JPH0616494A - 石英ガラスルツボ及びその製造方法 - Google Patents
石英ガラスルツボ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0616494A JPH0616494A JP1781791A JP1781791A JPH0616494A JP H0616494 A JPH0616494 A JP H0616494A JP 1781791 A JP1781791 A JP 1781791A JP 1781791 A JP1781791 A JP 1781791A JP H0616494 A JPH0616494 A JP H0616494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- quartz glass
- viscosity
- electric resistance
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、シリコン単結晶を引上げるのに
用いられる石英ガラスルツボ及びその製造方法に関する
ものである。 【構成】 この発明は、天然水晶を原料とした石英ガラ
スルツボで、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金属含有量がそ
れぞれ０．２ppm 以下、Ｃｕの含有量が０．０２ppm 以
下であり、かつ１４５０℃における粘度が１０10ポイズ
以上、１２００℃における電気抵抗が１．４×１０7 Ω
・ｍ以上であることを特徴とするもの、及びその製法と
して、ア−ク回転溶融で天然石英ガラスのルツボを成形
し、これに高電圧を印加してＮａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ
金属及びＣｕの含有量をそれぞれ上記値以下とし、かつ
粘度を及び電気抵抗を上記値以上とすることを特徴とす
る石英ガラスルツボの製造方法である。
用いられる石英ガラスルツボ及びその製造方法に関する
ものである。 【構成】 この発明は、天然水晶を原料とした石英ガラ
スルツボで、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金属含有量がそ
れぞれ０．２ppm 以下、Ｃｕの含有量が０．０２ppm 以
下であり、かつ１４５０℃における粘度が１０10ポイズ
以上、１２００℃における電気抵抗が１．４×１０7 Ω
・ｍ以上であることを特徴とするもの、及びその製法と
して、ア−ク回転溶融で天然石英ガラスのルツボを成形
し、これに高電圧を印加してＮａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ
金属及びＣｕの含有量をそれぞれ上記値以下とし、かつ
粘度を及び電気抵抗を上記値以上とすることを特徴とす
る石英ガラスルツボの製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、石英ガラスルツボ及
びその製造方法に関するものである。特に、シリコン単
結晶を引上げるのに用いられる石英ガラスルツボに関す
るものである
びその製造方法に関するものである。特に、シリコン単
結晶を引上げるのに用いられる石英ガラスルツボに関す
るものである
【０００２】。
【従来の技術】シリコン単結晶の引上げは、通常、黒鉛
製ルツボに内装された石英ガラスルツボにシリコン多結
晶を装填して行われている。
製ルツボに内装された石英ガラスルツボにシリコン多結
晶を装填して行われている。
【０００３】即ち、シリコン多結晶を装填した石英ガラ
スルツボを周囲から加熱して、中のシリコン多結晶を約
１４５０℃に加熱、溶融する。ついでこれに種結晶を接
触させてこれを引上げ、それに伴って引上げられるシリ
コンが徐冷し、これによりシリコン単結晶のインゴット
が得られるものである。
スルツボを周囲から加熱して、中のシリコン多結晶を約
１４５０℃に加熱、溶融する。ついでこれに種結晶を接
触させてこれを引上げ、それに伴って引上げられるシリ
コンが徐冷し、これによりシリコン単結晶のインゴット
が得られるものである。
【０００４】この方法は、多結晶シリコンからシリコン
単結晶を得る方法としては、現在最も広く行われている
優れた方法であるが、この方法によると、石英ガラスル
ツボの内面は、常に溶融シリコンと直接接触しているこ
とになる。
単結晶を得る方法としては、現在最も広く行われている
優れた方法であるが、この方法によると、石英ガラスル
ツボの内面は、常に溶融シリコンと直接接触しているこ
とになる。
【０００５】このためにこの方法によると、石英ガラス
ルツボの内面は常に溶融多結晶シリコンによる浸蝕を受
け、その結果、引上げられたシリコン単結晶の中には、
溶損したルツボ内表面部に含まれたいた不純物が混入し
てくる恐れがあった。特に、ルツボを形成する石英ガラ
スの純度が良好でなく、その中に第１族アルカリ金属や
銅が高い濃度で含まれている場合には、これを用いて引
上げられたシリコン単結晶には格子欠陥が発生し、製造
しようとするシリコンウエハの歩留まりを下げる事にも
なっていた。
ルツボの内面は常に溶融多結晶シリコンによる浸蝕を受
け、その結果、引上げられたシリコン単結晶の中には、
溶損したルツボ内表面部に含まれたいた不純物が混入し
てくる恐れがあった。特に、ルツボを形成する石英ガラ
スの純度が良好でなく、その中に第１族アルカリ金属や
銅が高い濃度で含まれている場合には、これを用いて引
上げられたシリコン単結晶には格子欠陥が発生し、製造
しようとするシリコンウエハの歩留まりを下げる事にも
なっていた。
【０００６】また、シリコン単結晶の引上げは約１４５
０℃という高温で行われるため、これに使用する石英ガ
ラスルツボの粘性が低いと、ルツボのたわみや歪みが大
きくなって、ルツボ内の溶融シリコンの流れが不規則に
なったり、またルツボの内面浸蝕量がさらに多くなった
りして、これらが高品質のシリコン単結晶を引上げる大
きな妨げとなっていた。
０℃という高温で行われるため、これに使用する石英ガ
ラスルツボの粘性が低いと、ルツボのたわみや歪みが大
きくなって、ルツボ内の溶融シリコンの流れが不規則に
なったり、またルツボの内面浸蝕量がさらに多くなった
りして、これらが高品質のシリコン単結晶を引上げる大
きな妨げとなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記欠点を解
消するためになされたものであり、高品質のシリコン単
結晶を製造し得るような石英ガラスルツボ及びその製造
方法を提供しようとするものである。
消するためになされたものであり、高品質のシリコン単
結晶を製造し得るような石英ガラスルツボ及びその製造
方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、天然水
晶を原料とした石英ガラスからなり、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉの
アルカリ金属含有量がそれぞれ０．２ppm 以下、Ｃｕの
含有量が０．０２ppm以下であり、かつ１４５０℃にお
ける粘度が１０10ポイズ以上、１２００℃における電気
抵抗が１．４×１０7 Ω・ｍ以上であることを特徴とす
る石英ガラスルツボ（請求項１）及び天然水晶を粉砕，
精製し、これをア−ク回転溶融でルツボに成形し、つい
でこれに高電圧を印加してＮａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金
属含有量をそれぞれ０．２ppm 以下、Ｃｕの含有量を
０．０２ppm 以下とし、かつ１４５０℃における粘度を
１０10ポイズ以上、１２００℃における電気抵抗を１．
４×１０7 Ω・ｍ以上とすることを特徴とする石英ガラ
スルツボの製造方法（請求項２）である。以下にこれら
の発明を説明する。
晶を原料とした石英ガラスからなり、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉの
アルカリ金属含有量がそれぞれ０．２ppm 以下、Ｃｕの
含有量が０．０２ppm以下であり、かつ１４５０℃にお
ける粘度が１０10ポイズ以上、１２００℃における電気
抵抗が１．４×１０7 Ω・ｍ以上であることを特徴とす
る石英ガラスルツボ（請求項１）及び天然水晶を粉砕，
精製し、これをア−ク回転溶融でルツボに成形し、つい
でこれに高電圧を印加してＮａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金
属含有量をそれぞれ０．２ppm 以下、Ｃｕの含有量を
０．０２ppm 以下とし、かつ１４５０℃における粘度を
１０10ポイズ以上、１２００℃における電気抵抗を１．
４×１０7 Ω・ｍ以上とすることを特徴とする石英ガラ
スルツボの製造方法（請求項２）である。以下にこれら
の発明を説明する。
【０００９】本願発明のルツボは、天然水晶を原料とし
たを石英ガラスである。石英ガラスには天然水晶を原料
とするものと、合成石英といって四塩化珪素を原料とす
るものがあるが、本願発明は天然水晶を原料としたを石
英ガラスに限るものである。合成石英は、天然石英と比
較して途方もなく高価で、これを低コストで製造し得る
技術は現在のところ開発されていない。
たを石英ガラスである。石英ガラスには天然水晶を原料
とするものと、合成石英といって四塩化珪素を原料とす
るものがあるが、本願発明は天然水晶を原料としたを石
英ガラスに限るものである。合成石英は、天然石英と比
較して途方もなく高価で、これを低コストで製造し得る
技術は現在のところ開発されていない。
【００１０】本願発明で合成石英ガラスを除外した理由
はコストの点ばかりではない。合成石英ガラスは、天然
石英ガラスと比較して内部に気孔がほとんど無くて放熱
が著し断熱性と粘性が劣るためである。また、合成石英
ガラスを用いると、ルツボ内の溶融石英の温度管理が困
難であるという問題も存する。通常、天然石英ガラス
は、０．１％程度の見掛け気孔率で、塩素量も１ppm 以
下であり、合成石英ガラスと区別されるものである。
はコストの点ばかりではない。合成石英ガラスは、天然
石英ガラスと比較して内部に気孔がほとんど無くて放熱
が著し断熱性と粘性が劣るためである。また、合成石英
ガラスを用いると、ルツボ内の溶融石英の温度管理が困
難であるという問題も存する。通常、天然石英ガラス
は、０．１％程度の見掛け気孔率で、塩素量も１ppm 以
下であり、合成石英ガラスと区別されるものである。
【００１１】本発明の石英ガラスルツボにおいて、Ｎ
ａ、Ｌｉ、Ｋ及びＣｕの含有量を上記数値以下に限定し
たのは、これらの数値を越えると引上げられるシリコン
単結晶中のアルカリ金属及び銅の含有量が多くなり、超
ＬＳＩの製造に使用される高品質のシリコン単結晶を製
造できなくなるためである。
ａ、Ｌｉ、Ｋ及びＣｕの含有量を上記数値以下に限定し
たのは、これらの数値を越えると引上げられるシリコン
単結晶中のアルカリ金属及び銅の含有量が多くなり、超
ＬＳＩの製造に使用される高品質のシリコン単結晶を製
造できなくなるためである。
【００１２】また、１４５０℃における粘性を上記数値
以上に限定したのは、この数値未満では引上げ時にルツ
ボが変形し易くなるうえに、石英ガラスルツボの浸蝕量
も多くなり、やはり高品質のシリコン単結晶を製造でき
なくなるためである。更に、１２００℃における電気抵
抗を上記数値以上に限定したのは、上記数値未満では溶
融シリコンに磁場を印加して引上げを行う場合（いわゆ
るＭＣＺ）を考慮に入れて、残存するアルカリ金属等の
移動を出来るだけ抑制し、かつ溶融シリコンの対流を起
こしやすくしないためである。
以上に限定したのは、この数値未満では引上げ時にルツ
ボが変形し易くなるうえに、石英ガラスルツボの浸蝕量
も多くなり、やはり高品質のシリコン単結晶を製造でき
なくなるためである。更に、１２００℃における電気抵
抗を上記数値以上に限定したのは、上記数値未満では溶
融シリコンに磁場を印加して引上げを行う場合（いわゆ
るＭＣＺ）を考慮に入れて、残存するアルカリ金属等の
移動を出来るだけ抑制し、かつ溶融シリコンの対流を起
こしやすくしないためである。
【００１３】本願の第２の発明について説明すれば、出
発原料は天然水晶であり、その理由は上記の通りであ
る。これを常法によって粉砕、精製する。粉砕は例えば
５０〜８０＃に調整するものであり、また精製は常法に
したがって浮遊選鉱法により行う。次に、これをルツボ
に成形し、電解して不純物を除去する。
発原料は天然水晶であり、その理由は上記の通りであ
る。これを常法によって粉砕、精製する。粉砕は例えば
５０〜８０＃に調整するものであり、また精製は常法に
したがって浮遊選鉱法により行う。次に、これをルツボ
に成形し、電解して不純物を除去する。
【００１４】ルツボへの成形は、通常のア−ク回転溶融
で成形し、また電解は、ルツボの上下に高電圧、例えば
１０ＫＶの電圧を５分間以上印加して行い、これによっ
てアルカリ金属及び銅をルツボの外に移動させる。この
処理は高電圧で行われるが、これによりアルカリ不純物
の除去ができ、それにともなってルツボの粘性が向上し
かつその電気抵抗も大きくなる。この処理は、処理電圧
と処理時間の関係で決められるが、その特定は得られる
るルツボの粘度及び電気抵抗値で与えられる。
で成形し、また電解は、ルツボの上下に高電圧、例えば
１０ＫＶの電圧を５分間以上印加して行い、これによっ
てアルカリ金属及び銅をルツボの外に移動させる。この
処理は高電圧で行われるが、これによりアルカリ不純物
の除去ができ、それにともなってルツボの粘性が向上し
かつその電気抵抗も大きくなる。この処理は、処理電圧
と処理時間の関係で決められるが、その特定は得られる
るルツボの粘度及び電気抵抗値で与えられる。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明する。
【００１６】まず、天然水晶を粉砕して５０〜８０＃に
調整し、浮遊選鉱法により精製した。この精製粉をア−
ク回転溶融で成形し、石英ガラスルツボを作成した。次
に、１３００℃の炉内でこのルツボの上下に１０ＫＶの
高電圧を印加し５分間以上電解し、アルカリ金属及び銅
を移動させた。このルツボの化学分析値、粘度及び電気
抵抗値を下記表１に併記する。
調整し、浮遊選鉱法により精製した。この精製粉をア−
ク回転溶融で成形し、石英ガラスルツボを作成した。次
に、１３００℃の炉内でこのルツボの上下に１０ＫＶの
高電圧を印加し５分間以上電解し、アルカリ金属及び銅
を移動させた。このルツボの化学分析値、粘度及び電気
抵抗値を下記表１に併記する。
【００１７】更に、上記方法にて製造した石英ガラスル
ツボを実際に溶融シリコンに磁場を印加するＭＣＺ法で
のシリコン単結晶の引上げに使用した。その結果得られ
たシリコン単結晶の化学分析値を下記表２に示す。
ツボを実際に溶融シリコンに磁場を印加するＭＣＺ法で
のシリコン単結晶の引上げに使用した。その結果得られ
たシリコン単結晶の化学分析値を下記表２に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１から明らかなように、実施例のルツボ
は、Ｎａ、Ｋｉ、Ｋのアルカリ金属含有量が０．２ppm
以下、Ｃｕの含有量が０．０２ppm 以下であり、かつ１
４５０℃における粘度が１０10ポイズ以上、１２００℃
における電気抵抗が１．４×１０7 Ω・ｍ以上となって
いた。従って、このルツボはアルカリ金属及び銅の含有
量が低くなっているために高品質のシリコン単結晶を引
上げることができるものであった。
は、Ｎａ、Ｋｉ、Ｋのアルカリ金属含有量が０．２ppm
以下、Ｃｕの含有量が０．０２ppm 以下であり、かつ１
４５０℃における粘度が１０10ポイズ以上、１２００℃
における電気抵抗が１．４×１０7 Ω・ｍ以上となって
いた。従って、このルツボはアルカリ金属及び銅の含有
量が低くなっているために高品質のシリコン単結晶を引
上げることができるものであった。
【００２１】また、実施例のルツボは石英ガラスの網目
修飾イオンであるアルカリ金属が除去されているため粘
性が高く、高温下でも変形しにくいうえに浸蝕されにく
くなっていた。このためこのルツボは、シリコン単結晶
引上げ時に溶融シリコンの流れを阻害することがなく、
高品質のシリコン単結晶を引上げることができるもので
あった。
修飾イオンであるアルカリ金属が除去されているため粘
性が高く、高温下でも変形しにくいうえに浸蝕されにく
くなっていた。このためこのルツボは、シリコン単結晶
引上げ時に溶融シリコンの流れを阻害することがなく、
高品質のシリコン単結晶を引上げることができるもので
あった。
【００２２】更に、溶融シリコンに磁場を印加する方法
（ＭＣＺ法）では、ルツボの電気抵抗が高いほど溶融シ
リコン中に溶け込む量を減少させることができる。つま
り、１４５０℃の高温では溶融シリコンだけでなく、石
英ガラスルツボ自体も電気伝導性を有し、強磁場の存在
化では電流が両者に発生して複雑な対流を起こすが、本
発明の石英ガラスルツボのように電気抵抗が高い場合に
は溶融シリコンの対流を制御することができるため、ル
ツボ内面の溶損量が減少し、溶け込む酸素量を低下させ
ることができる。また、アルカリ金属等の移動が起こら
ず、シリコン単結晶の各種金属含有量を低くすることが
できる。
（ＭＣＺ法）では、ルツボの電気抵抗が高いほど溶融シ
リコン中に溶け込む量を減少させることができる。つま
り、１４５０℃の高温では溶融シリコンだけでなく、石
英ガラスルツボ自体も電気伝導性を有し、強磁場の存在
化では電流が両者に発生して複雑な対流を起こすが、本
発明の石英ガラスルツボのように電気抵抗が高い場合に
は溶融シリコンの対流を制御することができるため、ル
ツボ内面の溶損量が減少し、溶け込む酸素量を低下させ
ることができる。また、アルカリ金属等の移動が起こら
ず、シリコン単結晶の各種金属含有量を低くすることが
できる。
【００２３】事実、ＭＣＺ法によりシリコン単結晶を引
上げた結果を示す第２表から上述した効果が得られるこ
とが分かる。
上げた結果を示す第２表から上述した効果が得られるこ
とが分かる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の石英ガラス
ルツボによれば、半導体素子の製造歩留まりを向上でき
る顕著な効果を奏するものである。
ルツボによれば、半導体素子の製造歩留まりを向上でき
る顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- 【請求項１】天然水晶を原料とした石英ガラスからな
り、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金属含有量がそれぞれ
０．２ppm 以下、Ｃｕの含有量が０．０２ppm 以下であ
り、かつ１４５０℃における粘度が１０10ポイズ以上、
１２００℃における電気抵抗が１．４×１０7 Ω・ｍ以
上であることを特徴とする石英ガラスルツボ。 - 【請求項２】天然水晶を粉砕，精製し、これをア−ク回
転溶融でルツボに成形し、ついでこれに高電圧を印加し
てＮａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金属含有量をそれぞれ０．
２ppm 以下、Ｃｕの含有量を０．０２ppm 以下とし、か
つ１４５０℃における粘度を１０10ポイズ以上、１２０
０℃における電気抵抗を１．４×１０7 Ω・ｍ以上とす
ることを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017817A JPH0780716B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3017817A JPH0780716B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0616494A true JPH0616494A (ja) | 1994-01-25 |
| JPH0780716B2 JPH0780716B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=11954289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017817A Expired - Fee Related JPH0780716B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0780716B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100831239B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-05-22 | 주식회사 카라신 | 수정을 이용한 주방용기 제작방법 및 용기 |
| CN103663938A (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 玉田县前进汽车悬架有限公司 | 用硼酸做添加剂制作感应炉坩埚的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137892A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3017817A patent/JPH0780716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137892A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100831239B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-05-22 | 주식회사 카라신 | 수정을 이용한 주방용기 제작방법 및 용기 |
| CN103663938A (zh) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | 玉田县前进汽车悬架有限公司 | 用硼酸做添加剂制作感应炉坩埚的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0780716B2 (ja) | 1995-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5302556A (en) | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them | |
| US4923497A (en) | Method for the continuous production of a tube or rod of vitreous fused silica | |
| JP4339003B2 (ja) | 石英ガラスルツボの製造方法 | |
| US3012865A (en) | Silicon purification process | |
| JPS6127323B2 (ja) | ||
| JPS60137892A (ja) | 石英ガラスルツボ | |
| JP4931106B2 (ja) | シリカガラスルツボ | |
| JP2008254949A (ja) | 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置 | |
| JPH0616494A (ja) | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 | |
| CN103201226B (zh) | 石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法 | |
| JPH0558788A (ja) | 高抵抗シリコンウエハ−の製造方法 | |
| JP2009249262A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP4526311B2 (ja) | 石英ガラスルツボの製造方法 | |
| JP2005060153A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| JP2010173911A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| JPH0283295A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JP2004292211A (ja) | 石英ルツボの内面透明層形成方法 | |
| JP2508546B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
| US20240044019A1 (en) | A method of producing silicon | |
| JPH02175687A (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
| JPH07172977A (ja) | 石英ガラス坩堝の製造方法 | |
| US3111467A (en) | Production of scandium and yttrium | |
| KR102157890B1 (ko) | 폐주석의 정제 방법 | |
| JP2005060151A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| JPH06206719A (ja) | 金属シリコンの精製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |