JPH06155284A - ウエーハ基板片面研摩方法 - Google Patents
ウエーハ基板片面研摩方法Info
- Publication number
- JPH06155284A JPH06155284A JP33796492A JP33796492A JPH06155284A JP H06155284 A JPH06155284 A JP H06155284A JP 33796492 A JP33796492 A JP 33796492A JP 33796492 A JP33796492 A JP 33796492A JP H06155284 A JPH06155284 A JP H06155284A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer substrate
- polishing
- wafer
- taper
- rotary holder
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は膜厚精度が２μｍ以下であり、 1
00mmφで厚さが10μｍである極薄膜の研摩も可能である
ウエーハ基板の片面研摩方法の提供を目的とするもので
ある。 【構成】 本発明のウエーハ基板片面研摩方法は、両
面研摩機の上下定盤をとも擦りし、ウエーハ基板の研摩
されない側の面に回転ホルダーを張りつけてこれを上下
定盤に設置し、同一周期で回転させ、研摩することを特
徴とするものである。
00mmφで厚さが10μｍである極薄膜の研摩も可能である
ウエーハ基板の片面研摩方法の提供を目的とするもので
ある。 【構成】 本発明のウエーハ基板片面研摩方法は、両
面研摩機の上下定盤をとも擦りし、ウエーハ基板の研摩
されない側の面に回転ホルダーを張りつけてこれを上下
定盤に設置し、同一周期で回転させ、研摩することを特
徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエーハ基板片面研摩方
法、特にはウエーハ基板の片面のみを精度よく研摩する
ウエーハ基板片面研摩方法に関するものである。
法、特にはウエーハ基板の片面のみを精度よく研摩する
ウエーハ基板片面研摩方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウエーハ基板の片面研摩装置としては枚
葉式などが公知とされているが、これはウエーハを上定
盤に直接張りつけるものであるために、ウエーハのテー
パー精度が悪化するという不利があり、これにはまた接
触面に砥粒が混入するために研摩されない側の面に傷が
発生する率が高いという欠点もある。
葉式などが公知とされているが、これはウエーハを上定
盤に直接張りつけるものであるために、ウエーハのテー
パー精度が悪化するという不利があり、これにはまた接
触面に砥粒が混入するために研摩されない側の面に傷が
発生する率が高いという欠点もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】また、これについては
ウエーハを座ぐりしたものもあるが、単純に傷発生防止
のためにクロスを張りつけた場合でも、図３に示したよ
うに座ぐり12をもつウエーハ基板11にはこの座ぐり12に
もクロス13を介して研摩荷重14が均等にかかるためにテ
ーパー15がつき易く、通常の研摩ではテーパーが30μｍ
も発生するし、張り合わせウエーハでも片面を 570μｍ
前後研摩する必要があることから通常の研摩でもテーパ
ーは30μｍ以上発生し、さらにこの片面研摩装置では投
入枚数が制限されるために生産性が低いという難点があ
る。
ウエーハを座ぐりしたものもあるが、単純に傷発生防止
のためにクロスを張りつけた場合でも、図３に示したよ
うに座ぐり12をもつウエーハ基板11にはこの座ぐり12に
もクロス13を介して研摩荷重14が均等にかかるためにテ
ーパー15がつき易く、通常の研摩ではテーパーが30μｍ
も発生するし、張り合わせウエーハでも片面を 570μｍ
前後研摩する必要があることから通常の研摩でもテーパ
ーは30μｍ以上発生し、さらにこの片面研摩装置では投
入枚数が制限されるために生産性が低いという難点があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決したウエーハ基板片面研摩方法に関する
ものであり、これは両面研摩機を用いるウエーハ基板の
片面研摩において、該両面研摩機の上下定盤をとも擦り
とし、ウエーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダ
ーを張りつけ、これを上下定盤に設置し、同一周期で回
転させ、研摩することを特徴とするものである。
利、欠点を解決したウエーハ基板片面研摩方法に関する
ものであり、これは両面研摩機を用いるウエーハ基板の
片面研摩において、該両面研摩機の上下定盤をとも擦り
とし、ウエーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダ
ーを張りつけ、これを上下定盤に設置し、同一周期で回
転させ、研摩することを特徴とするものである。
【０００５】すなわち、本発明者らはウエーハ基板の片
面のみを精度よく研摩する方法を開発すべく種々検討し
た結果、基板にテーパーのつきにくい両面研摩機を使用
することとしたところ、テーパー精度が向上すると共
に、とも擦り修正で上下定盤の平坦度が維持し易くな
り、この上下定盤を同一周期で回転させれば研摩荷重が
均一になるし、この場合回転ホルダーを使用すればキャ
リア内での基板の回転が自由となるので精度が向上する
ことを見出し、これは特に座ぐりしたウエーハ、張り合
わせウエーハの片面研摩にも有効であり、これによれば
厚さ10μｍという極薄膜の研摩も可能となり、テーパー
精度も座ぐりウエーハ、張り合わせウエーハではこれを
２μｍ以下とすることができることを確認して本発明を
完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
面のみを精度よく研摩する方法を開発すべく種々検討し
た結果、基板にテーパーのつきにくい両面研摩機を使用
することとしたところ、テーパー精度が向上すると共
に、とも擦り修正で上下定盤の平坦度が維持し易くな
り、この上下定盤を同一周期で回転させれば研摩荷重が
均一になるし、この場合回転ホルダーを使用すればキャ
リア内での基板の回転が自由となるので精度が向上する
ことを見出し、これは特に座ぐりしたウエーハ、張り合
わせウエーハの片面研摩にも有効であり、これによれば
厚さ10μｍという極薄膜の研摩も可能となり、テーパー
精度も座ぐりウエーハ、張り合わせウエーハではこれを
２μｍ以下とすることができることを確認して本発明を
完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００６】
【作用】本発明はウエーハ基板の片面研摩方法に関する
もので、これは両面研摩機を用いるウエーハ基板の片面
研摩において、該両面研摩機の上下定盤をとも擦りと
し、ウエーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダー
を張りつけてこれを上下定盤に設置し、同一周期で回転
させ、研摩することを特徴とするものであるが、これに
よれば座ぐりウエーハの片面研摩も可能となり、 100mm
φで厚さが10μｍという極薄膜の研摩も可能でこのとき
の膜厚精度を２μｍ以下とすることができるという有利
性が与えられる。
もので、これは両面研摩機を用いるウエーハ基板の片面
研摩において、該両面研摩機の上下定盤をとも擦りと
し、ウエーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダー
を張りつけてこれを上下定盤に設置し、同一周期で回転
させ、研摩することを特徴とするものであるが、これに
よれば座ぐりウエーハの片面研摩も可能となり、 100mm
φで厚さが10μｍという極薄膜の研摩も可能でこのとき
の膜厚精度を２μｍ以下とすることができるという有利
性が与えられる。
【０００７】本発明によるウエーハ基板の片面研摩は研
摩するときにウエーハにテーパーがつきにくいし、上下
定盤の平坦度が維持し易く、バッチ処理することがで
き、既存の機械が使用できることから両面研摩機を用い
て行なわれる。両面研摩機は比較的基板にテーパーがつ
きにくいので、これを使用してとも擦り修正をすれば上
下定盤の平坦度を容易に10μｍ以下に維持することがで
きるが、ポリッシュ定盤においてクロスを張る前に予め
とも擦り修正を行なってこの平坦度を10μｍ以下に仕上
げておくことがよい。
摩するときにウエーハにテーパーがつきにくいし、上下
定盤の平坦度が維持し易く、バッチ処理することがで
き、既存の機械が使用できることから両面研摩機を用い
て行なわれる。両面研摩機は比較的基板にテーパーがつ
きにくいので、これを使用してとも擦り修正をすれば上
下定盤の平坦度を容易に10μｍ以下に維持することがで
きるが、ポリッシュ定盤においてクロスを張る前に予め
とも擦り修正を行なってこの平坦度を10μｍ以下に仕上
げておくことがよい。
【０００８】また、本発明で使用する両面研摩機はウエ
ーハ基板の研摩されない側の面に例えば塩化ビニル樹脂
製の円板にスエードクロスを接着した回転ホルダーが張
りつけられるのであるが、これはその縦断面図を示した
図１に示したようなものとすればよい。図１には両面研
摩機の上定盤１と下定盤２との間に座ぐり３を有するウ
エーハ基板４が挟持されていて、このウエーハ基板４の
研摩されない側の面に回転ホルダー５が張りつけられて
おり、これによってウエーハ基板は研摩中に自由に回転
できるようになり、ウエーハ基板が自由に回転できるこ
とからそのテーパー精度が向上する。なお、図中の６は
キャリア、７はスエードクロスを示したものである。
ーハ基板の研摩されない側の面に例えば塩化ビニル樹脂
製の円板にスエードクロスを接着した回転ホルダーが張
りつけられるのであるが、これはその縦断面図を示した
図１に示したようなものとすればよい。図１には両面研
摩機の上定盤１と下定盤２との間に座ぐり３を有するウ
エーハ基板４が挟持されていて、このウエーハ基板４の
研摩されない側の面に回転ホルダー５が張りつけられて
おり、これによってウエーハ基板は研摩中に自由に回転
できるようになり、ウエーハ基板が自由に回転できるこ
とからそのテーパー精度が向上する。なお、図中の６は
キャリア、７はスエードクロスを示したものである。
【０００９】なお、この場合、回転ホルダー５とウエー
ハ基板４との接触面積は研摩面とほぼ同一面積とするこ
とがよく、このようにするとウエーハ基板に均一な研摩
荷重をかけることができるので、テーパーを例えば２μ
ｍ以下とすることができるという有利性が与えられる。
ハ基板４との接触面積は研摩面とほぼ同一面積とするこ
とがよく、このようにするとウエーハ基板に均一な研摩
荷重をかけることができるので、テーパーを例えば２μ
ｍ以下とすることができるという有利性が与えられる。
【００１０】これはこのウエーハ基板が張り合わせ基板
のときでも同様であり、これはその縦断面図としての図
２に示されているように、両面研摩機の上定盤１と下定
盤２との間に張り合わせウエーハ基板８ａと８ｂが挟持
されており、この張り合わせ基板８の研摩されない側の
面に回転ホルダー５が張りつけられるのであるが、この
場合には回転ホルダーが存在することから精度よくウエ
ーハ基板を削り込むことができ、ウエーハ厚さを10μｍ
まで研摩してもテーパーは２μｍ以下とすることができ
る。
のときでも同様であり、これはその縦断面図としての図
２に示されているように、両面研摩機の上定盤１と下定
盤２との間に張り合わせウエーハ基板８ａと８ｂが挟持
されており、この張り合わせ基板８の研摩されない側の
面に回転ホルダー５が張りつけられるのであるが、この
場合には回転ホルダーが存在することから精度よくウエ
ーハ基板を削り込むことができ、ウエーハ厚さを10μｍ
まで研摩してもテーパーは２μｍ以下とすることができ
る。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例１、２、比較例１ 図１に示した定盤径が 780mmφである12Ｂ両面研摩機
［不二越（株）社製商品名］を用いて、直径が 150mm
φ、厚さが 800μｍで、直径が 100mmφ、深さが 400μ
ｍである座ぐりをもつ合成石英製のウエーハ基板を下定
盤の回転数15r.p.m.で研摩したが、この場合ウエーハ基
板には摩擦係数が 1.0〜1.2 であるスエードクロスから
なる直径150 mmφ、厚さ 1.5mmの回転ホルダーを取りつ
けたところ、研摩されたウエーハ基板の取り代、平均厚
さ、テーパーについて表１に示したとおりの結果が得ら
れたが、比較のためにこの回転ホルダーを取りつけない
ほかは上記と同じように処理したものの取り代、平均厚
さ、テーパーは表１に示したとおりとなり、回転ホルダ
ーを取りつけたものはテーパーが 2.0μｍ以下であった
のに対し、回転ホルダーを取りつけないものはテーパー
が31.2μｍとなった。
［不二越（株）社製商品名］を用いて、直径が 150mm
φ、厚さが 800μｍで、直径が 100mmφ、深さが 400μ
ｍである座ぐりをもつ合成石英製のウエーハ基板を下定
盤の回転数15r.p.m.で研摩したが、この場合ウエーハ基
板には摩擦係数が 1.0〜1.2 であるスエードクロスから
なる直径150 mmφ、厚さ 1.5mmの回転ホルダーを取りつ
けたところ、研摩されたウエーハ基板の取り代、平均厚
さ、テーパーについて表１に示したとおりの結果が得ら
れたが、比較のためにこの回転ホルダーを取りつけない
ほかは上記と同じように処理したものの取り代、平均厚
さ、テーパーは表１に示したとおりとなり、回転ホルダ
ーを取りつけたものはテーパーが 2.0μｍ以下であった
のに対し、回転ホルダーを取りつけないものはテーパー
が31.2μｍとなった。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例３、４、比較例２ 実施例１、２で使用した座ぐりウエーハ基板を直径が４
インチφで厚さが 600μｍである２枚のウエーハ基板を
張り合わせた張り合わせ基板としたほかは、実施例１、
２と同様に処理して片面研摩したウエーハ基板を作ると
共に、比較のために回転ホルダーを使用しないほかは同
様に処理して片面研摩したウエーハ基板を作ったとこ
ろ、この取り代、ウエーハ平均厚さ、テーパーについて
表２に示したとおりの結果が得られた。
インチφで厚さが 600μｍである２枚のウエーハ基板を
張り合わせた張り合わせ基板としたほかは、実施例１、
２と同様に処理して片面研摩したウエーハ基板を作ると
共に、比較のために回転ホルダーを使用しないほかは同
様に処理して片面研摩したウエーハ基板を作ったとこ
ろ、この取り代、ウエーハ平均厚さ、テーパーについて
表２に示したとおりの結果が得られた。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】本発明はウエーハ基板片面研摩方法に関
するもので、これは前記したように両面研摩機を用いる
ウエーハ基板の片面研摩において、該両面研摩機の上下
定盤をとも擦りとし、ウエーハ基板の研摩されない側の
面に回転ホルダーを張りつけてこれを上下定盤に設置
し、同一周期で回転させ、研摩することを特徴とするも
のであるが、これによれば座ぐりウエーハ、張り合わせ
ウエーハについてもテーパー精度を２μｍ以下とするこ
とができるし、厚さが10μｍという極薄膜の片面研摩も
可能になるという有利性が与えられる。
するもので、これは前記したように両面研摩機を用いる
ウエーハ基板の片面研摩において、該両面研摩機の上下
定盤をとも擦りとし、ウエーハ基板の研摩されない側の
面に回転ホルダーを張りつけてこれを上下定盤に設置
し、同一周期で回転させ、研摩することを特徴とするも
のであるが、これによれば座ぐりウエーハ、張り合わせ
ウエーハについてもテーパー精度を２μｍ以下とするこ
とができるし、厚さが10μｍという極薄膜の片面研摩も
可能になるという有利性が与えられる。
【図１】本発明による座ぐりウエーハ基板の片面研摩方
法の縦断面図を示したものである。
法の縦断面図を示したものである。
【図２】本発明による張り合わせウエーハ基板の片面研
摩方法の縦断面図を示したものである。
摩方法の縦断面図を示したものである。
【図３】（ａ）は従来法による座ぐりウエーハ基板の片
面研摩方法の縦断面図を示したものであり、（ｂ）はそ
のテーパー発生の縦断面図を示したものである。
面研摩方法の縦断面図を示したものであり、（ｂ）はそ
のテーパー発生の縦断面図を示したものである。
１…上定盤、 ２…下定盤、３，12…座ぐ
り、 ４，11…ウエーハ基板、５…回転ホルダ
ー、 ６…キャリア、７，13…スエードクロス、
８ａ，８ｂ…張り合わせ基板、14…研摩荷重、
15…テーパー。
り、 ４，11…ウエーハ基板、５…回転ホルダ
ー、 ６…キャリア、７，13…スエードクロス、
８ａ，８ｂ…張り合わせ基板、14…研摩荷重、
15…テーパー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝田 政俊 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内
Claims (2)
- 【請求項１】両面研摩機を用いるウエーハ基板の片面研
摩において、該両面研摩機の上下定盤をとも擦りし、ウ
エーハ基板の研摩されない側の面に回転ホルダーを張り
つけてこれを上下定盤に設置し、同一周期で回転させ、
研摩することを特徴とするウエーハ基板片面研摩方法。 - 【請求項２】回転ホルダーのウエーハ基板への接触面を
研摩面とほぼ同一の面積とする請求項１に記載したウエ
ーハ基板片面研摩方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33796492A JPH06155284A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | ウエーハ基板片面研摩方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33796492A JPH06155284A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | ウエーハ基板片面研摩方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06155284A true JPH06155284A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=18313655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33796492A Pending JPH06155284A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | ウエーハ基板片面研摩方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06155284A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016197737A (ja) * | 2016-06-29 | 2016-11-24 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体 |
| US10230007B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-03-12 | Tamura Corporation | Semiconductor element, method for manufacturing same, semiconductor substrate, and crystal laminate structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676376A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-23 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | Correction of platen of lapping apparatus and lapping apparatus therefore |
| JPS56159468A (en) * | 1980-03-27 | 1981-12-08 | Horii & Co Ltd | Building of ceiling or upstair floor surface joining beam in concrete construction |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP33796492A patent/JPH06155284A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676376A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-23 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | Correction of platen of lapping apparatus and lapping apparatus therefore |
| JPS56159468A (en) * | 1980-03-27 | 1981-12-08 | Horii & Co Ltd | Building of ceiling or upstair floor surface joining beam in concrete construction |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10230007B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-03-12 | Tamura Corporation | Semiconductor element, method for manufacturing same, semiconductor substrate, and crystal laminate structure |
| JP2016197737A (ja) * | 2016-06-29 | 2016-11-24 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体 |
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