさらに向上し、共振周波数を高める上でさら
に効果がある。
例を示す斜視図、(B)、(C)はそれぞれ(A)のE
−E、F−F断面図である。
す斜視図である。
(ロ)、(ハ)はそれぞれ本発明による内部電極構造を
示す平面図、(ニ)、(ホ)はそれぞれ(ロ)、(ハ)
の内部電極構造を採用したコンデンサを示す断面図であ
る。
定に用いた基板の構成を示す平面図及び側面図である。
ンサの特性試験に供した実装構造の例を示す断面図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】接地用内部電極と信号用内部電極とが誘電
体層を挟んでほぼ直角に交差して1組以上積層され、前
記信号用内部電極は誘電体層を貫通し、コンデンサの相
対する2つ側面に到達して該2つの側面に形成した信号
用外部電極に接続され、前記接地用内部電極は誘電体層
を貫通し、前記2つの側面に隣接しかつ相対する2つの
側面に到達して少なくとも該2つの側面に形成された接
地用外部電極に接続されてなる貫通形積層セラミックコ
ンデンサにおいて、信号用内部電極と積層方向に対向す
る形の接地用内部電極の他に、信号用内部電極と対向し
ない形に、共振周波数を高める接地用内部電極を付加し
たことを特徴とする貫通形積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項2】請求項1において、前記共振周波数を高め
る接地用内部電極を、前記信号用内部電極の形成面と同
一面でかつ信号用内部電極の側方に付加したことを特徴
とする貫通形積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35342992A JP3233302B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 貫通形積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35342992A JP3233302B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 貫通形積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06176962A true JPH06176962A (ja) | 1994-06-24 |
JP3233302B2 JP3233302B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=18430785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35342992A Expired - Lifetime JP3233302B2 (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 貫通形積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3233302B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515794A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エックストゥーワイ アテニュエイターズ,エルエルシー | 内部で遮蔽されたエネルギー調節器 |
US8018711B2 (en) * | 2008-03-14 | 2011-09-13 | Tdk Corporation | Feedthrough capacitor and mounted structure thereof |
US8195295B2 (en) | 2008-03-20 | 2012-06-05 | Greatbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter |
US8761895B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-06-24 | Greatbatch Ltd. | RF activated AIMD telemetry transceiver |
US9093974B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-07-28 | Avx Corporation | Electromagnetic interference filter for implanted electronics |
US9101782B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-08-11 | Greatbatch Ltd. | Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment |
USRE46699E1 (en) | 2013-01-16 | 2018-02-06 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US9931514B2 (en) | 2013-06-30 | 2018-04-03 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US10080889B2 (en) | 2009-03-19 | 2018-09-25 | Greatbatch Ltd. | Low inductance and low resistance hermetically sealed filtered feedthrough for an AIMD |
US10596369B2 (en) | 2011-03-01 | 2020-03-24 | Greatbatch Ltd. | Low equivalent series resistance RF filter for an active implantable medical device |
US10905888B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-02 | Greatbatch Ltd. | Electrical connection for an AIMD EMI filter utilizing an anisotropic conductive layer |
US10912945B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-09 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an active implantable medical device having a feedthrough capacitor partially overhanging a ferrule for high effective capacitance area |
US11147977B2 (en) | 2008-03-20 | 2021-10-19 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an aimd circuit board conductively connected to a ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule |
US11198014B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-12-14 | Greatbatch Ltd. | Hermetically sealed filtered feedthrough assembly having a capacitor with an oxide resistant electrical connection to an active implantable medical device housing |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP35342992A patent/JP3233302B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515794A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エックストゥーワイ アテニュエイターズ,エルエルシー | 内部で遮蔽されたエネルギー調節器 |
US8018711B2 (en) * | 2008-03-14 | 2011-09-13 | Tdk Corporation | Feedthrough capacitor and mounted structure thereof |
US8761895B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-06-24 | Greatbatch Ltd. | RF activated AIMD telemetry transceiver |
US10874866B2 (en) | 2008-03-20 | 2020-12-29 | Greatbatch Ltd. | Flat-through capacitor mounted in a tombstone position on a hermetic feedthrough for an active implantable medical device |
US10722706B2 (en) | 2008-03-20 | 2020-07-28 | Greatbatch Ltd. | Filtered feedthrough assembly having an MLCC filter capacitor on an AIMD circuit board attached to the ferrule of a hermetic feedthrough |
US11241581B2 (en) | 2008-03-20 | 2022-02-08 | Greatbatch Ltd. | Feedthrough terminal assembly with an electrically conductive pad conductively connected to a terminal pin |
US11147977B2 (en) | 2008-03-20 | 2021-10-19 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an aimd circuit board conductively connected to a ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule |
US11013928B2 (en) | 2008-03-20 | 2021-05-25 | Greatbatch Ltd. | Ground electrical path from an MLCC filter capacitor on an AIMD circuit board to the ferrule of a hermetic feedthrough |
US9895534B2 (en) | 2008-03-20 | 2018-02-20 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an AIMD circuit board with conductive ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule |
US8433410B2 (en) | 2008-03-20 | 2013-04-30 | Greetbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter |
US10016595B2 (en) | 2008-03-20 | 2018-07-10 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an AIMD circuit board with ground electrical connection to a gold braze between a hermetic feedthrough ferrule and insulator |
US10016596B2 (en) | 2008-03-20 | 2018-07-10 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an AIMD circuit board having an external ground plate adjacent to the hermetic seal insulator |
US8195295B2 (en) | 2008-03-20 | 2012-06-05 | Greatbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter |
US10099051B2 (en) | 2008-03-20 | 2018-10-16 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an AIMD circuit board with direct connect to the gold braze hermetically sealing a feed through insulator to a ferrule |
US10124164B2 (en) | 2008-03-20 | 2018-11-13 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an AIMD circuit board with conductive ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule |
US10857369B2 (en) | 2008-03-20 | 2020-12-08 | Greatbatch Ltd. | Ground electrical path from an MLCC filter capacitor on an AIMD circuit board to the ferrule of a hermetic feedthrough |
US10080889B2 (en) | 2009-03-19 | 2018-09-25 | Greatbatch Ltd. | Low inductance and low resistance hermetically sealed filtered feedthrough for an AIMD |
US10596369B2 (en) | 2011-03-01 | 2020-03-24 | Greatbatch Ltd. | Low equivalent series resistance RF filter for an active implantable medical device |
US11071858B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-07-27 | Greatbatch Ltd. | Hermetically sealed filtered feedthrough having platinum sealed directly to the insulator in a via hole |
US11198014B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-12-14 | Greatbatch Ltd. | Hermetically sealed filtered feedthrough assembly having a capacitor with an oxide resistant electrical connection to an active implantable medical device housing |
US9101782B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-08-11 | Greatbatch Ltd. | Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment |
US10154616B2 (en) | 2012-09-05 | 2018-12-11 | Avx Corporation | Electromagnetic interference filter for implanted electronics |
US9093974B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-07-28 | Avx Corporation | Electromagnetic interference filter for implanted electronics |
USRE46699E1 (en) | 2013-01-16 | 2018-02-06 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US9931514B2 (en) | 2013-06-30 | 2018-04-03 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US10905888B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-02 | Greatbatch Ltd. | Electrical connection for an AIMD EMI filter utilizing an anisotropic conductive layer |
US10912945B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-09 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an active implantable medical device having a feedthrough capacitor partially overhanging a ferrule for high effective capacitance area |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3233302B2 (ja) | 2001-11-26 |
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