JPS62261187A - 半導体レ−ザ−ユニツト - Google Patents
半導体レ−ザ−ユニツトInfo
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- JPS62261187A JPS62261187A JP10449686A JP10449686A JPS62261187A JP S62261187 A JPS62261187 A JP S62261187A JP 10449686 A JP10449686 A JP 10449686A JP 10449686 A JP10449686 A JP 10449686A JP S62261187 A JPS62261187 A JP S62261187A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02453—Heating, e.g. the laser is heated for stabilisation against temperature fluctuations of the environment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、例えば、レーザープリンタ等に用いることが
できる半導体レーザーユニットに関する。
できる半導体レーザーユニットに関する。
(従来技術)
半導体レーザーを用いたレーザープリンタの画像品質を
決定する要因の一つとして感光体面上でのレーザーのビ
ーム径がある。レーザーのビーム径は一般的に温度特性
をもっていて、温度が変化するとビーム径が変動して画
像品質を劣化させる。
決定する要因の一つとして感光体面上でのレーザーのビ
ーム径がある。レーザーのビーム径は一般的に温度特性
をもっていて、温度が変化するとビーム径が変動して画
像品質を劣化させる。
そこで、半導体レーザーの温度を一定の範囲内に制御し
てレーザーのビーム径の変動を抑制する技術が提案され
ている。特公昭57−74757号公報記載の「情報記
録装置」はその一つである。
てレーザーのビーム径の変動を抑制する技術が提案され
ている。特公昭57−74757号公報記載の「情報記
録装置」はその一つである。
しかし、従来の半導体レーザーユニットによれば、半導
体レーザーと加熱部材との間に放熱部材が介装された構
造になっていて、放熱部材を設けることが熱容量を増大
させることになるため、加熱時の負荷が大きくなって温
度制御の応答性を劣化させる要因となっていた。
体レーザーと加熱部材との間に放熱部材が介装された構
造になっていて、放熱部材を設けることが熱容量を増大
させることになるため、加熱時の負荷が大きくなって温
度制御の応答性を劣化させる要因となっていた。
(目的)
本発明は、熱容量を小さくして加熱時の負荷を小さくし
、温度制御時の応答性の良い半導体レーザーユニットを
堤供することを目的とする。
、温度制御時の応答性の良い半導体レーザーユニットを
堤供することを目的とする。
(構成)
本発明は、レーザーダイオード保持部材を熱伝導率の高
い材料で作ると共に、このレーザーダイオード保持部材
の表面の上記レーザーダイオード取付位置の周りに抵抗
体と感熱素子を印刷により形成し、上記抵抗体への通電
を上記感熱素子の検知温度に基づいて制御することによ
りレーザーダイオードの温度を一定の範囲内に保ちうる
ようにしたことを特徴とする。
い材料で作ると共に、このレーザーダイオード保持部材
の表面の上記レーザーダイオード取付位置の周りに抵抗
体と感熱素子を印刷により形成し、上記抵抗体への通電
を上記感熱素子の検知温度に基づいて制御することによ
りレーザーダイオードの温度を一定の範囲内に保ちうる
ようにしたことを特徴とする。
以下、本発明に係る半導体レーザーユニットの実施例を
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第1図及び第2図において、符号1で示されているレー
ザーダイオードは、リング状のレーザーダイオード保持
部材2の内径部に嵌合されて固定されている。上記保持
部材2は、熱伝導率の高い材料、例えば、アルミナセラ
ミックスで作られている。この保持部材2の表面には、
第2図に示されているように、レーザーダイオード1を
取りつけるべき位置の周りに、抵抗体3が波打ち状に印
刷により形成されると共に、さらにその外周部に感熱素
子4がリング状に印刷により形成されている。これら抵
抗体3と感熱素子4の両端部からは端子5が出ている。
ザーダイオードは、リング状のレーザーダイオード保持
部材2の内径部に嵌合されて固定されている。上記保持
部材2は、熱伝導率の高い材料、例えば、アルミナセラ
ミックスで作られている。この保持部材2の表面には、
第2図に示されているように、レーザーダイオード1を
取りつけるべき位置の周りに、抵抗体3が波打ち状に印
刷により形成されると共に、さらにその外周部に感熱素
子4がリング状に印刷により形成されている。これら抵
抗体3と感熱素子4の両端部からは端子5が出ている。
そして、上記保持部材2の表面には上記抵抗体3と感熱
素子4の上から絶縁保護層がコーティングしである。
素子4の上から絶縁保護層がコーティングしである。
上記保持部材2の外周には、熱伝導率の低い材料、例え
ば、ジルコニアセラミックス、フェノール樹脂等でリン
グ状に形成された断熱材6が一体に嵌合されている。断
熱材6はさらに、クロムモリブデン鋼等で作られたダイ
オード受け7の内周部に一体に嵌合されている。ダイオ
ード受け7にはフェノール樹脂等で作られた押さえ板8
が固定され、この押さえ板8がレーザーダイオード1を
背後から押すことにより、レーザーダイオード1が保持
部材2やダイオード受け7等に対し所定の相対位置関係
をもって固定されている。
ば、ジルコニアセラミックス、フェノール樹脂等でリン
グ状に形成された断熱材6が一体に嵌合されている。断
熱材6はさらに、クロムモリブデン鋼等で作られたダイ
オード受け7の内周部に一体に嵌合されている。ダイオ
ード受け7にはフェノール樹脂等で作られた押さえ板8
が固定され、この押さえ板8がレーザーダイオード1を
背後から押すことにより、レーザーダイオード1が保持
部材2やダイオード受け7等に対し所定の相対位置関係
をもって固定されている。
上記ダイオード受け7はレンズ座11に固着されている
。レンズ座11は内径部にねじ部を有し、このねじ部に
レンズセル10が螺合されている。
。レンズ座11は内径部にねじ部を有し、このねじ部に
レンズセル10が螺合されている。
レンズ座11及びレンズセル10は、クロムモリブデン
鋼等によって作られる。レンズセル10の内径部にはコ
リメータレンズ9が接着により固定されている。レンズ
座11に対してダイオード受け7を回転させることによ
りレーザーダイオード1の出射点とコリメータレンズ9
の光軸位置の調整を行うことができ、レンズ座11に対
してレンズセル10を回転させることによりコリメート
調整を行うことができる。調整後にこれらをねじ止め等
によって固定する。
鋼等によって作られる。レンズセル10の内径部にはコ
リメータレンズ9が接着により固定されている。レンズ
座11に対してダイオード受け7を回転させることによ
りレーザーダイオード1の出射点とコリメータレンズ9
の光軸位置の調整を行うことができ、レンズ座11に対
してレンズセル10を回転させることによりコリメート
調整を行うことができる。調整後にこれらをねじ止め等
によって固定する。
前記端子5及びレーザーダイオード1から出た端子はプ
リント基板12に接続されている。プリント基板12に
は温度制御回路が構成されていて、抵抗体3への通電を
感熱素子4の検知温度に基づいて制御することによりレ
ーザーダイオード1の温度を一定の範囲内に保ちうるよ
うになっている。
リント基板12に接続されている。プリント基板12に
は温度制御回路が構成されていて、抵抗体3への通電を
感熱素子4の検知温度に基づいて制御することによりレ
ーザーダイオード1の温度を一定の範囲内に保ちうるよ
うになっている。
上記実施例に係る構造によれば、レーザーダイオードl
とその保持部材2との間に放熱部材が介在することなく
、保持部材2に印刷により形成された抵抗体3によりレ
ーザーダイオード1が加熱され、しかも、レーザーダイ
オード1の保持部材2は、熱伝導率が高く比熱が小さい
アルミナセラミックス等で作られ、かつ保持部材2の表
面に抵抗体3が印刷により形成されるとこにより上記保
持部材2は線膨張係数の小さいセラミックヒータ−を構
成しており、このセラミックヒータ−によりレーザーダ
イオード1が温度制御されるようになっているため、温
度制御効率が高く、設定温度に対する応答の速い温度制
御を行うことができ、もって、波長シフトを抑制するこ
とができる。また、レーザーダイオード1及びその保持
部材2以外の構造体は線膨張係数の小さい材質で作られ
、かつ、レーザーダイオード1とコリメータレンズ9と
の間での部材の重なりが少ないため、温度変化による各
部材の相対位置変動、特にレーザーダイオード1とコリ
メータレンズ9との相対位置変動を少なくすることがで
き、この点からもレーザーのビーム径の変動を少なくす
ることができるし、半導体レーザーユニット全体の形態
をコンパクトにすることができる。
とその保持部材2との間に放熱部材が介在することなく
、保持部材2に印刷により形成された抵抗体3によりレ
ーザーダイオード1が加熱され、しかも、レーザーダイ
オード1の保持部材2は、熱伝導率が高く比熱が小さい
アルミナセラミックス等で作られ、かつ保持部材2の表
面に抵抗体3が印刷により形成されるとこにより上記保
持部材2は線膨張係数の小さいセラミックヒータ−を構
成しており、このセラミックヒータ−によりレーザーダ
イオード1が温度制御されるようになっているため、温
度制御効率が高く、設定温度に対する応答の速い温度制
御を行うことができ、もって、波長シフトを抑制するこ
とができる。また、レーザーダイオード1及びその保持
部材2以外の構造体は線膨張係数の小さい材質で作られ
、かつ、レーザーダイオード1とコリメータレンズ9と
の間での部材の重なりが少ないため、温度変化による各
部材の相対位置変動、特にレーザーダイオード1とコリ
メータレンズ9との相対位置変動を少なくすることがで
き、この点からもレーザーのビーム径の変動を少なくす
ることができるし、半導体レーザーユニット全体の形態
をコンパクトにすることができる。
感熱素子4の検知温度に基づく抵抗体3への通電制御は
、周知の制御回路によって行うことができる。第3図は
、本発明に通用可能な温度制御回路の例を示すものであ
って、レーザーダイオード保持部材2に印刷により形成
された感熱素子4の温度変化信号を増幅器14で電圧信
号に変換し、これを比較515で設定温度に見合う基準
電圧Vrefと比較し、この比較信号をローパスフィル
ター16を通してヒーター駆動回路17に入力し、この
ヒーター駆動回路17が上記比較信号に基づきレーザー
ダイオード保持部材2に印刷により形成された抵抗体3
への通電を制御するようになっている。
、周知の制御回路によって行うことができる。第3図は
、本発明に通用可能な温度制御回路の例を示すものであ
って、レーザーダイオード保持部材2に印刷により形成
された感熱素子4の温度変化信号を増幅器14で電圧信
号に変換し、これを比較515で設定温度に見合う基準
電圧Vrefと比較し、この比較信号をローパスフィル
ター16を通してヒーター駆動回路17に入力し、この
ヒーター駆動回路17が上記比較信号に基づきレーザー
ダイオード保持部材2に印刷により形成された抵抗体3
への通電を制御するようになっている。
上記第3図の制御回路によれば、レーザーダイオード1
の温度が設定された基準温度より低くなると抵抗体3に
通電されてレーザーダイオード1が加熱され、レーザー
ダイオード1の温度が基準温度より高くなると抵抗体3
への通電が停止され、レーザーダイオード1の温度が設
定された所定の範囲内に保たれる。第4図は、このよう
な温度制御特性を示す。
の温度が設定された基準温度より低くなると抵抗体3に
通電されてレーザーダイオード1が加熱され、レーザー
ダイオード1の温度が基準温度より高くなると抵抗体3
への通電が停止され、レーザーダイオード1の温度が設
定された所定の範囲内に保たれる。第4図は、このよう
な温度制御特性を示す。
このようにしてレーザーダイオード1の温度が所定の設
定範囲内に制御されることにより、レーザーダイオード
1から出射されるレーザー光の波長シフトが抑制され、
これをレーザープリンター等に通用した場合、感光体面
上でのビーム径の変動が抑制され、形成される画像の品
質の劣化を防止することができる。
定範囲内に制御されることにより、レーザーダイオード
1から出射されるレーザー光の波長シフトが抑制され、
これをレーザープリンター等に通用した場合、感光体面
上でのビーム径の変動が抑制され、形成される画像の品
質の劣化を防止することができる。
(効果)
本発明によれば、熱伝導率の高いレーザーダイオード保
持部材に抵抗体と感熱素子とを印刷により形成し、この
保持部材にレーザーダイオードを取りつけ、上記感熱素
子の検知温度に基づいて上記抵抗体への通電を制御して
レーザーダイオードの温度を一定の範囲内に保つように
したから、抵抗体を形成したレーザーダイオード保持部
材の熱容量が小さく、抵抗体への通電による加熱時の負
荷が小さくなり、設定温度に対する応答の速い制御を行
うことができる。また、レーザーダイオード保持部材に
対し放熱部材等を介在させることなく直接的にレーザー
ダイオードを取りつけたため、全体の形態をコンパクト
にすることができる。
持部材に抵抗体と感熱素子とを印刷により形成し、この
保持部材にレーザーダイオードを取りつけ、上記感熱素
子の検知温度に基づいて上記抵抗体への通電を制御して
レーザーダイオードの温度を一定の範囲内に保つように
したから、抵抗体を形成したレーザーダイオード保持部
材の熱容量が小さく、抵抗体への通電による加熱時の負
荷が小さくなり、設定温度に対する応答の速い制御を行
うことができる。また、レーザーダイオード保持部材に
対し放熱部材等を介在させることなく直接的にレーザー
ダイオードを取りつけたため、全体の形態をコンパクト
にすることができる。
第1図は本発明に係る半導体レーザーユニットの実施例
を示す断面図、第2図は同上実施例中のレーザーダイオ
ード保持部材を示す背面図、第3図は本発明に通用可能
な温度制御回路の例を示すブロック図、第4図は同上制
御回路による温度制御動作を示す線図である。 1・・レーザーダイオード、 2・・レーザーダイオ
ード保持部材、 3・・抵抗体、 4・・感熱素子。 環岬3最長
を示す断面図、第2図は同上実施例中のレーザーダイオ
ード保持部材を示す背面図、第3図は本発明に通用可能
な温度制御回路の例を示すブロック図、第4図は同上制
御回路による温度制御動作を示す線図である。 1・・レーザーダイオード、 2・・レーザーダイオ
ード保持部材、 3・・抵抗体、 4・・感熱素子。 環岬3最長
Claims (1)
- レーザーダイオードと、このレーザーダイオードが取り
つけられていて、表面の上記レーザーダイオード取付位
置の周りに抵抗体と感熱素子を印刷により形成してなる
熱伝導率の高いレーザーダイオード保持部材とを有して
なり、上記抵抗体への通電を上記感熱素子の検知温度に
基づいて制御することによりレーザーダイオードの温度
を一定の範囲内に保ちうるようにした半導体レーザーユ
ニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10449686A JPS62261187A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体レ−ザ−ユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10449686A JPS62261187A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体レ−ザ−ユニツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62261187A true JPS62261187A (ja) | 1987-11-13 |
Family
ID=14382133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10449686A Pending JPS62261187A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体レ−ザ−ユニツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62261187A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0191264U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | ||
JP2005142395A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光源ユニット |
JP2012228837A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Kyocera Document Solutions Inc | 露光装置および画像形成装置 |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP10449686A patent/JPS62261187A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0191264U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | ||
JP2005142395A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光源ユニット |
JP4559058B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2010-10-06 | リコー光学株式会社 | 光源ユニットの光軸設定方法および光源ユニット、光走査装置、画像読取装置および画像形成装置 |
JP2012228837A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Kyocera Document Solutions Inc | 露光装置および画像形成装置 |
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