JPH06153342A - ガス絶縁機器 - Google Patents
ガス絶縁機器Info
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- JPH06153342A JPH06153342A JP5122385A JP12238593A JPH06153342A JP H06153342 A JPH06153342 A JP H06153342A JP 5122385 A JP5122385 A JP 5122385A JP 12238593 A JP12238593 A JP 12238593A JP H06153342 A JPH06153342 A JP H06153342A
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- metal container
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/066—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure
- H02G5/068—Devices for maintaining distance between conductor and enclosure being part of the junction between two enclosures
Landscapes
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガス絶縁機器の金属容器内に混入した導電性
異物が絶縁スペーサに付着しても、絶縁性能の低下を抑
制し、絶縁スペーサ表面の沿面放電の発生を防止するこ
とのできるガス絶縁機器を得ること。 【構成】 金属容器１内の導体２を絶縁支持する絶縁ス
ペーサ３は、絶縁スペーサ３の表面の少なくとも一部分
に絶縁スペーサ３の材料（エポキシ樹脂）より低い誘電
率を有する材料（フッ素樹脂）により形成された絶縁層
４がコーティングされている。
異物が絶縁スペーサに付着しても、絶縁性能の低下を抑
制し、絶縁スペーサ表面の沿面放電の発生を防止するこ
とのできるガス絶縁機器を得ること。 【構成】 金属容器１内の導体２を絶縁支持する絶縁ス
ペーサ３は、絶縁スペーサ３の表面の少なくとも一部分
に絶縁スペーサ３の材料（エポキシ樹脂）より低い誘電
率を有する材料（フッ素樹脂）により形成された絶縁層
４がコーティングされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は密閉容器内に絶縁性ガ
スが封入された開閉装置や加速器等のガス絶縁機器に関
するものである。
スが封入された開閉装置や加速器等のガス絶縁機器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のガス絶縁機器は、例えば特公昭60
ー28216号公報に示されているように、絶縁性ガスが封入
された金属容器内部に高電圧が印加される導体を収納す
る構成のものである。この金属容器内に収納された導体
は、前記金属容器に固定された絶縁スペーサにより支持
され、金属容器に対して電気的に絶縁固定されている。
ー28216号公報に示されているように、絶縁性ガスが封入
された金属容器内部に高電圧が印加される導体を収納す
る構成のものである。この金属容器内に収納された導体
は、前記金属容器に固定された絶縁スペーサにより支持
され、金属容器に対して電気的に絶縁固定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のガス絶縁機器に
おいて、前述の絶縁スペーサの材料としては機械的強度
及び電気的特性を考慮して一般的にエポキシ樹脂が用い
られているが、エポキシ樹脂は他の樹脂に比べて誘電率
が高い。金属容器内に導電性異物が混入すると、この導
電性異物が挙動しエポキシ樹脂で形成された絶縁スペー
サに導電性異物が付着する。その結果、絶縁スペーサに
おいて、導電性異物の付着部近傍で局部的な電界集中が
起こり、沿面放電が発生しやすいという問題があった。
この発明は上記のような問題を解決するためになされた
もので、金属容器内部に混入した導電性異物が絶縁スペ
ーサの表面に付着しても、その付着部近傍における局部
的な電界の集中を緩和して、絶縁スペーサにおける絶縁
性能の低下を抑制することのできるガス絶縁機器を提供
することを目的とする。
おいて、前述の絶縁スペーサの材料としては機械的強度
及び電気的特性を考慮して一般的にエポキシ樹脂が用い
られているが、エポキシ樹脂は他の樹脂に比べて誘電率
が高い。金属容器内に導電性異物が混入すると、この導
電性異物が挙動しエポキシ樹脂で形成された絶縁スペー
サに導電性異物が付着する。その結果、絶縁スペーサに
おいて、導電性異物の付着部近傍で局部的な電界集中が
起こり、沿面放電が発生しやすいという問題があった。
この発明は上記のような問題を解決するためになされた
もので、金属容器内部に混入した導電性異物が絶縁スペ
ーサの表面に付着しても、その付着部近傍における局部
的な電界の集中を緩和して、絶縁スペーサにおける絶縁
性能の低下を抑制することのできるガス絶縁機器を提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るガ
ス絶縁機器は、絶縁性ガスが封入された金属容器と、前
記金属容器の内部に収納され高電圧が印加される導体部
と、前記導体部を前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持
体部と、前記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコ
ーティングされ、前記絶縁支持体部を形成する材料の比
誘電率より低い比誘電率の材料からなる絶縁層とを具備
する。
ス絶縁機器は、絶縁性ガスが封入された金属容器と、前
記金属容器の内部に収納され高電圧が印加される導体部
と、前記導体部を前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持
体部と、前記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコ
ーティングされ、前記絶縁支持体部を形成する材料の比
誘電率より低い比誘電率の材料からなる絶縁層とを具備
する。
【０００５】請求項２の発明に係るガス絶縁機器は、絶
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され、高電圧の電路を開閉する開閉部と、前記開
閉部を前記金属容器の外部から開閉駆動する絶縁操作ロ
ッドと、前記絶縁操作ロッドの表面の少なくとも一部に
コーティングされ、前記絶縁操作ロッドを形成する材料
の比誘電率より低い比誘電率の材料からなる絶縁層とを
具備する。
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され、高電圧の電路を開閉する開閉部と、前記開
閉部を前記金属容器の外部から開閉駆動する絶縁操作ロ
ッドと、前記絶縁操作ロッドの表面の少なくとも一部に
コーティングされ、前記絶縁操作ロッドを形成する材料
の比誘電率より低い比誘電率の材料からなる絶縁層とを
具備する。
【０００６】請求項３の発明に係るガス絶縁機器は、絶
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され高電圧が印加される導体部と、前記導体部を
前記金属容器に絶縁支持する柱状の絶縁支持体部と、前
記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコーティング
され、前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率より
低い比誘電率の材料からなる絶縁層とを具備する。
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され高電圧が印加される導体部と、前記導体部を
前記金属容器に絶縁支持する柱状の絶縁支持体部と、前
記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコーティング
され、前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率より
低い比誘電率の材料からなる絶縁層とを具備する。
【０００７】請求項４の発明に係るガス絶縁機器は、絶
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され高電圧が印加される導体部と、前記導体部を
前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体部と、前記絶縁
支持体部の表面の少なくとも一部にコーティングされ、
前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率より低い比
誘電率の材料からなる複数層の絶縁層とを具備する。
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され高電圧が印加される導体部と、前記導体部を
前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体部と、前記絶縁
支持体部の表面の少なくとも一部にコーティングされ、
前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率より低い比
誘電率の材料からなる複数層の絶縁層とを具備する。
【０００８】請求項５の発明に係るガス絶縁機器は、絶
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され高電圧が印加される導体部と、前記導体部を
前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体部と、前記絶縁
支持体部の表面の少なくとも一部にコーティングされ、
前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率より低い比
誘電率の材料からなる複数層の絶縁層であって、前記絶
縁支持体部表面から遠ざかるほど比誘電率の低い絶縁層
が配設されている複数層の絶縁層とを具備する。
縁性ガスが封入された金属容器と、前記金属容器の内部
に収納され高電圧が印加される導体部と、前記導体部を
前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体部と、前記絶縁
支持体部の表面の少なくとも一部にコーティングされ、
前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率より低い比
誘電率の材料からなる複数層の絶縁層であって、前記絶
縁支持体部表面から遠ざかるほど比誘電率の低い絶縁層
が配設されている複数層の絶縁層とを具備する。
【０００９】
【作用】金属容器内の導体部に高電圧が印加されること
により、金属容器の内部に混入した導電性異物が金属容
器の内側底面上を挙動して絶縁支持体部に付着した場
合、ガス絶縁機器における絶縁支持体部は低い誘電率の
材料で構成された絶縁層によりコーティングされている
ため、この絶縁層に付着した導電性異物の近傍における
電界の集中は緩和されている。
により、金属容器の内部に混入した導電性異物が金属容
器の内側底面上を挙動して絶縁支持体部に付着した場
合、ガス絶縁機器における絶縁支持体部は低い誘電率の
材料で構成された絶縁層によりコーティングされている
ため、この絶縁層に付着した導電性異物の近傍における
電界の集中は緩和されている。
【００１０】
第１実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第１実施例のガス絶縁
開閉装置を図１及び図２を用いて説明する。図１は第１
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図２は図
１に示したガス絶縁開閉装置におけるII-II線における
正面断面図である。図１において、絶縁性ガス６が封入
された金属容器１内には、高電圧が印加される導体部で
ある複数の導体２が直線状に配置されている。これらの
導体２は通電接触子７によりそれぞれ電気的に接続され
ており、この通電接触子７には電界緩和シールド５が設
けられている。前記導体２は、ボルト８及びナット９に
より金属容器１に密着固定されている絶縁支持体部とし
ての絶縁スペーサ３により支持され、金属容器１に対し
て絶縁固定されている。この絶縁スペーサ３は、例えば
エポキシ樹脂のような、機械的強度と耐電圧特性の優れ
た絶縁材料により形成されている。ただし、このエポキ
シ樹脂の比誘電率は、他の樹脂に比べて高く、例えば比
誘電率が４以上の数値を示すので、導電性異物がこの絶
縁スペーサ３に付着すると、その付着部近傍において電
界は急激に集中する。このため、第１実施例における絶
縁スペーサ３は、図１に示すように金属容器１の内部に
おいて、前記絶縁スペーサ３を形成する材料より低い比
誘電率を有する絶縁層４により全てコーティングされて
いる。絶縁層４の材料としては、例えば、フッ素樹脂の
四フッ化エチレン−バ−フルオロアルキルビニルエーテ
ル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂の
サイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式
会社製、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフ
ェニレンエーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン
（比誘電率＝2.2）等から選ばれて用いられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
開閉装置を図１及び図２を用いて説明する。図１は第１
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図２は図
１に示したガス絶縁開閉装置におけるII-II線における
正面断面図である。図１において、絶縁性ガス６が封入
された金属容器１内には、高電圧が印加される導体部で
ある複数の導体２が直線状に配置されている。これらの
導体２は通電接触子７によりそれぞれ電気的に接続され
ており、この通電接触子７には電界緩和シールド５が設
けられている。前記導体２は、ボルト８及びナット９に
より金属容器１に密着固定されている絶縁支持体部とし
ての絶縁スペーサ３により支持され、金属容器１に対し
て絶縁固定されている。この絶縁スペーサ３は、例えば
エポキシ樹脂のような、機械的強度と耐電圧特性の優れ
た絶縁材料により形成されている。ただし、このエポキ
シ樹脂の比誘電率は、他の樹脂に比べて高く、例えば比
誘電率が４以上の数値を示すので、導電性異物がこの絶
縁スペーサ３に付着すると、その付着部近傍において電
界は急激に集中する。このため、第１実施例における絶
縁スペーサ３は、図１に示すように金属容器１の内部に
おいて、前記絶縁スペーサ３を形成する材料より低い比
誘電率を有する絶縁層４により全てコーティングされて
いる。絶縁層４の材料としては、例えば、フッ素樹脂の
四フッ化エチレン−バ−フルオロアルキルビニルエーテ
ル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂の
サイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式
会社製、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフ
ェニレンエーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン
（比誘電率＝2.2）等から選ばれて用いられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
【００１１】以上のように構成された第１実施例のガス
絶縁開閉装置において、導電性異物10が金属容器１の内
部に混入した場合について説明する。図１に示すよう
に、金属容器１の内側底面に線状の導電性異物10が存在
する場合、導体２に高電圧が印加されたとき、この導電
性異物10はクーロン力によって起立して金属容器１内の
底面上を挙動する。図２は、金属容器１内を挙動した導
電性異物10が誘電体である絶縁スペーサ３の表面の絶縁
層４に付着した状態を示す正面断面図である。このよう
に絶縁スペーサ３の電界の方向に導電性異物10が付着す
るとその付近には電界集中が生じ、その表面に沿った沿
面放電が生じやすくなる。しかし、前述のように絶縁層
４は低誘電率材料で形成されているため、導電性異物10
が付着した絶縁層の表面における局所的な電界の集中は
緩和されており、第１実施例のガス絶縁開閉装置は絶縁
層４の表面における沿面放電の発生が抑制されるという
効果を有する。
絶縁開閉装置において、導電性異物10が金属容器１の内
部に混入した場合について説明する。図１に示すよう
に、金属容器１の内側底面に線状の導電性異物10が存在
する場合、導体２に高電圧が印加されたとき、この導電
性異物10はクーロン力によって起立して金属容器１内の
底面上を挙動する。図２は、金属容器１内を挙動した導
電性異物10が誘電体である絶縁スペーサ３の表面の絶縁
層４に付着した状態を示す正面断面図である。このよう
に絶縁スペーサ３の電界の方向に導電性異物10が付着す
るとその付近には電界集中が生じ、その表面に沿った沿
面放電が生じやすくなる。しかし、前述のように絶縁層
４は低誘電率材料で形成されているため、導電性異物10
が付着した絶縁層の表面における局所的な電界の集中は
緩和されており、第１実施例のガス絶縁開閉装置は絶縁
層４の表面における沿面放電の発生が抑制されるという
効果を有する。
【００１２】一般に、絶縁性ガス雰囲気中において、線
状の金属が平板な固体絶縁物の平面部に接触している場
合、この金属と固体絶縁物の接触点の電界は、固体絶縁
物の比誘電率の約２乗に比例することが知られている。
従って、本第１実施例のように低い誘電率の絶縁層４を
絶縁スペーサ３にコーティングすることにより、導電性
異物10がこの絶縁層４に付着しても電界の集中は大幅に
緩和されることになる。また、絶縁スペーサ３が機械的
強度の優れた材質、例えばエポキシ樹脂を用いて形成さ
れているため、第１実施例のガス絶縁開閉装置は、優れ
た機械的特性を維持しつつ電気的性能の優れた装置とな
っている。また、従来の装置に用いられていた絶縁スペ
ーサに前記絶縁層４をコーティングして設けるだけで、
従来のガス絶縁開閉装置は第１実施例のガス絶縁開閉装
置と同様の効果を得ることができるため、従来のガス絶
縁開閉装置を容易に、かつ低費用で絶縁性能の優れたガ
ス絶縁開閉装置に改造することができる。
状の金属が平板な固体絶縁物の平面部に接触している場
合、この金属と固体絶縁物の接触点の電界は、固体絶縁
物の比誘電率の約２乗に比例することが知られている。
従って、本第１実施例のように低い誘電率の絶縁層４を
絶縁スペーサ３にコーティングすることにより、導電性
異物10がこの絶縁層４に付着しても電界の集中は大幅に
緩和されることになる。また、絶縁スペーサ３が機械的
強度の優れた材質、例えばエポキシ樹脂を用いて形成さ
れているため、第１実施例のガス絶縁開閉装置は、優れ
た機械的特性を維持しつつ電気的性能の優れた装置とな
っている。また、従来の装置に用いられていた絶縁スペ
ーサに前記絶縁層４をコーティングして設けるだけで、
従来のガス絶縁開閉装置は第１実施例のガス絶縁開閉装
置と同様の効果を得ることができるため、従来のガス絶
縁開閉装置を容易に、かつ低費用で絶縁性能の優れたガ
ス絶縁開閉装置に改造することができる。
【００１３】第２実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第２実施例のガス絶縁
開閉装置を図３及び図４を用いて説明する。図３は第２
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図４は図
３に示したガス絶縁開閉装置におけるIV-IV線による正
面断面図である。図３及び図４において、前述の第１実
施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構造及び機能を
有するものには同じ符号を付して、その説明は省略す
る。第２実施例のガス絶縁開閉装置においては、前述の
第１実施例と同じ構成の絶縁層４が、金属容器１内に混
入した導電性異物10が金属容器１内を挙動して、絶縁支
持体部としての絶縁スペーサ３に付着する恐れのある部
位にコーティングされている。すなわち、図３及び図４
に示されているように、第２実施例のガス絶縁開閉装置
においては、絶縁スペーサ３のおよそ下側半分だけに絶
縁層４がコーティングされている。このように、第２実
施例のガス絶縁開閉装置においては、導電性異物10が付
着する恐れのある絶縁スペーサ３のおよそ下側半分にだ
け絶縁層４が設けられているため、このガス絶縁開閉装
置は導電性異物10の絶縁スペーサ３への付着による局所
的な電界集中による沿面放電を抑制すると云う優れた電
気的特性を維持しつつ、前述の第１実施例のガス絶縁開
閉装置より製造費を低く抑えることができる安価なガス
絶縁開閉装置を得ることができる。なお、前述の第１実
施例及び第２実施例のガス絶縁開閉装置は、相分離形の
ガス絶縁開閉装置について説明したが、本発明は三相一
括形のガス絶縁開閉装置、例えば、三相一括形の絶縁ス
ペーサを用いた装置においても同様に適用でき、上記第
１実施例、第２実施例の装置と同様の効果を奏する。
開閉装置を図３及び図４を用いて説明する。図３は第２
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図４は図
３に示したガス絶縁開閉装置におけるIV-IV線による正
面断面図である。図３及び図４において、前述の第１実
施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構造及び機能を
有するものには同じ符号を付して、その説明は省略す
る。第２実施例のガス絶縁開閉装置においては、前述の
第１実施例と同じ構成の絶縁層４が、金属容器１内に混
入した導電性異物10が金属容器１内を挙動して、絶縁支
持体部としての絶縁スペーサ３に付着する恐れのある部
位にコーティングされている。すなわち、図３及び図４
に示されているように、第２実施例のガス絶縁開閉装置
においては、絶縁スペーサ３のおよそ下側半分だけに絶
縁層４がコーティングされている。このように、第２実
施例のガス絶縁開閉装置においては、導電性異物10が付
着する恐れのある絶縁スペーサ３のおよそ下側半分にだ
け絶縁層４が設けられているため、このガス絶縁開閉装
置は導電性異物10の絶縁スペーサ３への付着による局所
的な電界集中による沿面放電を抑制すると云う優れた電
気的特性を維持しつつ、前述の第１実施例のガス絶縁開
閉装置より製造費を低く抑えることができる安価なガス
絶縁開閉装置を得ることができる。なお、前述の第１実
施例及び第２実施例のガス絶縁開閉装置は、相分離形の
ガス絶縁開閉装置について説明したが、本発明は三相一
括形のガス絶縁開閉装置、例えば、三相一括形の絶縁ス
ペーサを用いた装置においても同様に適用でき、上記第
１実施例、第２実施例の装置と同様の効果を奏する。
【００１４】第３実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第３実施例のガス絶縁
開閉装置を図５を用いて説明する。図５は第３実施例の
ガス絶縁開閉装置を示す正面断面図である。図５におい
て、前述の第１実施例及び第２実施例のガス絶縁開閉装
置と実質的に同じ構造及び機能を有するものには同じ符
号を付して、その説明は省略する。図５に示すように、
第３実施例のガス絶縁開閉装置においては、高電圧が印
加される導体部である導体２が柱状の絶縁支持体部、例
えばエポキシ樹脂で形成された固体絶縁支持体11により
金属容器１に絶縁固定されている。そしてこの固体絶縁
支持体11の表面には、前述の第１実施例及び第２実施例
において用いられた絶縁層４がコーティングされて設け
られている。従って、金属容器１の内部に混入した導電
性異物10が、表面に絶縁層４をコーティングした固体絶
縁支持体11に付着しても、この絶縁層４によって電界の
集中は緩和され、固体絶縁支持体11の表面における沿面
放電の発生は抑制されている。なお、前記第３実施例の
ガス絶縁開閉装置は、固体絶縁支持体11が一脚形である
装置について説明したが、二脚形、三脚形の固体絶縁支
持体に前記絶縁層４を設けてもよく、上記第３実施例と
同様の効果を奏する。
開閉装置を図５を用いて説明する。図５は第３実施例の
ガス絶縁開閉装置を示す正面断面図である。図５におい
て、前述の第１実施例及び第２実施例のガス絶縁開閉装
置と実質的に同じ構造及び機能を有するものには同じ符
号を付して、その説明は省略する。図５に示すように、
第３実施例のガス絶縁開閉装置においては、高電圧が印
加される導体部である導体２が柱状の絶縁支持体部、例
えばエポキシ樹脂で形成された固体絶縁支持体11により
金属容器１に絶縁固定されている。そしてこの固体絶縁
支持体11の表面には、前述の第１実施例及び第２実施例
において用いられた絶縁層４がコーティングされて設け
られている。従って、金属容器１の内部に混入した導電
性異物10が、表面に絶縁層４をコーティングした固体絶
縁支持体11に付着しても、この絶縁層４によって電界の
集中は緩和され、固体絶縁支持体11の表面における沿面
放電の発生は抑制されている。なお、前記第３実施例の
ガス絶縁開閉装置は、固体絶縁支持体11が一脚形である
装置について説明したが、二脚形、三脚形の固体絶縁支
持体に前記絶縁層４を設けてもよく、上記第３実施例と
同様の効果を奏する。
【００１５】第４実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第４実施例のガス絶縁
開閉装置を図６及び図７を用いて説明する。図６は第４
実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器の断路器16の近傍を
示す側面断面図、図７は図６のガス絶縁開閉装置の断路
器16を示す正面断面図である。図６及び図７において、
前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構
造及び機能を有するものには同じ符号を付して、その説
明は省略する。第４実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器
である断路器16において、可動部13及び固定部14が導体
部である左右別々の導体２にそれぞれ電気的に接続され
ている。この断路器16は、外部駆動装置17を駆動操作す
ることにより前記可動部13の可動コンタクト15が実質的
に水平方向にスライドされ、可動コンタクト15が固定部
14の通電接触子７と離接されるよう構成されている。外
部駆動装置17の駆動操作は、絶縁物、例えばエポキシ樹
脂で形成された絶縁操作ロッド12を介して可動部13の前
記可動コンタクト15へ伝達される。この絶縁操作ロッド
12の表面には、第１実施例の装置と同様に絶縁操作ロッ
ド12を形成する材料の比誘電率より低い比誘電率の材
料、例えばフッ素樹脂の四フッ化エチレン−バ−フルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率
＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録
商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、フ
ッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比
誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率＝
2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれた
材料をコーティングした絶縁層４が設けられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
開閉装置を図６及び図７を用いて説明する。図６は第４
実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器の断路器16の近傍を
示す側面断面図、図７は図６のガス絶縁開閉装置の断路
器16を示す正面断面図である。図６及び図７において、
前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構
造及び機能を有するものには同じ符号を付して、その説
明は省略する。第４実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器
である断路器16において、可動部13及び固定部14が導体
部である左右別々の導体２にそれぞれ電気的に接続され
ている。この断路器16は、外部駆動装置17を駆動操作す
ることにより前記可動部13の可動コンタクト15が実質的
に水平方向にスライドされ、可動コンタクト15が固定部
14の通電接触子７と離接されるよう構成されている。外
部駆動装置17の駆動操作は、絶縁物、例えばエポキシ樹
脂で形成された絶縁操作ロッド12を介して可動部13の前
記可動コンタクト15へ伝達される。この絶縁操作ロッド
12の表面には、第１実施例の装置と同様に絶縁操作ロッ
ド12を形成する材料の比誘電率より低い比誘電率の材
料、例えばフッ素樹脂の四フッ化エチレン−バ−フルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率
＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録
商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、フ
ッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比
誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率＝
2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれた
材料をコーティングした絶縁層４が設けられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
【００１６】また、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装
置と同様に、絶縁支持体部である絶縁スペーサ３の表面
にも前記絶縁層４が設けられており、前述の第１実施例
の効果と同様に第４実施例の断路器16の電気的特性を高
めている。このため、第４実施例の断路器16は、金属容
器２内に混入した導電性異物10が挙動して絶縁操作ロッ
ド12や絶縁スペーサ３の表面の絶縁層４に付着しても、
この付着部近傍において沿面放電の発生しにくい構造と
なっている。なお、前記第４実施例は相分離形の断路器
について説明したが、本発明は三相一括形の断路器、遮
断器又は接地開閉器等のガス絶縁開閉装置においても同
様に適用でき、前記第４実施例と同様の効果を奏する。
置と同様に、絶縁支持体部である絶縁スペーサ３の表面
にも前記絶縁層４が設けられており、前述の第１実施例
の効果と同様に第４実施例の断路器16の電気的特性を高
めている。このため、第４実施例の断路器16は、金属容
器２内に混入した導電性異物10が挙動して絶縁操作ロッ
ド12や絶縁スペーサ３の表面の絶縁層４に付着しても、
この付着部近傍において沿面放電の発生しにくい構造と
なっている。なお、前記第４実施例は相分離形の断路器
について説明したが、本発明は三相一括形の断路器、遮
断器又は接地開閉器等のガス絶縁開閉装置においても同
様に適用でき、前記第４実施例と同様の効果を奏する。
【００１７】第５実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第５実施例のガス絶縁
加速器を図８を用いて説明する。このガス絶縁加速器
は、イオンを必要なエネルギーまで加速させるものであ
り、半導体形成時等に用いられる。図８は第５実施例の
ガス絶縁加速器を示す側面断面図である。図８におい
て、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同
じ機能を有するものには同じ符号を付して、その説明は
省略する。第５実施例のガス絶縁加速器において、絶縁
性ガス６が封入された金属容器１内にはイオン発生源と
なる高電圧電極2aが配置され、金属容器１に対して絶縁
スペーサ３及び高電圧印加用のブッシング20により絶縁
支持されている。イオン発生源となる高電圧電極2aは、
金属容器１内において真空に保たれた室19に配設されて
おり、この室19からイオンビーム23が発射される。高電
圧電極2aより発射されるイオンビーム23は、引出し電極
21を外部から密封端子22を介して電圧調整することによ
り制御される。
加速器を図８を用いて説明する。このガス絶縁加速器
は、イオンを必要なエネルギーまで加速させるものであ
り、半導体形成時等に用いられる。図８は第５実施例の
ガス絶縁加速器を示す側面断面図である。図８におい
て、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同
じ機能を有するものには同じ符号を付して、その説明は
省略する。第５実施例のガス絶縁加速器において、絶縁
性ガス６が封入された金属容器１内にはイオン発生源と
なる高電圧電極2aが配置され、金属容器１に対して絶縁
スペーサ３及び高電圧印加用のブッシング20により絶縁
支持されている。イオン発生源となる高電圧電極2aは、
金属容器１内において真空に保たれた室19に配設されて
おり、この室19からイオンビーム23が発射される。高電
圧電極2aより発射されるイオンビーム23は、引出し電極
21を外部から密封端子22を介して電圧調整することによ
り制御される。
【００１８】以上のように構成された第５実施例のガス
絶縁加速器において、絶縁スペーサ３及びブッシング20
がエポキシ樹脂等の比誘電率が高い材料のみにより形成
されている場合、これらの表面に導電性異物10が付着す
ると、この付着部近傍において電界集中を招き、これら
の絶縁スペーサ３やブッシング20の耐電圧性能を著しく
低下させる。この耐電圧性能の劣化を防止するために、
絶縁スペーサ３とブッシング20の表面には絶縁スペーサ
３やブッシング20を形成する材料の比誘電率よりも低い
比誘電率を有する絶縁層４ａ及び４ｂが前述の第１実施
例と同様にコーティングされている。絶縁層４ａ及び４
ｂの材料としては、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチ
レン−バ−フルオロアルキルビニルエーテル共重合体
（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ
（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式会社製、比
誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエ
ーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝
2.2）等から選ばれた材料が用いられている。なお、コ
ーティングされる絶縁層４ａ及び４ｂの膜厚は100μｍ
以上に形成されている。
絶縁加速器において、絶縁スペーサ３及びブッシング20
がエポキシ樹脂等の比誘電率が高い材料のみにより形成
されている場合、これらの表面に導電性異物10が付着す
ると、この付着部近傍において電界集中を招き、これら
の絶縁スペーサ３やブッシング20の耐電圧性能を著しく
低下させる。この耐電圧性能の劣化を防止するために、
絶縁スペーサ３とブッシング20の表面には絶縁スペーサ
３やブッシング20を形成する材料の比誘電率よりも低い
比誘電率を有する絶縁層４ａ及び４ｂが前述の第１実施
例と同様にコーティングされている。絶縁層４ａ及び４
ｂの材料としては、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチ
レン−バ−フルオロアルキルビニルエーテル共重合体
（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ
（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式会社製、比
誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエ
ーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝
2.2）等から選ばれた材料が用いられている。なお、コ
ーティングされる絶縁層４ａ及び４ｂの膜厚は100μｍ
以上に形成されている。
【００１９】第６実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第６実施例のガス絶縁
開閉装置を図９を用いて説明する。図９は第６実施例の
ガス絶縁開閉装置を示す側面断面図である。図９におい
て、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同
じ構造及び機能を有するものには同じ符号を付して、そ
の説明は省略する。第６実施例のガス絶縁開閉装置にお
ける絶縁スペーサ３の表面には複数の絶縁層、例えば第
１の絶縁層４及び第２の絶縁層18がコーティングされて
いる。これらの複数の絶縁層である第１の絶縁層４と第
２の絶縁層18は、前記絶縁スペーサ３を形成する材料、
例えばエポキシ樹脂の比誘電率より低い比誘電率により
構成されている。これらの絶縁層４、18の材料として
は、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチレン−バ−フル
オロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電
率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登
録商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、
フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、
比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率
＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれ
た材料が用いられている。そして、これら複数の絶縁層
４、18は、絶縁スペーサ３のエポキシ樹脂部表面より遠
ざかるほど比誘電率の低い材料によりコーティングされ
て形成されており、コーティングされる複数の絶縁層
４、18の合計膜厚は100μｍ以上となるように構成され
ている。
開閉装置を図９を用いて説明する。図９は第６実施例の
ガス絶縁開閉装置を示す側面断面図である。図９におい
て、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同
じ構造及び機能を有するものには同じ符号を付して、そ
の説明は省略する。第６実施例のガス絶縁開閉装置にお
ける絶縁スペーサ３の表面には複数の絶縁層、例えば第
１の絶縁層４及び第２の絶縁層18がコーティングされて
いる。これらの複数の絶縁層である第１の絶縁層４と第
２の絶縁層18は、前記絶縁スペーサ３を形成する材料、
例えばエポキシ樹脂の比誘電率より低い比誘電率により
構成されている。これらの絶縁層４、18の材料として
は、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチレン−バ−フル
オロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電
率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登
録商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、
フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、
比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率
＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれ
た材料が用いられている。そして、これら複数の絶縁層
４、18は、絶縁スペーサ３のエポキシ樹脂部表面より遠
ざかるほど比誘電率の低い材料によりコーティングされ
て形成されており、コーティングされる複数の絶縁層
４、18の合計膜厚は100μｍ以上となるように構成され
ている。
【００２０】以上のように構成することにより、比誘電
率の高いエポキシ樹脂部の影響をなくし、絶縁スペーサ
３近傍の電界分布を均一にすることができる。したがっ
て、金属容器１内に混入した導電性異物10が絶縁スペー
サ３に付着しても、第６実施例のガス絶縁開閉装置おい
ては導電性異物10の付着部近傍における電界集中は緩和
されており、絶縁スペーサ３の耐電圧性能の劣化は低下
される。なお、前記第６実施例の装置は、前述の第１実
施例の装置に複数の絶縁層４、18を設けた場合について
説明したが、前述の第２実施例、第３実施例、第４実施
例、第５実施例の装置に複数の絶縁層４、18をそれぞれ
設けても、第６実施例の装置と同様の効果を奏する。
率の高いエポキシ樹脂部の影響をなくし、絶縁スペーサ
３近傍の電界分布を均一にすることができる。したがっ
て、金属容器１内に混入した導電性異物10が絶縁スペー
サ３に付着しても、第６実施例のガス絶縁開閉装置おい
ては導電性異物10の付着部近傍における電界集中は緩和
されており、絶縁スペーサ３の耐電圧性能の劣化は低下
される。なお、前記第６実施例の装置は、前述の第１実
施例の装置に複数の絶縁層４、18を設けた場合について
説明したが、前述の第２実施例、第３実施例、第４実施
例、第５実施例の装置に複数の絶縁層４、18をそれぞれ
設けても、第６実施例の装置と同様の効果を奏する。
【００２１】第７実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第７実施例のガス絶縁
開閉装置を図10及び図11を用いて説明する。図10は第７
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図11は図
10に示したガス絶縁開閉装置におけるXI-XI線による正
面断面図である。図10及び図11において、前述の第２実
施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構造及び機能を
有するものには同じ符号を付して、その説明は省略す
る。第７実施例のガス絶縁開閉装置においては、前述の
第６実施例における第１の絶縁層４と同じ構成の第１の
絶縁層４がエポキシ樹脂により形成された絶縁スペーサ
３の表面にコーティングされている。また、前述の第６
実施例において述べた第２の絶縁層18が金属容器１内に
混入した導電性異物10が金属容器１内を挙動して、絶縁
支持体部としての絶縁スペーサ３に付着する恐れのある
部位にコーティングされている。すなわち、図10及び図
11に示されているように、第７実施例のガス絶縁開閉装
置においては、絶縁スペーサ３のおよそ下側半分だけに
第２の絶縁層18がコーティングされている。このよう
に、第７実施例のガス絶縁開閉装置においては、導電性
異物10が付着する恐れのある絶縁スペーサ３のおよそ下
側半分にだけ第２の絶縁層18が設けられているため、こ
のガス絶縁開閉装置は導電性異物10の絶縁スペーサ３へ
の付着による局所的な電界集中による沿面放電を抑制す
ると云う優れた電気的特性を維持しつつ、前述の第６実
施例のガス絶縁開閉装置より製造費を低く抑えることが
できる安価なガス絶縁開閉装置を得ることができる。
開閉装置を図10及び図11を用いて説明する。図10は第７
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図11は図
10に示したガス絶縁開閉装置におけるXI-XI線による正
面断面図である。図10及び図11において、前述の第２実
施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構造及び機能を
有するものには同じ符号を付して、その説明は省略す
る。第７実施例のガス絶縁開閉装置においては、前述の
第６実施例における第１の絶縁層４と同じ構成の第１の
絶縁層４がエポキシ樹脂により形成された絶縁スペーサ
３の表面にコーティングされている。また、前述の第６
実施例において述べた第２の絶縁層18が金属容器１内に
混入した導電性異物10が金属容器１内を挙動して、絶縁
支持体部としての絶縁スペーサ３に付着する恐れのある
部位にコーティングされている。すなわち、図10及び図
11に示されているように、第７実施例のガス絶縁開閉装
置においては、絶縁スペーサ３のおよそ下側半分だけに
第２の絶縁層18がコーティングされている。このよう
に、第７実施例のガス絶縁開閉装置においては、導電性
異物10が付着する恐れのある絶縁スペーサ３のおよそ下
側半分にだけ第２の絶縁層18が設けられているため、こ
のガス絶縁開閉装置は導電性異物10の絶縁スペーサ３へ
の付着による局所的な電界集中による沿面放電を抑制す
ると云う優れた電気的特性を維持しつつ、前述の第６実
施例のガス絶縁開閉装置より製造費を低く抑えることが
できる安価なガス絶縁開閉装置を得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明のガス絶縁機器
によれば、絶縁支持体部である絶縁スペーサや絶縁操作
ロッド等に、これらを形成する材料の比誘電率より低い
比誘電率の材料の少なくとも一層の絶縁層をコーティン
グすることにより、絶縁スペーサや絶縁操作ロッド等へ
の導電性異物の付着による沿面放電の発生を抑制できる
電気的特性及び機械的特性の優れた信頼性の高いガス絶
縁機器を得る効果がある。
によれば、絶縁支持体部である絶縁スペーサや絶縁操作
ロッド等に、これらを形成する材料の比誘電率より低い
比誘電率の材料の少なくとも一層の絶縁層をコーティン
グすることにより、絶縁スペーサや絶縁操作ロッド等へ
の導電性異物の付着による沿面放電の発生を抑制できる
電気的特性及び機械的特性の優れた信頼性の高いガス絶
縁機器を得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例のガス絶縁開閉装置を示
す側面断面図
す側面断面図
【図２】図１のガス絶縁開閉装置のII-II線による正面
断面図
断面図
【図３】この発明の第２実施例のガス絶縁開閉装置を示
す側面断面図
す側面断面図
【図４】図３のガス絶縁開閉装置のIV-IV線による正面
断面図
断面図
【図５】この発明の第３実施例のガス絶縁開閉装置を示
す正面断面図
す正面断面図
【図６】この発明の第４実施例のガス絶縁開閉装置の断
路器を示す側面断面図
路器を示す側面断面図
【図７】図６のガス絶縁開閉装置の断路器の正面断面図
【図８】この発明の第５実施例のガス絶縁加速器を示す
側面断面図
側面断面図
【図９】この発明の第６実施例のガス絶縁開閉装置を示
す側面断面図
す側面断面図
【図１０】この発明の第７実施例のガス絶縁開閉装置を
示す側面断面図
示す側面断面図
【図１１】図10のガス絶縁開閉装置のXI-XI線による正
面断面図
面断面図
１ 金属容器 ２ 導体 ３ 絶縁スペーサ ４ 絶縁層 ６ 絶縁性ガス
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【実施例】 第１実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第１実施例のガス絶縁
開閉装置を図１及び図２を用いて説明する。図１は第１
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図２は図
１に示したガス絶縁開閉装置におけるII-II線における
正面断面図である。図１において、絶縁性ガス６が封入
された金属容器１内には、高電圧が印加される導体部で
ある複数の導体２が直線状に配置されている。これらの
導体２は通電接触子７によりそれぞれ電気的に接続され
ており、この通電接触子７には電界緩和シールド５が設
けられている。前記導体２は、ボルト８及びナット９に
より金属容器１に密着固定されている絶縁支持体部とし
ての絶縁スペーサ３により支持され、金属容器１に対し
て絶縁固定されている。この絶縁スペーサ３は、例えば
エポキシ樹脂のような、機械的強度と耐電圧特性の優れ
た絶縁材料により形成されている。ただし、このエポキ
シ樹脂の比誘電率は、他の樹脂に比べて高く、例えば比
誘電率が４以上の数値を示すので、導電性異物がこの絶
縁スペーサ３に付着すると、その付着部近傍において電
界は急激に集中する。このため、第１実施例における絶
縁スペーサ３は、図１に示すように金属容器１の内部に
おいて、前記絶縁スペーサ３を形成する材料より低い比
誘電率を有する絶縁層４により全てコーティングされて
いる。絶縁層４の材料としては、例えば、フッ素樹脂の
四フッ化エチレン−パ−フルオロアルキルビニルエーテ
ル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂の
サイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式
会社製、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフ
ェニレンエーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン
（比誘電率＝2.2）等から選ばれて用いられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
開閉装置を図１及び図２を用いて説明する。図１は第１
実施例のガス絶縁開閉装置を示す側面断面図、図２は図
１に示したガス絶縁開閉装置におけるII-II線における
正面断面図である。図１において、絶縁性ガス６が封入
された金属容器１内には、高電圧が印加される導体部で
ある複数の導体２が直線状に配置されている。これらの
導体２は通電接触子７によりそれぞれ電気的に接続され
ており、この通電接触子７には電界緩和シールド５が設
けられている。前記導体２は、ボルト８及びナット９に
より金属容器１に密着固定されている絶縁支持体部とし
ての絶縁スペーサ３により支持され、金属容器１に対し
て絶縁固定されている。この絶縁スペーサ３は、例えば
エポキシ樹脂のような、機械的強度と耐電圧特性の優れ
た絶縁材料により形成されている。ただし、このエポキ
シ樹脂の比誘電率は、他の樹脂に比べて高く、例えば比
誘電率が４以上の数値を示すので、導電性異物がこの絶
縁スペーサ３に付着すると、その付着部近傍において電
界は急激に集中する。このため、第１実施例における絶
縁スペーサ３は、図１に示すように金属容器１の内部に
おいて、前記絶縁スペーサ３を形成する材料より低い比
誘電率を有する絶縁層４により全てコーティングされて
いる。絶縁層４の材料としては、例えば、フッ素樹脂の
四フッ化エチレン−パ−フルオロアルキルビニルエーテ
ル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂の
サイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式
会社製、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフ
ェニレンエーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン
（比誘電率＝2.2）等から選ばれて用いられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】第４実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第４実施例のガス絶縁
開閉装置を図６及び図７を用いて説明する。図６は第４
実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器の断路器16の近傍を
示す側面断面図、図７は図６のガス絶縁開閉装置の断路
器16を示す正面断面図である。図６及び図７において、
前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構
造及び機能を有するものには同じ符号を付して、その説
明は省略する。第４実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器
である断路器16において、可動部13及び固定部14が導体
部である左右別々の導体２にそれぞれ電気的に接続され
ている。この断路器16は、外部駆動装置17を駆動操作す
ることにより前記可動部13の可動コンタクト15が実質的
に水平方向にスライドされ、可動コンタクト15が固定部
14の通電接触子７と離接されるよう構成されている。外
部駆動装置17の駆動操作は、絶縁物、例えばエポキシ樹
脂で形成された絶縁操作ロッド12を介して可動部13の前
記可動コンタクト15へ伝達される。この絶縁操作ロッド
12の表面には、第１実施例の装置と同様に絶縁操作ロッ
ド12を形成する材料の比誘電率より低い比誘電率の材
料、例えばフッ素樹脂の四フッ化エチレン−パ−フルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率
＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録
商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、フ
ッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比
誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率＝
2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれた
材料をコーティングした絶縁層４が設けられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
開閉装置を図６及び図７を用いて説明する。図６は第４
実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器の断路器16の近傍を
示す側面断面図、図７は図６のガス絶縁開閉装置の断路
器16を示す正面断面図である。図６及び図７において、
前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同じ構
造及び機能を有するものには同じ符号を付して、その説
明は省略する。第４実施例のガス絶縁開閉装置の開閉器
である断路器16において、可動部13及び固定部14が導体
部である左右別々の導体２にそれぞれ電気的に接続され
ている。この断路器16は、外部駆動装置17を駆動操作す
ることにより前記可動部13の可動コンタクト15が実質的
に水平方向にスライドされ、可動コンタクト15が固定部
14の通電接触子７と離接されるよう構成されている。外
部駆動装置17の駆動操作は、絶縁物、例えばエポキシ樹
脂で形成された絶縁操作ロッド12を介して可動部13の前
記可動コンタクト15へ伝達される。この絶縁操作ロッド
12の表面には、第１実施例の装置と同様に絶縁操作ロッ
ド12を形成する材料の比誘電率より低い比誘電率の材
料、例えばフッ素樹脂の四フッ化エチレン−パ−フルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電率
＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登録
商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、フ
ッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、比
誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率＝
2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれた
材料をコーティングした絶縁層４が設けられている。な
お、コーティングされる絶縁層４の膜厚は100μｍ以上
に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】以上のように構成された第５実施例のガス
絶縁加速器において、絶縁スペーサ３及びブッシング20
がエポキシ樹脂等の比誘電率が高い材料のみにより形成
されている場合、これらの表面に導電性異物10が付着す
ると、この付着部近傍において電界集中を招き、これら
の絶縁スペーサ３やブッシング20の耐電圧性能を著しく
低下させる。この耐電圧性能の劣化を防止するために、
絶縁スペーサ３とブッシング20の表面には絶縁スペーサ
３やブッシング20を形成する材料の比誘電率よりも低い
比誘電率を有する絶縁層４ａ及び４ｂが前述の第１実施
例と同様にコーティングされている。絶縁層４ａ及び４
ｂの材料としては、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチ
レン−パ−フルオロアルキルビニルエーテル共重合体
（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ
（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式会社製、比
誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエ
ーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝
2.2）等から選ばれた材料が用いられている。なお、コ
ーティングされる絶縁層４ａ及び４ｂの膜厚は100μｍ
以上に形成されている。
絶縁加速器において、絶縁スペーサ３及びブッシング20
がエポキシ樹脂等の比誘電率が高い材料のみにより形成
されている場合、これらの表面に導電性異物10が付着す
ると、この付着部近傍において電界集中を招き、これら
の絶縁スペーサ３やブッシング20の耐電圧性能を著しく
低下させる。この耐電圧性能の劣化を防止するために、
絶縁スペーサ３とブッシング20の表面には絶縁スペーサ
３やブッシング20を形成する材料の比誘電率よりも低い
比誘電率を有する絶縁層４ａ及び４ｂが前述の第１実施
例と同様にコーティングされている。絶縁層４ａ及び４
ｂの材料としては、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチ
レン−パ−フルオロアルキルビニルエーテル共重合体
（ＰＦＡ、比誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ
（ＣＹＴＯＰ、登録商標；アサヒガラス株式会社製、比
誘電率＝2.1）、フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ、比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエ
ーテル（比誘電率＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝
2.2）等から選ばれた材料が用いられている。なお、コ
ーティングされる絶縁層４ａ及び４ｂの膜厚は100μｍ
以上に形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】第６実施例 以下、この発明のガス絶縁機器の第６実施例のガス絶縁
開閉装置を図９を用いて説明する。図９は第６実施例の
ガス絶縁開閉装置を示す側面断面図である。図９におい
て、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同
じ構造及び機能を有するものには同じ符号を付して、そ
の説明は省略する。第６実施例のガス絶縁開閉装置にお
ける絶縁スペーサ３の表面には複数の絶縁層、例えば第
１の絶縁層４及び第２の絶縁層18がコーティングされて
いる。これらの複数の絶縁層である第１の絶縁層４と第
２の絶縁層18は、前記絶縁スペーサ３を形成する材料、
例えばエポキシ樹脂の比誘電率より低い比誘電率により
構成されている。これらの絶縁層４、18の材料として
は、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチレン−パ−フル
オロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電
率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登
録商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、
フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、
比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率
＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれ
た材料が用いられている。そして、これら複数の絶縁層
４、18は、絶縁スペーサ３のエポキシ樹脂部表面より遠
ざかるほど比誘電率の低い材料によりコーティングされ
て形成されており、コーティングされる複数の絶縁層
４、18の合計膜厚は100μｍ以上となるように構成され
ている。
開閉装置を図９を用いて説明する。図９は第６実施例の
ガス絶縁開閉装置を示す側面断面図である。図９におい
て、前述の第１実施例のガス絶縁開閉装置と実質的に同
じ構造及び機能を有するものには同じ符号を付して、そ
の説明は省略する。第６実施例のガス絶縁開閉装置にお
ける絶縁スペーサ３の表面には複数の絶縁層、例えば第
１の絶縁層４及び第２の絶縁層18がコーティングされて
いる。これらの複数の絶縁層である第１の絶縁層４と第
２の絶縁層18は、前記絶縁スペーサ３を形成する材料、
例えばエポキシ樹脂の比誘電率より低い比誘電率により
構成されている。これらの絶縁層４、18の材料として
は、例えば、フッ素樹脂の四フッ化エチレン−パ−フル
オロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ、比誘電
率＝2.1）、フッ素樹脂のサイトップ（ＣＹＴＯＰ、登
録商標；アサヒガラス株式会社製、比誘電率＝2.1）、
フッ素樹脂のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、
比誘電率＝2.1）、ポリフェニレンエーテル（比誘電率
＝2.6）、ポリエチレン（比誘電率＝2.2）等から選ばれ
た材料が用いられている。そして、これら複数の絶縁層
４、18は、絶縁スペーサ３のエポキシ樹脂部表面より遠
ざかるほど比誘電率の低い材料によりコーティングされ
て形成されており、コーティングされる複数の絶縁層
４、18の合計膜厚は100μｍ以上となるように構成され
ている。
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性ガスが封入された金属容器、 前記金属容器の内部に収納され高電圧が印加される導体
部、 前記導体部を前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体
部、 前記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコーティン
グされ、前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率よ
り低い比誘電率の材料からなる絶縁層、 を具備することを特徴とするガス絶縁機器。 - 【請求項２】 絶縁性ガスが封入された金属容器、 前記金属容器の内部に収納され、高電圧の電路を開閉す
る開閉部、 前記開閉部を前記金属容器の外部から開閉駆動する絶縁
操作ロッド、 前記絶縁操作ロッドの表面の少なくとも一部にコーティ
ングされ、前記絶縁操作ロッドを形成する材料の比誘電
率より低い比誘電率の材料からなる絶縁層、 を具備することを特徴とするガス絶縁機器。 - 【請求項３】 絶縁性ガスが封入された金属容器、 前記金属容器の内部に収納され高電圧が印加される導体
部、 前記導体部を前記金属容器に絶縁支持する柱状の絶縁支
持体部、 前記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコーティン
グされ、前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率よ
り低い比誘電率の材料からなる絶縁層、 を具備することを特徴とするガス絶縁機器。 - 【請求項４】 絶縁性ガスが封入された金属容器、 前記金属容器の内部に収納され高電圧が印加される導体
部、 前記導体部を前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体
部、 前記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコーティン
グされ、前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率よ
り低い比誘電率の材料からなる複数層の絶縁層、 を具備することを特徴とするガス絶縁機器。 - 【請求項５】 絶縁性ガスが封入された金属容器、 前記金属容器の内部に収納され高電圧が印加される導体
部、 前記導体部を前記金属容器に絶縁支持する絶縁支持体
部、 前記絶縁支持体部の表面の少なくとも一部にコーティン
グされ、前記絶縁支持体部を形成する材料の比誘電率よ
り低い比誘電率の材料からなる複数層の絶縁層であっ
て、前記絶縁支持体部表面から遠ざかるほど比誘電率の
低い絶縁層が配設されている複数層の絶縁層、 を具備することを特徴とするガス絶縁機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05122385A JP3138567B2 (ja) | 1992-09-18 | 1993-05-25 | ガス絶縁機器 |
| EP93115011A EP0588359A2 (en) | 1992-09-18 | 1993-09-17 | Gas-insulated apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-249256 | 1992-09-18 | ||
| JP24925692 | 1992-09-18 | ||
| JP05122385A JP3138567B2 (ja) | 1992-09-18 | 1993-05-25 | ガス絶縁機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06153342A true JPH06153342A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3138567B2 JP3138567B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=26459521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05122385A Expired - Fee Related JP3138567B2 (ja) | 1992-09-18 | 1993-05-25 | ガス絶縁機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0588359A2 (ja) |
| JP (1) | JP3138567B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689088A (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Gas insulated device, gas insulated switchgear, gas insulated bus line, and cable direct-coupled gas insulated switchgear |
| JP2005327580A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Hitachi Ltd | 絶縁スペーサおよびガス絶縁機器 |
| JP4865718B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2012-02-01 | アレバ・ティー・アンド・ディー・アーゲー | 導電体用絶縁支持ディスク及び該ディスクを備える電気アセンブリ |
| JP2012044793A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Hitachi Ltd | 開閉器ユニット及びスイッチギヤ |
| JP2012110206A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | ガス絶縁開閉装置及びその製造方法 |
| JP2016101080A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社東芝 | 絶縁スペーサ |
| WO2018212124A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 株式会社日立製作所 | 絶縁スペーサ及びそれを用いたガス絶縁開閉装置 |
| JP2020138486A (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 富士電機株式会社 | 絶縁スペーサの製造方法 |
| CN113169542A (zh) * | 2018-11-27 | 2021-07-23 | Abb电网瑞士股份公司 | 用于中压或高压气体绝缘开关设备的绝缘器 |
| WO2022054154A1 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 東芝エネルギーシステムズ株式会社 | ガス絶縁機器 |
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|---|---|---|---|---|
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| EP1387368B1 (en) * | 2002-08-02 | 2009-11-04 | Abb Research Ltd. | Solid insulator and method for manufacturing a solid insulator |
| WO2016091274A1 (en) | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Abb Technology Ag | Apparatus for the generation, distribution and/or usage of electrical energy and component for such an apparatus |
| RU2760843C1 (ru) | 2018-03-23 | 2021-11-30 | Абб Пауэр Гридс Свитцерланд Аг | Способ изготовления электросилового устройства, электросиловое устройство и использование электросилового устройства |
| CN114123075B (zh) * | 2021-11-24 | 2024-05-24 | 江苏康盛电气集团有限责任公司 | 一种安全型防潮母线槽 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD151676A1 (de) * | 1980-06-20 | 1981-10-28 | Wolfgang Hauschild | Druckgasisolierung fuer metallgekapselte elektrische hochspannungsgeraete |
| JPS6311016A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-18 | 三菱電機株式会社 | ガス絶縁開閉装置 |
| DE4104922A1 (de) * | 1991-02-18 | 1992-08-20 | Asea Brown Boveri | Metallgekapselte gasisolierte hochspannungsanlage |
| JPH05111132A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-30 | Toshiba Corp | 絶縁スペーサ |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP05122385A patent/JP3138567B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-17 EP EP93115011A patent/EP0588359A2/en not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| US5689088A (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Gas insulated device, gas insulated switchgear, gas insulated bus line, and cable direct-coupled gas insulated switchgear |
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| US11070039B2 (en) | 2017-05-19 | 2021-07-20 | Hitachi, Ltd. | Insulation spacer and gas insulation shutoff apparatus using the insulation spacer |
| CN113169542A (zh) * | 2018-11-27 | 2021-07-23 | Abb电网瑞士股份公司 | 用于中压或高压气体绝缘开关设备的绝缘器 |
| US11824330B2 (en) | 2018-11-27 | 2023-11-21 | Hitachi Energy Ltd | Insulator for a medium- or high-voltage gas-insulated switchgear |
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| WO2022054154A1 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 東芝エネルギーシステムズ株式会社 | ガス絶縁機器 |
| JPWO2022054154A1 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0588359A2 (en) | 1994-03-23 |
| EP0588359A3 (ja) | 1994-04-27 |
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