JPH06151284A - 荷電粒子線描画露光方法及びその装置 - Google Patents

荷電粒子線描画露光方法及びその装置

Info

Publication number
JPH06151284A
JPH06151284A JP32592192A JP32592192A JPH06151284A JP H06151284 A JPH06151284 A JP H06151284A JP 32592192 A JP32592192 A JP 32592192A JP 32592192 A JP32592192 A JP 32592192A JP H06151284 A JPH06151284 A JP H06151284A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
load lock
drawing exposure
charged particle
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32592192A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3291591B2 (ja
Inventor
Mitsunobu Katayama
光庸 片山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP32592192A priority Critical patent/JP3291591B2/ja
Publication of JPH06151284A publication Critical patent/JPH06151284A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3291591B2 publication Critical patent/JP3291591B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 描画露光不良の発生を未然に防ぎ、描画露光
用機械コスト,現像や検査のコスト,人件費,時間等の
浪費を低減させる。 【構成】 制御プロセッサ30内に診断プログラム37
を設け、ロードロック室14の真空引き時及び/又はロ
ードロック室14と描画室10との間の試料11の搬送
時等の時間を利用することにより、描画露光前に描画露
光装置内の各種のメモリ,レジスタ,演算素子並びに回
路の少なくとも一部の不具合がないことを確認して描画
露光を実行する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路のパターン等
を形成するための荷電粒子線描画露光方法及びその装置
に係り、特に描画露光の信頼性向上に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、荷電粒子線描画露光装置によって
描画露光された集積回路のパターン等の良否判定は、描
画露光中はもちろん、その直後にもできず、現像等の後
処理を行なった後でないとできなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このため、描画露光不
良が発見されるまでに時間が掛り、生産計画に対しより
大巾な遅くれを生じると共に、描画露光のための機械コ
スト,現像や検査のコスト,人件費等の多大な浪費を生
じることがあった。
【0004】本発明は、前述したような点に鑑みなされ
たもので、描画露光不良の発生を未然に防ぐことを目的
としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、試料をロードロック室を介して真空の描画
室内に搬入して荷電粒子線により試料上に所望のパター
ンを描画露光するに際し、制御プロセッサ内に診断プロ
グラムを用意し、描画露光前に、描画露光装置内の各種
のメモリ,レジスタ,演算素子並びに回路の少なくとも
一部の不具合の有無を前記診断プログラムによって把握
し、該不具合がないことを確認して描画露光を実行する
ことを特徴とする荷電粒子線描画露光方法にある。
【0006】なお、前記診断プログラムによる不具合の
把握は、描画露光に先立って行われる前記ロードロック
室の真空引き時及び/又はロードロック室と描画室との
間の試料搬送時に行うことが好ましい。
【0007】また、本発明は、試料をロードロック室を
介して真空の描画室内に搬入して荷電粒子線により試料
上に所望のパターンを描画露光する装置において、同装
置内の各種のメモリ,レジスタ,演算素子並びに回路の
少なくとも一部について不具合の有無を把握するための
診断プログラムを制御プロセッサ内に設け、該診断プロ
グラムを描画露光前に実行可能に構成したことを特徴と
する荷電粒子線描画露光装置にある。
【0008】なお、前記診断プログラムは、描画露光に
先立って行われる前記ロードロック室の真空引き時及び
/又はロードロック室と描画室との間の試料搬送時に実
行可能に構成することが好ましい。
【0009】
【作用】荷電粒子線による描画露光は、高真空に保たれ
ている描画室に隣接して設けられたロードロック室を介
して試料を描画室へ搬入して描画露光を行う。好ましく
は、試料をロードロック室へ搬入して、このロードロッ
ク室を描画室と同程度の真空度まで真空引きする時間及
び/またはその後に試料をロードロック室から描画室へ
搬送する時間等を利用して、診断プログラムにより装置
内の各種メモリ,レジスタ,演算素子並びに回路の少な
くとも一部について不具合の有無を把握する。こうして
不具合がないことを確認してから描画することにより、
描画露光不良の発生は大巾に減少し、前述した課題が大
巾に改善される。
【0010】
【実施例】以下本発明の実施例について図1ないし図2
を参照して説明する。図1において、10は高真空に保
たれている描画室,20は荷電粒子線光学鏡筒である。
【0011】描画室10内には、試料11を載置するX
Yステージ12が設けられている。XYステージ12は
ステージ制御回路31及び駆動系32によりX方向及び
Y方向に移動され、XYステージ12の位置はレーザ測
長系33及び位置検出回路34により検出される。な
お、ステージ制御回路31はコンピュータ等からなる制
御プロセッサ30からの指令により作動し、位置検出回
路34の検出信号は制御プロセッサ30に取り込まれ
る。
【0012】描画室10には、ゲート弁13を介してロ
ードロック室14が接続されている。ロードロック室1
4内には上下動可能なマガジン15が設けられ、複数の
試料11を収納するようになっている。ロードロック室
14は図示しない開閉扉により大気に対して開閉可能に
形成されると共に、図示しない真空装置によって描画室
10と同程度に真空引きされるようになっている。
【0013】マガジン15に収納された試料11は、ロ
ードロック室14の側部に取付けられた搬送装置16に
よりゲート弁13を通してXYステージ12上へ搬送さ
れ、また、描画露光が終ったXYステージ12上の試料
11は搬送装置16によってマガジン15に戻される。
【0014】荷電粒子線光学鏡筒20は、荷電粒子線発
生部21,各種レンズ22,23,24,ブランキング
電極25,走査用偏向器26等から構成されている。4
0は、荷電粒子線発生部21及び各種レンズ22,2
3,24の電源であり、制御プロセッサ30によってそ
れぞれへの出力を制御される。
【0015】ブランキング電極25には描画回路35が
接続され、走査用偏向器26には偏向回路36が接続さ
れている。描画回路35は、位置検出回路34の検出信
号に関連付けられて制御プロセッサ30から与えられる
ON,OFF信号によって試料11に対する荷電粒子線
の照射のON,OFFを行うようになっている。また、
偏向回路36は、同じく位置検出回路34の検出信号に
関連付けられて制御プロセッサ30から与えられる偏向
電圧によって荷電粒子線を試料11上の所定位置に対し
て走査させるようになっている。
【0016】制御プロセッサ30には、診断プログラム
37が設けられている。この診断プログラム37は、描
画回路35内の図示しない描画データバッファメモリ,
繰り返しパターンの圧縮用メモリ及び補正用パラメータ
格納メモリをはじめ、各回路31,34,35,36内
の各種メモリ,レジスタ,演算素子等のミクロ的なもの
から各回路のテスト作動による正常動作チェック等のマ
クロ的なものを含めて描画露光に関係する部分の少なく
とも一部の不具合の有無を把握するようになっている。
【0017】診断プログラム37による診断は、図2に
示すように、描画露光に先立って行われるロードロック
室14の真空引き時(ステップ103)及び/又は搬送
装置16によるロードロック室14から描画室10への
試料搬送時間(ステップ107)等を利用して、描画露
光前に自動的に実行されるように制御プロセッサ30に
組み込まれている。
【0018】次いで、本装置の作用について説明する。
ロードロック室14を大気に開放し、図2のステップ1
01に示すようにマガジン15に試料11をセットして
ロードロック室14を閉じ、ロードロック室14の真空
引きを開始する(ステップ102)。
【0019】この真空引き開始後、ステップ103で真
空引きが終了か否かを判断し、終了していないとき、す
なわち真空引き時間を利用してステップ104に示すよ
うに、診断プログラム37を実行させて各回路31,3
4,35,36及びそれらの中のメモリ等の不具合の有
無の診断を行う。
【0020】ロードロック室14の真空度が描画室10
の真空度と略等しくなったところで、真空引きを終了
し、ゲート弁13を開いてマガジン15内の試料11を
搬送装置16によってXYステージ12上へ搬送する
(ステップ106)。この搬送時にも、ステップ10
7,108で示すように搬送終了までの時間を利用して
診断を行う。
【0021】なお、上記診断は、実質的には1つの
ものとして連続して行ってもよく、真空引き開始から搬
送終了までの時間内で診断を完了するように構成されて
いる。
【0022】上記診断によって不具合が発見される
と、その時点でプログラムの進行は停止され、不具合個
所を図示しないディスプレイに表示する。不具合がなけ
れば、ステップ107の搬送終了に従って、ステップ1
09で示す描画露光が実行され、描画露光が終了したと
ころで、ステップ110で示すように、描画露光された
試料11をマガジン15へ戻す。
【0023】図1に示した実施例のように、ロードロッ
ク室14に複数の試料11を収容して順次描画露光する
場合、上記のように、最初の試料の描画露光の前にのみ
診断を行って、残りの試料の描画露光前には、該診
断を省略してもよいが、上記のように、ステップ110
で描画露光された試料11をマガジン15へ戻す時間
(ステップ111参照)を利用すると共に、ステップ1
06,107と同様に行われる次の試料11をXYステ
ージ12へ搬入する時間を利用して、各試料11の描画
露光前に診断をそれぞれ行うようにしてもよい。
【0024】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、描
画露光前に装置の不具合が自動的に診断され、不具合が
ないときのみ描画露光が実行されるため、描画露光不良
の発生を大巾に減少させることができ、また、不具合を
早期に発見して未然に対処できるため、生産計画に対す
る遅くれを小さく押さえることができると共に、描画露
光用機械コスト,現像や検査コスト及び人件費等の浪費
を削減することができる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す概要構成図である。
【図2】本発明による描画露光工程のフローチャートを
示す図である。
【符号の説明】
10 描画室 11 試料 12 XYステージ 14 ロードロック室 15 マガジン 16 搬送装置 20 荷電粒子線光学鏡筒 21 荷電粒子線発生部 22,23,24 レンズ 25 ブランキング電極 26 走査用偏向器 30 制御プロセッサ 31 ステージ制御回路 32 駆動系 33 レーザ測長系 34 位置検出回路 35 描画回路 36 偏向回路 37 診断プログラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 7377−4M 21/82 C

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料をロードロック室を介して真空の描
    画室内に搬入して荷電粒子線により試料上に所望のパタ
    ーンを描画露光するに際し、制御プロセッサ内に診断プ
    ログラムを用意し、描画露光前に、描画露光装置内の各
    種のメモリ,レジスタ,演算素子並びに回路の少なくと
    も一部の不具合の有無を前記診断プログラムによって把
    握し、該不具合がないことを確認して描画露光を実行す
    ることを特徴とする荷電粒子線描画露光方法。
  2. 【請求項2】 前記診断プログラムによる不具合の把握
    を、描画露光に先立って行われる前記ロードロック室の
    真空引き時及び/又はロードロック室と描画室との間の
    試料搬送時に行うことを特徴とする請求項1の荷電粒子
    線描画露光方法。
  3. 【請求項3】 試料をロードロック室を介して真空の描
    画室内に搬入して荷電粒子線により試料上に所望のパタ
    ーンを描画露光する装置において、同装置内の各種のメ
    モリ,レジスタ,演算素子並びに回路の少なくとも一部
    について不具合の有無を把握するための診断プログラム
    を制御プロセッサ内に設け、該診断プログラムを描画露
    光前に実行可能に構成したことを特徴とする荷電粒子線
    描画露光装置。
  4. 【請求項4】 前記診断プログラムが、描画露光に先立
    って行われる前記ロードロック室の真空引き時及び/又
    はロードロック室と描画室との間の試料搬送時に実行可
    能に構成されていることを特徴とする請求項3の荷電粒
    子線描画露光装置。
JP32592192A 1992-11-11 1992-11-11 荷電粒子線描画露光方法及びその装置 Expired - Lifetime JP3291591B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32592192A JP3291591B2 (ja) 1992-11-11 1992-11-11 荷電粒子線描画露光方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32592192A JP3291591B2 (ja) 1992-11-11 1992-11-11 荷電粒子線描画露光方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06151284A true JPH06151284A (ja) 1994-05-31
JP3291591B2 JP3291591B2 (ja) 2002-06-10

Family

ID=18182087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32592192A Expired - Lifetime JP3291591B2 (ja) 1992-11-11 1992-11-11 荷電粒子線描画露光方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3291591B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250196A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Ricoh Co Ltd 搬送装置及び真空プロセス装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6063767B2 (ja) * 2013-02-21 2017-01-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子線描画装置の故障診断方法、電子線描画装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250196A (ja) * 2006-03-13 2007-09-27 Ricoh Co Ltd 搬送装置及び真空プロセス装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3291591B2 (ja) 2002-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6952653B2 (en) Single tool defect classification solution
US6407386B1 (en) System and method for automatic analysis of defect material on semiconductors
TWI659282B (zh) 用於提高半導體製造良率的系統和方法及電腦可讀儲存媒體
JPH0829503A (ja) Ic不良解析方法及び不良解析装置
EP0707283A2 (en) Model image registration method and apparatus therefor
JP2007192652A (ja) パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料
EP0237220A2 (en) Method and apparatus for forming a film
JPH06151284A (ja) 荷電粒子線描画露光方法及びその装置
JPH102865A (ja) レチクルの検査装置およびその検査方法
JP4218074B2 (ja) 電子ビーム欠陥検査装置および欠陥検査方法
JPH0422897A (ja) X線装置
JP2655474B2 (ja) 電子線直接描画方法及びその装置
US7031796B2 (en) Radiation damage reduction
JPH06252230A (ja) 欠陥検査方法および装置
JP2002313861A (ja) パターン検査装置およびパターン検査方法
JPH02208949A (ja) 半導体製造装置
JP3691374B2 (ja) 基板の欠陥検査方法および基板の欠陥検査システム
JP2005037291A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JPH0213835A (ja) 検査装置
WO2006098266A1 (ja) マスク洗浄方法
JP2005332888A (ja) 形状修復装置および形状修復方法
JP2001174418A (ja) 外観検査装置
JPH0693474B2 (ja) 半導体基板の検査方法
JPH0497512A (ja) レジストパターン検査装置
JPH06331574A (ja) 分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080329

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090329

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090329

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 8

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100329

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100329

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110329

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120329

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130329

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130329

Year of fee payment: 11