JPH06148161A - ガスクロマトグラフ - Google Patents
ガスクロマトグラフInfo
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- JPH06148161A JPH06148161A JP32471892A JP32471892A JPH06148161A JP H06148161 A JPH06148161 A JP H06148161A JP 32471892 A JP32471892 A JP 32471892A JP 32471892 A JP32471892 A JP 32471892A JP H06148161 A JPH06148161 A JP H06148161A
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- JP
- Japan
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- gas
- tcd
- value
- resistance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測温抵抗体の抵抗値のドリフトを少なくして
長寿命とし、また感度も大きくとる。 【構成】 ＴＣＤ９の温度が変化すると、インバータＩ
ＮＶからの出力電圧ｖが変化する。ＣＰＵは、Ａ／Ｄを
介して与えられる電圧値ｖと基準電圧値ｖｓとの差をと
り、その差に応じてＰＷＭへのパルス信号ＰＳのデュー
ティ比を調整する。これにより、出力電圧ｖ’が変化
し、供給電流ｉが変化して、ＴＣＤ９の温度がその上限
値ＴUPに保たれる。すなわち、ＴＣＤ９の抵抗値ｒが、
常に一定値ｒｃに保たれる。この際、ＣＰＵは、出力電
圧ｖ’や供給電流ｉに応ずる制御供給量に基づき、ＴＣ
Ｄ９へ給送されるガス成分の濃度に応ずる演算値を出力
する。
長寿命とし、また感度も大きくとる。 【構成】 ＴＣＤ９の温度が変化すると、インバータＩ
ＮＶからの出力電圧ｖが変化する。ＣＰＵは、Ａ／Ｄを
介して与えられる電圧値ｖと基準電圧値ｖｓとの差をと
り、その差に応じてＰＷＭへのパルス信号ＰＳのデュー
ティ比を調整する。これにより、出力電圧ｖ’が変化
し、供給電流ｉが変化して、ＴＣＤ９の温度がその上限
値ＴUPに保たれる。すなわち、ＴＣＤ９の抵抗値ｒが、
常に一定値ｒｃに保たれる。この際、ＣＰＵは、出力電
圧ｖ’や供給電流ｉに応ずる制御供給量に基づき、ＴＣ
Ｄ９へ給送されるガス成分の濃度に応ずる演算値を出力
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、カラム内に充填され
た充填剤とガスとの吸着性の差を利用してガス分析を行
うガスクロマトグラフに関するものである。
た充填剤とガスとの吸着性の差を利用してガス分析を行
うガスクロマトグラフに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石油化学プロセスや鉄鋼プロセスなどに
おいてプロセスガスの成分分析を行い、その分析結果に
基づいて各プロセス工程を監視したり、各種制御を行っ
たりするための検出装置として、ガスクロマトグラフが
従来から一般に用いられている。
おいてプロセスガスの成分分析を行い、その分析結果に
基づいて各プロセス工程を監視したり、各種制御を行っ
たりするための検出装置として、ガスクロマトグラフが
従来から一般に用いられている。
【０００３】図３は従来より採用されているバックフラ
ッシュタイプのガスクロマトグラフの基本構成を示す図
で、恒温槽を形成し所定温度に保持されるアナライザ本
体１、このアナライザ本体１内に配置されるサンプルバ
ルブ２，第１カラム（以下、バックフラッシュカラムと
呼ぶ）３−１，第２カラム（以下、メインカラムと呼
ぶ）３−２，検出器４，計量管５，抵抗カラム６、キャ
リアガス（ヘリウムガス，窒素ガスなど）ＣＧを所定圧
に減圧する減圧弁７等を備えている。
ッシュタイプのガスクロマトグラフの基本構成を示す図
で、恒温槽を形成し所定温度に保持されるアナライザ本
体１、このアナライザ本体１内に配置されるサンプルバ
ルブ２，第１カラム（以下、バックフラッシュカラムと
呼ぶ）３−１，第２カラム（以下、メインカラムと呼
ぶ）３−２，検出器４，計量管５，抵抗カラム６、キャ
リアガス（ヘリウムガス，窒素ガスなど）ＣＧを所定圧
に減圧する減圧弁７等を備えている。
【０００４】このガスクロマトグラフでは、測定時にサ
ンプルバルブ２の流路を図示破線の状態から実線の状態
に切り替えることにより、計量管５によって分取した測
定すべきサンプルガスＳＧをキャリアガスＣＧと混合し
てカラム３−１，３−２に送り込み、このカラム３−
１，３−２内で各ガス成分を分離しながら検出器４へ給
送し、この検出器４により各ガス成分の熱伝導度を測定
し、この測定した熱伝導度に基づき各ガス成分の濃度を
検出する。
ンプルバルブ２の流路を図示破線の状態から実線の状態
に切り替えることにより、計量管５によって分取した測
定すべきサンプルガスＳＧをキャリアガスＣＧと混合し
てカラム３−１，３−２に送り込み、このカラム３−
１，３−２内で各ガス成分を分離しながら検出器４へ給
送し、この検出器４により各ガス成分の熱伝導度を測定
し、この測定した熱伝導度に基づき各ガス成分の濃度を
検出する。
【０００５】すなわち、サンプルバルブ２の流路を破線
の状態から実線の状態に切り替えると、図５にその接続
状況を示すように、キャリアガスＣＧが計量管５へ送ら
れ、計量管５中のサンプルガスＳＧと混合され、この混
合ガスがカラム３−１，３−２へ導かれて、固定相に対
する各成分の吸着性（親和性）や分配係数の差異に基づ
く移動速度の差を利用して各ガス成分に分離され、この
分離された各ガス成分が検出器４へ給送される。
の状態から実線の状態に切り替えると、図５にその接続
状況を示すように、キャリアガスＣＧが計量管５へ送ら
れ、計量管５中のサンプルガスＳＧと混合され、この混
合ガスがカラム３−１，３−２へ導かれて、固定相に対
する各成分の吸着性（親和性）や分配係数の差異に基づ
く移動速度の差を利用して各ガス成分に分離され、この
分離された各ガス成分が検出器４へ給送される。
【０００６】ここで、サンプルガスＳＧには分析を必要
としない共存成分（重質量成分）が含まれており、この
共存成分が通過するとメインカラム３−２が劣化する虞
れがある。このため、共存成分は、メインカラム３−２
へ導かれる前に廃棄する。すなわち、測定ガス最終成分
がバックフラッシュカラム３−１を通過した直後の所定
のタイミングをバックフラッシュ時間として適当に定
め、このバックフラッシュ時間でサンプルバルブ２の流
路を図４に示す破線の状態から実線の状態に切り替え
る。これにより、その接続状況を図６に示すように、キ
ャリアガスＣＧによって、不要な共存成分がバックフラ
ッシュカラム３−１内を戻されて廃棄される。このと
き、メインカラム３−２には、バックフラッシュカラム
３−１と同一抵抗値の抵抗カラム７を経て、キャリアガ
スＣＧが継続して与えられる。これによって、必要とさ
れるガス成分のみがメインカラム３−２を経て、検出器
４へ給送されるものとなる。また、このとき、計量管５
にはサンプルガスＳＧが送り込まれ、次の測定に備え
る。
としない共存成分（重質量成分）が含まれており、この
共存成分が通過するとメインカラム３−２が劣化する虞
れがある。このため、共存成分は、メインカラム３−２
へ導かれる前に廃棄する。すなわち、測定ガス最終成分
がバックフラッシュカラム３−１を通過した直後の所定
のタイミングをバックフラッシュ時間として適当に定
め、このバックフラッシュ時間でサンプルバルブ２の流
路を図４に示す破線の状態から実線の状態に切り替え
る。これにより、その接続状況を図６に示すように、キ
ャリアガスＣＧによって、不要な共存成分がバックフラ
ッシュカラム３−１内を戻されて廃棄される。このと
き、メインカラム３−２には、バックフラッシュカラム
３−１と同一抵抗値の抵抗カラム７を経て、キャリアガ
スＣＧが継続して与えられる。これによって、必要とさ
れるガス成分のみがメインカラム３−２を経て、検出器
４へ給送されるものとなる。また、このとき、計量管５
にはサンプルガスＳＧが送り込まれ、次の測定に備え
る。
【０００７】このようなガスクロマトグラフにおいて、
検出器４の検出端である熱伝導度検出素子としては、フ
ィラメント（熱線）や発熱型サーミスタ，ＴＣＤ（サー
モコンダクティブディテクタ）などの測温抵抗体が使用
される。すなわち、図７に示すように、測定ガスの流通
路８中にＴＣＤ９を配置し、このＴＣＤ９へ、ＶIN／
ｒ’により決定される定電流ｉを供給するものとしてい
る。これにより、ＴＣＤ９が自己発熱し、このＴＣＤ９
に測定ガスの各ガス成分が接触して流れることにより、
ＴＣＤ９の発熱温度すなわち抵抗値ｒが変化する。この
ＴＣＤ９の抵抗値ｒの変化をオペアンプＯＰ２の出力電
圧ｖの変化として得ることにより、測定ガスに含まれる
各ガス成分の熱伝導度すなわち濃度を測定することがで
きる。
検出器４の検出端である熱伝導度検出素子としては、フ
ィラメント（熱線）や発熱型サーミスタ，ＴＣＤ（サー
モコンダクティブディテクタ）などの測温抵抗体が使用
される。すなわち、図７に示すように、測定ガスの流通
路８中にＴＣＤ９を配置し、このＴＣＤ９へ、ＶIN／
ｒ’により決定される定電流ｉを供給するものとしてい
る。これにより、ＴＣＤ９が自己発熱し、このＴＣＤ９
に測定ガスの各ガス成分が接触して流れることにより、
ＴＣＤ９の発熱温度すなわち抵抗値ｒが変化する。この
ＴＣＤ９の抵抗値ｒの変化をオペアンプＯＰ２の出力電
圧ｖの変化として得ることにより、測定ガスに含まれる
各ガス成分の熱伝導度すなわち濃度を測定することがで
きる。
【０００８】図８は、出力電圧ｖの変化を示し、キャリ
アガスＣＧによって生ずるベース電圧ＶＢに対し、ＴＣ
Ｄ９の抵抗値変化Δｒに応じて、電圧変化Δｖ（Δｖ＝
ｉ×Δｒ：数ｍＶ〜数Ｖ）が生じる。
アガスＣＧによって生ずるベース電圧ＶＢに対し、ＴＣ
Ｄ９の抵抗値変化Δｒに応じて、電圧変化Δｖ（Δｖ＝
ｉ×Δｒ：数ｍＶ〜数Ｖ）が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のガスクロマトグラフによると、ＴＣＤ９の抵
抗値変化すなわち発熱温度の変化を利用しているため、
ＴＣＤ９に温度ストレスがかかり、抵抗値ｒのドリフト
が生じ易く、寿命が短くなる原因となる。また、図９に
示すように、ＴＣＤ９の発熱温度の上限値ＴUPに対し、
ガス成分の検出時に際してもこれを越えることがないよ
うにそのベース温度ＴＢ（キャリアガスＣＧのみが流れ
ているときの発熱温度）を定めており、ベース温度ＴＢ
を上限値ＴUPとして感度をアップすることは不可能であ
った。
うな従来のガスクロマトグラフによると、ＴＣＤ９の抵
抗値変化すなわち発熱温度の変化を利用しているため、
ＴＣＤ９に温度ストレスがかかり、抵抗値ｒのドリフト
が生じ易く、寿命が短くなる原因となる。また、図９に
示すように、ＴＣＤ９の発熱温度の上限値ＴUPに対し、
ガス成分の検出時に際してもこれを越えることがないよ
うにそのベース温度ＴＢ（キャリアガスＣＧのみが流れ
ているときの発熱温度）を定めており、ベース温度ＴＢ
を上限値ＴUPとして感度をアップすることは不可能であ
った。
【００１０】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、測温抵抗体
の抵抗値のドリフトを少なくして長寿命とし、また感度
も大きくとることにある。
なされたもので、その目的とするところは、測温抵抗体
の抵抗値のドリフトを少なくして長寿命とし、また感度
も大きくとることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、測温抵抗体の温度変化を電圧値の
変化として検出し、この検出した電圧値の変化に基づき
測温抵抗体へのエネルギーの供給量を制御し、測温抵抗
体の発熱温度を一定値に保つようにするものとし、この
際のエネルギーの制御供給量に基づき測温抵抗体へ給送
されるガス成分の濃度を検出するようにしたものであ
る。
るために、本発明は、測温抵抗体の温度変化を電圧値の
変化として検出し、この検出した電圧値の変化に基づき
測温抵抗体へのエネルギーの供給量を制御し、測温抵抗
体の発熱温度を一定値に保つようにするものとし、この
際のエネルギーの制御供給量に基づき測温抵抗体へ給送
されるガス成分の濃度を検出するようにしたものであ
る。
【００１２】
【作用】したがってこの発明によれば、測温抵抗体の発
熱温度を上限値ＴUPとして一定に保った状態で、ガス成
分の濃度検出を行うことが可能となる。
熱温度を上限値ＴUPとして一定に保った状態で、ガス成
分の濃度検出を行うことが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明に係るガスクロマトグラフを詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１４】図１はこのガスクロマトグラフの一実施例
における検出器の概略構成図である。すなわち、本実施
例においては、図３に示したガスクロマトグラフにおい
て、その検出器４に代えて図１に示した検出器４’を使
用している。
における検出器の概略構成図である。すなわち、本実施
例においては、図３に示したガスクロマトグラフにおい
て、その検出器４に代えて図１に示した検出器４’を使
用している。
【００１５】この検出器４’では、その非反転入力が接
地されたオペアンプＯＰ１の反転入力端と出力端との間
にＴＣＤ９を接続し、オペアンプＯＰ１の出力をインバ
ータＩＮＶにより反転し、アナログ・ディジタル変換器
Ａ／Ｄを介し、プロセッサＣＰＵへ与えるものとしてい
る。また、プロセッサＣＰＵからそのデューティ比を調
整したパルス信号ＰＳをパルスワイドモジュレーション
ＰＷＭへ与え、このパルスワイドモジュレーションＰＷ
Ｍよりパルス信号ＰＳのデューティ比に応じた電圧ｖ’
を得るものとし、この電圧ｖ’を抵抗ｒ’を介してオペ
アンプＯＰ１の反転入力へ与えるものとしてるる。
地されたオペアンプＯＰ１の反転入力端と出力端との間
にＴＣＤ９を接続し、オペアンプＯＰ１の出力をインバ
ータＩＮＶにより反転し、アナログ・ディジタル変換器
Ａ／Ｄを介し、プロセッサＣＰＵへ与えるものとしてい
る。また、プロセッサＣＰＵからそのデューティ比を調
整したパルス信号ＰＳをパルスワイドモジュレーション
ＰＷＭへ与え、このパルスワイドモジュレーションＰＷ
Ｍよりパルス信号ＰＳのデューティ比に応じた電圧ｖ’
を得るものとし、この電圧ｖ’を抵抗ｒ’を介してオペ
アンプＯＰ１の反転入力へ与えるものとしてるる。
【００１６】次に、プロセッサＣＰＵでの機能を交えな
がら、この検出器４’の動作について説明する。今、キ
ャリアガスＣＧのみが、ＴＣＤ９へ接触して流れている
ものとする。この場合、ｖ’／ｒ’により決定される定
電流ｉの供給を受けて、ＴＣＤ９は一定の温度で発熱す
る。本実施例においては、このときの発熱温度を、ＴＣ
Ｄ９の発熱温度の上限値ＴUPとして定めている。
がら、この検出器４’の動作について説明する。今、キ
ャリアガスＣＧのみが、ＴＣＤ９へ接触して流れている
ものとする。この場合、ｖ’／ｒ’により決定される定
電流ｉの供給を受けて、ＴＣＤ９は一定の温度で発熱す
る。本実施例においては、このときの発熱温度を、ＴＣ
Ｄ９の発熱温度の上限値ＴUPとして定めている。
【００１７】ＴＣＤ９の発熱温度が上限値ＴUPである場
合、ＴＣＤ９の抵抗値はｒｃとして一定であり、この抵
抗値ｒｃに応じた出力電圧ｖがインバータＩＮＶより得
られる。このインバータＩＮＶからの出力電圧ｖは、ア
ナログ・ディジタル変換器Ａ／Ｄによりディジタル値に
変換されて、プロセッサＣＰＵへ与えられる。プロセッ
サＣＰＵは、アナログ・ディジタル変換器Ａ／Ｄを介し
て与えられる電圧値ｖと、予め抵抗値ｒｃに応じて設定
されている基準電圧値ｖｓとの差をとり、その差に応じ
てパルスワイドモジュレーションＰＷＭへのパルス信号
ＰＳのデューティ比を調整する。この場合、電圧値ｖと
基準電圧値ｖｓとの差は零となり、このためパルス信号
ＰＳのデューティ比は変わらず、パルスワイドモジュレ
ーションＰＷＭからの出力電圧ｖ’は一定値を保つ。す
なわち、ＴＣＤ９への供給電流ｉが一定値に保たれ、Ｔ
ＣＤ９がキャリアガスＣＧに接触して一定温度ＴUPで発
熱し続ける。
合、ＴＣＤ９の抵抗値はｒｃとして一定であり、この抵
抗値ｒｃに応じた出力電圧ｖがインバータＩＮＶより得
られる。このインバータＩＮＶからの出力電圧ｖは、ア
ナログ・ディジタル変換器Ａ／Ｄによりディジタル値に
変換されて、プロセッサＣＰＵへ与えられる。プロセッ
サＣＰＵは、アナログ・ディジタル変換器Ａ／Ｄを介し
て与えられる電圧値ｖと、予め抵抗値ｒｃに応じて設定
されている基準電圧値ｖｓとの差をとり、その差に応じ
てパルスワイドモジュレーションＰＷＭへのパルス信号
ＰＳのデューティ比を調整する。この場合、電圧値ｖと
基準電圧値ｖｓとの差は零となり、このためパルス信号
ＰＳのデューティ比は変わらず、パルスワイドモジュレ
ーションＰＷＭからの出力電圧ｖ’は一定値を保つ。す
なわち、ＴＣＤ９への供給電流ｉが一定値に保たれ、Ｔ
ＣＤ９がキャリアガスＣＧに接触して一定温度ＴUPで発
熱し続ける。
【００１８】ここで、ＴＣＤ９に測定ガスのガス成分が
接触して流れると、ＴＣＤ９の温度が変化する。すなわ
ち、ＴＣＤ９の抵抗値が変化し、インバータＩＮＶから
の出力電圧ｖが変化する。この出力電圧ｖは、アナログ
・ディジタル変換器Ａ／Ｄによりディジタル値に変換さ
れて、プロセッサＣＰＵへ与えられる。プロセッサＣＰ
Ｕは、アナログ・ディジタル変換器Ａ／Ｄを介して与え
られる電圧値ｖと基準電圧値ｖｓとの差をとり、その差
に応じてパルスワイドモジュレーションＰＷＭへのパル
ス信号ＰＳのデューティ比を調整する。これにより、パ
ルスワイドモジュレーションＰＷＭからの出力電圧ｖ’
が変化し、ＴＣＤ９への供給電流ｉが変化して、ＴＣＤ
９の温度変化を抑制する。
接触して流れると、ＴＣＤ９の温度が変化する。すなわ
ち、ＴＣＤ９の抵抗値が変化し、インバータＩＮＶから
の出力電圧ｖが変化する。この出力電圧ｖは、アナログ
・ディジタル変換器Ａ／Ｄによりディジタル値に変換さ
れて、プロセッサＣＰＵへ与えられる。プロセッサＣＰ
Ｕは、アナログ・ディジタル変換器Ａ／Ｄを介して与え
られる電圧値ｖと基準電圧値ｖｓとの差をとり、その差
に応じてパルスワイドモジュレーションＰＷＭへのパル
ス信号ＰＳのデューティ比を調整する。これにより、パ
ルスワイドモジュレーションＰＷＭからの出力電圧ｖ’
が変化し、ＴＣＤ９への供給電流ｉが変化して、ＴＣＤ
９の温度変化を抑制する。
【００１９】すなわち、プロセッサＣＰＵは、ＴＣＤ９
の温度変化に対しＴUPを維持するように、つまりＴＣＤ
９の抵抗値変化に対し抵抗値ｒｃを維持するように、パ
ルス信号ＰＳのデューティ比を調整する。この動作は、
プロセッサＣＰＵを高速プロセッサとすることにより、
高速度で繰り返される。これにより、ＴＣＤ９の温度
は、測定ガスのガス成分が接触して流れている場合であ
っても、図２に示すようにＴUPに維持される。
の温度変化に対しＴUPを維持するように、つまりＴＣＤ
９の抵抗値変化に対し抵抗値ｒｃを維持するように、パ
ルス信号ＰＳのデューティ比を調整する。この動作は、
プロセッサＣＰＵを高速プロセッサとすることにより、
高速度で繰り返される。これにより、ＴＣＤ９の温度
は、測定ガスのガス成分が接触して流れている場合であ
っても、図２に示すようにＴUPに維持される。
【００２０】この際、プロセッサＣＰＵは、ＴＣＤ９へ
のエネルギーの制御供給量に基づき、すなわちパルスワ
イドモジュレーションＰＷＭからの出力電圧ｖ’やＴＣ
Ｄ９への供給電流ｉに応ずる制御供給量に基づき、ＴＣ
Ｄ９へ給送されるガス成分の濃度に応ずる演算値（Ｗ＝
ｖ×ｉ：ｉ＝ｖ’／ｒ’）を出力する。
のエネルギーの制御供給量に基づき、すなわちパルスワ
イドモジュレーションＰＷＭからの出力電圧ｖ’やＴＣ
Ｄ９への供給電流ｉに応ずる制御供給量に基づき、ＴＣ
Ｄ９へ給送されるガス成分の濃度に応ずる演算値（Ｗ＝
ｖ×ｉ：ｉ＝ｖ’／ｒ’）を出力する。
【００２１】したがって、本実施例によれば、ＴＣＤ９
に温度ストレスがかからず、抵抗値のドリフトが少な
く、長寿命となる。また、ＴＣＤ９のベース温度ＴＢを
ＴUPとして、感度を大きくとることができるようにな
る。
に温度ストレスがかからず、抵抗値のドリフトが少な
く、長寿命となる。また、ＴＣＤ９のベース温度ＴＢを
ＴUPとして、感度を大きくとることができるようにな
る。
【００２２】なお、上述した実施例においては、ＴＣＤ
９の温度をその上限値ＴUPに維持するものとしたが、安
全をみるならば、ＴUPよりも若干低めに設定すればよ
い。
９の温度をその上限値ＴUPに維持するものとしたが、安
全をみるならば、ＴUPよりも若干低めに設定すればよ
い。
【００２３】また、上述した実施例においては、プロセ
ッサＣＰＵを用いて処理するものとしたが、プロセッサ
ＣＰＵと同等の処理を行うものとして、アナログ回路を
構築してもよい。
ッサＣＰＵを用いて処理するものとしたが、プロセッサ
ＣＰＵと同等の処理を行うものとして、アナログ回路を
構築してもよい。
【００２４】また、上述した実施例においては、熱伝導
度検出素子としてサーモコンダクティブディテクタを使
用したが、フィラメント（熱線）や発熱型サーミスタな
どの測温抵抗体を使用してもよいことは言うまでもな
い。
度検出素子としてサーモコンダクティブディテクタを使
用したが、フィラメント（熱線）や発熱型サーミスタな
どの測温抵抗体を使用してもよいことは言うまでもな
い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、測温抵抗体の発熱温度を上限値ＴUPとし
て一定に保った状態でガス成分の濃度検出を行うことが
可能となり、測温抵抗体の抵抗値のドリフトを少なくし
て長寿命とすることができ、また感度も大きくとること
ができるようになる。
発明によれば、測温抵抗体の発熱温度を上限値ＴUPとし
て一定に保った状態でガス成分の濃度検出を行うことが
可能となり、測温抵抗体の抵抗値のドリフトを少なくし
て長寿命とすることができ、また感度も大きくとること
ができるようになる。
【図１】本発明に係るガスクロマトグラフの一実施例に
おける検出器の概略構成図。
おける検出器の概略構成図。
【図２】この検出器においてＴＣＤの温度が常にその上
限値ＴUPに維持される状況を示す図。
限値ＴUPに維持される状況を示す図。
【図３】従来より採用されているバックフラッシュタイ
プのガスクロマトグラフの基本構成を示す図。
プのガスクロマトグラフの基本構成を示す図。
【図４】このガスクロマトグラフにおいてサンプルバル
ブの流路をバックフラッシュ時間で切り替えた状況を示
す図。
ブの流路をバックフラッシュ時間で切り替えた状況を示
す図。
【図５】図３に示したサンプルバルブの流路切替状況に
対応するガスクロマトグラフの接続状況を示す図。
対応するガスクロマトグラフの接続状況を示す図。
【図６】図４に示したサンプルバルブの流路切替状況に
対応するガスクロマトグラフの接続状況を示す図。
対応するガスクロマトグラフの接続状況を示す図。
【図７】従来のガスクロマトグラフにおける検出器の概
略構成図。
略構成図。
【図８】この検出器からの出力電圧ｖの変化を示す図。
【図９】この検出器においてＴＣＤのベース温度ＴＢの
設定状況を示す図。
設定状況を示す図。
１ アナライザ本体 ２ サンプルバルブ ３−１ 第１カラム（バックフラッシュカラム） ３−２ 第２カラム（メインカラム） ４’ 検出器 ９ ＴＣＤ Ａ／Ｄ アナログ・ディジタル変換器 ＣＰＵ プロセッサ ＰＷＭ パルスワイドモジュレーション ＯＰ１ オペアンプ ＩＮＶ インバータ ＣＧ キャリアガス ＳＧ サンプルガス
Claims (1)
- 【請求項１】 キャリアガスをサンプルガスと混合し、
この混合ガスをカラムに導いて各ガス成分に分離し、こ
の分離した各ガス成分を自己発熱している測温抵抗体へ
給送し、この測温抵抗体を熱伝導度検出素子として各ガ
ス成分の濃度を検出するガスクロマトグラフにおいて、 前記測温抵抗体の温度変化を電圧値の変化として検出
し、この検出した電圧値の変化に基づき前記測温抵抗体
へのエネルギーの供給量を制御し、前記測温抵抗体の発
熱温度を一定値に保つ制御手段と、 この制御手段による前記エネルギーの制御供給量に基づ
き前記測温抵抗体へ給送されるガス成分の濃度を検出す
る濃度検出手段とを備えたことを特徴とするガスクロマ
トグラフ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32471892A JPH06148161A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | ガスクロマトグラフ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32471892A JPH06148161A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | ガスクロマトグラフ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148161A true JPH06148161A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=18168939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32471892A Pending JPH06148161A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | ガスクロマトグラフ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194706A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Shimadzu Corp | 分析装置における温度制御装置 |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP32471892A patent/JPH06148161A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194706A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Shimadzu Corp | 分析装置における温度制御装置 |
| JP4670354B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-04-13 | 株式会社島津製作所 | 分析装置における温度制御装置 |
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