JPH06148676A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
- Publication number
- JPH06148676A JPH06148676A JP29461992A JP29461992A JPH06148676A JP H06148676 A JPH06148676 A JP H06148676A JP 29461992 A JP29461992 A JP 29461992A JP 29461992 A JP29461992 A JP 29461992A JP H06148676 A JPH06148676 A JP H06148676A
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- JP
- Japan
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- tft
- rows
- element electrode
- liquid crystal
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＦＴのオン期間を長くして、大型・高精細
な液晶表示装置の表示品位を向上させる。 【構成】 奇数行の絵素電極１ａに接続されたＴＦＴ４
ａは、ソースラインＳn-1，Ｓn，Ｓn+1…等に接続され
ており、偶数行の絵素電極１ｂに接続されたＴＦＴ４ｂ
は、ソースラインＳ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…等に接続され
ている。ゲートラインＧn-1，Ｇn…等は、１つの奇数行
とそれに隣接する１つの偶数行に形成されたＴＦＴに接
続されており、２行分のＴＦＴに接続されている。ゲー
トラインＧn-1にゲートパルスを加えると、それに接続
された２行分のＴＦＴがオン状態となる。よって、ＴＦ
Ｔのオン期間を長くすることができ、液晶に最適な充電
時間を設定することができる。
な液晶表示装置の表示品位を向上させる。 【構成】 奇数行の絵素電極１ａに接続されたＴＦＴ４
ａは、ソースラインＳn-1，Ｓn，Ｓn+1…等に接続され
ており、偶数行の絵素電極１ｂに接続されたＴＦＴ４ｂ
は、ソースラインＳ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…等に接続され
ている。ゲートラインＧn-1，Ｇn…等は、１つの奇数行
とそれに隣接する１つの偶数行に形成されたＴＦＴに接
続されており、２行分のＴＦＴに接続されている。ゲー
トラインＧn-1にゲートパルスを加えると、それに接続
された２行分のＴＦＴがオン状態となる。よって、ＴＦ
Ｔのオン期間を長くすることができ、液晶に最適な充電
時間を設定することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置などの表
示装置に用いられるアクティブマトリクス基板に関す
る。
示装置に用いられるアクティブマトリクス基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、表示装置として種々のものが使用
されている。その内の１つである液晶表示装置は、厚さ
を薄くできること、駆動時における消費電力が小さくで
きることなどの利点を有しているので、近年、種々の分
野で用いられている。
されている。その内の１つである液晶表示装置は、厚さ
を薄くできること、駆動時における消費電力が小さくで
きることなどの利点を有しているので、近年、種々の分
野で用いられている。
【０００３】特に、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称
する）などをスイッチング素子として用いたアクティブ
マトリックス駆動方式の液晶表示装置は、液晶の応答速
度が速く、表示品位が高いので、開発が盛んに行われて
いる。
する）などをスイッチング素子として用いたアクティブ
マトリックス駆動方式の液晶表示装置は、液晶の応答速
度が速く、表示品位が高いので、開発が盛んに行われて
いる。
【０００４】図３に、アクティブマトリックス駆動方式
の液晶表示装置に用いられる従来のアクティブマトリク
ス基板を示す。このアクティブマトリクス基板において
は、基板上に設けられた絵素電極３１の各々に対して、
１本の信号線（以下、ソースラインと称する）３２と１
本の走査線（以下、ゲートラインと称する）３３とが、
絵素駆動用スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称する）３４に接続されている。これ
らは、液晶表示装置の一方のガラス基板上にマトリクス
状に多数形成されている。
の液晶表示装置に用いられる従来のアクティブマトリク
ス基板を示す。このアクティブマトリクス基板において
は、基板上に設けられた絵素電極３１の各々に対して、
１本の信号線（以下、ソースラインと称する）３２と１
本の走査線（以下、ゲートラインと称する）３３とが、
絵素駆動用スイッチング素子としての薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称する）３４に接続されている。これ
らは、液晶表示装置の一方のガラス基板上にマトリクス
状に多数形成されている。
【０００５】このアクティブマトリクス基板において、
ゲートライン３３にＴＦＴ３４をオン状態にさせる電圧
が印加されると、そのＴＦＴ３４に接続されているソー
スライン３２に印加された電圧が絵素電極３１に加わえ
られる。そして、絵素電極３１に加えられた電圧と絵素
電極３１に対向する共通電極に印加されている電圧との
電位差により、液晶を光学変調して表示を行う。このゲ
ートライン３３に印加される電圧は、ゲートライン３３
に接続された駆動回路から送られ、図４に示すように、
１水平周期毎に順次追加されるパルス電圧である。図
中、Ｈｓｙｎｃは水平周期信号を表す。即ち、Ｇn-1の
ゲートラインに１水平周期と同じ期間のパルスｎ−１が
加わると、次の期間はＧnのゲートラインに１水平周期
と同じ期間のパルスｎが加わる。これを順次繰り返して
いくことにより映像表示が行われる。一方、パルス電圧
が印加されていないゲートラインに接続されているＴＦ
Ｔはオフ状態になる。
ゲートライン３３にＴＦＴ３４をオン状態にさせる電圧
が印加されると、そのＴＦＴ３４に接続されているソー
スライン３２に印加された電圧が絵素電極３１に加わえ
られる。そして、絵素電極３１に加えられた電圧と絵素
電極３１に対向する共通電極に印加されている電圧との
電位差により、液晶を光学変調して表示を行う。このゲ
ートライン３３に印加される電圧は、ゲートライン３３
に接続された駆動回路から送られ、図４に示すように、
１水平周期毎に順次追加されるパルス電圧である。図
中、Ｈｓｙｎｃは水平周期信号を表す。即ち、Ｇn-1の
ゲートラインに１水平周期と同じ期間のパルスｎ−１が
加わると、次の期間はＧnのゲートラインに１水平周期
と同じ期間のパルスｎが加わる。これを順次繰り返して
いくことにより映像表示が行われる。一方、パルス電圧
が印加されていないゲートラインに接続されているＴＦ
Ｔはオフ状態になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置が大型・高精細になるに従い、ゲートラインにパルス
電圧が印加される期間は表示品位に大きく影響すること
になる。すなわち、液晶表示装置が大型化されるにつれ
て、ゲートラインの抵抗が増大してゲートラインに印加
されるパルス電圧が歪む。このため、ＴＦＴが完全にオ
ン状態となる期間が短くなる。また、液晶表示装置が高
精細になるにつれて、両ラインに印加されるパルス電圧
の周期が高速になる。特に、ゲートラインに印加される
パルス電圧の周波数が高速になると、ＴＦＴがオン状態
となっている期間が短くなる。
置が大型・高精細になるに従い、ゲートラインにパルス
電圧が印加される期間は表示品位に大きく影響すること
になる。すなわち、液晶表示装置が大型化されるにつれ
て、ゲートラインの抵抗が増大してゲートラインに印加
されるパルス電圧が歪む。このため、ＴＦＴが完全にオ
ン状態となる期間が短くなる。また、液晶表示装置が高
精細になるにつれて、両ラインに印加されるパルス電圧
の周期が高速になる。特に、ゲートラインに印加される
パルス電圧の周波数が高速になると、ＴＦＴがオン状態
となっている期間が短くなる。
【０００７】上記のような従来のアクティブマトリクス
基板においては、ＴＦＴのオン期間は、ゲートラインに
印加されるパルス電圧の幅で決まる。よって、この周期
が速くなると、直接、ＴＦＴのオン期間が短くなること
になる。
基板においては、ＴＦＴのオン期間は、ゲートラインに
印加されるパルス電圧の幅で決まる。よって、この周期
が速くなると、直接、ＴＦＴのオン期間が短くなること
になる。
【０００８】このようにＴＦＴのオン期間が短くなる
と、液晶を完全に充電しきれないため、表示のコントラ
ストの低下や表示ムラ等が生じ、表示品位が低下すると
いう問題がある。
と、液晶を完全に充電しきれないため、表示のコントラ
ストの低下や表示ムラ等が生じ、表示品位が低下すると
いう問題がある。
【０００９】通常、ＴＦＴのオン期間としては、約２２
μｓｅｃ程度は必要である。従って、ゲートラインに印
加されるパルス電圧の周期が約４５ＫＨｚ程度までであ
る場合には、上記のような従来のアクティブマトリクス
基板を用いても対応することができる。しかし、ワーク
ステーション等の高精細な表示においては、周期が５０
〜７０ＫＨｚであることが必要とされるため、従来のア
クティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置では表示
品位の低下が起こる。
μｓｅｃ程度は必要である。従って、ゲートラインに印
加されるパルス電圧の周期が約４５ＫＨｚ程度までであ
る場合には、上記のような従来のアクティブマトリクス
基板を用いても対応することができる。しかし、ワーク
ステーション等の高精細な表示においては、周期が５０
〜７０ＫＨｚであることが必要とされるため、従来のア
クティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置では表示
品位の低下が起こる。
【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、その目的は表示品位に優れた、大型・
高精細な液晶表示装置に用いることができるアクティブ
マトリクス基板を得ることにある。
れたものであり、その目的は表示品位に優れた、大型・
高精細な液晶表示装置に用いることができるアクティブ
マトリクス基板を得ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、行方向と列方向とに複数の絵素電極が設
けられ、行方向の絵素電極行のうち隣合う複数のものを
１組とし、各絵素電極行の組に対してそれぞれ、１本の
走査線が、１組の絵素電極行の近傍に絵素電極行に沿っ
て設けられ、列方向の絵素電極列のうち隣合う複数のも
のを１組とし、各絵素電極列の組に対してそれぞれ、１
組の絵素電極列を構成する絵素電極列の数と１組の絵素
電極行を構成する絵素電極行の数との積に相当する本数
の信号線が、１組の絵素電極列の近傍に絵素電極列に沿
って設けられ、各組の絵素電極行に含まれ、かつ、各組
の絵素電極列に含まれる各絵素電極が、スイッチング素
子を介して該当する走査線に接続されていると共に、該
当する信号線に１つずつ接続されており、そのことによ
り上記目的が達成される。
リクス基板は、行方向と列方向とに複数の絵素電極が設
けられ、行方向の絵素電極行のうち隣合う複数のものを
１組とし、各絵素電極行の組に対してそれぞれ、１本の
走査線が、１組の絵素電極行の近傍に絵素電極行に沿っ
て設けられ、列方向の絵素電極列のうち隣合う複数のも
のを１組とし、各絵素電極列の組に対してそれぞれ、１
組の絵素電極列を構成する絵素電極列の数と１組の絵素
電極行を構成する絵素電極行の数との積に相当する本数
の信号線が、１組の絵素電極列の近傍に絵素電極列に沿
って設けられ、各組の絵素電極行に含まれ、かつ、各組
の絵素電極列に含まれる各絵素電極が、スイッチング素
子を介して該当する走査線に接続されていると共に、該
当する信号線に１つずつ接続されており、そのことによ
り上記目的が達成される。
【００１２】
【作用】本発明のアクティブマトリクス基板において
は、複数行分のＴＦＴを同時駆動することができるの
で、ゲートラインに印加されるパルス電圧の幅を長くす
ることができる。よって、ＴＦＴのオン期間を長くする
ことができ、液晶に最適な充電時間を設定することがで
きる。
は、複数行分のＴＦＴを同時駆動することができるの
で、ゲートラインに印加されるパルス電圧の幅を長くす
ることができる。よって、ＴＦＴのオン期間を長くする
ことができ、液晶に最適な充電時間を設定することがで
きる。
【００１３】
【実施例】図１に本発明の一実施例であるアクティブマ
トリクス基板を示す。このアクティブマトリクス基板
は、２行分のＴＦＴを同時に駆動する例であり、行方向
は絵素電極２行を１組とし、列方向は絵素電極１列を１
組としている。
トリクス基板を示す。このアクティブマトリクス基板
は、２行分のＴＦＴを同時に駆動する例であり、行方向
は絵素電極２行を１組とし、列方向は絵素電極１列を１
組としている。
【００１４】この実施例において、ソースラインＳn-
1，Ｓn，Ｓn+1，Ｓ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…等は、各絵素
電極列に対して２本ずつ設けられ、また、ゲートライン
Ｇn-1，Ｇn…等は、絵素電極２行に対して１本ずつ設け
られている。奇数行の絵素電極１ａに接続されたＴＦＴ
４ａは、ソースラインＳn-1，Ｓn，Ｓn+1…等に接続さ
れており、また、偶数行の絵素電極１ｂに接続されたＴ
ＦＴ４ｂは、ソースラインＳ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…等に
接続されている。また、ゲートラインＧn-1，Ｇn…等
は、１つの奇数行とそれに隣接する１つの偶数行に形成
されたＴＦＴに接続されており、２行分のＴＦＴに接続
されている。従って、例えば、ゲートラインＧn-1にゲ
ートパルスを加えると、それに接続された２行分のＴＦ
Ｔがオン状態となる。そして、奇数行についてはソース
ラインＳn-1，Ｓn，Ｓn+1…から、偶数行についてはソ
ースラインＳ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…から、各々ソースラ
インに印加される電圧がＴＦＴを介して絵素電極１に加
えられる。その期間は、図２に示すように、２水平期間
となり、図４に示す従来の液晶表示装置における期間の
２倍の時間、ＴＦＴをオン状態とすることができる。
1，Ｓn，Ｓn+1，Ｓ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…等は、各絵素
電極列に対して２本ずつ設けられ、また、ゲートライン
Ｇn-1，Ｇn…等は、絵素電極２行に対して１本ずつ設け
られている。奇数行の絵素電極１ａに接続されたＴＦＴ
４ａは、ソースラインＳn-1，Ｓn，Ｓn+1…等に接続さ
れており、また、偶数行の絵素電極１ｂに接続されたＴ
ＦＴ４ｂは、ソースラインＳ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…等に
接続されている。また、ゲートラインＧn-1，Ｇn…等
は、１つの奇数行とそれに隣接する１つの偶数行に形成
されたＴＦＴに接続されており、２行分のＴＦＴに接続
されている。従って、例えば、ゲートラインＧn-1にゲ
ートパルスを加えると、それに接続された２行分のＴＦ
Ｔがオン状態となる。そして、奇数行についてはソース
ラインＳn-1，Ｓn，Ｓn+1…から、偶数行についてはソ
ースラインＳ'n-1，Ｓ'n，Ｓ'n+1…から、各々ソースラ
インに印加される電圧がＴＦＴを介して絵素電極１に加
えられる。その期間は、図２に示すように、２水平期間
となり、図４に示す従来の液晶表示装置における期間の
２倍の時間、ＴＦＴをオン状態とすることができる。
【００１５】上記実施例においては、２行分のＴＦＴを
同時に駆動する例を示したが、本発明はこれに限られ
ず、３行分以上のＴＦＴを同時に駆動させることもでき
る。
同時に駆動する例を示したが、本発明はこれに限られ
ず、３行分以上のＴＦＴを同時に駆動させることもでき
る。
【００１６】上記実施例においては、スイッチング素子
としてＴＦＴを用いたが、その他のスイッチング素子を
用いることもできる。
としてＴＦＴを用いたが、その他のスイッチング素子を
用いることもできる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明で明かなように、本発明によ
れば、複数行分のＴＦＴを同時に駆動することができる
ので、ＴＦＴのオン期間を長くすることができる。よっ
て、液晶に対して最適な充電時間が得られ、充電不足に
よる表示のコントラストの低下や表示ムラ等が生じな
い。従って、液晶表示装置における表示品位の低下を防
ぐことができ、ワークステーションなどの大型・高精細
化された液晶表示装置を実現することができる。
れば、複数行分のＴＦＴを同時に駆動することができる
ので、ＴＦＴのオン期間を長くすることができる。よっ
て、液晶に対して最適な充電時間が得られ、充電不足に
よる表示のコントラストの低下や表示ムラ等が生じな
い。従って、液晶表示装置における表示品位の低下を防
ぐことができ、ワークステーションなどの大型・高精細
化された液晶表示装置を実現することができる。
【図１】本発明の一実施例であるアクティブマトリクス
基板を示す平面図である。
基板を示す平面図である。
【図２】実施例のアクティブマトリクス基板を用いた液
晶表示装置におけるゲートパルスのタイミングを示す図
である。
晶表示装置におけるゲートパルスのタイミングを示す図
である。
【図３】従来のアクティブマトリクス基板を示す平面図
である。
である。
【図４】従来のアクティブマトリクス基板を用いた液晶
表示装置におけるゲートパルスのタイミングを示す図で
ある。
表示装置におけるゲートパルスのタイミングを示す図で
ある。
１ａ、１ｂ 絵素電極 ２ ソースライン ３ ゲートライン ４ａ、４ｂ ＴＦＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 行方向と列方向とに複数の絵素電極が設
けられ、 行方向の絵素電極行のうち隣合う複数のものを１組と
し、各絵素電極行の組に対してそれぞれ、１本の走査線
が、１組の絵素電極行の近傍に絵素電極行に沿って設け
られ、 列方向の絵素電極列のうち隣合う複数のものを１組と
し、各絵素電極列の組に対してそれぞれ、１組の絵素電
極列を構成する絵素電極列の数と１組の絵素電極行を構
成する絵素電極行の数との積に相当する本数の信号線
が、１組の絵素電極列の近傍に絵素電極列に沿って設け
られ、 各組の絵素電極行に含まれ、かつ、各組の絵素電極列に
含まれる各絵素電極が、スイッチング素子を介して該当
する走査線に接続されていると共に、該当する信号線に
１つずつ接続されているアクティブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29461992A JPH06148676A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29461992A JPH06148676A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148676A true JPH06148676A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17810106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29461992A Withdrawn JPH06148676A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148676A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009092912A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US7646439B1 (en) * | 2002-04-20 | 2010-01-12 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| KR101027351B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2011-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
| KR101501497B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP29461992A patent/JPH06148676A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7646439B1 (en) * | 2002-04-20 | 2010-01-12 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| KR101027351B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2011-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
| JP2009092912A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101501497B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US9064472B2 (en) | 2008-09-18 | 2015-06-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |