JPH06151885A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH06151885A JPH06151885A JP29423292A JP29423292A JPH06151885A JP H06151885 A JPH06151885 A JP H06151885A JP 29423292 A JP29423292 A JP 29423292A JP 29423292 A JP29423292 A JP 29423292A JP H06151885 A JPH06151885 A JP H06151885A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- acceleration sensor
- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線材料としてアルミニウムを使用すること
ができて製品コストを低減できる半導体加速度センサの
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 先ず、半導体ウェハ１の表面に感歪抵抗とな
る不純物拡散領域２を選択的に形成し、ＳｉＯ2 膜３及
びＳｉＮ膜４をマスクとして異方性エッチングを施し、
溝５，６を設ける。次に、ウェハ１の表面及び裏面にア
ルミニウム膜７ａを被覆し、ウェハ１の表面側の溝６に
対応する部分のアルミニウム膜７ａを除去する。そし
て、アルミニウム膜７ａをマスクとしてドライエッチン
グを施し、ウェハ１の表面から裏面に貫通する開口部９
を設ける。その後、アルミニウム膜７ａを利用してアル
ミニウム配線を形成する。
ができて製品コストを低減できる半導体加速度センサの
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 先ず、半導体ウェハ１の表面に感歪抵抗とな
る不純物拡散領域２を選択的に形成し、ＳｉＯ2 膜３及
びＳｉＮ膜４をマスクとして異方性エッチングを施し、
溝５，６を設ける。次に、ウェハ１の表面及び裏面にア
ルミニウム膜７ａを被覆し、ウェハ１の表面側の溝６に
対応する部分のアルミニウム膜７ａを除去する。そし
て、アルミニウム膜７ａをマスクとしてドライエッチン
グを施し、ウェハ１の表面から裏面に貫通する開口部９
を設ける。その後、アルミニウム膜７ａを利用してアル
ミニウム配線を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車、航空機、各種
工業用ロボット及び家電製品等に取り付けられて加速度
の検知に使用される半導体加速度センサの製造方法に関
する。
工業用ロボット及び家電製品等に取り付けられて加速度
の検知に使用される半導体加速度センサの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体加速度センサは、自動車、
航空機、各種工業用ロボット及び家電製品等に使用され
るようになってきた。例えば、半導体加速度センサは、
自動車の衝突又は地震等の際に人命を保護するためにも
使用される。この場合に、自動車の衝突又は地震の兆候
を即時に検知できる加速度センサが不可欠である。通
常、加速度センサはコンピュータ等と組み合わされて使
用され、センサにより機械装置の運転状況及び環境の変
化等を検出し、その検出結果に基づいてコンピュータが
自動的に的確な制御を行なうようになっている。
航空機、各種工業用ロボット及び家電製品等に使用され
るようになってきた。例えば、半導体加速度センサは、
自動車の衝突又は地震等の際に人命を保護するためにも
使用される。この場合に、自動車の衝突又は地震の兆候
を即時に検知できる加速度センサが不可欠である。通
常、加速度センサはコンピュータ等と組み合わされて使
用され、センサにより機械装置の運転状況及び環境の変
化等を検出し、その検出結果に基づいてコンピュータが
自動的に的確な制御を行なうようになっている。
【０００３】図１１（ａ）は、自動車等に使用されてい
る従来の半導体加速度センサの一例を示す平面図、図１
１（ｂ）は同じくその断面図である。
る従来の半導体加速度センサの一例を示す平面図、図１
１（ｂ）は同じくその断面図である。
【０００４】このセンサは、シリコン（Ｓｉ）半導体か
らなる所謂片持ばり構造のセンサであり、質量部２０と
この質量部２０を囲む枠部２１とが梁部２４により連結
されている。梁部２４は、その厚さが薄く形成されてお
り、弾力性を有している。この梁部２４の表面には不純
物を導入して形成された感歪抵抗２３が設けられてお
り、この感歪抵抗２３は配線２６を介して枠部２１に設
けられた電極２２に電気的に接続されている。
らなる所謂片持ばり構造のセンサであり、質量部２０と
この質量部２０を囲む枠部２１とが梁部２４により連結
されている。梁部２４は、その厚さが薄く形成されてお
り、弾力性を有している。この梁部２４の表面には不純
物を導入して形成された感歪抵抗２３が設けられてお
り、この感歪抵抗２３は配線２６を介して枠部２１に設
けられた電極２２に電気的に接続されている。
【０００５】このように構成された半導体加速度センサ
に加速度が加えられると、慣性により質量部２０と枠部
２１との間に応力が発生し、梁部２４が機械的に変形す
る。これにより、梁部２４に設けられた感歪抵抗２３の
抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を外部の検出装置
で検出することにより、加速度を検出することができ
る。
に加速度が加えられると、慣性により質量部２０と枠部
２１との間に応力が発生し、梁部２４が機械的に変形す
る。これにより、梁部２４に設けられた感歪抵抗２３の
抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を外部の検出装置
で検出することにより、加速度を検出することができ
る。
【０００６】なお、質量部を挟んで設けられた２つの梁
部で質量部と枠部とを連結する両持ばり構造の半導体加
速度センサもある。
部で質量部と枠部とを連結する両持ばり構造の半導体加
速度センサもある。
【０００７】従来、この種の半導体加速度センサは、半
導体集積回路の製造技術を応用した半導体プロセスを用
いて形成されている。
導体集積回路の製造技術を応用した半導体プロセスを用
いて形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体加速度センサには、以下に示す問題点がある。即
ち、半導体加速度センサにおいては、質量部２０の周囲
に切欠き２５を形成する必要がある。この切欠き２５
は、通常、ＫＯＨ水溶液及びＥＰＷ等のエッチャントに
よる異方性エッチングにより半導体ウェハの表面から裏
面に貫通する穴を設けることにより形成される。しか
し、半導体ウェハの表面から裏面に貫通する穴を設けた
後に半導体プロセスを実施することはできないので、こ
の切欠き２５は、感歪抵抗２３、配線２６及び電極２２
等を形成した後の最終工程にて形成する必要がある。
半導体加速度センサには、以下に示す問題点がある。即
ち、半導体加速度センサにおいては、質量部２０の周囲
に切欠き２５を形成する必要がある。この切欠き２５
は、通常、ＫＯＨ水溶液及びＥＰＷ等のエッチャントに
よる異方性エッチングにより半導体ウェハの表面から裏
面に貫通する穴を設けることにより形成される。しか
し、半導体ウェハの表面から裏面に貫通する穴を設けた
後に半導体プロセスを実施することはできないので、こ
の切欠き２５は、感歪抵抗２３、配線２６及び電極２２
等を形成した後の最終工程にて形成する必要がある。
【０００９】一般的に、半導体装置における配線材料と
しては、アルミニウムが使用されている。しかし、アル
ミニウムは前述のエッチャントに溶解してしまうため、
従来の半導体加速度センサの配線材料としては、前述の
エッチャントに対する耐性が良好であることから、金
（Ａｕ）、金／クロム、金／チタン、金／チタン／モリ
ブデン等が使用されている。従って、従来の半導体加速
度センサには製品コストが高いという欠点がある。
しては、アルミニウムが使用されている。しかし、アル
ミニウムは前述のエッチャントに溶解してしまうため、
従来の半導体加速度センサの配線材料としては、前述の
エッチャントに対する耐性が良好であることから、金
（Ａｕ）、金／クロム、金／チタン、金／チタン／モリ
ブデン等が使用されている。従って、従来の半導体加速
度センサには製品コストが高いという欠点がある。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、配線材料としてアルミニウムを使用するこ
とができて半導体加速度センサの製品コストを低減でき
る半導体加速度センサの製造方法を提供することを目的
とする。
のであって、配線材料としてアルミニウムを使用するこ
とができて半導体加速度センサの製品コストを低減でき
る半導体加速度センサの製造方法を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体加速
度センサの製造方法は、質量部と、この質量部を囲む枠
部と、前記質量部と前記枠部とを連絡しその表面に感歪
抵抗が設けられた梁部とにより構成される半導体加速度
センサの製造方法において、半導体ウェハの表面の前記
梁部となる領域に前記感歪抵抗となる不純物拡散領域を
選択的に形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面側の
前記質量部となる領域と前記枠部となる領域との間にウ
ェットエッチングにより溝を形成する工程と、前記半導
体ウェハの表面及び裏面にアルミニウム膜を被覆する工
程と、前記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領
域のうち前記梁部となる領域を除いた部分の前記アルミ
ニウム膜を除去する工程と、前記アルミニウム膜をマス
クとしてドライエッチングを施し前記半導体ウェハの表
面から裏面に貫通する穴を形成する工程と、前記半導体
ウェハの表面上に残存した前記アルミニウム膜を利用し
てアルミニウム配線を形成する工程とを有することを特
徴とする。
度センサの製造方法は、質量部と、この質量部を囲む枠
部と、前記質量部と前記枠部とを連絡しその表面に感歪
抵抗が設けられた梁部とにより構成される半導体加速度
センサの製造方法において、半導体ウェハの表面の前記
梁部となる領域に前記感歪抵抗となる不純物拡散領域を
選択的に形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面側の
前記質量部となる領域と前記枠部となる領域との間にウ
ェットエッチングにより溝を形成する工程と、前記半導
体ウェハの表面及び裏面にアルミニウム膜を被覆する工
程と、前記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領
域のうち前記梁部となる領域を除いた部分の前記アルミ
ニウム膜を除去する工程と、前記アルミニウム膜をマス
クとしてドライエッチングを施し前記半導体ウェハの表
面から裏面に貫通する穴を形成する工程と、前記半導体
ウェハの表面上に残存した前記アルミニウム膜を利用し
てアルミニウム配線を形成する工程とを有することを特
徴とする。
【００１２】
【作用】本発明においては、先ず、半導体ウェハの表面
に感歪抵抗となる不純物拡散領域を形成し、ウェットエ
ッチングにより前記半導体ウェハの裏面側に溝を形成す
る。この溝は後工程で切欠き又は梁部となる部分であ
り、エッチャントとして例えばＫＯＨ及びＥＰＷ等の異
方性エッチングが可能な液を使用する。次に、前記半導
体ウェハの表面及び裏面をアルミニウム膜で被覆し、前
記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領域（但
し、梁部となる領域を除く）の前記アルミニウム膜を選
択的に除去して半導体ウェハを露出させる。次いで、前
記アルミニウム膜をマスクとして、プラズマエッチング
又はリアクティブイオンエッチング等のドライエッチン
グにより貫通穴を形成することによって切欠きを形成す
る。その後、前記アルミニウム膜を利用して、半導体ウ
ェハの表面側に所定の配線パターンでアルミニウム配線
を形成する。
に感歪抵抗となる不純物拡散領域を形成し、ウェットエ
ッチングにより前記半導体ウェハの裏面側に溝を形成す
る。この溝は後工程で切欠き又は梁部となる部分であ
り、エッチャントとして例えばＫＯＨ及びＥＰＷ等の異
方性エッチングが可能な液を使用する。次に、前記半導
体ウェハの表面及び裏面をアルミニウム膜で被覆し、前
記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領域（但
し、梁部となる領域を除く）の前記アルミニウム膜を選
択的に除去して半導体ウェハを露出させる。次いで、前
記アルミニウム膜をマスクとして、プラズマエッチング
又はリアクティブイオンエッチング等のドライエッチン
グにより貫通穴を形成することによって切欠きを形成す
る。その後、前記アルミニウム膜を利用して、半導体ウ
ェハの表面側に所定の配線パターンでアルミニウム配線
を形成する。
【００１３】このように、本発明においては、ＫＯＨ及
びＥＰＷ等をエッチャントとするウェットエッチングを
実施した後にアルミニウム膜を形成し、このアルミニウ
ム膜をドライエッチング時のマスクとして使用する。そ
して、貫通穴（切欠き）を形成した後、前記アルミニウ
ム膜を利用してアルミニウム配線を形成する。従って、
アルミニウムを配線材料として使用できて、加速度セン
サの製品コストを低減できる。
びＥＰＷ等をエッチャントとするウェットエッチングを
実施した後にアルミニウム膜を形成し、このアルミニウ
ム膜をドライエッチング時のマスクとして使用する。そ
して、貫通穴（切欠き）を形成した後、前記アルミニウ
ム膜を利用してアルミニウム配線を形成する。従って、
アルミニウムを配線材料として使用できて、加速度セン
サの製品コストを低減できる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１５】図１乃至図８は本発明の実施例に係る半導
体加速度センサの製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
体加速度センサの製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
【００１６】先ず、図１に示すように、通常の半導体プ
ロセスを用いてシリコンウェハ１の表面及び裏面を酸化
させ、ＳｉＯ2 膜３を形成する。そして、このシリコン
ウェハ１の表面の所定領域にｐ型不純物を選択的に導入
してｐ型拡散領域２を形成する。その後、ＣＶＤ法（気
相成長法）等により、ウェハ１の表面及び裏面側にＳｉ
Ｎ膜４を形成する。
ロセスを用いてシリコンウェハ１の表面及び裏面を酸化
させ、ＳｉＯ2 膜３を形成する。そして、このシリコン
ウェハ１の表面の所定領域にｐ型不純物を選択的に導入
してｐ型拡散領域２を形成する。その後、ＣＶＤ法（気
相成長法）等により、ウェハ１の表面及び裏面側にＳｉ
Ｎ膜４を形成する。
【００１７】次に、図２に示すように、ウェハ１の裏面
側のＳｉＮ膜４及びＳｉＯ2 膜３を選択的に除去して、
ウェハ１が露出する窓を形成する。
側のＳｉＮ膜４及びＳｉＯ2 膜３を選択的に除去して、
ウェハ１が露出する窓を形成する。
【００１８】次に、図３に示すようにＫＯＨ及びＥＰＷ
等のエッチャントを使用して異方性エッチングを施し、
前記窓から露出した部分のシリコンを除去して溝５，６
を形成する。この場合に、溝５，６に対応する部分のウ
ェハ１の厚さを所望の梁部の厚さする。
等のエッチャントを使用して異方性エッチングを施し、
前記窓から露出した部分のシリコンを除去して溝５，６
を形成する。この場合に、溝５，６に対応する部分のウ
ェハ１の厚さを所望の梁部の厚さする。
【００１９】次に、図４に示すように、ウェハ１の表面
側のｐ型拡散領域２及び溝６上のＳｉＯ2 膜３及びＳｉ
Ｎ膜４を選択的に除去する。その後、全面にアルミニウ
ム（Ａｌ）を蒸着してＡｌ膜７ａを得る。このＡｌ膜７
ａの厚さは、所望の配線厚さよりも厚くする。
側のｐ型拡散領域２及び溝６上のＳｉＯ2 膜３及びＳｉ
Ｎ膜４を選択的に除去する。その後、全面にアルミニウ
ム（Ａｌ）を蒸着してＡｌ膜７ａを得る。このＡｌ膜７
ａの厚さは、所望の配線厚さよりも厚くする。
【００２０】次に、図５に示すように、溝６の上方のＡ
ｌ膜７ａを選択的にエッチング除去して、開口部７ｂを
設ける。
ｌ膜７ａを選択的にエッチング除去して、開口部７ｂを
設ける。
【００２１】次に、図６に示すように、ウェハ１の表面
側のＡｌ膜７ａ上にホトレジスト８で所望の配線パター
ンを形成し、このホトレジスト８をマスクとしてＡｌ膜
７ａをエッチングする。このとき、ホトレジスト８に覆
われた部分のＡｌ膜７ａの厚さとホトレジスト８に覆わ
れていない部分のＡｌ膜７ａの厚さとの差が所望の配線
厚さとなるところでエッチングを終了する。その後、ホ
トレジスト８を除去する。
側のＡｌ膜７ａ上にホトレジスト８で所望の配線パター
ンを形成し、このホトレジスト８をマスクとしてＡｌ膜
７ａをエッチングする。このとき、ホトレジスト８に覆
われた部分のＡｌ膜７ａの厚さとホトレジスト８に覆わ
れていない部分のＡｌ膜７ａの厚さとの差が所望の配線
厚さとなるところでエッチングを終了する。その後、ホ
トレジスト８を除去する。
【００２２】次に、図７に示すように、ＳＦ6 −Ｏ2 又
はＣＦ4 −Ｏ2 等の混合ガスを使用したプラズマエッチ
ング（又は、リアクティブイオンエッチング）を施し、
溝６上のシリコンをエッチング除去し、ウェハ１の裏面
側のＡｌ膜７ａが表面側に露出するように開口部９を形
成する。このとき、他の部分は、Ａｌ膜７ａがエッチン
グマスクとして作用して保護される。
はＣＦ4 −Ｏ2 等の混合ガスを使用したプラズマエッチ
ング（又は、リアクティブイオンエッチング）を施し、
溝６上のシリコンをエッチング除去し、ウェハ１の裏面
側のＡｌ膜７ａが表面側に露出するように開口部９を形
成する。このとき、他の部分は、Ａｌ膜７ａがエッチン
グマスクとして作用して保護される。
【００２３】次いで、配線部分以外のＡｌ膜７ａが除去
されるまでＡｌ膜７ａをエッチングする。これにより、
図８に示すように、所望の厚さのＡｌ配線７が得られ
る。
されるまでＡｌ膜７ａをエッチングする。これにより、
図８に示すように、所望の厚さのＡｌ配線７が得られ
る。
【００２４】本実施例によれば、シリコンウェハ１に対
し異方性エッチングを施した後、配線となるＡｌ膜７ａ
を形成するため、配線材料は異方性エッチング液に曝さ
れることがない。従って、配線材料としてＡｕを使用す
る必要がなく、加速度センサの製品コストを低減するこ
とができる。また、本実施例においては、ＳＦ6 −Ｏ2
ガス及びＣＦ4 −Ｏ2 ガス等を使用するドライエッチン
グと、ＫＯＨ及びＥＰＷ等の異方性ウェットエッチング
とを組み合わせて梁部を形成するため、梁部の厚さの精
度が高い。更に、本実施例においては、ドライエッチン
グのマスクとして用いたＡｌ膜をそのまま配線材料とし
て使用するため、梁部形成後にホトリソグラフ工程が不
要であり、製造歩留りが高いという効果もある。
し異方性エッチングを施した後、配線となるＡｌ膜７ａ
を形成するため、配線材料は異方性エッチング液に曝さ
れることがない。従って、配線材料としてＡｕを使用す
る必要がなく、加速度センサの製品コストを低減するこ
とができる。また、本実施例においては、ＳＦ6 −Ｏ2
ガス及びＣＦ4 −Ｏ2 ガス等を使用するドライエッチン
グと、ＫＯＨ及びＥＰＷ等の異方性ウェットエッチング
とを組み合わせて梁部を形成するため、梁部の厚さの精
度が高い。更に、本実施例においては、ドライエッチン
グのマスクとして用いたＡｌ膜をそのまま配線材料とし
て使用するため、梁部形成後にホトリソグラフ工程が不
要であり、製造歩留りが高いという効果もある。
【００２５】なお、上述の実施例においては、シリコン
ウェハを用いた場合について説明したが、例えば図９に
示すように、ｐ型シリコン基板１ａ上にｎ型エピタキシ
ャル層１ｂが設けられた所謂エピウェハを用いてもよ
い。この場合は、エピタキシャル層１ｂの厚さを梁部の
所望厚さとし、エレクトロケミカルエッチングにより溝
５，６を形成する。これにより、梁部の厚さを第１の実
施例に比してより正確に制御することができる。
ウェハを用いた場合について説明したが、例えば図９に
示すように、ｐ型シリコン基板１ａ上にｎ型エピタキシ
ャル層１ｂが設けられた所謂エピウェハを用いてもよ
い。この場合は、エピタキシャル層１ｂの厚さを梁部の
所望厚さとし、エレクトロケミカルエッチングにより溝
５，６を形成する。これにより、梁部の厚さを第１の実
施例に比してより正確に制御することができる。
【００２６】また、例えば図１０に示すように、支持基
板１１と素子形成基板１３との間にＳｉＯ2 層１２が設
けられた所謂ＳＯＩウェハを用いてもよい。これによ
り、溝部５，６を形成するためのエッチング時にＳｉＯ
2 層１２がストッパ層として作用し、梁部の厚さを精密
に制御することができる。
板１１と素子形成基板１３との間にＳｉＯ2 層１２が設
けられた所謂ＳＯＩウェハを用いてもよい。これによ
り、溝部５，６を形成するためのエッチング時にＳｉＯ
2 層１２がストッパ層として作用し、梁部の厚さを精密
に制御することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェットエッチングを実施した後の半導体ウェハの表面及
び裏面にアルミニウム膜を被覆し、このアルミニウム膜
をドライエッチング時のマスクとして使用して貫通穴を
形成し、その後前記半導体ウェハの表面に残存している
アルミニウム膜を利用してアルミニウム配線を形成する
から、配線材料として高価な金を使用する必要がなく、
半導体加速度センサの製品コストを従来に比して低減す
ることができる。
ェットエッチングを実施した後の半導体ウェハの表面及
び裏面にアルミニウム膜を被覆し、このアルミニウム膜
をドライエッチング時のマスクとして使用して貫通穴を
形成し、その後前記半導体ウェハの表面に残存している
アルミニウム膜を利用してアルミニウム配線を形成する
から、配線材料として高価な金を使用する必要がなく、
半導体加速度センサの製品コストを従来に比して低減す
ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体加速度センサの製
造方法の一工程を示す断面図である。
造方法の一工程を示す断面図である。
【図２】同じくその一工程を示す断面図である。
【図３】同じくその一工程を示す断面図である。
【図４】同じくその一工程を示す断面図である。
【図５】同じくその一工程を示す断面図である。
【図６】同じくその一工程を示す断面図である。
【図７】同じくその一工程を示す断面図である。
【図８】同じくその一工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例の変形例を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例の他の変形例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１１】（ａ）は従来の半導体加速度センサの一例を
示す平面図、（ｂ）は同じくその断面図である。
示す平面図、（ｂ）は同じくその断面図である。
１；半導体ウェハ ２；不純物拡散領域 ３；ＳｉＯ2 膜 ４；ＳｉＮ膜 ５，６；溝 ７，２６；配線 ７ａ；Ａｌ膜 ８；ホトレジスト ９；開口部 ２０；質量部 ２１；枠部 ２２；電極 ２３；感歪抵抗 ２４；梁部 ２５；切欠き
Claims (1)
- 【請求項１】 質量部と、この質量部を囲む枠部と、前
記質量部と前記枠部とを連絡しその表面に感歪抵抗が設
けられた梁部とにより構成される半導体加速度センサの
製造方法において、半導体ウェハの表面の前記梁部とな
る領域に前記感歪抵抗となる不純物拡散領域を選択的に
形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面側の前記質量
部となる領域と前記枠部となる領域との間にウェットエ
ッチングにより溝を形成する工程と、前記半導体ウェハ
の表面及び裏面にアルミニウム膜を被覆する工程と、前
記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領域のうち
前記梁部となる領域を除いた部分の前記アルミニウム膜
を除去する工程と、前記アルミニウム膜をマスクとして
ドライエッチングを施し前記半導体ウェハの表面から裏
面に貫通する穴を形成する工程と、前記半導体ウェハの
表面上に残存した前記アルミニウム膜を利用してアルミ
ニウム配線を形成する工程とを有することを特徴とする
半導体センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29423292A JPH06151885A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29423292A JPH06151885A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151885A true JPH06151885A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17805056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29423292A Pending JPH06151885A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530159A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-06 | ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア | モノリシックシリコン加速度センサー |
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1992
- 1992-11-02 JP JP29423292A patent/JPH06151885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530159A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-06 | ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア | モノリシックシリコン加速度センサー |
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