JPH06158042A - 可視発光微粉体 - Google Patents
可視発光微粉体Info
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- JPH06158042A JPH06158042A JP30535692A JP30535692A JPH06158042A JP H06158042 A JPH06158042 A JP H06158042A JP 30535692 A JP30535692 A JP 30535692A JP 30535692 A JP30535692 A JP 30535692A JP H06158042 A JPH06158042 A JP H06158042A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 元素の周期表IV族半導体であるＧｅを主成分
とする可視発光微粒子粉末を合成し、発光特性ならびに
安定性に優れた新規な可視発光微粉体を提供する。 【構成】 Ｇｅを主成分とする微粒子であって、該微粒
子の粒子径が１〜１０ｎｍの範囲にあり、かつ短波長の
光の照射により可視発光する微粒子粉末からなる可視発
光微粉体。および、Ｇｅを主成分とする微粒子粉末の表
面に、Ｇｅ酸化物層、またはＳｉもしくはＡｌを含む酸
化物層を形成した可視発光微粉体。 【効果】 発光特性ならびに安定性に優れた高性能のＧ
ｅ可視発光微粉体が得られる。
とする可視発光微粒子粉末を合成し、発光特性ならびに
安定性に優れた新規な可視発光微粉体を提供する。 【構成】 Ｇｅを主成分とする微粒子であって、該微粒
子の粒子径が１〜１０ｎｍの範囲にあり、かつ短波長の
光の照射により可視発光する微粒子粉末からなる可視発
光微粉体。および、Ｇｅを主成分とする微粒子粉末の表
面に、Ｇｅ酸化物層、またはＳｉもしくはＡｌを含む酸
化物層を形成した可視発光微粉体。 【効果】 発光特性ならびに安定性に優れた高性能のＧ
ｅ可視発光微粉体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、短波長の光の照射によ
り発光する可視発光微粒子粉末に係わり、さらに詳しく
はその成分、組成および形態を改善した新規で高性能の
Ｇｅ（ゲルマニウム）可視発光微粉体に関する。
り発光する可視発光微粒子粉末に係わり、さらに詳しく
はその成分、組成および形態を改善した新規で高性能の
Ｇｅ（ゲルマニウム）可視発光微粉体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の分散型エレクトロルミネッセンス
素子などに用いられている可視発光粉末においては、主
要構成成分であるＺｎＳ（硫化亜鉛）が空気中の水分と
反応して輝度が大幅に劣化するという問題があった。そ
のため、気相中や液相中での可視発光粉末の表面に、撥
水性の酸化チタン膜や酸化ケイ素膜もしくは有機樹脂膜
を形成して、水分による可視発光粉末の劣化を防止する
方法が提案されている（特開昭６２−１９５８９４号公
報、特開平４−３２１９４号公報）。しかしながら、上
記のような被膜処理は、その処理過程（水分や熱）でＺ
ｎＳにダメージを与えたり、また完全に粉体を撥水性物
質で被覆することが困難であるため、可視発光粉末の劣
化を防止することができないという問題があり、そのた
め耐食性ならびに安定性に優れた可視発光粉末の開発が
望まれていた。元素の周期表IV族半導体であるＧｅは、
空気中では非常に安定した元素であり、赤熱以上の加熱
でしか酸化されない物質である。しかし、IV族半導体で
あるＧｅは、間接遷移型のバンド構造を有する半導体材
料であって、バンドギャップが小さいために可視発光は
不可能であると考えられており、従来は光エレクトロニ
クス材料としてあまり注目されていなかった。しかし、
ＳｉやＧｅに極微細構造を導入することで量子の閉じ込
め効果が生じ、新しい光学的遷移や発光が生じるのでは
ないかということが提唱され、実際にＳｉ／Ｇｅ超薄膜
超格子などにおいて発光が報告されており、これにより
IV族半導体の量子構造による発光が可能であることが判
明した。しかし、これまでに確認されている可視発光体
は、すべて薄膜状のものであり、分散型エレクトロルミ
ネッセンス素子に用いられるようなIV族半導体の可視発
光粉末における発光は確認されていなかった。
素子などに用いられている可視発光粉末においては、主
要構成成分であるＺｎＳ（硫化亜鉛）が空気中の水分と
反応して輝度が大幅に劣化するという問題があった。そ
のため、気相中や液相中での可視発光粉末の表面に、撥
水性の酸化チタン膜や酸化ケイ素膜もしくは有機樹脂膜
を形成して、水分による可視発光粉末の劣化を防止する
方法が提案されている（特開昭６２−１９５８９４号公
報、特開平４−３２１９４号公報）。しかしながら、上
記のような被膜処理は、その処理過程（水分や熱）でＺ
ｎＳにダメージを与えたり、また完全に粉体を撥水性物
質で被覆することが困難であるため、可視発光粉末の劣
化を防止することができないという問題があり、そのた
め耐食性ならびに安定性に優れた可視発光粉末の開発が
望まれていた。元素の周期表IV族半導体であるＧｅは、
空気中では非常に安定した元素であり、赤熱以上の加熱
でしか酸化されない物質である。しかし、IV族半導体で
あるＧｅは、間接遷移型のバンド構造を有する半導体材
料であって、バンドギャップが小さいために可視発光は
不可能であると考えられており、従来は光エレクトロニ
クス材料としてあまり注目されていなかった。しかし、
ＳｉやＧｅに極微細構造を導入することで量子の閉じ込
め効果が生じ、新しい光学的遷移や発光が生じるのでは
ないかということが提唱され、実際にＳｉ／Ｇｅ超薄膜
超格子などにおいて発光が報告されており、これにより
IV族半導体の量子構造による発光が可能であることが判
明した。しかし、これまでに確認されている可視発光体
は、すべて薄膜状のものであり、分散型エレクトロルミ
ネッセンス素子に用いられるようなIV族半導体の可視発
光粉末における発光は確認されていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、従来
の元素の周期表IV族半導体の可視発光粉末は、水分に対
する安定性が悪く、種々の撥水処理が行われているが、
これらの撥水処理においては、処理過程中に母体材料に
悪影響を及ぼし発光特性が著しく劣化するという問題が
あった。なお、耐食性ならびに安定性に優れたIV族半導
体の微粒子からなる可視発光粉末はいまだ実現されてい
ない。
の元素の周期表IV族半導体の可視発光粉末は、水分に対
する安定性が悪く、種々の撥水処理が行われているが、
これらの撥水処理においては、処理過程中に母体材料に
悪影響を及ぼし発光特性が著しく劣化するという問題が
あった。なお、耐食性ならびに安定性に優れたIV族半導
体の微粒子からなる可視発光粉末はいまだ実現されてい
ない。
【０００４】本発明の目的は、元素の周期表IV族半導体
であるＧｅを主成分とする可視発光微粒子粉末からな
り、短波長の光の照射により可視発光する発光特性なら
びに安定性に優れた新規な構成のＧｅ可視発光微粉体を
提供することにある。
であるＧｅを主成分とする可視発光微粒子粉末からな
り、短波長の光の照射により可視発光する発光特性なら
びに安定性に優れた新規な構成のＧｅ可視発光微粉体を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記本発明
の目的を達成するために、元素の周期表IV族半導体であ
るＧｅについて種々の検討を行った結果、１〜１０ｎｍ
のＧｅ微粒子粉末を合成し、その後、Ｇｅ微粒子粉末の
表面を酸化させて酸化物層を形成させるか、または、Ｓ
ｉやＡｌなどを含む酸化物被膜を形成させてＧｅの量子
サイズを安定に確保することにより、Ｇｅ微粒子粉末が
可視発光微分体となり得ることを確認した。１〜１０ｎ
ｍのＧｅ微粒子粉末の合成は、ガス中蒸発法またはＣＶ
Ｄ法などの物理的または化学的手段、さらにはゾル法、
ゲル法や液相析出法など化学的手段と、還元・酸化の組
合せによって合成することも可能である。Ｇｅ微粒子表
面の酸化物層の形成は、Ｇｅ微粒子の合成直後に、酸素
ガスや二酸化炭素ガスと接触させる気相法や、トルエン
やＴＨＦ（テトラヒドロフラン）など有機溶媒に含浸さ
せる液相法などが挙げられる。また、Ｇｅ微粒子の酸化
物層の膜厚は、気相法の場合は導入するガス圧力、反応
温度および時間によって制御することができる。また、
液相の場合には溶剤の成分組成を調整することによって
膜厚の制御が可能である。さらに、いっそうＧｅ微粒子
の安定性の向上をはかるために、ＳｉやＡｌを含む酸化
物被膜をＧｅ微粒子の表面に被覆させることが望まし
い。被覆手段としては、合成したＧｅ微粒子を、Ｓｉや
Ａｌのアルコキシド化合物を含む溶液に分散してアルコ
キシドを吸着させた後、加水分解を行うことでＧｅ微粒
子表面にＳｉやＡｌの水酸化物を析出させ、不活性ガス
中で加熱し脱水処理を行って、ＳｉやＡｌを含む酸化物
被膜を形成させることができる。ＳｉやＡｌを含む酸化
物被膜の厚みは、それらのアルコキシド化合物の添加量
によって制御することができる。Ｓｉの添加量は、Ｇｅ
微粒子の表面の一部、または全体を被覆する量が必要
で、少なすぎるとＧｅ微粒子の安定性を向上させること
ができない。また、多すぎるとＧｅの含有率が低下して
しまい、Ｇｅ微粒子の可視発光強度が劣化するので好ま
しくない。そこで、Ｓｉの含有量は、Ｇｅとの重量比で
Ｓｉ／Ｇｅ＝０．１／１００〜５／１００の範囲である
ことが好ましい。Ａｌの添加量においても、Ｇｅ微粒子
の表面の一部、または全体を被覆する量が必要で、少な
すぎるとＧｅ微粒子の安定性を向上させることができな
い。また、多すぎるとＧｅ微粒子粉末を凝集させてしま
うことになる。そこで、Ａｌの含有量はＧｅとの重量比
でＡｌ／Ｇｅ＝０．１／１００〜５／１００の範囲であ
ることが好ましい。
の目的を達成するために、元素の周期表IV族半導体であ
るＧｅについて種々の検討を行った結果、１〜１０ｎｍ
のＧｅ微粒子粉末を合成し、その後、Ｇｅ微粒子粉末の
表面を酸化させて酸化物層を形成させるか、または、Ｓ
ｉやＡｌなどを含む酸化物被膜を形成させてＧｅの量子
サイズを安定に確保することにより、Ｇｅ微粒子粉末が
可視発光微分体となり得ることを確認した。１〜１０ｎ
ｍのＧｅ微粒子粉末の合成は、ガス中蒸発法またはＣＶ
Ｄ法などの物理的または化学的手段、さらにはゾル法、
ゲル法や液相析出法など化学的手段と、還元・酸化の組
合せによって合成することも可能である。Ｇｅ微粒子表
面の酸化物層の形成は、Ｇｅ微粒子の合成直後に、酸素
ガスや二酸化炭素ガスと接触させる気相法や、トルエン
やＴＨＦ（テトラヒドロフラン）など有機溶媒に含浸さ
せる液相法などが挙げられる。また、Ｇｅ微粒子の酸化
物層の膜厚は、気相法の場合は導入するガス圧力、反応
温度および時間によって制御することができる。また、
液相の場合には溶剤の成分組成を調整することによって
膜厚の制御が可能である。さらに、いっそうＧｅ微粒子
の安定性の向上をはかるために、ＳｉやＡｌを含む酸化
物被膜をＧｅ微粒子の表面に被覆させることが望まし
い。被覆手段としては、合成したＧｅ微粒子を、Ｓｉや
Ａｌのアルコキシド化合物を含む溶液に分散してアルコ
キシドを吸着させた後、加水分解を行うことでＧｅ微粒
子表面にＳｉやＡｌの水酸化物を析出させ、不活性ガス
中で加熱し脱水処理を行って、ＳｉやＡｌを含む酸化物
被膜を形成させることができる。ＳｉやＡｌを含む酸化
物被膜の厚みは、それらのアルコキシド化合物の添加量
によって制御することができる。Ｓｉの添加量は、Ｇｅ
微粒子の表面の一部、または全体を被覆する量が必要
で、少なすぎるとＧｅ微粒子の安定性を向上させること
ができない。また、多すぎるとＧｅの含有率が低下して
しまい、Ｇｅ微粒子の可視発光強度が劣化するので好ま
しくない。そこで、Ｓｉの含有量は、Ｇｅとの重量比で
Ｓｉ／Ｇｅ＝０．１／１００〜５／１００の範囲である
ことが好ましい。Ａｌの添加量においても、Ｇｅ微粒子
の表面の一部、または全体を被覆する量が必要で、少な
すぎるとＧｅ微粒子の安定性を向上させることができな
い。また、多すぎるとＧｅ微粒子粉末を凝集させてしま
うことになる。そこで、Ａｌの含有量はＧｅとの重量比
でＡｌ／Ｇｅ＝０．１／１００〜５／１００の範囲であ
ることが好ましい。
【０００６】
〈実施例１〉 〔Ｇｅ微粒子粉末の合成〕抵抗加熱によるガス中蒸発法
を用いて、Ｇｅ微粒子粉末を合成した。ガス中蒸発は、
Ａｒガス圧力：０．３ｍｍＨｇ（Torr）、電圧：６Ｖ、
電流：３０Ａ、反応時間：２０分の条件下で行った。Ｇ
ｅ微粒子粉末の性状は、Ｎ2ガスの吸着特性から算出し
た比表面積は６５ｍ2／ｇ、また５０万倍の透過電子顕
微鏡像から算出したＧｅ微粒子径は８ｎｍであった。 〔酸化処理〕Ｇｅの微粒子粉末の合成に用いた蒸発装置
中に、９９％酸素ガスを導入してガス圧力を１Torrとな
し、２５℃で１時間放置することでＧｅ微粒子に酸化被
膜を形成した。 〔安定化処理〕アルミニウムトリイソプロポキシド（Ａ
ＴＩＰ）とエタノールを重量比１：５で混合し、２０％
ＡＴＩＰ溶液を調製した。この２０％ＡＴＩＰ溶液１０
０ｇに、Ｇｅ微粒子粉末１００ｇを添加し、これを８０
℃で撹拌しながら２時間の加水分解を行い、１５０℃で
２時間乾燥させた。 〔可視発光評価〕励起光源に、アルゴンレーザ（波長４
８８ｎｍ）を用い、フォトルミネッセンス（ＰＬ）をフ
ォトカウンタで測定した。なお、発光強度は、実施例１
におけるＰＬ発光のピーク（中心）での発光強度を１０
０とした。 〔耐食性評価〕６０℃、９０％ＲＨの雰囲気中に１週間
放置し、放置前後におけるＧｅ微粒子粉末のＰＬ発光強
度を比較して調べた。
を用いて、Ｇｅ微粒子粉末を合成した。ガス中蒸発は、
Ａｒガス圧力：０．３ｍｍＨｇ（Torr）、電圧：６Ｖ、
電流：３０Ａ、反応時間：２０分の条件下で行った。Ｇ
ｅ微粒子粉末の性状は、Ｎ2ガスの吸着特性から算出し
た比表面積は６５ｍ2／ｇ、また５０万倍の透過電子顕
微鏡像から算出したＧｅ微粒子径は８ｎｍであった。 〔酸化処理〕Ｇｅの微粒子粉末の合成に用いた蒸発装置
中に、９９％酸素ガスを導入してガス圧力を１Torrとな
し、２５℃で１時間放置することでＧｅ微粒子に酸化被
膜を形成した。 〔安定化処理〕アルミニウムトリイソプロポキシド（Ａ
ＴＩＰ）とエタノールを重量比１：５で混合し、２０％
ＡＴＩＰ溶液を調製した。この２０％ＡＴＩＰ溶液１０
０ｇに、Ｇｅ微粒子粉末１００ｇを添加し、これを８０
℃で撹拌しながら２時間の加水分解を行い、１５０℃で
２時間乾燥させた。 〔可視発光評価〕励起光源に、アルゴンレーザ（波長４
８８ｎｍ）を用い、フォトルミネッセンス（ＰＬ）をフ
ォトカウンタで測定した。なお、発光強度は、実施例１
におけるＰＬ発光のピーク（中心）での発光強度を１０
０とした。 〔耐食性評価〕６０℃、９０％ＲＨの雰囲気中に１週間
放置し、放置前後におけるＧｅ微粒子粉末のＰＬ発光強
度を比較して調べた。
【０００７】〈実施例２〉実施例１の安定化処理を、下
記の条件に変更した以外は、実施例１と同様の操作で可
視発光微粒子粉末を作製し、可視発光の評価を行った。 〔安定化処理〕テトラエトキシシラン（ＴＥＳ）とエタ
ノールを重量比１：５で混合し、２０％ＴＥＳ溶液を調
製した。この２０％ＴＥＳ溶液１００ｇに、Ｇｅ微粒子
粉末１００ｇを添加し、これを８０℃で撹拌しながら２
時間の加水分解を行い、１５０℃で２時間乾燥した。
記の条件に変更した以外は、実施例１と同様の操作で可
視発光微粒子粉末を作製し、可視発光の評価を行った。 〔安定化処理〕テトラエトキシシラン（ＴＥＳ）とエタ
ノールを重量比１：５で混合し、２０％ＴＥＳ溶液を調
製した。この２０％ＴＥＳ溶液１００ｇに、Ｇｅ微粒子
粉末１００ｇを添加し、これを８０℃で撹拌しながら２
時間の加水分解を行い、１５０℃で２時間乾燥した。
【０００８】〈実施例３〉実施例１の酸化処理までの操
作を行い、可視発光評価を行った。
作を行い、可視発光評価を行った。
【０００９】〈実施例４〉実施例１の安定化処理におい
て、２０％ＡＴＩＰの量を１５０ｇに変更した他は、実
施例１と同様の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、可
視発光の評価を行った。
て、２０％ＡＴＩＰの量を１５０ｇに変更した他は、実
施例１と同様の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、可
視発光の評価を行った。
【００１０】〈実施例５〉実施例１のＧｅ微粒子粉末の
合成および酸化処理を、下記の条件に変更した以外は、
実施例１と同様の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、
可視発光の評価を行った。 〔Ｇｅ微粒子粉末の合成〕抵抗加熱によるガス中蒸発法
を用いてＧｅ微粒子粉末を合成した。ガス中蒸発は、Ａ
ｒガス圧力：０．１Ｔｏｒｒ、電圧：５．８Ｖ、電流：
２８Ａ、反応時間：２０分の条件下で行った。Ｇｅ微粒
子粉末の性状は、Ｎ2ガスの吸着特性から算出した比表
面積は８５ｍ２／ｇ、また５０万倍の透過電子顕微鏡像
から算出したＧｅ微粒子径は５ｎｍであった。 〔酸化処理〕Ｇｅの微粒子粉末の合成に用いた蒸発装置
中に、９９％酸素ガスを導入して圧力を３Ｔｏｒｒに調
整し、２５℃で３０分間放置してＧｅ微粒子表面にに酸
化被膜を形成した。
合成および酸化処理を、下記の条件に変更した以外は、
実施例１と同様の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、
可視発光の評価を行った。 〔Ｇｅ微粒子粉末の合成〕抵抗加熱によるガス中蒸発法
を用いてＧｅ微粒子粉末を合成した。ガス中蒸発は、Ａ
ｒガス圧力：０．１Ｔｏｒｒ、電圧：５．８Ｖ、電流：
２８Ａ、反応時間：２０分の条件下で行った。Ｇｅ微粒
子粉末の性状は、Ｎ2ガスの吸着特性から算出した比表
面積は８５ｍ２／ｇ、また５０万倍の透過電子顕微鏡像
から算出したＧｅ微粒子径は５ｎｍであった。 〔酸化処理〕Ｇｅの微粒子粉末の合成に用いた蒸発装置
中に、９９％酸素ガスを導入して圧力を３Ｔｏｒｒに調
整し、２５℃で３０分間放置してＧｅ微粒子表面にに酸
化被膜を形成した。
【００１１】〈比較例１〉実施例１において、酸化処
理、安定化処理の両方を行わずに実施例１と同様の操作
で可視発光微粉末を作製し、可視発光の評価を行った。
理、安定化処理の両方を行わずに実施例１と同様の操作
で可視発光微粉末を作製し、可視発光の評価を行った。
【００１２】〈比較例２〉実施例１の安定化処理におい
て、２０％ＡＴＩＰの量を２５０ｇに変更した他は、実
施例１と同様の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、可
視発光の評価を行った。
て、２０％ＡＴＩＰの量を２５０ｇに変更した他は、実
施例１と同様の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、可
視発光の評価を行った。
【００１３】〈比較例３〉実施例１のＧｅ微粒子粉末の
合成を、下記の条件に変更した以外は、実施例１と同様
の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、可視発光の評価
を行った。 〔Ｇｅ微粒子粉末の合成〕抵抗加熱によるガス中蒸発法
を用いてＧｅ微粒子粉末を合成した。ガス中蒸発は、Ａ
ｒガス圧力：１Ｔｏｒｒ、電圧：７Ｖ、電流：３５Ａ、
反応時間：２０分の条件下で行った。Ｇｅ微粒子粉末の
性状は、Ｎ２ガスの吸着特性から算出した比表面積は４
０ｍ2／ｇ、また５０万倍の透過電子顕微鏡像から算出
した粒子径は１５ｎｍであった。
合成を、下記の条件に変更した以外は、実施例１と同様
の操作で可視発光微粒子粉末を作製し、可視発光の評価
を行った。 〔Ｇｅ微粒子粉末の合成〕抵抗加熱によるガス中蒸発法
を用いてＧｅ微粒子粉末を合成した。ガス中蒸発は、Ａ
ｒガス圧力：１Ｔｏｒｒ、電圧：７Ｖ、電流：３５Ａ、
反応時間：２０分の条件下で行った。Ｇｅ微粒子粉末の
性状は、Ｎ２ガスの吸着特性から算出した比表面積は４
０ｍ2／ｇ、また５０万倍の透過電子顕微鏡像から算出
した粒子径は１５ｎｍであった。
【００１４】〈比較例４〉蛍光体ＺｎＳ：Ｍｎの可視発
光評価を行った。
光評価を行った。
【００１５】〈比較例５〉発水処理された市販の蛍光体
ＺｎＳ：Ｍｎの可視発光評価を行った。以上の実施例１
〜５および比較例１〜５で行った可視発光微粒子粉末の
可視発光評価の結果を、まとめて表１に示す。
ＺｎＳ：Ｍｎの可視発光評価を行った。以上の実施例１
〜５および比較例１〜５で行った可視発光微粒子粉末の
可視発光評価の結果を、まとめて表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１に示すごとく、本実施例１〜５からわ
かるように、１〜１０ｎｍのＧｅ微粒子粉末を合成する
ことで、発光特性に優れた可視発光微粒子粉末が得られ
る。また、より安定な発光特性を得るためには、Ｇｅ微
粒子表面に、Ｇｅ酸化物層の形成、あるいはＳｉやＡｌ
を含む酸化物層を形成することにより、安定性に優れた
可視発光微粉体が得られることが分かる。
かるように、１〜１０ｎｍのＧｅ微粒子粉末を合成する
ことで、発光特性に優れた可視発光微粒子粉末が得られ
る。また、より安定な発光特性を得るためには、Ｇｅ微
粒子表面に、Ｇｅ酸化物層の形成、あるいはＳｉやＡｌ
を含む酸化物層を形成することにより、安定性に優れた
可視発光微粉体が得られることが分かる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の可
視発光微粉体は、粒子径が１〜１０ｎｍのＧｅ微粒子粉
末を合成することで、短波長の光の照射によって容易に
可視発光する発光特性に優れた可視発光微粉末を得こと
ができる。さらに、Ｇｅ微粒子の表面にＧｅの酸化物層
あるいはＳｉまたはＡｌを含む酸化物層を形成すること
により安定性に優れた高性能の可視発光微粉体が得られ
る。
視発光微粉体は、粒子径が１〜１０ｎｍのＧｅ微粒子粉
末を合成することで、短波長の光の照射によって容易に
可視発光する発光特性に優れた可視発光微粉末を得こと
ができる。さらに、Ｇｅ微粒子の表面にＧｅの酸化物層
あるいはＳｉまたはＡｌを含む酸化物層を形成すること
により安定性に優れた高性能の可視発光微粉体が得られ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｇｅを主成分とする微粒子粉末であって、
該微粒子の粒子径は１〜１０ｎｍの範囲にあり、かつ短
波長の光の照射により可視発光する微粒子粉末からなる
ことを特徴とする可視発光微粉体。 - 【請求項２】請求項１において、Ｇｅを主成分とする微
粒子粉末の表面に、Ｇｅ酸化物層を形成してなることを
特徴とする可視発光微粉体。 - 【請求項３】請求項１において、Ｇｅを主成分とする微
粒子粉末の表面に、 ＳｉもしくはＡｌを含む酸化物層
を形成してなることを特徴とする可視発光微粉体。 - 【請求項４】請求項３において、酸化物層中のＳｉもし
くはＡｌの含有量がＧｅとの重量比で、Ｓｉ／Ｇｅ＝
０．１／１００〜５／１００もしくはＡｌ／Ｇｅ＝０．
１／１００〜５／１００の範囲内にあることを特徴とす
る可視発光微粉体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30535692A JPH06158042A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 可視発光微粉体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30535692A JPH06158042A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 可視発光微粉体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06158042A true JPH06158042A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=17944134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30535692A Withdrawn JPH06158042A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 可視発光微粉体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06158042A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256523A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真用トナーとそれを用いた画像形成方法及び画像形成装置 |
| JP2018095607A (ja) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | 抗ウイルス性を有する分散液 |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP30535692A patent/JPH06158042A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256523A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真用トナーとそれを用いた画像形成方法及び画像形成装置 |
| JP2018095607A (ja) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | 抗ウイルス性を有する分散液 |
| US11647744B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-05-16 | Toyo Seikan Group Holdings, Ltd. | Dispersion solution having antiviral property |
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