JPH06144867A - Method for forming glass film - Google Patents
Method for forming glass filmInfo
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- JPH06144867A JPH06144867A JP29707192A JP29707192A JPH06144867A JP H06144867 A JPH06144867 A JP H06144867A JP 29707192 A JP29707192 A JP 29707192A JP 29707192 A JP29707192 A JP 29707192A JP H06144867 A JPH06144867 A JP H06144867A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は光導波路の製造技術に
関し、とくに光の伝搬領域となるコア用のガラス膜を低
損失に形成するための方法及びこの方法によって形成し
た低損失ガラス膜をもとに光導波路を製造する方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for manufacturing an optical waveguide, and more particularly to a method for forming a glass film for a core which is a light propagation region with low loss, and a low loss glass film formed by this method. The present invention also relates to a method of manufacturing an optical waveguide.
【０００２】[0002]
【従来の技術】これまで、本発明者らは、光導波路のコ
ア膜形成方法として、電子ビーム蒸着法を提案してき
た。この方法は、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 やＧｅＯ2 などの
屈折率制御用酸化物材料を混合し、これをホットプレス
により焼き固めて混合タブレットを形成し、そのタブレ
ットを蒸着材料として、低屈折率層を有する基盤上に、
電子ビーム蒸着法によって光導波路コア用のガラス膜を
形成するというものである。この方法により形成したガ
ラス膜は、フォトリソグラフィ及びドライエッチング工
程を経て、略矩形状のコアに加工される。最後にそのコ
ア部表面にクラッド膜が被覆されて光導波路が形成され
る。2. Description of the Related Art The present inventors have so far proposed an electron beam evaporation method as a method for forming a core film of an optical waveguide. In this method, SiO 2 is mixed with a refractive index controlling oxide material such as TiO 2 or GeO 2 and the mixture is baked by hot pressing to form a mixed tablet, and the tablet is used as a vapor deposition material to form a low refractive index layer. On the base having
The glass film for the optical waveguide core is formed by the electron beam evaporation method. The glass film formed by this method is processed into a substantially rectangular core through photolithography and dry etching steps. Finally, the clad film is coated on the surface of the core portion to form an optical waveguide.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電子ビ
ーム蒸着法により３”φのＳｉ基板上に屈折率制御用材
料の添加されたガラス膜を形成した場合、基板面内の屈
折率のばらつきが大きくなるという問題があった。この
屈折率のばらつきは、ガラス膜を導波路に加工した後の
損失ばらつきの原因となる。また、この導波路により合
分波器など光回路を構成した場合には、中心波長のずれ
を招くことになる。However, when a glass film to which a refractive index controlling material is added is formed on a 3 ″ φ Si substrate by the conventional electron beam evaporation method, the variation of the refractive index in the plane of the substrate is caused. This variation in the refractive index causes the variation in loss after the glass film is processed into a waveguide. Also, when an optical circuit such as a multiplexer / demultiplexer is configured with this waveguide. Will cause a shift in the center wavelength.
【０００４】この発明の目的は、前記した従来技術の欠
点を解消し、屈折率の面内均一性の良い低損失ガラス膜
を形成し低損失な光導波路を製造するための方法を提供
することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to provide a method for producing a low-loss optical waveguide by forming a low-loss glass film having good in-plane uniformity of refractive index. It is in.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
この発明のガラス膜形成方法は、屈折率制御用材料を含
むＳｉ０2 タブレットを電子ビーム蒸着法により蒸発さ
せて基板の低屈折率層上にガラス膜を形成する方法にお
いて、粒径が１μｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉
末を用いて形成されたタブレットを使用するようにした
ことを特徴としている。In order to achieve the above object, the glass film forming method of the present invention comprises a low refractive index layer of a substrate, which is obtained by evaporating a SiO 2 tablet containing a refractive index controlling material by an electron beam evaporation method. The method for forming a glass film is characterized in that a tablet formed using a raw material powder having a particle size of 1 μm or less and having a uniform particle size is used.
【０００６】上記タブレットは、屈折率制御用材料粉末
とＳｉ０2 粉末とを混合しホットプレスにより焼き固め
て形成されたものであることが好ましい。さらに、上記
タブレットは、その焼結密度が９０％以上であることが
好ましい。The above-mentioned tablet is preferably formed by mixing the powder for controlling the refractive index and the SiO 2 powder, followed by baking by hot pressing. Furthermore, it is preferable that the tablet has a sintered density of 90% or more.
【０００７】また、上記屈折率制御用材料は、Ｔｉ、
Ｐ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物であ
ることが好ましい。さらに、上記屈折率制御用材料は、
Ｅｒ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなど
の希土類元素酸化物を少なくとも１種含んでいることが
好ましい。The refractive index control material is Ti,
An oxide such as P, Ge, Al, B, Ta, Zn, or F is preferable. Furthermore, the material for controlling the refractive index,
It is preferable to contain at least one rare earth element oxide such as Er, Nd, Yb, Ce, Ho, Tm, Pr and Sm.
【０００８】[0008]
【作用】上記技術的手段によれば、タブレットに電子ビ
ームを照射して基板上にガラス膜を形成する際、そのタ
ブレットが、粒径が１μｍで、かつ粒径が揃った原材料
を用いて形成されているので、粒子が基板表面に均一に
蒸着され、屈折率の面内均一性の良いガラス膜が形成さ
れる。このようにして形成されたガラス膜をもとにして
光導波路を製造することにより、屈折率歪みに起因する
散乱損失を抑えた低損失な光導波路を得ることができ
る。According to the above technical means, when a tablet is irradiated with an electron beam to form a glass film on a substrate, the tablet is formed using a raw material having a particle size of 1 μm and a uniform particle size. Therefore, the particles are uniformly vapor-deposited on the surface of the substrate, and a glass film having a good in-plane uniformity of the refractive index is formed. By manufacturing an optical waveguide based on the glass film thus formed, it is possible to obtain a low-loss optical waveguide in which scattering loss due to refractive index distortion is suppressed.
【０００９】[0009]
【実施例】次に、この発明のガラス膜形成方法の実施例
について説明する。EXAMPLES Next, examples of the glass film forming method of the present invention will be described.
【００１０】[実施例１]図１にはガラス膜形成に使用し
た電子ビーム蒸着装置の概略が示されている。Example 1 FIG. 1 schematically shows an electron beam vapor deposition apparatus used for forming a glass film.
【００１１】まず、真空容器４内の上方に配置された基
板ホルダ５に３”φの石英基板６を複数枚セットする。
蒸着材料として、屈折率制御用酸化物材料であるＧｅＯ
2 粉末とＳｉＯ2 粉末とを所望の比率で分散性良く混合
しホットプレスにより焼き固めた直径18ｍｍ、直径10ｍ
ｍの円柱形のタブレットを複数個準備する。このとき、
それぞれの原材料粉末の粒径は、形成される膜の屈折率
の均一性を向上させるため、1 μｍ以下（従来は10〜10
0 μｍ程度）に揃えたものを用いる。First, a plurality of 3 "φ quartz substrates 6 are set in a substrate holder 5 arranged above the vacuum container 4.
GeO, which is an oxide material for controlling the refractive index, is used as a vapor deposition material.
2 powder and SiO 2 powder were mixed at a desired ratio with good dispersibility and baked by hot pressing to have a diameter of 18 mm and a diameter of 10 m.
Prepare a plurality of m-shaped cylindrical tablets. At this time,
The grain size of each raw material powder is 1 μm or less (previously 10 to 10 μm) in order to improve the uniformity of the refractive index of the formed film.
0 μm) is used.
【００１２】次に、上記タブレット１，２を真空容器４
内の蒸発源3-1,3-2 にセットし、真空容器４内を真空排
気系９によって１０-7Torrまで排気後、基板ホルダ５に
セットされた３”φのガラス基板６を加熱ヒータ７によ
って 375℃まで加熱する。次に、成膜中におこる膜の酸
素不足を補うため酸素ガス導入ポート８より流量調整さ
れた酸素ガスを導入し、真空度が 5×10-5Torrになるよ
うにし、この状態で蒸発源3-1,3-2 内のタブレット１に
電子ビームを照射する。Next, the tablets 1 and 2 are placed in a vacuum container 4
Set to evaporation sources 3-1, 3-2 inside, and after evacuation of the vacuum container 4 to 10 −7 Torr by the vacuum exhaust system 9, the glass substrate 6 of 3 ″ φ set on the substrate holder 5 is heated. It is heated to 375 ° C. by means of 7. Then, oxygen gas whose flow rate is adjusted is introduced from the oxygen gas introduction port 8 to make up for the lack of oxygen in the film during film formation, and the degree of vacuum becomes 5 × 10 −5 Torr. In this state, the tablet 1 in the evaporation sources 3-1 and 3-2 is irradiated with the electron beam.
【００１３】これにより、３”φの石英基板６の表面に
厚さ 8μｍのＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス９膜が形成され
た。なお、タブレット１の形状、大きさ並びに使用個数
は上記の値に限定されない。また、基板６もこの実施例
では３”φの石英基板を用いたが、その形状、材質、数
量は上記例に限定されない。例えば、石英基板のサイズ
は４インチ、５インチでもよく、材質も石英基板以外
に、表面にＳｉＯ2 膜、あるいはＳｉＯ2 にＰ、Ｂ、Ｆ
などの屈折率御用添加物を少なくとも１種含んだ膜を有
するＳｉ基板でもよい。As a result, an 8 μm thick SiO 2 —GeO 2 glass 9 film was formed on the surface of the 3 ″ φ quartz substrate 6. The shape, size, and number of tablets 1 used were the above values. The substrate 6 is also a 3 ″ φ quartz substrate in this embodiment, but the shape, material, and quantity are not limited to the above examples. For example, size 4-inch quartz substrate, may be five inches, the material other than the quartz substrate, SiO 2 film on the surface P or SiO 2,, B, F
A Si substrate having a film containing at least one kind of refractive index controlling additive such as
【００１４】図２には、上記電子ビーム蒸着法により形
成したＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率分布を示し
たものである（測定位置１〜４については図３を参
照）。同図には比較のため、従来のタブレットを使用し
て形成したガラス膜の屈折率分布も示されている。従来
のタブレットの原材料粉末の粒径は 10 〜100 μｍと大
きく、ばらつきも大きい。この従来のタブレットを使用
して形成したＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率ばら
つきは、屈折率1.4700に対して± 5×10-4程度であっ
た。これに対して、粒径を1 μｍ以外に揃えた原材料粉
末を用いてタブレットを作成し、これを使用して形成し
たＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜の屈折率ばらつきは、屈
折率1.4700に対して± 5×10-4以下と従来タブレットを
用いた場合に比して屈折率の均一性が著しく改善され
た。また、屈折率を1.4700に設定しているにもかかわら
ず、従来のタブレットを用いた場合には、設定値に対し
て最大− 5×10-4のずれが生ずるのに対し、この発明に
よる改良を加えたタブレットを使用することで設定値か
らのずれが±1 ×10-4以内に低減された。FIG. 2 shows the refractive index distribution of the SiO 2 —GeO 2 glass film formed by the electron beam evaporation method (see FIG. 3 for measurement positions 1 to 4). For comparison, the figure also shows the refractive index distribution of a glass film formed using a conventional tablet. The particle size of the raw material powder of the conventional tablets is as large as 10 to 100 μm, and the variation is large. The variation in the refractive index of the SiO 2 —GeO 2 glass film formed using this conventional tablet was about ± 5 × 10 −4 with respect to the refractive index of 1.4700. On the other hand, a tablet was made using raw material powders with a particle size other than 1 μm, and the variation in the refractive index of the SiO 2 —GeO 2 glass film formed using this was about 1.4700 for the refractive index. It is ± 5 × 10 -4 or less, which is a marked improvement in the uniformity of the refractive index as compared with the case of using a conventional tablet. Further, in spite of the refractive index being set to 1.4700, when the conventional tablet is used, a deviation of up to −5 × 10 −4 with respect to the set value occurs, which is an improvement by the present invention. The deviation from the set value was reduced to within ± 1 × 10 -4 by using the tablet with added.
【００１５】また、粒径を 1μｍ以下で、かつ粒径が良
く揃った原材料粉末を用いているため、焼結密度90％以
上の高密度タブレットを再現性良く作ることができた。Further, since the raw material powder having a particle size of 1 μm or less and having a uniform particle size is used, a high density tablet having a sintering density of 90% or more can be produced with good reproducibility.
【００１６】なお、膜の屈折率は、タブレット中の屈折
率御用材料粉末とＳｉＯ2 粉末の混合比を変えることに
より、容易に調整することができる。The refractive index of the film can be easily adjusted by changing the mixing ratio of the refractive index controlling material powder and the SiO 2 powder in the tablet.
【００１７】[実施例２]次に、以上のようにして形成し
た基板面内の屈折率均一性の良いガラス膜をもとに光導
波路を作製する方法について説明する。[Embodiment 2] Next, a method for producing an optical waveguide based on the glass film having a good refractive index uniformity in the surface of the substrate formed as described above will be described.
【００１８】図４に、この発明による光導波路の製造プ
ロセスの一例を示す。FIG. 4 shows an example of the manufacturing process of the optical waveguide according to the present invention.
【００１９】基板６に形成された低屈折率層９の表面
に、上記実施例１で示した成膜方法によりコア用のＳｉ
Ｏ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜１０を形成する(a) 。ガラス膜
１０の成膜後、基板全体を1000℃以上の温度で高温熱処
理することにより、緻密かつ屈折率安定性の良いコア用
ガラス膜１１を得る(b) 。その後、このコア用ガラス膜
１１上にコアを矩形状に加工するためのマスクとなるＷ
Ｓｉ膜１２をスパッタリング法により1 μｍ厚で形成す
る(c) 。そのＷＳｉ膜１２の表面にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜１３
のパターニングを行う(d) 。次いで、ＮＦ3 ガスを用い
た反応性イオンエッチングによりＷＳｉ膜１２のパタ−
ニングを行う(e) 。次いで、フォトレジスト膜１３及び
ＷＳｉ膜１２をマスクにしてＣＨＦ3 ガスを用いた反応
性イオンエッチングによりコア１４を形成する(f) 。次
いで、フォトレジスト膜１３及びＷＳｉ膜１２を除去す
る(g) 。最後に、ＳｉＯ2 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｂ2 Ｏ3 系の低
屈折率クラッドガラス膜１５でコア全体を覆い、埋込型
の光導波路とする(h) 。On the surface of the low refractive index layer 9 formed on the substrate 6, Si for core was formed by the film forming method shown in the first embodiment.
The O 2 —GeO 2 glass film 10 is formed (a). After the glass film 10 is formed, the entire substrate is subjected to a high temperature heat treatment at a temperature of 1000 ° C. or higher to obtain a dense glass film 11 for core having a good refractive index stability (b). Then, a mask W for processing the core into a rectangular shape is formed on the glass film 11 for core.
The Si film 12 is formed to a thickness of 1 μm by the sputtering method (c). A photoresist is applied to the surface of the WSi film 12, and the photoresist film 13 is formed by photolithography.
Patterning is performed (d). Then, a pattern of the WSi film 12 is formed by reactive ion etching using NF 3 gas.
Training (e). Then, using the photoresist film 13 and the WSi film 12 as a mask, the core 14 is formed by reactive ion etching using CHF 3 gas (f). Next, the photoresist film 13 and the WSi film 12 are removed (g). Finally, the entire core is covered with a SiO 2 —P 2 O 5 —B 2 O 3 -based low-refractive-index clad glass film 15 to form an embedded optical waveguide (h).
【００２０】かかる光導波路の製造方法によれば、タブ
レット原材料粉末の粒径が 1μｍ以下でかつ粒径が揃っ
ているため、屈折率制御用材料が均一に分散された膜を
形成できる。このため、屈折率制御用材料が膜内で集中
することによる屈折率の歪みを低減することができ、ひ
いては、屈折率歪みに起因する散乱損失を抑えた光導波
路を形成することができる。上記方法により実際に光導
波路を作成した結果、波長1.3 μｍにおいて伝送損失0.
1 dB/cm 以下の低損失な導波路を得ることができた。According to such a method for producing an optical waveguide, since the particle diameter of the tablet raw material powder is 1 μm or less and the particle diameters are uniform, it is possible to form a film in which the refractive index controlling material is uniformly dispersed. Therefore, the distortion of the refractive index due to the concentration of the refractive index controlling material in the film can be reduced, and thus the optical waveguide in which the scattering loss due to the refractive index distortion is suppressed can be formed. As a result of actually creating an optical waveguide by the above method, the transmission loss was 0 at a wavelength of 1.3 μm.
We were able to obtain a low-loss waveguide of 1 dB / cm or less.
【００２１】[実施例３]次に、上記実施例２のコアガラ
ス膜部分に希土類元素を添加して、レ−ザあるいは増幅
器用の導波路を作成する場合の実施例について説明す
る。[Embodiment 3] Next, an embodiment in which a rare earth element is added to the core glass film portion of Embodiment 2 to form a waveguide for a laser or an amplifier will be described.
【００２２】蒸着材として、粒径1 μｍ以下のＳｉＯ2
及びＧｅＯ2 （屈折率制御用材料）粉末を混合し、これ
をホットプレスにより焼き固めたタブレット１、ならび
に、粒径1 μｍ以下の希土類元素化合物であるＥｒ2 Ｏ
3 粉末をホットプレスにより焼き固めたタブレット２を
準備する。これら２つの蒸着材料を図１に示す二つの蒸
発源3-1,3-2 にセットし、同時に蒸着することにより
３”φの石英基板６の表面に厚さ 8μｍのＥｒＯ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 ガラス膜を形成し、実施例２に示した
方法により光導波路を作成する。SiO 2 having a grain size of 1 μm or less is used as a vapor deposition material.
And GeO 2 (refractive index control material) powders were mixed and baked by hot pressing, and Er 2 O which is a rare earth element compound having a particle diameter of 1 μm or less.
3 Prepare a tablet 2 in which powder is baked and hardened. These two evaporation materials was set in the two evaporation sources 3-1 and 3-2 shown in FIG. 1, at the same time ErO 3 -S thickness 8μm on the surface of the quartz substrate 6 3 "phi by depositing
An iO 2 —GeO 2 glass film is formed, and an optical waveguide is prepared by the method shown in Example 2.
【００２３】この方法により導波路を試作したところ、
波長0.98μｍの光励起により、波長1.535 μｍおよび1.
553 μｍにおいて蛍光を確認した。また、上記波長の信
号光を増幅できることも確認できた。このときの伝搬損
失は0.15dB/cmであった。When a waveguide was prototyped by this method,
Wavelength 1.535 μm and 1.
Fluorescence was confirmed at 553 μm. It was also confirmed that the signal light of the above wavelength can be amplified. The propagation loss at this time was 0.15 dB / cm.
【００２４】なお、この実施例では希土類元素としてＥ
ｒを用いたが、これに限定されるものではなく、他に、
Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｓｍ、Ｐｒなどを用い
てもよい。また、これらのタブレット原材料としては、
酸化物以外にＥｒＦ2 あるいはＥｒＣｌ3 といったフッ
化物、塩化物などを用いてもよい。In this embodiment, E was used as the rare earth element.
Although r is used, it is not limited to this.
Nd, Yb, Ce, Ho, Tm, Sm, Pr or the like may be used. Also, as these tablet raw materials,
Besides oxides, fluorides such as ErF 2 or ErCl 3 or chlorides may be used.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上要するに、この発明によれば次のよ
うな効果が発揮できる。In summary, according to the present invention, the following effects can be exhibited.
【００２６】１）粒径１μｍ以下のＳｉＯ2 粉末と屈折
率制御用材料（ＧｅＯ2 など）粉末を混合しホットプレ
スにより固化したタブレットを用い、これを電子ビ−ム
照射によって蒸発させて基板上にガラス膜を形成させる
方法の採用により、屈折率の面内均一性の良い低損失な
ガラス膜が得られ、伝搬損失の小さい光導波路を製造す
ることができる。1) A tablet obtained by mixing a SiO 2 powder having a particle size of 1 μm or less and a powder for controlling a refractive index (GeO 2 etc.) powder and solidifying by hot pressing is evaporated by electron beam irradiation to be applied on a substrate. By adopting the method of forming a glass film on the substrate, a low-loss glass film with good in-plane uniformity of the refractive index can be obtained, and an optical waveguide with small propagation loss can be manufactured.
【００２７】２）タブレットの原材料の粒径を１μｍ以
下とすることにより、再現性良く密度90以上の高密度タ
ブレットを形成することができ、蒸着によって形成され
る膜の再現性が向上する。2) By setting the particle size of the raw material of the tablet to 1 μm or less, a high-density tablet having a density of 90 or more can be formed with good reproducibility, and the reproducibility of the film formed by vapor deposition is improved.
【図１】この発明の方法によるガラス膜形成に使用され
る電子ビーム蒸着装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an electron beam vapor deposition apparatus used for forming a glass film by the method of the present invention.
【図２】この発明の方法により形成したＳｉＯ2 −Ｇｅ
Ｏ2 ガラス膜の屈折率の面内分布の測定値を従来のもの
と対比して示す図である。FIG. 2 SiO 2 —Ge formed by the method of the present invention
It is a figure which shows the measured value of the in-plane distribution of the refractive index of the O 2 glass film in comparison with the conventional one.
【図３】図２の測定位置を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a measurement position of FIG.
【図４】この発明の方法による光導波路の製造プロセス
を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of an optical waveguide according to the method of the present invention.
１ Ｓｉ０2 タブレット ２ Ｓｉ０2 タブレット ６ 基板 ９ 低屈折率層 １０ ガラス膜 １１ 焼結後のガラス膜 １２ ＷＳｉ膜 １３ フォトレジスト膜 １４ コア １５ 低屈折のガラス膜1 Si0 2 Tablet 2 Si0 2 Tablet 6 Substrate 9 Low Refractive Index Layer 10 Glass Film 11 Sintered Glass Film 12 WSi Film 13 Photoresist Film 14 Core 15 Low Refractive Index Glass Film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樫村 誠一 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (72)発明者 井本 克之 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Seiichi Kashimura, 3550 Kidayo-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Cable Ltd. Advanced Research Center (72) Inventor Katsuyuki Imoto 3550, Kida-yomachi, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Cable Shares Company Advance Research Center
Claims (6)
ットを電子ビーム蒸着法により蒸発させて基板の低屈折
率層上にガラス膜を形成する方法において、粒径が１μ
ｍ以下で、かつ粒径が揃った原材料粉末を用いて形成さ
れたタブレットを使用するようにしたことを特徴とする
ガラス膜形成方法。1. A method of forming a glass film on a low refractive index layer of a substrate by evaporating a SiO 2 tablet containing a material for controlling a refractive index by an electron beam evaporation method, and having a particle size of 1 μm.
A method for forming a glass film, characterized in that a tablet formed using a raw material powder having a particle size of m or less and having a uniform particle size is used.
末とＳｉ０2 粉末とを混合しホットプレスにより焼き固
めて形成されたものであることを特徴とする請求項１記
載のガラス膜形成方法。2. The method for forming a glass film according to claim 1, wherein the tablet is formed by mixing powder of a material for controlling refractive index and SiO 2 powder, and baking the mixture by hot pressing.
％以上であることを特徴とする請求項２記載のガラス膜
形成方法。3. The tablet has a sintered density of 90.
% Or more, and the glass film forming method according to claim 2.
ｅ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｆなどの酸化物であること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のガラス
膜形成方法。4. The material for controlling the refractive index is Ti, P, G
The glass film forming method according to any one of claims 1 to 3, which is an oxide of e, Al, B, Ta, Zn, F, or the like.
Ｙｂ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、Ｓｍなどの希土類元素
の酸化物を少なくとも１種含んでいることを特徴とする
請求項１乃至４のいずれかに記載のガラス膜形成方法。5. The material for controlling the refractive index is Er, Nd,
The glass film forming method according to any one of claims 1 to 4, further comprising at least one oxide of a rare earth element such as Yb, Ce, Ho, Tm, Pr or Sm.
によりガラス膜を基板の低屈折率層上に形成する工程
と、そのガラス膜をフォトリソグラフィ及びドライエッ
チングにより略矩形状に加工して光の伝搬領域であるコ
アを形成する工程と、そのコアに低屈折率のガラス膜を
被覆する工程とを含んでいることを特徴とする光導波路
の製造方法。6. A step of forming a glass film on a low refractive index layer of a substrate by the method according to claim 1, and processing the glass film into a substantially rectangular shape by photolithography and dry etching. And a step of forming a core which is a light propagation region, and a step of coating the core with a glass film having a low refractive index.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29707192A JPH06144867A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Method for forming glass film |
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| JP29707192A JPH06144867A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Method for forming glass film |
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| JPH06144867A true JPH06144867A (en) | 1994-05-24 |
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| JP29707192A Pending JPH06144867A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Method for forming glass film |
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|---|---|
| JP (1) | JPH06144867A (en) |
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