JPH06162920A - 誘電体保護層の形成方法 - Google Patents
誘電体保護層の形成方法Info
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- JPH06162920A JPH06162920A JP4308525A JP30852592A JPH06162920A JP H06162920 A JPH06162920 A JP H06162920A JP 4308525 A JP4308525 A JP 4308525A JP 30852592 A JP30852592 A JP 30852592A JP H06162920 A JPH06162920 A JP H06162920A
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式Ｍ（ＯＲ)2で示されるアルカリ土類金
属含有有機化合物を誘電体の表面に塗布する工程と、つ
いでこれを３００〜７００℃に焼成して、金属酸化物か
らなる保護層を形成する工程を含むことを特徴とする誘
電体保護層の形成方法。 【効果】 スパッタリングによる保護層と同等の均一な
誘電体保護層が、より簡単な設備と方法で得られ、大画
面のガス放電パネルを容易に作成できる。
属含有有機化合物を誘電体の表面に塗布する工程と、つ
いでこれを３００〜７００℃に焼成して、金属酸化物か
らなる保護層を形成する工程を含むことを特徴とする誘
電体保護層の形成方法。 【効果】 スパッタリングによる保護層と同等の均一な
誘電体保護層が、より簡単な設備と方法で得られ、大画
面のガス放電パネルを容易に作成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体層の表面にアル
カリ土類金属酸化物を含む保護層を形成する方法に関
し、さらに詳細には、アルカリ土類金属含有有機化合物
を誘導体に塗布して、焼成することを特徴とする誘電体
保護層の形成方法に関する。本発明によって得られる誘
電体保護層は、ガス放電パネルに用いられる。
カリ土類金属酸化物を含む保護層を形成する方法に関
し、さらに詳細には、アルカリ土類金属含有有機化合物
を誘導体に塗布して、焼成することを特徴とする誘電体
保護層の形成方法に関する。本発明によって得られる誘
電体保護層は、ガス放電パネルに用いられる。
【０００２】
【従来の技術】ガス放電パネルは、薄型で大画面化が容
易な自己発光性パネルであり、広い視野角と高いコント
ラストが可能なことから、ＯＡ機器の表示からハイビジ
ョン型や薄型のテレビジョンに至る、広範囲の応用が期
待されている。
易な自己発光性パネルであり、広い視野角と高いコント
ラストが可能なことから、ＯＡ機器の表示からハイビジ
ョン型や薄型のテレビジョンに至る、広範囲の応用が期
待されている。
【０００３】ＡＣ型またはＡＣ・ＤＣ型のガス放電パネ
ルは、放電のための電極をガラスのような誘電体で覆っ
ているため、その表面で放電を行うと、コロナによる誘
電体の損傷が生ずる。そこで、誘電体の表面に保護層を
設けることが行われ、それによって放電寿命は１０万時
間を越えるに至っている。このような誘電体保護層とし
ては酸化マグネシウムなどが用いられ、該保護層の形成
にはスパッタリングが用いられている。
ルは、放電のための電極をガラスのような誘電体で覆っ
ているため、その表面で放電を行うと、コロナによる誘
電体の損傷が生ずる。そこで、誘電体の表面に保護層を
設けることが行われ、それによって放電寿命は１０万時
間を越えるに至っている。このような誘電体保護層とし
ては酸化マグネシウムなどが用いられ、該保護層の形成
にはスパッタリングが用いられている。
【０００４】しかしながら、ハイビジョン型テレビジョ
ン用などの大画面のガス放電パネルを作製する場合に
は、スパッタリングを用いる方法では、大がかりなスパ
ッタ装置と、それに伴って大規模な真空度維持設備など
が必要となり、実際的ではない。
ン用などの大画面のガス放電パネルを作製する場合に
は、スパッタリングを用いる方法では、大がかりなスパ
ッタ装置と、それに伴って大規模な真空度維持設備など
が必要となり、実際的ではない。
【０００５】そこで、印刷と焼成によって誘導体の表面
に保護層を形成することが試みられている。たとえば、
内池らは、酸化マグネシウム粉末または水酸化マグネシ
ウム粉末を含むペーストを用いる厚膜技術により、ＡＣ
プラズマディスプレイを試作し、評価している（テレビ
ジョン学会年会（１９９１）資料４−３、Ｐ７１；テレ
ビジョン学会年会（１９９２）資料５−１、ｐ１０
１）。しかし、放電開始電圧が上昇するなどのために、
十分な機能を発揮するに至っていない。
に保護層を形成することが試みられている。たとえば、
内池らは、酸化マグネシウム粉末または水酸化マグネシ
ウム粉末を含むペーストを用いる厚膜技術により、ＡＣ
プラズマディスプレイを試作し、評価している（テレビ
ジョン学会年会（１９９１）資料４−３、Ｐ７１；テレ
ビジョン学会年会（１９９２）資料５−１、ｐ１０
１）。しかし、放電開始電圧が上昇するなどのために、
十分な機能を発揮するに至っていない。
【０００６】このような誘電体保護層は、膜厚に不均一
があると発光強度のむらを生ずるため、膜厚が均一なこ
とが必要である。さらに、ピンホールやクラックがある
と、誘電体として用いるガラスから鉛などの析出を生ず
るので、このような欠陥のないことが必要である。
があると発光強度のむらを生ずるため、膜厚が均一なこ
とが必要である。さらに、ピンホールやクラックがある
と、誘電体として用いるガラスから鉛などの析出を生ず
るので、このような欠陥のないことが必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アル
カリ土類金属酸化物からなる均一で欠陥のない誘電体保
護層を形成する、簡単で、大型の装置を必要とせず、大
画面のガス放電パネルの製造に使用可能な方法を提供す
ることである。
カリ土類金属酸化物からなる均一で欠陥のない誘電体保
護層を形成する、簡単で、大型の装置を必要とせず、大
画面のガス放電パネルの製造に使用可能な方法を提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために研究を重ねた結果、誘電体層の表面
に、アルカリ土類金属含有有機化合物を塗布し、焼成す
ることにより、この課題を解決しうることを見出して、
本発明を完成するに至った。
題を解決するために研究を重ねた結果、誘電体層の表面
に、アルカリ土類金属含有有機化合物を塗布し、焼成す
ることにより、この課題を解決しうることを見出して、
本発明を完成するに至った。
【０００９】すなわち、本発明の誘電体保護層の形成方
法は、一般式Ｍ（ＯＲ)2（式中、Ｍはアルカリ土類金属
原子を表し、Ｒは互いに同一でも異なっていてもよく、
１価の炭化水素基、またはヒドロキシル基で置換されて
いてもよい１価のアシル基を表し、アシル基の場合、２
個のＲが連結して２価のアシル基を形成していてもよ
い）で示される１種または２種以上のアルカリ土類金属
含有有機化合物を誘電体の表面に塗布する工程と、つい
でこれを３００〜７００℃に焼成して、アルカリ土類金
属酸化物からなる保護層を形成する工程を含むことを特
徴とする。
法は、一般式Ｍ（ＯＲ)2（式中、Ｍはアルカリ土類金属
原子を表し、Ｒは互いに同一でも異なっていてもよく、
１価の炭化水素基、またはヒドロキシル基で置換されて
いてもよい１価のアシル基を表し、アシル基の場合、２
個のＲが連結して２価のアシル基を形成していてもよ
い）で示される１種または２種以上のアルカリ土類金属
含有有機化合物を誘電体の表面に塗布する工程と、つい
でこれを３００〜７００℃に焼成して、アルカリ土類金
属酸化物からなる保護層を形成する工程を含むことを特
徴とする。
【００１０】本発明に用いられるアルカリ土類金属含有
有機化合物において、Ｍはアルカリ土類金属原子であ
り、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロン
チウムおよびバリウムが例示され、１種でも２種以上を
併用しても差支えない。安定性の良好な酸化マグネシウ
ム保護層を誘電体の表面に形成しうることから、マグネ
シウムが好ましい。
有機化合物において、Ｍはアルカリ土類金属原子であ
り、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロン
チウムおよびバリウムが例示され、１種でも２種以上を
併用しても差支えない。安定性の良好な酸化マグネシウ
ム保護層を誘電体の表面に形成しうることから、マグネ
シウムが好ましい。
【００１１】アルカリ土類金属原子Ｍに結合した２個の
ＯＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ
は１価の炭化水素基またはアシル基であり、その炭素鎖
は、直鎖状でも分岐状でもよく、全体または部分が環状
になっていてもよい。１価の炭化水素基としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、デシル、ドデシルなどのアルキル
基；シクロペンチル、シクロヘキシルなどのシクロアル
キル基；フェニルなどのアリール基などが例示される。
１価のアシル基およびヒドロキシル基で置換された１価
のアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、オクタノイ
ル、デカノイル、ドデカノイル、ステアロイルなどの飽
和脂肪族アシル基；アクリロイル、メタクリロイル、ソ
ルビノイル、オレイルなどの不飽和脂肪族アシル基；シ
クロペンタノイル、シクロペンチルエタノイルなどの脂
環式アシル基；ベンゾイル、トルオイル、エチルベンゾ
イル、プロピルベンゾイル、ブチルベンゾイル、フェニ
ルエタノイルなどの芳香族アシル基；α−オキシプロパ
ノイルなどのオキシ酸残基が例示される。
ＯＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ
は１価の炭化水素基またはアシル基であり、その炭素鎖
は、直鎖状でも分岐状でもよく、全体または部分が環状
になっていてもよい。１価の炭化水素基としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、オクチル、デシル、ドデシルなどのアルキル
基；シクロペンチル、シクロヘキシルなどのシクロアル
キル基；フェニルなどのアリール基などが例示される。
１価のアシル基およびヒドロキシル基で置換された１価
のアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、バレリル、ヘキサノイル、オクタノイ
ル、デカノイル、ドデカノイル、ステアロイルなどの飽
和脂肪族アシル基；アクリロイル、メタクリロイル、ソ
ルビノイル、オレイルなどの不飽和脂肪族アシル基；シ
クロペンタノイル、シクロペンチルエタノイルなどの脂
環式アシル基；ベンゾイル、トルオイル、エチルベンゾ
イル、プロピルベンゾイル、ブチルベンゾイル、フェニ
ルエタノイルなどの芳香族アシル基；α−オキシプロパ
ノイルなどのオキシ酸残基が例示される。
【００１２】さらに、Ｒが式（１）のように連結して、
２価のアシル基を形成してもよく
２価のアシル基を形成してもよく
【化１】 （式中、Ｍは前述のとおり、Ｒ′は２個のＲが連結した
２価のアシル基を表す）、その場合、Ｒ′としてはオキ
サリル、マロニル、スクシニル、アジポイルなどの２価
のアシル基が例示される。
２価のアシル基を表す）、その場合、Ｒ′としてはオキ
サリル、マロニル、スクシニル、アジポイルなどの２価
のアシル基が例示される。
【００１３】このようなＲのうち、化合物の合成がしや
すく、均一で欠陥のない誘電体保護層が得られることか
ら、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜１２の脂肪
族アシル基および炭素数７〜１２の芳香族アシル基が好
ましく、アルキル基ではメチル、エチル、プロピル、ブ
チルなど；アシル基ではヘプタノイル、オクタノイル、
ベンゾイル、ブチルベンゾイルなどがさらに好ましい。
すく、均一で欠陥のない誘電体保護層が得られることか
ら、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜１２の脂肪
族アシル基および炭素数７〜１２の芳香族アシル基が好
ましく、アルキル基ではメチル、エチル、プロピル、ブ
チルなど；アシル基ではヘプタノイル、オクタノイル、
ベンゾイル、ブチルベンゾイルなどがさらに好ましい。
【００１４】アルカリ土類金属含有有機化合物の代表例
としては、マグネシウムジメトキシド、マグネシウムジ
エトキシド、マグネシウムジイソプロポキシド、マグネ
シウムジブトキシドなどのマグネシウムアルコキシド；
およびギ酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、プロピオ
ン酸マグネシウム、酪酸マグネシウム、カプロン酸マグ
ネシウム、カプリル酸マグネシウム、２−エチルヘキサ
ン酸マグネシウム、ラウリン酸マグネシウム、ステアリ
ン酸マグネシウム、メタクリル酸マグネシウム、オレイ
ン酸マグネシウム、ナフテン酸マグネシウム、安息香酸
マグネシウム、ｐ−ブチル安息香酸マグネシウム、乳酸
マグネシウム、アジピン酸マグネシウムなどの有機酸マ
グネシウム塩；ならびにそれらに対応するベリリウム化
合物、カルシウム化合物、ストロンチウム化合物および
バリウム化合物が挙げられる。
としては、マグネシウムジメトキシド、マグネシウムジ
エトキシド、マグネシウムジイソプロポキシド、マグネ
シウムジブトキシドなどのマグネシウムアルコキシド；
およびギ酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、プロピオ
ン酸マグネシウム、酪酸マグネシウム、カプロン酸マグ
ネシウム、カプリル酸マグネシウム、２−エチルヘキサ
ン酸マグネシウム、ラウリン酸マグネシウム、ステアリ
ン酸マグネシウム、メタクリル酸マグネシウム、オレイ
ン酸マグネシウム、ナフテン酸マグネシウム、安息香酸
マグネシウム、ｐ−ブチル安息香酸マグネシウム、乳酸
マグネシウム、アジピン酸マグネシウムなどの有機酸マ
グネシウム塩；ならびにそれらに対応するベリリウム化
合物、カルシウム化合物、ストロンチウム化合物および
バリウム化合物が挙げられる。
【００１５】このようなアルカリ土類金属含有有機化合
物は、たとえば金属アルコキシドの場合、該金属または
その水酸化物とアルコールを高温で加熱することによっ
て得られ、空気中の水分を遮断した状態で保有される。
また有機酸アルカリ土類金属塩は、該金属の酸化物また
は水酸化物と有機酸との反応によって得られる。このよ
うな反応を、後述の塗布の際に使用する溶媒または分散
媒の存在下に行って、該金属含有有機化合物の溶液ない
し分散液を得ることもできる。
物は、たとえば金属アルコキシドの場合、該金属または
その水酸化物とアルコールを高温で加熱することによっ
て得られ、空気中の水分を遮断した状態で保有される。
また有機酸アルカリ土類金属塩は、該金属の酸化物また
は水酸化物と有機酸との反応によって得られる。このよ
うな反応を、後述の塗布の際に使用する溶媒または分散
媒の存在下に行って、該金属含有有機化合物の溶液ない
し分散液を得ることもできる。
【００１６】良好な誘電体保護層を得るには、アルカリ
土類金属含有有機化合物中に、アルカリ土類以外の金属
を含有する化合物を含有することは好ましくない。すな
わち、用いられる該金属含有有機化合物は、金属として
の純度が好ましくは９５重量％以上、さらに好ましくは
９９重量％以上である。また、該金属含有有機化合物が
有機酸塩である場合、しばしば水和物の形で得られる
が、それらは脱水して、無水塩の形で用いることが好ま
しい。
土類金属含有有機化合物中に、アルカリ土類以外の金属
を含有する化合物を含有することは好ましくない。すな
わち、用いられる該金属含有有機化合物は、金属として
の純度が好ましくは９５重量％以上、さらに好ましくは
９９重量％以上である。また、該金属含有有機化合物が
有機酸塩である場合、しばしば水和物の形で得られる
が、それらは脱水して、無水塩の形で用いることが好ま
しい。
【００１７】これらのアルカリ土類金属含有有機化合物
を、必要に応じて溶媒または分散媒に溶解ないし分散さ
せて、誘電体の表面に塗布する。誘電体としては、ガラ
ス板、たとえばガラス粒子を５００〜６００℃で焼結し
て得られるガラス板などが用いられる。
を、必要に応じて溶媒または分散媒に溶解ないし分散さ
せて、誘電体の表面に塗布する。誘電体としては、ガラ
ス板、たとえばガラス粒子を５００〜６００℃で焼結し
て得られるガラス板などが用いられる。
【００１８】溶媒または分散媒としては、該金属含有有
機化合物の有機基Ｒの種類によっても異なるが、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イ
ソプロピルベンゼン、アミルベンゼン、ｐ−シメン、テ
トラリンおよび石油系芳香族炭化水素混合物などの芳香
族炭化水素；２−エトキシエタノール、２−ブトキシエ
タノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコ−ルモノブチルエーテルなどのエーテ
ルアルコール；メチルイソブチルケトンなどのケトン；
ならびにエチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エ
ステルなどのエステルが例示され、単独でも、２種以上
の混合物でもよい。系の粘度は、塗布をスプレー、浸漬
またはハケ塗りなどの方法によるときは１０dPa・s 以
下、ロール、ドクターブレードなどを用いる方法による
ときは５００dPa・s 以下、印刷によるときは５０〜１，
０００dPa・s の範囲が好適である。必要に応じて、印刷
に適する粘度の溶液ないし分散液を得るために、エチル
セルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂のような
増粘剤を併用してもよい。また、レベリング剤や消泡剤
などを添加してもよい。
機化合物の有機基Ｒの種類によっても異なるが、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イ
ソプロピルベンゼン、アミルベンゼン、ｐ−シメン、テ
トラリンおよび石油系芳香族炭化水素混合物などの芳香
族炭化水素；２−エトキシエタノール、２−ブトキシエ
タノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコ−ルモノブチルエーテルなどのエーテ
ルアルコール；メチルイソブチルケトンなどのケトン；
ならびにエチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エ
ステルなどのエステルが例示され、単独でも、２種以上
の混合物でもよい。系の粘度は、塗布をスプレー、浸漬
またはハケ塗りなどの方法によるときは１０dPa・s 以
下、ロール、ドクターブレードなどを用いる方法による
ときは５００dPa・s 以下、印刷によるときは５０〜１，
０００dPa・s の範囲が好適である。必要に応じて、印刷
に適する粘度の溶液ないし分散液を得るために、エチル
セルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂のような
増粘剤を併用してもよい。また、レベリング剤や消泡剤
などを添加してもよい。
【００１９】該金属含有有機化合物を塗布した後、焼成
によって、アルカリ土類金属酸化物層からなる保護層
を、誘電体の表面に形成する。すなわち、３００〜７０
０℃、好ましくは４００〜５５０℃で、１０〜３０分の
焼成を行い、誘電体の表面に、０．０５〜０．５μm 、
好ましくは０．１〜０．２μm のアルカリ土類金属酸化
層を形成する。
によって、アルカリ土類金属酸化物層からなる保護層
を、誘電体の表面に形成する。すなわち、３００〜７０
０℃、好ましくは４００〜５５０℃で、１０〜３０分の
焼成を行い、誘電体の表面に、０．０５〜０．５μm 、
好ましくは０．１〜０．２μm のアルカリ土類金属酸化
層を形成する。
【００２０】
【発明の効果】本発明によって、従来のスパッタリング
による保護層と同等の、均一で、ピンホールやクラック
のような欠陥のない誘電体保護層を、より簡単な設備と
方法を用いて得ることができる。したがって、大型で高
価な設備を使用することなく、大画面のガス放電パネル
を作成できる。
による保護層と同等の、均一で、ピンホールやクラック
のような欠陥のない誘電体保護層を、より簡単な設備と
方法を用いて得ることができる。したがって、大型で高
価な設備を使用することなく、大画面のガス放電パネル
を作成できる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を、実施例および比較例を用い
て具体的に説明する。本発明は、これらの実施例によっ
て限定されるものではない。また、これらの実施例や比
較例において、部は重量部を表し、金属純度は、含有す
る全金属に対する重量％で表す。
て具体的に説明する。本発明は、これらの実施例によっ
て限定されるものではない。また、これらの実施例や比
較例において、部は重量部を表し、金属純度は、含有す
る全金属に対する重量％で表す。
【００２２】実施例１ 湿気を遮断した容器中で、マグネシウムジエトキシド
（Ｍｇ純度９９％以上）１０部とエチルセルロース５部
を、沸点１８０〜２３０℃の芳香族混合炭化水素に加え
て撹拌することにより、該炭化水素にエチルセルロース
が溶解し、マグネシウムエトキシドが分散した分散液を
調製した。
（Ｍｇ純度９９％以上）１０部とエチルセルロース５部
を、沸点１８０〜２３０℃の芳香族混合炭化水素に加え
て撹拌することにより、該炭化水素にエチルセルロース
が溶解し、マグネシウムエトキシドが分散した分散液を
調製した。
【００２３】この分散液を、厚さ１mmのスライドガラス
の片面に印刷し、風乾して溶媒を除去した後、５８０℃
で１０分間焼成した。透明で、クラック、ピンホール、
凹凸のない均一な酸化マグネシウム被膜を得た。
の片面に印刷し、風乾して溶媒を除去した後、５８０℃
で１０分間焼成した。透明で、クラック、ピンホール、
凹凸のない均一な酸化マグネシウム被膜を得た。
【００２４】このようにして得られた酸化マグネシウム
被膜を保護層として外側に向け、電極をスライドガラス
で覆った。このようにして誘電体であるスライドガラス
と誘電体保護層を設けた電極の一対を対向させて放電管
にセットし、真空アニール処理を行い、ＮｅとＸｅの混
合ガスを圧力５００Torrに封入して、ＡＣ型ガス放電パ
ネルを作製した。
被膜を保護層として外側に向け、電極をスライドガラス
で覆った。このようにして誘電体であるスライドガラス
と誘電体保護層を設けた電極の一対を対向させて放電管
にセットし、真空アニール処理を行い、ＮｅとＸｅの混
合ガスを圧力５００Torrに封入して、ＡＣ型ガス放電パ
ネルを作製した。
【００２５】電極間にＡＣ２５０V の電圧を与えて、ガ
ス放電パネルの発光輝度を測定し、酸化マグネシウムの
スパッタリングによって誘電体保護層を形成して得られ
たガス放電パネル（比較例１）の、同一条件による発光
輝度を１００％としたときの相対輝度を求めて、発光効
率（％）とした。このようにして得られた発光効率は、
９５％であった。
ス放電パネルの発光輝度を測定し、酸化マグネシウムの
スパッタリングによって誘電体保護層を形成して得られ
たガス放電パネル（比較例１）の、同一条件による発光
輝度を１００％としたときの相対輝度を求めて、発光効
率（％）とした。このようにして得られた発光効率は、
９５％であった。
【００２６】実施例２〜４ 表１に示す配合比で、窒素気流中でアルカリ土類金属酸
化物粉末、有機酸およびエーテルアルコール溶媒を撹拌
しつつ１５０℃に昇温して、該金属酸化物の粉末が消失
するまで反応を続け、アルカリ土類金属塩のエーテルア
ルコール溶液を調製した。反応終了後、溶液を冷却し
て、実施例２および実施例４では、２−ブトキシエタノ
ールで希釈して系の粘度を１dPa・s とし、実施例１で用
いたのと同様のスライドガラスにスプレーコートした。
実施例３では、溶媒の一部を留去することにより、系の
粘度を１００dPa・s として、同様のスライドガラスに印
刷した。いずれの場合も、風乾して溶媒を除去した後、
５５０℃で１０分間焼成して、透明で均一な、欠陥のな
いアルカリ土類金属酸化物の被膜を得た。
化物粉末、有機酸およびエーテルアルコール溶媒を撹拌
しつつ１５０℃に昇温して、該金属酸化物の粉末が消失
するまで反応を続け、アルカリ土類金属塩のエーテルア
ルコール溶液を調製した。反応終了後、溶液を冷却し
て、実施例２および実施例４では、２−ブトキシエタノ
ールで希釈して系の粘度を１dPa・s とし、実施例１で用
いたのと同様のスライドガラスにスプレーコートした。
実施例３では、溶媒の一部を留去することにより、系の
粘度を１００dPa・s として、同様のスライドガラスに印
刷した。いずれの場合も、風乾して溶媒を除去した後、
５５０℃で１０分間焼成して、透明で均一な、欠陥のな
いアルカリ土類金属酸化物の被膜を得た。
【００２７】このようにして得られた、アルカリ土類金
属酸化物からなる誘電体保護層を備えたスライドガラス
を用いて、実施例１と同様にしてガス放電パネルを作製
し、実施例１と同様にして発光効率を求めた。その結果
を、実施例１の発光効率とともに表２にまとめた。
属酸化物からなる誘電体保護層を備えたスライドガラス
を用いて、実施例１と同様にしてガス放電パネルを作製
し、実施例１と同様にして発光効率を求めた。その結果
を、実施例１の発光効率とともに表２にまとめた。
【００２８】
【表１】
【００２９】比較例１ 酸化マグネシウムのスパッタリングにより、同様のスラ
イドガラスに、酸化マグネシウムの均一な被膜が得られ
た。これより実施例１と同様にして得られた発光輝度
を、前述の発光効率の標準として用いた。
イドガラスに、酸化マグネシウムの均一な被膜が得られ
た。これより実施例１と同様にして得られた発光輝度
を、前述の発光効率の標準として用いた。
【００３０】比較例２ エチルセルロース２部をジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル３０部に溶解した。これに、酸化マグネシウ
ム粉末（Ｍｇ純度９９．９％以上）４０部およびホウケ
イ酸鉛ガラス粉末（作業温度５００℃用）１部を混合
し、撹拌して均一に分散させた。系の粘度を２００dPa・
s に調整し、スライドガラスに印刷した。これを風乾し
た後、５８０℃で１０分間焼成したところ、くすんだ半
透明の被膜が得られた。
ルエーテル３０部に溶解した。これに、酸化マグネシウ
ム粉末（Ｍｇ純度９９．９％以上）４０部およびホウケ
イ酸鉛ガラス粉末（作業温度５００℃用）１部を混合
し、撹拌して均一に分散させた。系の粘度を２００dPa・
s に調整し、スライドガラスに印刷した。これを風乾し
た後、５８０℃で１０分間焼成したところ、くすんだ半
透明の被膜が得られた。
【００３１】これを用いて、実施例１と同様にしてガス
放電パネルを作製し、実施例１と同様にして発電効率を
求めた。その結果を表２に示す。
放電パネルを作製し、実施例１と同様にして発電効率を
求めた。その結果を表２に示す。
【００３２】比較例３ 酸化マグネシウム粉末として、Ｍｇ純度が９２％のもの
を用いた。この酸化マグネシウム粉末４部を用い、２−
エチルヘキサン酸２８部および２−ブトキシエタノール
３００部とともに、実施例２と同様に加熱して、他の金
属塩を不純物として含む２−エチルヘキサン酸マグネシ
ウムの均一な溶液を得た。これを粘度が５dPa・s になる
ように２−ブトキシエタノールで希釈し、スライドガラ
スにスプレーコートし、風乾した後、５８０℃で１０分
間焼成したところ、くすんだ半透明の被膜を得た。
を用いた。この酸化マグネシウム粉末４部を用い、２−
エチルヘキサン酸２８部および２−ブトキシエタノール
３００部とともに、実施例２と同様に加熱して、他の金
属塩を不純物として含む２−エチルヘキサン酸マグネシ
ウムの均一な溶液を得た。これを粘度が５dPa・s になる
ように２−ブトキシエタノールで希釈し、スライドガラ
スにスプレーコートし、風乾した後、５８０℃で１０分
間焼成したところ、くすんだ半透明の被膜を得た。
【００３３】これを用いて、実施例１と同様にしてガス
放電パネルを作製し、実施例１と同様にして発電効率を
求めた。その結果を表２に示す。
放電パネルを作製し、実施例１と同様にして発電効率を
求めた。その結果を表２に示す。
【００３４】
【表２】
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 Ｍ（ＯＲ)2 （式中、Ｍはアルカリ土類金属原子を表し、Ｒは互いに
同一でも異なっていてもよく、１価の炭化水素基、また
はヒドロキシル基で置換されていてもよい１価のアシル
基を表し、アシル基の場合、２個のＲが連結して２価の
アシル基を形成していてもよい）で示される１種または
２種以上のアルカリ土類金属含有有機化合物を誘電体の
表面に塗布する工程と、ついでこれを３００〜７００℃
に焼成して、アルカリ土類金属酸化物からなる保護層を
形成する工程を含むことを特徴とする誘電体保護層の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308525A JPH06162920A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 誘電体保護層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308525A JPH06162920A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 誘電体保護層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162920A true JPH06162920A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17982085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4308525A Pending JPH06162920A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 誘電体保護層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06162920A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990008979A (ko) * | 1997-07-05 | 1999-02-05 | 엄길용 | 교류형 플라즈마 표시소자의 보호층 형성방법 |
| JPH11315041A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-11-16 | Samsung Display Devices Co Ltd | 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法 |
| US7018462B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-03-28 | Nof Corporation | Organic acid metal salt and coating liquid containing the same for forming a metal oxide film |
| US7264528B2 (en) | 2002-07-23 | 2007-09-04 | Hitachi, Ltd. | Substrate assembly for gas discharge panel, process for manufacturing the same, and gas discharge panel |
| JP2007280691A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム薄膜製造用液体組成物 |
| WO2007139183A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4308525A patent/JPH06162920A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990008979A (ko) * | 1997-07-05 | 1999-02-05 | 엄길용 | 교류형 플라즈마 표시소자의 보호층 형성방법 |
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| US7327082B2 (en) | 2002-07-23 | 2008-02-05 | Hitachi, Ltd. | Substrate assembly for gas discharge panel having dielectric layer comprising laminate of organic dielectric layer and inorganic dielectric layer, and gas discharge panel |
| US7018462B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-03-28 | Nof Corporation | Organic acid metal salt and coating liquid containing the same for forming a metal oxide film |
| JP2007280691A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム薄膜製造用液体組成物 |
| WO2007139183A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| WO2007139184A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| US8089211B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-01-03 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
| US8183775B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
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