JPH0617292Y2 - 半導体受光素子の検査装置 - Google Patents
半導体受光素子の検査装置Info
- Publication number
- JPH0617292Y2 JPH0617292Y2 JP1987187505U JP18750587U JPH0617292Y2 JP H0617292 Y2 JPH0617292 Y2 JP H0617292Y2 JP 1987187505 U JP1987187505 U JP 1987187505U JP 18750587 U JP18750587 U JP 18750587U JP H0617292 Y2 JPH0617292 Y2 JP H0617292Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- laser diode
- optical power
- diode module
- receiving element
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は半導体受光素子のウエハー状態での検査装置に
関し、特に半導体受光素子の光電変換特性を測定する検
査装置に関する。
関し、特に半導体受光素子の光電変換特性を測定する検
査装置に関する。
［従来の技術］ 従来、この種の検査装置は、第３図に示すように被検査
半導体受光素子９へ照射する光源としてタングステンハ
ロゲンランプ19を利用した白色光源17を使用していた。
被検査半導体受光素子への照射光は、機械式のシャッタ
18によりON,OFFされる構造となっていた。８は測定用探
針、10はウエハー吸着ステージ、11はウエハープロー
バ、12は遮光カバー、13はＤＣ特性測定器、20はバンド
ルファイバ、21は太陽電池、22は電流計、23はシャッタ
駆動部、24は安定化電源である。
半導体受光素子９へ照射する光源としてタングステンハ
ロゲンランプ19を利用した白色光源17を使用していた。
被検査半導体受光素子への照射光は、機械式のシャッタ
18によりON,OFFされる構造となっていた。８は測定用探
針、10はウエハー吸着ステージ、11はウエハープロー
バ、12は遮光カバー、13はＤＣ特性測定器、20はバンド
ルファイバ、21は太陽電池、22は電流計、23はシャッタ
駆動部、24は安定化電源である。
［考案が解決しようとする問題点］ 上述した従来の検査装置は白色光源を使用するため、被
検査半導体受光素子へ照射する光パワーが容易に測定で
きず、白色光源の分光強度特性が変化するので、検査結
果の再現性が得られない。また機械式シャッターを用い
ているため、動作に時間がかかり、検査時間が長くなる
等の欠点がある。
検査半導体受光素子へ照射する光パワーが容易に測定で
きず、白色光源の分光強度特性が変化するので、検査結
果の再現性が得られない。また機械式シャッターを用い
ているため、動作に時間がかかり、検査時間が長くなる
等の欠点がある。
本考案の目的は前記問題点を解消した半導体受光素子の
検査装置を提供することにある。
検査装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本考案に係る半導体受光素子
の検査装置は、レーザーダイオードモジュールと、光パ
ワーセンサと、光パワーメータと、ＡＰＣ電源と、ＤＣ
特性測定器とを有し、ウェハープローバの測定用探針を
半導体受光素子に押しあて該測定用探針を通して信号を
半導体受光素子に供給し、半導体受光素子を検査する半
導体受光素子の検査装置であって、 レーザーダイオードモジュールは、ウェハープローバの
測定用探針が押しあてられるウェハー上の被検査受光素
子及びその周辺の受光素子に対してレーザー光を照射す
るものであり、 光パワーセンサは、前記ウェハー上の被検査受光素子と
ほぼ同程度の受光面積を有し、レーザーダイオードモジ
ュールより照射される光パワーを前記測定用探針の真下
位置で検出するものであり、 光パワーメータは、光パワーセンサの検出信号に基づい
て、レーザーダイオードモジュールによる光パワーを調
整するための信号を出力するものであり、 ＡＰＣ電源は、レーザーダイオードモジュールを駆動制
御するものであり、光パワー調整時に光パワーメータよ
りの出力信号に対応してレーザーダイオードモジュール
の発光出力を被検査受光素子の特性に合うように調整可
能であり、また光パワー調整後の被検査受光素子の検査
時にレーザーダイオードモジュールの発光のフィードバ
ックに基づいて前記調整済の発光出力に対するレーザー
ダイオードモジュールの発光出力の変動を調整するもの
であり、 ＤＣ特性測定器は、ＡＰＣ電源に対して、レーザーダイ
オードモジュールの点灯，消灯の指令を発するととも
に、被検査受光素子の光電変換特性を測定するものであ
る。
の検査装置は、レーザーダイオードモジュールと、光パ
ワーセンサと、光パワーメータと、ＡＰＣ電源と、ＤＣ
特性測定器とを有し、ウェハープローバの測定用探針を
半導体受光素子に押しあて該測定用探針を通して信号を
半導体受光素子に供給し、半導体受光素子を検査する半
導体受光素子の検査装置であって、 レーザーダイオードモジュールは、ウェハープローバの
測定用探針が押しあてられるウェハー上の被検査受光素
子及びその周辺の受光素子に対してレーザー光を照射す
るものであり、 光パワーセンサは、前記ウェハー上の被検査受光素子と
ほぼ同程度の受光面積を有し、レーザーダイオードモジ
ュールより照射される光パワーを前記測定用探針の真下
位置で検出するものであり、 光パワーメータは、光パワーセンサの検出信号に基づい
て、レーザーダイオードモジュールによる光パワーを調
整するための信号を出力するものであり、 ＡＰＣ電源は、レーザーダイオードモジュールを駆動制
御するものであり、光パワー調整時に光パワーメータよ
りの出力信号に対応してレーザーダイオードモジュール
の発光出力を被検査受光素子の特性に合うように調整可
能であり、また光パワー調整後の被検査受光素子の検査
時にレーザーダイオードモジュールの発光のフィードバ
ックに基づいて前記調整済の発光出力に対するレーザー
ダイオードモジュールの発光出力の変動を調整するもの
であり、 ＤＣ特性測定器は、ＡＰＣ電源に対して、レーザーダイ
オードモジュールの点灯，消灯の指令を発するととも
に、被検査受光素子の光電変換特性を測定するものであ
る。
被検査受光素子へのレーザー光の照射量の調整は、被検
査受光素子と同程度の等価な受光面積をもつ光パワーセ
ンサを被検査位置において、光パワーセンサの出力信号
に基づいてレーザーダイオードの順電流を調整して行
う。
査受光素子と同程度の等価な受光面積をもつ光パワーセ
ンサを被検査位置において、光パワーセンサの出力信号
に基づいてレーザーダイオードの順電流を調整して行
う。
［実施例］ 次に本考案について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本考案の実施例１の概略構成図である。図にお
いて、本考案に係る半導体受光素子の検査装置は、レー
ザーダイオードモジュール１と、光パワーセンサ６と、
光パワーメータ７と、ＡＰＣ電源５と、ＤＣ特性測定器
１３とを有し、ウェハープローバ１１の測定用探針８を
半導体受光素子に押しあて測定用探針８を通して信号を
半導体受光素子に供給し、半導体受光素子を検査する半
導体受光素子の検査装置である。レーザーダイオードモ
ジュール１はレーザーダイオード２とモニター用フォト
ダイオード３を内蔵しており、レーザーダイオードモジ
ュール１は、ウェハープローバ１１の測定用探針８が押
しあてられる被検査ウェハー９上の被検査受光素子及び
その周辺の受光素子に対してレーザー光を照射するもの
である。
いて、本考案に係る半導体受光素子の検査装置は、レー
ザーダイオードモジュール１と、光パワーセンサ６と、
光パワーメータ７と、ＡＰＣ電源５と、ＤＣ特性測定器
１３とを有し、ウェハープローバ１１の測定用探針８を
半導体受光素子に押しあて測定用探針８を通して信号を
半導体受光素子に供給し、半導体受光素子を検査する半
導体受光素子の検査装置である。レーザーダイオードモ
ジュール１はレーザーダイオード２とモニター用フォト
ダイオード３を内蔵しており、レーザーダイオードモジ
ュール１は、ウェハープローバ１１の測定用探針８が押
しあてられる被検査ウェハー９上の被検査受光素子及び
その周辺の受光素子に対してレーザー光を照射するもの
である。
レーザーダイオード２の発光出力は光ファイバ４を通っ
てウェハー上の被検査受光素子９及びその周辺の受光素
子へ照射される。光ファイバ４の一端はウエハープロー
バ11に固定されている。光パワーセンサ６は、ウェハー
９上の被検査受光素子とほぼ同程度の受光面積を有し、
レーザーダイオードモジュール１より照射される光パワ
ーを測定用探針８の真下位置で検出するものである。光
パワーメータ７は、光パワーセンサ６の検出信号に基づ
いて、レーザーダイオードモジュール１による光パワー
を調整するための信号を出力するものである。
てウェハー上の被検査受光素子９及びその周辺の受光素
子へ照射される。光ファイバ４の一端はウエハープロー
バ11に固定されている。光パワーセンサ６は、ウェハー
９上の被検査受光素子とほぼ同程度の受光面積を有し、
レーザーダイオードモジュール１より照射される光パワ
ーを測定用探針８の真下位置で検出するものである。光
パワーメータ７は、光パワーセンサ６の検出信号に基づ
いて、レーザーダイオードモジュール１による光パワー
を調整するための信号を出力するものである。
ＡＰＣ電源５は、レーザーダイオードモジュール１を駆
動制御するものであり、光パワー調整時に光パワーメー
タ７よりの出力信号に対応してレーザーダイオードモジ
ュール１のレーザーダイオード２の発光出力を被検査受
光素子の特性に合うように調整可能であり、また光パワ
ー調整後の被検査受光素子の検査時にレーザーダイオー
ドモジュールのモニタ用フォトダイオード３からのフィ
ードバックに基づいて前記調整済の発光出力に対するレ
ーザーダイオード２の発光出力の変動を調整するもので
ある。
動制御するものであり、光パワー調整時に光パワーメー
タ７よりの出力信号に対応してレーザーダイオードモジ
ュール１のレーザーダイオード２の発光出力を被検査受
光素子の特性に合うように調整可能であり、また光パワ
ー調整後の被検査受光素子の検査時にレーザーダイオー
ドモジュールのモニタ用フォトダイオード３からのフィ
ードバックに基づいて前記調整済の発光出力に対するレ
ーザーダイオード２の発光出力の変動を調整するもので
ある。
ＤＣ特性測定器１３は、ＡＰＣ電源５に対して、レーザ
ーダイオードモジュール１の点灯，消灯の指令を発する
とともに、被検査受光素子の光電変換特性を測定するも
のである。被検査半導体受光素子９の受光特性測定時に
はＤＣ特性測定器13は先ずＡＰＣ電源５に対し、ＯＮ信
号を送りレーザー光を被検査半導体受光素子９に照射さ
せてから、特性測定を行なう。10はウエハー吸着ステー
ジ、11はウエハープローバ、12は遮光カバーである。
ーダイオードモジュール１の点灯，消灯の指令を発する
とともに、被検査受光素子の光電変換特性を測定するも
のである。被検査半導体受光素子９の受光特性測定時に
はＤＣ特性測定器13は先ずＡＰＣ電源５に対し、ＯＮ信
号を送りレーザー光を被検査半導体受光素子９に照射さ
せてから、特性測定を行なう。10はウエハー吸着ステー
ジ、11はウエハープローバ、12は遮光カバーである。
本考案によれば、発光出力の安定化を図ることが可能に
なり、また量子効率の測定が可能になる等のメリットが
ある。
なり、また量子効率の測定が可能になる等のメリットが
ある。
（実施例２） 第２図は、本考案の実施例２の構成図である。レーザー
ダイオードモジュール１に内蔵されているサーミスタ15
はレーザーダイオード２の温度を検出し、ペルチェ素子
16はレーザーダイオード２の温度を制御するように配置
されている。サーミスタ15とペルチェ素子16は温度コン
トローラ14に接続されていてレーザーダイオード２の温
度が常に一定となるように制御される。この実施例で
は、レーザーダイオード２の温度変化による発光波長の
変化等を押えることができるのでさらに再現性を向上で
きる。
ダイオードモジュール１に内蔵されているサーミスタ15
はレーザーダイオード２の温度を検出し、ペルチェ素子
16はレーザーダイオード２の温度を制御するように配置
されている。サーミスタ15とペルチェ素子16は温度コン
トローラ14に接続されていてレーザーダイオード２の温
度が常に一定となるように制御される。この実施例で
は、レーザーダイオード２の温度変化による発光波長の
変化等を押えることができるのでさらに再現性を向上で
きる。
［考案の効果］ 以上説明したように本考案は光源としてレーザーダイオ
ードを用い、発光出力の安定化を図ることにより、半導
体受光素子の光電変換特性の高精度，高安定度の測定が
可能となり、機械的な動作部分が無くなるため、検査時
間が短縮できる。さらに、光パワーセンサ及び光パワー
メータを使って被検査半導体受光素子への照射光パワー
を受光素子の特性に合わせて調整することができ、した
がって受光素子の光電変換特性を正確に測定することが
でき、しかも、その調整された光パワーに対するレーザ
ーダイオード発光量をフィードバックすることにより、
その調整された光パワーを安定化させることができる。
また、白色光源では測定が不可能であった量子効率の測
定が可能となり、また光源自身の寿命も長くなる等のメ
リットがある。
ードを用い、発光出力の安定化を図ることにより、半導
体受光素子の光電変換特性の高精度，高安定度の測定が
可能となり、機械的な動作部分が無くなるため、検査時
間が短縮できる。さらに、光パワーセンサ及び光パワー
メータを使って被検査半導体受光素子への照射光パワー
を受光素子の特性に合わせて調整することができ、した
がって受光素子の光電変換特性を正確に測定することが
でき、しかも、その調整された光パワーに対するレーザ
ーダイオード発光量をフィードバックすることにより、
その調整された光パワーを安定化させることができる。
また、白色光源では測定が不可能であった量子効率の測
定が可能となり、また光源自身の寿命も長くなる等のメ
リットがある。
第１図は本考案の実施例１を示す構成図、第２図は本考
案の実施例２を示す構成図、、第３図は従来の検査装置
を示す構成図である。 １……レーザーダイオードモジュール ２……レーザーダイオード ３……モニター用フォトダイオード ４……光ファイバ、５……ＡＰＣ電源 ６……光パワーセンサ、７……光パワーメータ ８……測定用探針、９……被検査半導体受光素子 10……ウエハー吸着ステージ 11……ウエハープローバ、12……遮光カバー 13……ＤＣ特性測定器、14……温度コントローラ 15……サーミスタ、16……ペルチェ素子 17……白色光源、18……シャッタ 19……タングステンハロゲンランプ 20……バンドルファイバ、21……太陽電池 22……電流計、23……シャッタ駆動部 24……安定化電源
案の実施例２を示す構成図、、第３図は従来の検査装置
を示す構成図である。 １……レーザーダイオードモジュール ２……レーザーダイオード ３……モニター用フォトダイオード ４……光ファイバ、５……ＡＰＣ電源 ６……光パワーセンサ、７……光パワーメータ ８……測定用探針、９……被検査半導体受光素子 10……ウエハー吸着ステージ 11……ウエハープローバ、12……遮光カバー 13……ＤＣ特性測定器、14……温度コントローラ 15……サーミスタ、16……ペルチェ素子 17……白色光源、18……シャッタ 19……タングステンハロゲンランプ 20……バンドルファイバ、21……太陽電池 22……電流計、23……シャッタ駆動部 24……安定化電源
Claims (1)
- 【請求項１】レーザーダイオードモジュールと、光パワ
ーセンサと、光パワーメータと、ＡＰＣ電源と、ＤＣ特
性測定器とを有し、ウェハープローバの測定用探針を半
導体受光素子に押しあて該測定用探針を通して信号を半
導体受光素子に供給し、半導体受光素子を検査する半導
体受光素子の検査装置であって、 レーザーダイオードモジュールは、ウェハープローバの
測定用探針が押しあてられるウェハー上の被検査受光素
子及びその周辺の受光素子に対してレーザー光を照射す
るものであり、 光パワーセンサは、前記ウェハー上の被検査受光素子と
ほぼ同程度の受光面積を有し、レーザーダイオードモジ
ュールより照射される光パワーを前記測定用探針の真下
位置で検出するものであり、 光パワーメータは、光パワーセンサの検出信号に基づい
て、レーザーダイオードモジュールによる光パワーを調
整するための信号を出力するものであり、 ＡＰＣ電源は、レーザーダイオードモジュールを駆動制
御するものであり、光パワー調整時に光パワーメータよ
りの出力信号に対応してレーザーダイオードモジュール
の発光出力を被検査受光素子の特性に合うように調整可
能であり、また光パワー調整後の受光素子の検査時にレ
ーザーダイオードモジュールの発光のフィードバックに
基づいて前記調整済の発光出力に対するレーザーダイオ
ードモジュールの発光出力の変動を調整するものであ
り、 ＤＣ特性測定器は、ＡＰＣ電源に対して、レーザーダイ
オードモジュールの点灯，消灯の指令を発するととも
に、被検査受光素子の光電変換特性を測定するものであ
ることを特徴とする半導体受光素子の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987187505U JPH0617292Y2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体受光素子の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987187505U JPH0617292Y2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体受光素子の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191264U JPH0191264U (ja) | 1989-06-15 |
| JPH0617292Y2 true JPH0617292Y2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=31478653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987187505U Expired - Lifetime JPH0617292Y2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体受光素子の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617292Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805834B1 (ko) * | 2006-01-09 | 2008-02-21 | 삼성전자주식회사 | 수광소자의 테스트 장치 및 그 방법 |
| JP5202026B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-06-05 | 三菱電機株式会社 | レーザスクライブ装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178742A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子の特性測定方法 |
| JPS6168324U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | ||
| JPS62145356U (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | ||
| JPS62261187A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ−ユニツト |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP1987187505U patent/JPH0617292Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0191264U (ja) | 1989-06-15 |
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