JPH06167669A - 集積型ガルバノメータ走査デバイス - Google Patents
集積型ガルバノメータ走査デバイスInfo
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- JPH06167669A JPH06167669A JP5190400A JP19040093A JPH06167669A JP H06167669 A JPH06167669 A JP H06167669A JP 5190400 A JP5190400 A JP 5190400A JP 19040093 A JP19040093 A JP 19040093A JP H06167669 A JPH06167669 A JP H06167669A
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- planar substrate
- front surface
- back surface
- silicon wafer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/10—Scanning systems
- G02B26/105—Scanning systems with one or more pivoting mirrors or galvano-mirrors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速動作可能な集積型ガルバノメータ走査デ
バイスを提供する。 【構成】 シリコンウェハ１２の前面から背面へ延びる
よう、縦スロット１４及び１６を設ける。背面には、縦
スロット１４から１６に亘る２本の溝を設ける。これら
縦スロット１４及び１６並びに２本の溝によって区画さ
れる中央部２４に、磁石を設け、その背面に、磁気回路
を取り付ける。中央部２４は反射面を有する。磁石及び
磁気回路によって反射面が駆動される。反射面の偏向が
ウェハ１２の応力ゲージにより検出され、光ビーム２３
の偏向が検出される。部品はウェハ１２に集積され、ウ
ェハ１２に形成され又は搭載される。
バイスを提供する。 【構成】 シリコンウェハ１２の前面から背面へ延びる
よう、縦スロット１４及び１６を設ける。背面には、縦
スロット１４から１６に亘る２本の溝を設ける。これら
縦スロット１４及び１６並びに２本の溝によって区画さ
れる中央部２４に、磁石を設け、その背面に、磁気回路
を取り付ける。中央部２４は反射面を有する。磁石及び
磁気回路によって反射面が駆動される。反射面の偏向が
ウェハ１２の応力ゲージにより検出され、光ビーム２３
の偏向が検出される。部品はウェハ１２に集積され、ウ
ェハ１２に形成され又は搭載される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に走査システムに
関し、より詳細には、光ビームを制御可能に偏向する走
査鏡を有するガルバノメータに関する。
関し、より詳細には、光ビームを制御可能に偏向する走
査鏡を有するガルバノメータに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】レーザ
熱転写印刷システム等の再生装置においては、所望の印
刷結果を達成すべく、光ビームを鏡を用いてチルト又は
偏向させる。光ビームの偏向には、ガルバノメータが伝
統的に使用されている。ガルバノメータは、典型的に
は、鏡と、鏡を偏向するメカニズムと、鏡の偏向量を決
定するメカニズムと、どの程度の偏向が所望されている
かに関する情報を提供する磁気回路とを有する。従来の
ガルバノメータは、低帯域に限定されているか、または
構成が複雑でコストが高くついてしまっていた。
熱転写印刷システム等の再生装置においては、所望の印
刷結果を達成すべく、光ビームを鏡を用いてチルト又は
偏向させる。光ビームの偏向には、ガルバノメータが伝
統的に使用されている。ガルバノメータは、典型的に
は、鏡と、鏡を偏向するメカニズムと、鏡の偏向量を決
定するメカニズムと、どの程度の偏向が所望されている
かに関する情報を提供する磁気回路とを有する。従来の
ガルバノメータは、低帯域に限定されているか、または
構成が複雑でコストが高くついてしまっていた。
【０００３】ガルバノメータには、まず、鏡を非常に素
早く偏向させるという性能が要求される。このような要
求が満たされれば、合理的な速度で印刷することが可能
になる。しかし、ガルバノメータの反応速度は構成の複
雑さによって妨げられてきた。以上のことから理解され
るように、鏡を非常に素早く偏向することが可能であ
り、構成が単純で比較的安価なガルバノメータを有する
ことが望ましい。また、サイズがコンパクトで、しかも
高帯域を有するガルバノメータを有することが望まし
い。
早く偏向させるという性能が要求される。このような要
求が満たされれば、合理的な速度で印刷することが可能
になる。しかし、ガルバノメータの反応速度は構成の複
雑さによって妨げられてきた。以上のことから理解され
るように、鏡を非常に素早く偏向することが可能であ
り、構成が単純で比較的安価なガルバノメータを有する
ことが望ましい。また、サイズがコンパクトで、しかも
高帯域を有するガルバノメータを有することが望まし
い。
【０００４】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記の問題を１つ以上克服することを目的とするものであ
る。簡潔に述べると、本発明の第１の構成に係り光ビー
ムを制御可能に偏向する集積型ガルバノメータ走査デバ
イスは、プレーナ基板を有する。プレーナ基板は前面及
び背面を有する。プレーナ基板には、前面から背面へ延
びるよう第１及び第２の縦スロットが形成される。第１
の縦スロットと第２の縦スロットの間には、上側と下側
にそれぞれ溝が形成される。これらの縦スロット及び溝
により、外側部と中央部とが区分され、比較的可とう性
を有する可とう部材が溝を覆うよう配置される。反射部
材は、プレーナ基板の前面又は背面のうち一方の中央部
に設けられる。プレーナ基板の例えば背面の中央部には
例えば磁石が取り付けられており、プレーナ基板の例え
ば背面には例えば磁気回路が取り付けられる。
記の問題を１つ以上克服することを目的とするものであ
る。簡潔に述べると、本発明の第１の構成に係り光ビー
ムを制御可能に偏向する集積型ガルバノメータ走査デバ
イスは、プレーナ基板を有する。プレーナ基板は前面及
び背面を有する。プレーナ基板には、前面から背面へ延
びるよう第１及び第２の縦スロットが形成される。第１
の縦スロットと第２の縦スロットの間には、上側と下側
にそれぞれ溝が形成される。これらの縦スロット及び溝
により、外側部と中央部とが区分され、比較的可とう性
を有する可とう部材が溝を覆うよう配置される。反射部
材は、プレーナ基板の前面又は背面のうち一方の中央部
に設けられる。プレーナ基板の例えば背面の中央部には
例えば磁石が取り付けられており、プレーナ基板の例え
ば背面には例えば磁気回路が取り付けられる。
【０００５】反射部材の望まない発振は、ダンピングを
行って制御する。ダンピングは、プレーナ基板背面に設
けられたエラストマ素材か、又はプレーナ基板に埋め込
まれたセンサによって行われる。このセンサは反射部材
の角度的偏向に関する出力を有する。リードネットワー
クは、埋め込まれた位置センサからフィードバックを受
け取る。
行って制御する。ダンピングは、プレーナ基板背面に設
けられたエラストマ素材か、又はプレーナ基板に埋め込
まれたセンサによって行われる。このセンサは反射部材
の角度的偏向に関する出力を有する。リードネットワー
クは、埋め込まれた位置センサからフィードバックを受
け取る。
【０００６】ウェハの偏向は、応力ゲージ、半導体又は
光センサにより検出する。応力ゲージは、プレーナ基板
の前面に取り付けられた抵抗素子である。応力ゲージ
は、可とう部分に蒸着、接着又は埋め込まれている。
光センサにより検出する。応力ゲージは、プレーナ基板
の前面に取り付けられた抵抗素子である。応力ゲージ
は、可とう部分に蒸着、接着又は埋め込まれている。
【０００７】本発明は、単一のシリコン又はその他の類
似のウェハに部品及び機能を集積するものである。ま
た、磁気回路が、コンパクトな単一構造を形成するウェ
ハに取り付けられている。
似のウェハに部品及び機能を集積するものである。ま
た、磁気回路が、コンパクトな単一構造を形成するウェ
ハに取り付けられている。
【０００８】本発明のこれら及びその他の面、目的、特
徴及び利点は、以下の好ましい実施様態の詳細な説明及
び付随の特許請求の範囲を概観し、添付図面を参照する
ことにより、より明らかに理解され、評価される。
徴及び利点は、以下の好ましい実施様態の詳細な説明及
び付随の特許請求の範囲を概観し、添付図面を参照する
ことにより、より明らかに理解され、評価される。
【０００９】
【実施例】図１には、本発明の一実施例に係るガルバノ
メータ１０の前面が示されている。また、図２には、図
１に示されるガルバノメータ１０の２−２断面が示され
ている。図１及び図２に示されるガルバノメータ１０
は、単一の基板１２及びその上に搭載された複数の部品
を有している。基板１２は好ましくはシリコンウェハで
あり、２個の縦スロット１４及び１６並びに上側及び下
側の溝１８及び２０を有している。縦スロット１４及び
１６並びに上側及び下側の溝１８及び２０は、ウェハ１
２のほぼ中央部２４を他の部分から区分する。区分され
た中央部２４は、反射部分として使用される。溝１８及
び２０はそれぞれポケットを形成しており、所定の深さ
に切り込まれている。溝１８及び２０の深さは、ウェハ
の部分２２がわずかに撓みし又は屈曲し、これによりウ
ェハ１２の中央部２４を周辺に対して移動させるのに十
分な深さである。ただし、破損や初期故障が発生しない
程度の深さである。溝１８及び２０により形成されるポ
ケット内部には、隆起したリブ１９が残されている。こ
のリブ１９は、リブ１９に対して平行な面に沿った曲げ
に対し、溝１８及び２０により形成される屈曲部を強化
している。図中、溝１８及び２０は縦スロット１４及び
１６の端部に配置されているが、これ以外の位置に配置
することも可能である。ただし、中央部２４が光ビーム
２３を偏向するのに十分にゆがめられることが必要であ
る。
メータ１０の前面が示されている。また、図２には、図
１に示されるガルバノメータ１０の２−２断面が示され
ている。図１及び図２に示されるガルバノメータ１０
は、単一の基板１２及びその上に搭載された複数の部品
を有している。基板１２は好ましくはシリコンウェハで
あり、２個の縦スロット１４及び１６並びに上側及び下
側の溝１８及び２０を有している。縦スロット１４及び
１６並びに上側及び下側の溝１８及び２０は、ウェハ１
２のほぼ中央部２４を他の部分から区分する。区分され
た中央部２４は、反射部分として使用される。溝１８及
び２０はそれぞれポケットを形成しており、所定の深さ
に切り込まれている。溝１８及び２０の深さは、ウェハ
の部分２２がわずかに撓みし又は屈曲し、これによりウ
ェハ１２の中央部２４を周辺に対して移動させるのに十
分な深さである。ただし、破損や初期故障が発生しない
程度の深さである。溝１８及び２０により形成されるポ
ケット内部には、隆起したリブ１９が残されている。こ
のリブ１９は、リブ１９に対して平行な面に沿った曲げ
に対し、溝１８及び２０により形成される屈曲部を強化
している。図中、溝１８及び２０は縦スロット１４及び
１６の端部に配置されているが、これ以外の位置に配置
することも可能である。ただし、中央部２４が光ビーム
２３を偏向するのに十分にゆがめられることが必要であ
る。
【００１０】中央部２４には鏡が搭載されあるいは研磨
面が設けられている。これにより、光ビーム２３が反射
される。また、この反射面は、全反射薄膜を中央部２４
上に形成することによっても形成できる。この薄膜は、
選択された波長領域を選択的に反射させる。
面が設けられている。これにより、光ビーム２３が反射
される。また、この反射面は、全反射薄膜を中央部２４
上に形成することによっても形成できる。この薄膜は、
選択された波長領域を選択的に反射させる。
【００１１】中央部２４の偏向は、シリコンウェハ１２
上において、比較的可とう性を有する可とう部２２に埋
め込まれ、蒸着され又は接着されている位置センサ２６
によって検出される。位置センサ２６の出力は、ウェハ
１２に搭載され又は埋め込まれている増幅回路２８に供
給されている。増幅回路２８は、ウェハ１２の外に設け
らてもよい。また、位置センサ２６は、光ビーム２３の
偏向を、可とう部２２の偏向量として検出又は測定可能
である。
上において、比較的可とう性を有する可とう部２２に埋
め込まれ、蒸着され又は接着されている位置センサ２６
によって検出される。位置センサ２６の出力は、ウェハ
１２に搭載され又は埋め込まれている増幅回路２８に供
給されている。増幅回路２８は、ウェハ１２の外に設け
らてもよい。また、位置センサ２６は、光ビーム２３の
偏向を、可とう部２２の偏向量として検出又は測定可能
である。
【００１２】可とう部２２の偏向を測定する方法として
は、応力ゲージを用いる方法が好ましい。この応力ゲー
ジは、いずれかの溝（例えば下側の溝２０）近傍に配置
された抵抗素子３０を有しており、溝２０付近の屈曲を
検出する。抵抗素子３０を溝２０を横切るように設けれ
ば、移動量を最も正確に検出できる。これと同様に、第
２の抵抗素子３２を上側の溝１８付近に配置するのが好
ましい。また、第３及び第４の抵抗素子３４及び３６
を、ウェハ１２の前面に配置してもよい。４個の抵抗素
子を用いると、中央部（以下反射面ともいう）２４の屈
曲をより正確に検出できる。４個の抵抗素子を用いる場
合、これらを互いに接続して抵抗ブリッジを構成するの
が好ましい。
は、応力ゲージを用いる方法が好ましい。この応力ゲー
ジは、いずれかの溝（例えば下側の溝２０）近傍に配置
された抵抗素子３０を有しており、溝２０付近の屈曲を
検出する。抵抗素子３０を溝２０を横切るように設けれ
ば、移動量を最も正確に検出できる。これと同様に、第
２の抵抗素子３２を上側の溝１８付近に配置するのが好
ましい。また、第３及び第４の抵抗素子３４及び３６
を、ウェハ１２の前面に配置してもよい。４個の抵抗素
子を用いると、中央部（以下反射面ともいう）２４の屈
曲をより正確に検出できる。４個の抵抗素子を用いる場
合、これらを互いに接続して抵抗ブリッジを構成するの
が好ましい。
【００１３】図３には図１に示されるガルバノメータ１
０の背面が、図４にはその４−４断面が、図５にはその
５−５断面が、それぞれ示されている。また、図６に
は、本発明の他の実施例における４−４断面が、それぞ
れ示されている。図３及び図４に示されるように、ウェ
ハ１２の背面には磁石３８が搭載されている。搭載部位
は、中央部２４の背面とするのが好ましく、また、例え
ばエポキン樹脂やその他の接着剤によって取り付けのが
好ましい。図中、磁石３８のＮ極は左側に、Ｓ極は右側
に、それぞれ示されている。
０の背面が、図４にはその４−４断面が、図５にはその
５−５断面が、それぞれ示されている。また、図６に
は、本発明の他の実施例における４−４断面が、それぞ
れ示されている。図３及び図４に示されるように、ウェ
ハ１２の背面には磁石３８が搭載されている。搭載部位
は、中央部２４の背面とするのが好ましく、また、例え
ばエポキン樹脂やその他の接着剤によって取り付けのが
好ましい。図中、磁石３８のＮ極は左側に、Ｓ極は右側
に、それぞれ示されている。
【００１４】ウェハ１２の背面には、コイル４２を含む
磁気回路が取り付けられている。コイル４２は、図示さ
れていない励磁手段を介して駆動回路に接続されてい
る。励磁手段は、コイル４２により磁界を発生させる。
この磁界は、磁石３８の磁界と相互作用し、これにより
中央部２４が移動する。
磁気回路が取り付けられている。コイル４２は、図示さ
れていない励磁手段を介して駆動回路に接続されてい
る。励磁手段は、コイル４２により磁界を発生させる。
この磁界は、磁石３８の磁界と相互作用し、これにより
中央部２４が移動する。
【００１５】また、図６に示される実施例においては、
ウェハ１２の背面にエラストマ化合物４４が被着されて
いる。このエラストマ化合物４４は、中央部２４の振動
をダンピングする。エラストマ化合物４４は、ウェハ１
２の背面の大部分を覆うように設けてもよいし、中央部
２４のみに設けてもよい。エラストマ化合物４４は、ウ
ェハ１２とＵ字形コア４０の足の間に配置すればよい。
このように配置した場合には、ウェハ１２の主な部分の
振動をダンピングできる。
ウェハ１２の背面にエラストマ化合物４４が被着されて
いる。このエラストマ化合物４４は、中央部２４の振動
をダンピングする。エラストマ化合物４４は、ウェハ１
２の背面の大部分を覆うように設けてもよいし、中央部
２４のみに設けてもよい。エラストマ化合物４４は、ウ
ェハ１２とＵ字形コア４０の足の間に配置すればよい。
このように配置した場合には、ウェハ１２の主な部分の
振動をダンピングできる。
【００１６】動作 磁気回路のコイル４２は、磁石３８と協働し、ウェハ１
２の中央部２４をたわませる。例えば、コイル４２が図
３の電流ｉによって励磁されると、磁石３８の固定Ｎ極
はある方向に反発し、Ｓ極がそれとは反対の方向に吸引
される。これにより、磁石３８が線２−２に一致する軸
の回りに捩じられ、中央部２４とその反射面が偏向す
る。
２の中央部２４をたわませる。例えば、コイル４２が図
３の電流ｉによって励磁されると、磁石３８の固定Ｎ極
はある方向に反発し、Ｓ極がそれとは反対の方向に吸引
される。これにより、磁石３８が線２−２に一致する軸
の回りに捩じられ、中央部２４とその反射面が偏向す
る。
【００１７】シリコン基板１２には、センサ２６が一体
形成されている。このセンサ２６は、中央部２４の反射
面の角度的偏向を測定できる。センサ２６は、各溝１８
及び２０の平坦前面側に応力ゲージを形成すべく、金属
膜を有している。このように金属膜を設けることによ
り、ウェハ１２及び中央部２４の偏向量を、溝１８又は
２０と交差するよう形成されたブリッジによって、検出
することが可能である。この偏向量は、反射面の角度的
偏向に関連する量である。その他の方法としては、ＦＥ
Ｔ等のような埋め込み型半導体デバイスを用いる方法が
ある。つまり、ウェハ１２内にこの種の半導体デバイス
を直接に作り込むことにより、この半導体デバイスか
ら、反射面２４の角度的偏向に関連する出力を得ること
ができる。いずれの構成においても、増幅回路その他の
処理回路を、同じシリコンウェハ１２上に形成すること
ができる。むろん、ウェハ１２から独立させてもよい。
形成されている。このセンサ２６は、中央部２４の反射
面の角度的偏向を測定できる。センサ２６は、各溝１８
及び２０の平坦前面側に応力ゲージを形成すべく、金属
膜を有している。このように金属膜を設けることによ
り、ウェハ１２及び中央部２４の偏向量を、溝１８又は
２０と交差するよう形成されたブリッジによって、検出
することが可能である。この偏向量は、反射面の角度的
偏向に関連する量である。その他の方法としては、ＦＥ
Ｔ等のような埋め込み型半導体デバイスを用いる方法が
ある。つまり、ウェハ１２内にこの種の半導体デバイス
を直接に作り込むことにより、この半導体デバイスか
ら、反射面２４の角度的偏向に関連する出力を得ること
ができる。いずれの構成においても、増幅回路その他の
処理回路を、同じシリコンウェハ１２上に形成すること
ができる。むろん、ウェハ１２から独立させてもよい。
【００１８】シリコンウェハガルバノメータの重要な用
途は、広帯域の外乱を補償することであると考えられ
る。この用途では、共振動作が許されるその他の用途に
比べて周波数応答が平坦であることが望ましい。ガルバ
ノメータの共振を取り除く方法、すなわち周波数応答を
平坦にする方法としては、エラストマ化合物４４を用い
て周波数レスポンスを受動的にダンピングする方法があ
る。他の方法としては、埋め込み型位置センサからのフ
ィードバック情報を、閉ループ動作モードの一部を構成
するリード回路へ入力する方法がある。この閉ループ動
作モードの場合、アクティブダンピングによって平坦な
周波数応答を得ることができ、これにより共振が取り除
かれる。
途は、広帯域の外乱を補償することであると考えられ
る。この用途では、共振動作が許されるその他の用途に
比べて周波数応答が平坦であることが望ましい。ガルバ
ノメータの共振を取り除く方法、すなわち周波数応答を
平坦にする方法としては、エラストマ化合物４４を用い
て周波数レスポンスを受動的にダンピングする方法があ
る。他の方法としては、埋め込み型位置センサからのフ
ィードバック情報を、閉ループ動作モードの一部を構成
するリード回路へ入力する方法がある。この閉ループ動
作モードの場合、アクティブダンピングによって平坦な
周波数応答を得ることができ、これにより共振が取り除
かれる。
【００１９】以上の説明では、好適な実施例について説
明したが、本発明はこの実施例の構成に限定されるもの
ではない。すなわち、当業者は各種の変更を行うことが
可能であり、また均等要素との置換も可能である。ま
た、本発明の本質的な内容を逸脱しない限り、本発明
は、多くの修正によって特定の状況に適用でき、また多
くの機器に使用できる。例えば上述の実施例では磁石が
可動部分に取り付けられており磁気回路は固定状態であ
るが、駆動コイルを可動部分に配置し磁石を固定状態に
保つことも可能である。コア４０は、好ましくは軟鉄
等、高い透磁率を有する素材により形成する。Ｕ字形の
足をウェハ１２の縦スロット１６及び１８の外側に取り
付けることにより、可とう部２２の可動性を損なうこと
なく、磁気回路を設けることができる。
明したが、本発明はこの実施例の構成に限定されるもの
ではない。すなわち、当業者は各種の変更を行うことが
可能であり、また均等要素との置換も可能である。ま
た、本発明の本質的な内容を逸脱しない限り、本発明
は、多くの修正によって特定の状況に適用でき、また多
くの機器に使用できる。例えば上述の実施例では磁石が
可動部分に取り付けられており磁気回路は固定状態であ
るが、駆動コイルを可動部分に配置し磁石を固定状態に
保つことも可能である。コア４０は、好ましくは軟鉄
等、高い透磁率を有する素材により形成する。Ｕ字形の
足をウェハ１２の縦スロット１６及び１８の外側に取り
付けることにより、可とう部２２の可動性を損なうこと
なく、磁気回路を設けることができる。
【００２０】また、鏡、角度を測定するデバイス及び磁
石がすべて単一のウェハに搭載されているデバイスによ
り鏡を非常に素早く偏向させることについて述べたが、
この種のデバイスは、多角形修正デバイス、又は多角形
エラーマスキング修正デバイスとしても用いることが可
能である。
石がすべて単一のウェハに搭載されているデバイスによ
り鏡を非常に素早く偏向させることについて述べたが、
この種のデバイスは、多角形修正デバイス、又は多角形
エラーマスキング修正デバイスとしても用いることが可
能である。
【００２１】以上の記述から明らかなように、本発明の
構成は実施例の詳細に限定されるものではなく、従って
その他の修正及び応用も可能である。本発明の技術的範
囲は、特許請求の範囲の記載によってカバーされる。
構成は実施例の詳細に限定されるものではなく、従って
その他の修正及び応用も可能である。本発明の技術的範
囲は、特許請求の範囲の記載によってカバーされる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シリコンウエハ等のプレーナ基板上に２個の縦スロット
及び２個の溝を設け、これらにより区画形成される中央
部に反射部材を設け、磁石、磁気回路等により構成され
る第１の磁気部材によって反射部材を駆動させるように
したため、鏡を非常に素早く偏向させることが可能とな
り、レーザ熱転写印刷システム等の再生装置に使用した
場合に合理的な速度で印刷することが可能となる。ま
た、構成が単純で比較的安価なガルバノメータを実現で
き、サイズがコンパクトで、しかも高帯域を有するガル
バノメータを実現できる。
シリコンウエハ等のプレーナ基板上に２個の縦スロット
及び２個の溝を設け、これらにより区画形成される中央
部に反射部材を設け、磁石、磁気回路等により構成され
る第１の磁気部材によって反射部材を駆動させるように
したため、鏡を非常に素早く偏向させることが可能とな
り、レーザ熱転写印刷システム等の再生装置に使用した
場合に合理的な速度で印刷することが可能となる。ま
た、構成が単純で比較的安価なガルバノメータを実現で
き、サイズがコンパクトで、しかも高帯域を有するガル
バノメータを実現できる。
【００２３】また、本発明によれば、反射部材を、選択
された波長領域において非常に高い反射性を有するコー
ティングにより、実現できる。また、反射部材の発振を
制御するダンピング手段を、プレーナ基板又は可とう部
材上に設けたエラストマ素材として、あるいはプレーナ
基板と第１の磁気部材との間に配されたエラストマ素材
として、実現できる。
された波長領域において非常に高い反射性を有するコー
ティングにより、実現できる。また、反射部材の発振を
制御するダンピング手段を、プレーナ基板又は可とう部
材上に設けたエラストマ素材として、あるいはプレーナ
基板と第１の磁気部材との間に配されたエラストマ素材
として、実現できる。
【００２４】また、本発明によれば、プレーナ基板にお
ける可とう部材の偏向を検出する検出手段を、プレーナ
基板に埋め込まれ反射部材の角度的偏向に関する出力を
有する半導体により、あるいは各種の応力ゲージによ
り、実現できる。この応力ゲージは、例えば、溝のうち
少なくとも１個を覆うようプレーナ基板の前面及び背面
のうち反射部材が設けられた面に取り付けられた抵抗素
子を有する応力ゲージとして、あるいは上側及び下側の
溝をそれぞれ覆うよう、プレーナ基板の前面及び背面の
うち反射部材が設けられた面に取り付けられた第１及び
第２の抵抗素子を有する応力ゲージとして、あるいはさ
らにプレーナ基板の前面及び背面のうち反射部材が設け
られた面に取り付けられ第１の縦スロットに外側から隣
接する第３の抵抗素子及びプレーナ基板の前面に取り付
けられ第２の縦スロットに外側から隣接する第４の抵抗
素子を有し第１、第２、第３及び第４の抵抗素子が抵抗
ブリッジを形成する応力ゲージとして、実現できる。
ける可とう部材の偏向を検出する検出手段を、プレーナ
基板に埋め込まれ反射部材の角度的偏向に関する出力を
有する半導体により、あるいは各種の応力ゲージによ
り、実現できる。この応力ゲージは、例えば、溝のうち
少なくとも１個を覆うようプレーナ基板の前面及び背面
のうち反射部材が設けられた面に取り付けられた抵抗素
子を有する応力ゲージとして、あるいは上側及び下側の
溝をそれぞれ覆うよう、プレーナ基板の前面及び背面の
うち反射部材が設けられた面に取り付けられた第１及び
第２の抵抗素子を有する応力ゲージとして、あるいはさ
らにプレーナ基板の前面及び背面のうち反射部材が設け
られた面に取り付けられ第１の縦スロットに外側から隣
接する第３の抵抗素子及びプレーナ基板の前面に取り付
けられ第２の縦スロットに外側から隣接する第４の抵抗
素子を有し第１、第２、第３及び第４の抵抗素子が抵抗
ブリッジを形成する応力ゲージとして、実現できる。
【図１】本発明の好適な実施例に係るガルバノメータの
正面図、特に部品が単一のシリコンウェハに搭載されて
いる状態を示す図である。
正面図、特に部品が単一のシリコンウェハに搭載されて
いる状態を示す図である。
【図２】図１の２−２断面図、特に屈曲性を形成する構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図３】図１のウェハの背面図、特に磁石の配置を示す
図である。
図である。
【図４】図１の４−４断面図、特に磁気回路の配置を示
す図である。
す図である。
【図５】図１の５−５断面図である。
【図６】別の実施例における４−４断面図である。
１０ ガルバノメータ １２ プレーナ基板 １４、１６ 縦スロット １８、２０ 溝 １９ リブ ２２ 可とう部材 ２３ 光ビーム ２４ 中央部 ２６ センサ ２８ 増幅回路 ３０、３２、３４、３６ 抵抗素子 ３８ 磁石 ４０ コア ４２ コイル ４４ エラストマ化合物
Claims (15)
- 【請求項１】 前面及び背面を有し、さらに前面から背
面へ延びるよう第１及び第２の縦スロットが形成され、
第１の縦スロットと第２の縦スロットの間には上側と下
側にそれぞれ溝が形成され、これらの縦スロット及び溝
により外側部と中央部とが区分され、比較的可とう性を
有する可とう部材が溝を覆うよう配置されたプレーナ基
板と、 プレーナ基板の前面又は背面のうち一方の中央部に設け
られた反射部材と、 プレーナ基板の前面及び背面のうち反射部材が設けられ
た面でない面の中央部に取り付けられた第１の磁気部材
と、 を備え、 第１の磁気部材が磁石及び磁気回路の一方であり、 光ビームを制御可能に偏向することを特徴とする集積型
ガルバノメータ走査デバイス。 - 【請求項２】 請求項１のデバイスにおいて、 プレーナ基板の前面及び背面のうち反射部材が設けられ
た面でない面の外側部に取り付けられた第２の磁気部材
を備え、 第２の磁気部材が、第１の磁気部材が磁石である場合に
は磁気回路であり、磁気回路である場合には磁石である
ことを特徴とするデバイス。 - 【請求項３】 請求項１のデバイスにおいて、 プレーナ基板における可とう部材の偏向を検出する検出
手段を含むことを特徴とするデバイス。 - 【請求項４】 請求項１のデバイスにおいて、 選択された波長領域において非常に高い反射性を有する
コーティングが、反射部材として、プレーナ基板又は背
面のうち一方の中央部に設けられたことを特徴とするデ
バイス。 - 【請求項５】 請求項１のデバイスにおいて、 反射部材の発振を制御するダンピング手段を含むことを
特徴とするデバイス。 - 【請求項６】 請求項５のデバイスにおいて、 ダンピング手段が、可とう部材上において、プレーナ基
板の前面及び背面のうち反射部材が設けられた面でない
面側に設けられたエラストマ素材を含むことを特徴とす
るデバイス。 - 【請求項７】 請求項５のデバイスにおいて、 ダンピング手段が、プレーナ基板の前面及び背面のうち
反射部材が設けられた面でない面に設けられたエラスト
マ素材を含むことを特徴とするデバイス。 - 【請求項８】 請求項５のデバイスにおいて、 ダンピング手段が、プレーナ基板と第１の磁気部材との
間に配されたエラストマ素材を含むことを特徴とするデ
バイス。 - 【請求項９】 請求項３のデバイスにおいて、 プレーナ基板に埋め込まれ、反射部材の角度的偏向に関
する出力を有する半導体を含むことを特徴とするデバイ
ス。 - 【請求項１０】 請求項３のデバイスにおいて、 検出手段が、溝のうち少なくとも１個を覆うよう、プレ
ーナ基板の前面及び背面のうち反射部材が設けられた面
に取り付けられた抵抗素子を有する応力ゲージであるこ
とを特徴とするデバイス。 - 【請求項１１】 請求項３のデバイスにおいて、 検出手段が、 溝のうち上側の溝を覆うよう、プレーナ基板の前面及び
背面のうち反射部材が設けられた面に取り付けられた第
１の抵抗素子と、 溝のうち下側の溝を覆うよう、プレーナ基板の前面及び
背面のうち反射部材が設けられた面に取り付けられた第
２の抵抗素子と、 を有する応力ゲージであることを特徴とするデバイス。 - 【請求項１２】 請求項１１のデバイスにおいて、 プレーナ基板の前面及び背面のうち反射部材が設けられ
た面に取り付けられ第１の縦スロットに外側から隣接す
る第３の抵抗素子と、 プレーナ基板の前面に取り付けられ第２の縦スロットに
外側から隣接する第４の抵抗素子と、 を有し、 第１、第２、第３及び第４の抵抗素子が抵抗ブリッジを
形成することを特徴とするデバイス。 - 【請求項１３】 前面及び背面を有し、前面から背面へ
延びるよう第１及び第２の縦スロットが形成され、第１
の縦スロットと第２の縦スロットの間には上側と下側に
それぞれ溝が形成され、縦スロット及び溝により外側部
と中央部に区分され、比較的可とう性を有する可とう部
材が溝を覆うよう配置され、この可とう部材によって外
側部と中央部とが連結されるシリコンウェハと、 シリコンウェハの前面中央部に設けられた反射部材と、 シリコンウェハの可とう部材の偏向を検出する偏向検出
手段と、 シリコンウェハの背面中央部に取り付けられた磁石と、 シリコンウェハの背面外側部に取り付けられた磁気回路
と、 反射部材の発振を制御することにより光ビームの偏向を
制御するダンピング手段と、 を備え、 光ビームを制御可能に偏向することを特徴とする集積型
ガルバノメータ走査デバイス。 - 【請求項１４】 請求項１３のデバイスにおいて、 偏向検出手段が、 上側の溝を覆うようシリコンウェハの前面に取り付けら
れた第１の抵抗素子と、 下側の溝を覆うようシリコンウェハの前面に取り付けら
れた第２の抵抗素子と、 第１の縦スロットに外側から隣接するようシリコンウェ
ハの前面に取り付けられた第３の抵抗素子と、 第２の縦スロットに外側から隣接するようシリコンウェ
ハの前面に取り付けられた第４の抵抗素子と、 を有する応力ゲージであり、 第１、第２、第３及び第４の抵抗素子が抵抗ブリッジを
形成することを特徴とするデバイス。 - 【請求項１５】 請求項１３のデバイスにおいて、 溝に平行となるよう、強化リブが上側及び下側の溝に延
設されたことを特徴とするデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US923,673 | 1992-08-03 | ||
| US07/923,673 US5408253A (en) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | Integrated galvanometer scanning device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167669A true JPH06167669A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=25449078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5190400A Pending JPH06167669A (ja) | 1992-08-03 | 1993-07-30 | 集積型ガルバノメータ走査デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5408253A (ja) |
| JP (1) | JPH06167669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002311372A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-23 | Anritsu Corp | 光スキャナ装置及びその製造方法 |
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1992
- 1992-08-03 US US07/923,673 patent/US5408253A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190400A patent/JPH06167669A/ja active Pending
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Also Published As
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