JPH06140200A - マイクロトロン電子加速器 - Google Patents
マイクロトロン電子加速器Info
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- JPH06140200A JPH06140200A JP29151192A JP29151192A JPH06140200A JP H06140200 A JPH06140200 A JP H06140200A JP 29151192 A JP29151192 A JP 29151192A JP 29151192 A JP29151192 A JP 29151192A JP H06140200 A JPH06140200 A JP H06140200A
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- electron
- cavity
- acceleration
- uniform magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】1台のマイクロトロン電子加速器によって、互
いに異なる2方向に指向する出力電子ビ−ムを得ること
ができるようにすること。 【構成】マイクロ波3により高周波加速電場Eを形成す
る加速空胴1を電磁石2による一様磁場B内に配置し、
電場Eにより電子eを加速し、加速された電子eに磁場
B中で円軌道運動をさせて再び加速空胴1内に入射さ
せ、何度も加速を繰り返すようにしたマイクロトロン電
子加速器において、加速空胴1の両側に二つの電子銃6
1、62を設けておき、磁場Bの方向を正逆反転させる
と共に電子銃61、62を切り換え動作させる。一様磁
場Bが正方向(逆方向)で電子銃61(電子銃62)を
動作させると、電子eは正方向(逆方向)回転して、取
り出しパイプ9によって正方向(逆方向)に指向して取
り出される。 【効果】1台のマイクロトロン電子加速器によって、し
かも加速器外部にビ−ム偏向器等を用いることなくし
て、互いに異なる2方向に指向する出力電子ビ−ムを得
ることができる。
いに異なる2方向に指向する出力電子ビ−ムを得ること
ができるようにすること。 【構成】マイクロ波3により高周波加速電場Eを形成す
る加速空胴1を電磁石2による一様磁場B内に配置し、
電場Eにより電子eを加速し、加速された電子eに磁場
B中で円軌道運動をさせて再び加速空胴1内に入射さ
せ、何度も加速を繰り返すようにしたマイクロトロン電
子加速器において、加速空胴1の両側に二つの電子銃6
1、62を設けておき、磁場Bの方向を正逆反転させる
と共に電子銃61、62を切り換え動作させる。一様磁
場Bが正方向(逆方向)で電子銃61(電子銃62)を
動作させると、電子eは正方向(逆方向)回転して、取
り出しパイプ9によって正方向(逆方向)に指向して取
り出される。 【効果】1台のマイクロトロン電子加速器によって、し
かも加速器外部にビ−ム偏向器等を用いることなくし
て、互いに異なる2方向に指向する出力電子ビ−ムを得
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロトロン電子加
速器の改良に関し、特に、1台の加速器によって、しか
も、該加速器の外部にビーム偏向器等を設けることなく
して、異なる2方向に指向する電子ビームを得ることが
できるように改良されたマイクロトロン電子加速器に関
する。
速器の改良に関し、特に、1台の加速器によって、しか
も、該加速器の外部にビーム偏向器等を設けることなく
して、異なる2方向に指向する電子ビームを得ることが
できるように改良されたマイクロトロン電子加速器に関
する。
【0002】
【従来の技術】マイクロトロン電子加速器は、マイクロ
波電界によって電子を加速する装置である。従来のマイ
クロトロン電子加速器は、図5に示すように、一様磁場
Bを形成するための電磁石2と、マイクロ波3の入力に
よって高周波加速電場Eを形成するための加速空胴1と
から構成されている。加速空胴1の外壁上には電子銃6
が設けられており、この電子銃6から放出された電子e
は加速空胴1の外壁に設けられたビーム通過孔71から
空胴内に入射する。空胴内に入射した電子eは該空胴内
に形成された高周波加速電場Eによって加速され、ビー
ム通過孔72から空胴外に出射する。空胴外に出射した
電子eは上記の一様磁場B中で円軌道を描いて飛行し、
再びビーム通過孔71から空胴内に入射する。空胴内に
再入射した電子eはそこで上記の高周波加速電場Eによ
って再び加速されてより高いエネルギーとなってビーム
通過孔72から空胴外に出射する。この再加速されて空
胴外に出射された電子eは先程よりも大きな軌道半径の
円軌道を描いて飛行し、ビーム通過孔71から空胴内に
再々入射する。この動作が繰り返され、電子eは所望の
エネルギーにまで加速される。加速された電子ビームの
取り出しは、所望のエネルギーの電子ビームが描く円軌
道10上に磁場Bを遮蔽する偏向パイプ8を配置して電
子ビームを円軌道10上から逸らせ、この円軌道10上
から逸らされた電子ビームを取り出しパイプ9によって
磁場Bの外部へ導くことによって行われる。また、偏向
パイプ8を種々異なるエネルギーの電子ビームが描く円
軌道上に移動させることによって、複数種のエネルギー
の電子ビームを所定位置に固定配置した取り出しパイプ
9を介して取り出せるように構成することも可能であ
る。なお、この種の従来技術について記載している文献
としては、例えば、日本放射線機器工業会編、医用画像
・放射線機器ハンドブック、(1989)、200〜2
05頁が挙げられる。
波電界によって電子を加速する装置である。従来のマイ
クロトロン電子加速器は、図5に示すように、一様磁場
Bを形成するための電磁石2と、マイクロ波3の入力に
よって高周波加速電場Eを形成するための加速空胴1と
から構成されている。加速空胴1の外壁上には電子銃6
が設けられており、この電子銃6から放出された電子e
は加速空胴1の外壁に設けられたビーム通過孔71から
空胴内に入射する。空胴内に入射した電子eは該空胴内
に形成された高周波加速電場Eによって加速され、ビー
ム通過孔72から空胴外に出射する。空胴外に出射した
電子eは上記の一様磁場B中で円軌道を描いて飛行し、
再びビーム通過孔71から空胴内に入射する。空胴内に
再入射した電子eはそこで上記の高周波加速電場Eによ
って再び加速されてより高いエネルギーとなってビーム
通過孔72から空胴外に出射する。この再加速されて空
胴外に出射された電子eは先程よりも大きな軌道半径の
円軌道を描いて飛行し、ビーム通過孔71から空胴内に
再々入射する。この動作が繰り返され、電子eは所望の
エネルギーにまで加速される。加速された電子ビームの
取り出しは、所望のエネルギーの電子ビームが描く円軌
道10上に磁場Bを遮蔽する偏向パイプ8を配置して電
子ビームを円軌道10上から逸らせ、この円軌道10上
から逸らされた電子ビームを取り出しパイプ9によって
磁場Bの外部へ導くことによって行われる。また、偏向
パイプ8を種々異なるエネルギーの電子ビームが描く円
軌道上に移動させることによって、複数種のエネルギー
の電子ビームを所定位置に固定配置した取り出しパイプ
9を介して取り出せるように構成することも可能であ
る。なお、この種の従来技術について記載している文献
としては、例えば、日本放射線機器工業会編、医用画像
・放射線機器ハンドブック、(1989)、200〜2
05頁が挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマイク
ロトロン電子加速器においては、加速された電子ビーム
が取り出される方向は、上記の固定配置された取り出し
パイプ9によって一義的に1方向のみに限定されてい
た。したがって、複数の方向に指向する電子ビームを得
たい場合には、このような加速器を複数台設置するか、
あるいは1台の加速器から取り出された電子ビ−ムを該
加速器の外部に付設したビーム偏向器等を用いて複数方
向に振り分けるという方法が採られていた。そのため装
置全体がどうしても大型になってしまうという問題点が
あった。
ロトロン電子加速器においては、加速された電子ビーム
が取り出される方向は、上記の固定配置された取り出し
パイプ9によって一義的に1方向のみに限定されてい
た。したがって、複数の方向に指向する電子ビームを得
たい場合には、このような加速器を複数台設置するか、
あるいは1台の加速器から取り出された電子ビ−ムを該
加速器の外部に付設したビーム偏向器等を用いて複数方
向に振り分けるという方法が採られていた。そのため装
置全体がどうしても大型になってしまうという問題点が
あった。
【0004】本発明の目的は、従来装置における上記の
ような問題点を解決し、加速器の外部にビーム偏向器等
を付設することなくして、1台の加速器から異なる2方
向に指向する電子ビームを得ることができるように改良
されたマイクロトロン電子加速器を提供することにあ
る。
ような問題点を解決し、加速器の外部にビーム偏向器等
を付設することなくして、1台の加速器から異なる2方
向に指向する電子ビームを得ることができるように改良
されたマイクロトロン電子加速器を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、磁場強度が一様な磁場を形成す
る電磁石と、該電磁石が形成する一様磁場内に配置され
マイクロ波の供給を受けて高周波加速電場を形成する加
速空胴と、該加速空胴の外壁の上記高周波加速電場の方
向に沿って互いに対向する位置に設けられた第1および
第2のビーム通過孔と、該第1および第2のビーム通過
孔を通してそれぞれ上記加速空胴内に加速されるべき電
子を入射させるための第1および第2の電子銃と、上記
電磁石によって形成される一様磁場の方向を正逆反転さ
せる手段と、上記第1および第2の電子銃を交互に切り
換えて動作させる手段とを備えてなることを特徴とする
マイクロトロン電子加速器が提供される。
に、本発明においては、磁場強度が一様な磁場を形成す
る電磁石と、該電磁石が形成する一様磁場内に配置され
マイクロ波の供給を受けて高周波加速電場を形成する加
速空胴と、該加速空胴の外壁の上記高周波加速電場の方
向に沿って互いに対向する位置に設けられた第1および
第2のビーム通過孔と、該第1および第2のビーム通過
孔を通してそれぞれ上記加速空胴内に加速されるべき電
子を入射させるための第1および第2の電子銃と、上記
電磁石によって形成される一様磁場の方向を正逆反転さ
せる手段と、上記第1および第2の電子銃を交互に切り
換えて動作させる手段とを備えてなることを特徴とする
マイクロトロン電子加速器が提供される。
【0006】
【作用】上記した本発明の特徴的構成によれば、次のよ
うな正回転モードと逆回転モードとの2種類の電子加速
モードを実現させることができる。すなわち、正回転モ
ードでは、一様磁場の方向を正方向に設定して第1の電
子銃を動作させることにより、この第1の電子銃からの
電子に、第1のビーム通過孔、加速空胴内、第2のビー
ム通過孔、加速空胴外、第1のビーム通過孔、加速空胴
内、第2のビーム通過孔、加速空胴外、・・・の順路を
辿る正方向回転の円軌道運動を行わせる。また、逆回転
モードでは、一様磁場の方向を逆方向(磁場方向反転)
に設定して第2の電子銃を切り換えて動作させることに
より、この第2の電子銃からの電子に、第2のビーム通
過孔、加速空胴内、第1のビーム通過孔、加速空胴外、
第2のビーム通過孔、加速空胴内、第1のビーム通過
孔、加速空胴外、・・・の順路を辿る逆方向回転の円軌
道運動を行わせる。すなわち、正回転モードと逆回転モ
ードとでは、加速器内での電子の回転方向が全く逆にな
る。したがって、従来同様の偏向パイプと取り出しパイ
プを用いて所望のエネルギーに加速された電子を全く逆
の2方向に切り換え指向させて取り出すことができる。
うな正回転モードと逆回転モードとの2種類の電子加速
モードを実現させることができる。すなわち、正回転モ
ードでは、一様磁場の方向を正方向に設定して第1の電
子銃を動作させることにより、この第1の電子銃からの
電子に、第1のビーム通過孔、加速空胴内、第2のビー
ム通過孔、加速空胴外、第1のビーム通過孔、加速空胴
内、第2のビーム通過孔、加速空胴外、・・・の順路を
辿る正方向回転の円軌道運動を行わせる。また、逆回転
モードでは、一様磁場の方向を逆方向(磁場方向反転)
に設定して第2の電子銃を切り換えて動作させることに
より、この第2の電子銃からの電子に、第2のビーム通
過孔、加速空胴内、第1のビーム通過孔、加速空胴外、
第2のビーム通過孔、加速空胴内、第1のビーム通過
孔、加速空胴外、・・・の順路を辿る逆方向回転の円軌
道運動を行わせる。すなわち、正回転モードと逆回転モ
ードとでは、加速器内での電子の回転方向が全く逆にな
る。したがって、従来同様の偏向パイプと取り出しパイ
プを用いて所望のエネルギーに加速された電子を全く逆
の2方向に切り換え指向させて取り出すことができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図面を参照して
詳細に説明する。図1に、本発明の第1の実施例になる
マイクロトロン電子加速器の概略構成を示す。本実施例
では、周波数3GHzで共振する直方体形状の加速空胴
1が、一様磁場Bを形成する電磁石2内に設けられてい
る。加速空胴1内には、マイクロ波3が入力されること
によって3GHzの高周波加速電場Eが形成される。な
お、電磁石2は、その励磁コイルに流す電流の方向を正
負間で交互に反転させることによって、一様磁場の方向
を正方向(B1方向)と逆方向(B2方向)との間で交互
に反転できるように構成されている。一例として、一様
磁場の磁場強度は、正方向磁場B1が 0.11T、逆方
向磁場B2が −0.11Tである。
詳細に説明する。図1に、本発明の第1の実施例になる
マイクロトロン電子加速器の概略構成を示す。本実施例
では、周波数3GHzで共振する直方体形状の加速空胴
1が、一様磁場Bを形成する電磁石2内に設けられてい
る。加速空胴1内には、マイクロ波3が入力されること
によって3GHzの高周波加速電場Eが形成される。な
お、電磁石2は、その励磁コイルに流す電流の方向を正
負間で交互に反転させることによって、一様磁場の方向
を正方向(B1方向)と逆方向(B2方向)との間で交互
に反転できるように構成されている。一例として、一様
磁場の磁場強度は、正方向磁場B1が 0.11T、逆方
向磁場B2が −0.11Tである。
【0008】加速空胴1の左右の外壁には、電子ビーム
を通過させるための第1,第2のビーム通過孔71,7
2が、加速空胴1を挾んで互いに対向する位置に、それ
ぞれ設けられている。また、この加速空胴1の左右の外
壁上の、それぞれ上記した第1,第2のビーム通過孔7
1,72の近傍には、第1,第2の電子銃61,62が
設けられている。これら第1,第2の電子銃61,62
は、それぞれカソード41,42とアノード51,52
とを同軸状に配置して構成されている。また、一様磁場
B内には、それぞれ矢印方向に移動可能な第1,第2の
偏向パイプ81,82と左右方向に移動可能な取り出し
パイプ9とが設けられている。この偏向パイプ81,8
2と取り出しパイプ9とは、いずれも一様磁場Bを遮蔽
することのできる材質(例えば、純鉄)で作られてい
る。
を通過させるための第1,第2のビーム通過孔71,7
2が、加速空胴1を挾んで互いに対向する位置に、それ
ぞれ設けられている。また、この加速空胴1の左右の外
壁上の、それぞれ上記した第1,第2のビーム通過孔7
1,72の近傍には、第1,第2の電子銃61,62が
設けられている。これら第1,第2の電子銃61,62
は、それぞれカソード41,42とアノード51,52
とを同軸状に配置して構成されている。また、一様磁場
B内には、それぞれ矢印方向に移動可能な第1,第2の
偏向パイプ81,82と左右方向に移動可能な取り出し
パイプ9とが設けられている。この偏向パイプ81,8
2と取り出しパイプ9とは、いずれも一様磁場Bを遮蔽
することのできる材質(例えば、純鉄)で作られてい
る。
【0009】次に、上記した第1の実施例の装置構成で
の動作について説明する。本実施例の装置構成では、正
回転モードと逆回転モードとの2種類の電子加速モード
を選択することができる。初めに正回転モ−ドでの動作
について図1を参照して説明する。正回転モードでは、
電磁石2によって発生させる一様磁場Bを正方向磁場B
1 に設定し、加速空胴1内にマイクロ波3を供給して、
第1の電子銃61を動作させる。すなわち、カソード4
1を加熱してそこから放出される熱電子をカソード4
1,アノード51間に印加した引出し電圧によって引き
出し、引き出された電子ビームeを第1のビーム通過孔
71を通して空胴1内に入射させる。空胴1内に入射し
た電子ビームeは該空胴内に形成されている周波数3G
Hzの高周波加速電場Eによって加速され、加速された
電子ビームeが第2のビーム通過孔72を通って空胴外
に出射する。出射した電子ビームeは一様磁場B1 中で
円軌道運動をして第1のビーム通過孔71から再び空胴
1内に入射する。空胴1内に再入射した電子ビームeは
そこで再び高周波加速電場Eによって加速され、より大
きなエネルギーのビームとなって、第2のビーム通過孔
72から空胴外に出射する。このより大きなエネルギー
となった電子ビームeは一様磁場B1 中で前よりも大き
な回転半径での円軌道運動をして、第1のビーム通過孔
71から空胴1内に再入射する。このような動作が何回
も繰り返され、電子ビームeは所望のエネルギーまで加
速される。所望のエネルギーに達した電子ビームeは、
その円軌道10上に配置された第1の偏向パイプ81に
よって円軌道10から偏向され、取り出しパイプ9によ
って磁場外へ(図の右方向に向かって)取り出される。
の動作について説明する。本実施例の装置構成では、正
回転モードと逆回転モードとの2種類の電子加速モード
を選択することができる。初めに正回転モ−ドでの動作
について図1を参照して説明する。正回転モードでは、
電磁石2によって発生させる一様磁場Bを正方向磁場B
1 に設定し、加速空胴1内にマイクロ波3を供給して、
第1の電子銃61を動作させる。すなわち、カソード4
1を加熱してそこから放出される熱電子をカソード4
1,アノード51間に印加した引出し電圧によって引き
出し、引き出された電子ビームeを第1のビーム通過孔
71を通して空胴1内に入射させる。空胴1内に入射し
た電子ビームeは該空胴内に形成されている周波数3G
Hzの高周波加速電場Eによって加速され、加速された
電子ビームeが第2のビーム通過孔72を通って空胴外
に出射する。出射した電子ビームeは一様磁場B1 中で
円軌道運動をして第1のビーム通過孔71から再び空胴
1内に入射する。空胴1内に再入射した電子ビームeは
そこで再び高周波加速電場Eによって加速され、より大
きなエネルギーのビームとなって、第2のビーム通過孔
72から空胴外に出射する。このより大きなエネルギー
となった電子ビームeは一様磁場B1 中で前よりも大き
な回転半径での円軌道運動をして、第1のビーム通過孔
71から空胴1内に再入射する。このような動作が何回
も繰り返され、電子ビームeは所望のエネルギーまで加
速される。所望のエネルギーに達した電子ビームeは、
その円軌道10上に配置された第1の偏向パイプ81に
よって円軌道10から偏向され、取り出しパイプ9によ
って磁場外へ(図の右方向に向かって)取り出される。
【0010】次に、逆回転モードでの動作について図2
を参照して説明する。逆回転モードでは、電磁石2によ
って発生させる一様磁場Bを逆方向磁場B2 に設定(磁
場方向反転)し、第1の電子銃61に代えて今度は第2
の電子銃62を動作させる。この場合には、電子銃62
から放出された電子ビームeが、第2のビーム通過孔7
2から空胴1内に入射し、該空胴1内の高周波加速電場
Eによって加速され、第1のビーム通過孔71から空胴
外に出射する。出射した電子ビームeは一様磁場B2 中
で今度は先程とは逆回転の円軌道運動をして、第2のビ
ーム通過孔72から再び空胴1内に入射するという経路
をとる。このように、逆回転モードにおいては、電子ビ
ームeの回転方向が正回転モードの場合とは丁度逆にな
る。したがって、第1の偏向パイプ81に代えて第2の
偏向パイプ82を所望のエネルギーに達した電子ビーム
eの円軌道10上に配置することによってこの所望のエ
ネルギーに達した電子ビームeをその円軌道10上から
偏向させて、取り出しパイプ9を介して磁場外へ(図の
左方向に向かって)取り出すことができる。なお、この
際、取り出しパイプ9に対する電子ビームeの入射端と
出射端とが正回転モードの場合とは逆になるので、取り
出しパイプ9の位置を矢印で示すように左方向に移動さ
せることによって、偏向パイプ82と取り出しパイプ9
とが所定の位置関係となるように調整しておく必要があ
ることは云うまでもない。
を参照して説明する。逆回転モードでは、電磁石2によ
って発生させる一様磁場Bを逆方向磁場B2 に設定(磁
場方向反転)し、第1の電子銃61に代えて今度は第2
の電子銃62を動作させる。この場合には、電子銃62
から放出された電子ビームeが、第2のビーム通過孔7
2から空胴1内に入射し、該空胴1内の高周波加速電場
Eによって加速され、第1のビーム通過孔71から空胴
外に出射する。出射した電子ビームeは一様磁場B2 中
で今度は先程とは逆回転の円軌道運動をして、第2のビ
ーム通過孔72から再び空胴1内に入射するという経路
をとる。このように、逆回転モードにおいては、電子ビ
ームeの回転方向が正回転モードの場合とは丁度逆にな
る。したがって、第1の偏向パイプ81に代えて第2の
偏向パイプ82を所望のエネルギーに達した電子ビーム
eの円軌道10上に配置することによってこの所望のエ
ネルギーに達した電子ビームeをその円軌道10上から
偏向させて、取り出しパイプ9を介して磁場外へ(図の
左方向に向かって)取り出すことができる。なお、この
際、取り出しパイプ9に対する電子ビームeの入射端と
出射端とが正回転モードの場合とは逆になるので、取り
出しパイプ9の位置を矢印で示すように左方向に移動さ
せることによって、偏向パイプ82と取り出しパイプ9
とが所定の位置関係となるように調整しておく必要があ
ることは云うまでもない。
【0011】上述したように、本実施例の装置構成によ
れば、正回転モードと逆回転モードとで加速電子ビーム
の取り出し方向を全く逆方向とすることができるので、
1台の装置から異なる2方向に指向する加速電子ビーム
を得ることができる。なお、本実施例では、正回転モー
ドと逆回転モードとの双方において、加速空胴1内での
電子ビームの一回当りの加速エネルギーは 0.525M
eVであった。また、両モードにおいて電子ビームをそ
れぞれ最大40回まで加速することができ、結果として
4.2〜21.525MeVの広いエネルギー範囲にわた
って 0.525MeV刻みで任意のエネルギ−の加速電
子ビ−ムを取り出すことができた。
れば、正回転モードと逆回転モードとで加速電子ビーム
の取り出し方向を全く逆方向とすることができるので、
1台の装置から異なる2方向に指向する加速電子ビーム
を得ることができる。なお、本実施例では、正回転モー
ドと逆回転モードとの双方において、加速空胴1内での
電子ビームの一回当りの加速エネルギーは 0.525M
eVであった。また、両モードにおいて電子ビームをそ
れぞれ最大40回まで加速することができ、結果として
4.2〜21.525MeVの広いエネルギー範囲にわた
って 0.525MeV刻みで任意のエネルギ−の加速電
子ビ−ムを取り出すことができた。
【0012】本実施例の一つの利点は、1台の加速器か
ら互いに指向方向の異なる2本の電子ビームを取り出す
ことができることである。しかも、従来のように取り出
された電子ビームの指向方向を変更するための偏向器等
を加速器の外部に別途付設するなどの必要がないので、
装置構成を大型化させることもない。最近、物理や医療
等の分野では、指向方向が異なる複数本の電子ビームラ
インが要求されてきており、このような観点からしても
本実施例の装置構成は極めて利用価値が高いものであ
る。また、本実施例のもう一つの利点は、電子銃の寿命
が長くなるということである。すなわち、2個の電子銃
61,62を交替で使用することにより、電子銃1個当
りの動作時間を必然的に短くすることができ、その結
果、従来のように1台の加速器から取り出された1本の
電子ビームを偏向器等を用いて2方向に振り分けるよう
にした従来技術に比べて、電子銃の寿命を2倍にするこ
とができる。
ら互いに指向方向の異なる2本の電子ビームを取り出す
ことができることである。しかも、従来のように取り出
された電子ビームの指向方向を変更するための偏向器等
を加速器の外部に別途付設するなどの必要がないので、
装置構成を大型化させることもない。最近、物理や医療
等の分野では、指向方向が異なる複数本の電子ビームラ
インが要求されてきており、このような観点からしても
本実施例の装置構成は極めて利用価値が高いものであ
る。また、本実施例のもう一つの利点は、電子銃の寿命
が長くなるということである。すなわち、2個の電子銃
61,62を交替で使用することにより、電子銃1個当
りの動作時間を必然的に短くすることができ、その結
果、従来のように1台の加速器から取り出された1本の
電子ビームを偏向器等を用いて2方向に振り分けるよう
にした従来技術に比べて、電子銃の寿命を2倍にするこ
とができる。
【0013】次に、本発明の第2の実施例につき図3を
参照して説明する。図3は、本発明の第2の実施例にな
るマイクロトロン加速器の概略構成図である。本実施例
では、電子ビームを最終的に装置外部に取り出すための
取り出しパイプ9をその左右両端を装置外(磁場外)に
伸出させた1本の長い磁気遮蔽性のパイプでもって構成
している。そして、この取り出しパイプ9の側壁のそれ
ぞれ偏向パイプ81,82からの加速電子ビームを受け
入れるべき位置に、ビーム受け入れ用の開口91,92
が設けられている。かかる構成において、正回転モード
で動作する場合には、偏向パイプ81からの加速電子ビ
ームが開口91から取り出しパイプ9内に入射してその
右端から右方向に向かって取り出され、また、逆回転モ
ードで動作する場合には、偏向パイプ82からの加速電
子ビームが開口92から取り出しパイプ9内に入射して
その左端から左方向に向かって取り出される。本実施例
の場合には、正回転モードと逆回転モードとの間での動
作モードの切り換えに際しても取り出しパイプ9の位置
を変更する必要がないので、取り出しパイプ9は固定設
置したままとすることができ、装置構成および操作がよ
り簡略化されるという効果が得られる。
参照して説明する。図3は、本発明の第2の実施例にな
るマイクロトロン加速器の概略構成図である。本実施例
では、電子ビームを最終的に装置外部に取り出すための
取り出しパイプ9をその左右両端を装置外(磁場外)に
伸出させた1本の長い磁気遮蔽性のパイプでもって構成
している。そして、この取り出しパイプ9の側壁のそれ
ぞれ偏向パイプ81,82からの加速電子ビームを受け
入れるべき位置に、ビーム受け入れ用の開口91,92
が設けられている。かかる構成において、正回転モード
で動作する場合には、偏向パイプ81からの加速電子ビ
ームが開口91から取り出しパイプ9内に入射してその
右端から右方向に向かって取り出され、また、逆回転モ
ードで動作する場合には、偏向パイプ82からの加速電
子ビームが開口92から取り出しパイプ9内に入射して
その左端から左方向に向かって取り出される。本実施例
の場合には、正回転モードと逆回転モードとの間での動
作モードの切り換えに際しても取り出しパイプ9の位置
を変更する必要がないので、取り出しパイプ9は固定設
置したままとすることができ、装置構成および操作がよ
り簡略化されるという効果が得られる。
【0014】さらに、本発明の第3の実施例について図
4を参照して説明する。図4は、本発明の第3の実施例
になるマイクロトロン加速器の概略構成図である。この
実施例では、取り出しパイプ9をその長手方向に3分割
し、分割された各部分間に第1,第2の磁場補正用コイ
ル111,112を設けた構成としている。この場合、
正回転モードでは、第2の磁場補正用コイル112には
電流を流さず、第1の磁場補正用コイル111には丁度
一様磁場B1 を打ち消すような電流を流す。また、逆回
転モードでは、正回転モ−ドとは逆の動作をさせる。こ
の動作により、正回転モードでは、偏向パイプ81から
の加速電子ビームが第2の磁場補正用コイル112が設
けられている位置から中央の取り出しパイプ部分内に入
射し、第1の磁場補正用コイル111が設けられている
位置では該コイルによる磁場打ち消し作用の助けを借り
て該コイル内を直進し、右方の取り出しパイプ部分内を
経て、装置外(右方)に取り出される。同様に、逆回転
モードの場合には、偏向パイプ82からの加速電子ビー
ムが第1の磁場補正用コイル111の位置から中央の取
り出しパイプ部分内に入射し、左方の取り出しパイプ部
分内を経て、装置外(左方)に取り出される。このよう
に、本実施例によっても、前述した第2の実施例の場合
と同様に、取り出しパイプ9のいずれの部分をも移動さ
せることなくして、加速電子ビームを左右2方向に切り
換えて取り出すことができる。
4を参照して説明する。図4は、本発明の第3の実施例
になるマイクロトロン加速器の概略構成図である。この
実施例では、取り出しパイプ9をその長手方向に3分割
し、分割された各部分間に第1,第2の磁場補正用コイ
ル111,112を設けた構成としている。この場合、
正回転モードでは、第2の磁場補正用コイル112には
電流を流さず、第1の磁場補正用コイル111には丁度
一様磁場B1 を打ち消すような電流を流す。また、逆回
転モードでは、正回転モ−ドとは逆の動作をさせる。こ
の動作により、正回転モードでは、偏向パイプ81から
の加速電子ビームが第2の磁場補正用コイル112が設
けられている位置から中央の取り出しパイプ部分内に入
射し、第1の磁場補正用コイル111が設けられている
位置では該コイルによる磁場打ち消し作用の助けを借り
て該コイル内を直進し、右方の取り出しパイプ部分内を
経て、装置外(右方)に取り出される。同様に、逆回転
モードの場合には、偏向パイプ82からの加速電子ビー
ムが第1の磁場補正用コイル111の位置から中央の取
り出しパイプ部分内に入射し、左方の取り出しパイプ部
分内を経て、装置外(左方)に取り出される。このよう
に、本実施例によっても、前述した第2の実施例の場合
と同様に、取り出しパイプ9のいずれの部分をも移動さ
せることなくして、加速電子ビームを左右2方向に切り
換えて取り出すことができる。
【0015】以上、本発明の実施例について述べたが、
本発明は上記実施例に示された具体的構成のみに限定さ
れるものではなく、以下に示すような種々の変形構成を
採ることも可能である。例えば、上記実施例では、電子
銃61,62としてカソード41,42とアノード5
1,52とを同軸状に構成したものを示したが、これは
電子eを放出できるものであればどのような構成にして
もよい。また、上記実施例では、マイクロ波の周波数を
3GHzに、一様磁場Bの強度を 0.11Tおよび −
0.11Tに選んだ例を示したが、これらもマイクロト
ロンの同期条件を満たしてさえいればどのような周波
数、磁場強度にしてもよい。例えばマイクロ波3の周波
数として4GHz、磁場強度として 0.15Tを選び、
加速空胴1内での電子ビームの一回当りの加速エネルギ
ーを 0.537MeVとしてもよい。また、上記実施例
では、加速空胴1として直方体形状のものを用いたが、
これに限ることなく、例えば、円筒型の加速空胴を用い
てもよい。要は、マイクロ波3の入力によって高周波加
速電場Eを形成できるような加速空胴であればよい。
本発明は上記実施例に示された具体的構成のみに限定さ
れるものではなく、以下に示すような種々の変形構成を
採ることも可能である。例えば、上記実施例では、電子
銃61,62としてカソード41,42とアノード5
1,52とを同軸状に構成したものを示したが、これは
電子eを放出できるものであればどのような構成にして
もよい。また、上記実施例では、マイクロ波の周波数を
3GHzに、一様磁場Bの強度を 0.11Tおよび −
0.11Tに選んだ例を示したが、これらもマイクロト
ロンの同期条件を満たしてさえいればどのような周波
数、磁場強度にしてもよい。例えばマイクロ波3の周波
数として4GHz、磁場強度として 0.15Tを選び、
加速空胴1内での電子ビームの一回当りの加速エネルギ
ーを 0.537MeVとしてもよい。また、上記実施例
では、加速空胴1として直方体形状のものを用いたが、
これに限ることなく、例えば、円筒型の加速空胴を用い
てもよい。要は、マイクロ波3の入力によって高周波加
速電場Eを形成できるような加速空胴であればよい。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロトロン電子加
速器内での加速電子の回転方向を正逆反転させることに
より、1台の加速器によって、しかも該加速器の外部に
別途に偏向器等を付設することを要せずして、異なる2
方向に指向する加速電子ビ−ムを容易に得ることができ
る。
速器内での加速電子の回転方向を正逆反転させることに
より、1台の加速器によって、しかも該加速器の外部に
別途に偏向器等を付設することを要せずして、異なる2
方向に指向する加速電子ビ−ムを容易に得ることができ
る。
【図1】本発明の第1の実施例になるマイクロトロン電
子加速器の概略構成を示す図。
子加速器の概略構成を示す図。
【図2】本発明の逆回転モ−ドでのマイクロトロンの動
作説明図。
作説明図。
【図3】本発明の第2の実施例になるマイクロトロンの
概略構成を示す図。
概略構成を示す図。
【図4】本発明の第3の実施例になるマイクロトロンの
概略構成を示す図。
概略構成を示す図。
【図5】従来のマイクロトロンの概略構成を示す図。
1…加速空胴, 2…電磁石,
3…マイクロ波, 41、42…カソ−
ド,51,52…アノ−ド, 6,61,6
2…電子銃,71,72…ビ−ム通過孔, 8,
81,82…偏向パイプ,9…取り出しパイプ,
10…電子軌道,111,112…磁場補正
用コイル。
3…マイクロ波, 41、42…カソ−
ド,51,52…アノ−ド, 6,61,6
2…電子銃,71,72…ビ−ム通過孔, 8,
81,82…偏向パイプ,9…取り出しパイプ,
10…電子軌道,111,112…磁場補正
用コイル。
Claims (3)
- 【請求項1】磁場強度が一様な磁場を形成する電磁石
と、該電磁石が形成する一様磁場内に配置されマイクロ
波の供給を受けて高周波加速電場を形成する加速空胴
と、該加速空胴の外壁の上記高周波加速電場の方向に沿
って互いに対向する位置に設けられた第1および第2の
ビーム通過孔と、該第1および第2のビーム通過孔を通
してそれぞれ上記加速空胴内に加速されるべき電子を入
射させるための第1および第2の電子銃と、上記電磁石
によって形成される一様磁場の方向を正逆反転させる手
段と、上記第1および第2の電子銃を切り換えて動作さ
せる手段とを備えてなることを特徴とするマイクロトロ
ン電子加速器。 - 【請求項2】上記第1および第2の電子銃は、いずれ
も、カソードとアノードとを同軸状に配置構成してなる
ものであることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ
トロン電子加速器。 - 【請求項3】上記電磁石によって形成される上記一様磁
場の方向が正方向である時に、上記第1の電子銃が動作
せしめられ、該第1の電子銃からの電子が上記第1のビ
ーム通過孔を通して上記加速空胴内に入射され、該加速
空胴内で加速された上で、上記第2のビーム通過孔を通
して該加速空胴外に出射され、上記の正方向一様磁場内
で正方向回転の円軌道運動をした上で、再び上記第1の
ビーム通過孔を通して上記加速空胴内に入射されるよう
に、また、上記電磁石によって形成される上記一様磁場
の方向が逆方向である時に、上記第2の電子銃が動作せ
しめられ、該第2の電子銃からの電子が上記第2のビー
ム通過孔を通して上記加速空胴内に入射され、該加速空
胴内で加速された上で、上記第1のビーム通過孔を通し
て該加速空胴外に出射され、上記の逆方向一様磁場内で
逆方向回転の円軌道運動をした上で、再び上記第2のビ
ーム通過孔を通して上記加速空胴内に入射せしめられる
ように構成されてなることを特徴とする請求項1または
請求項2に記載のマイクロトロン電子加速器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29151192A JPH06140200A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | マイクロトロン電子加速器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29151192A JPH06140200A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | マイクロトロン電子加速器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06140200A true JPH06140200A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17769841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29151192A Pending JPH06140200A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | マイクロトロン電子加速器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06140200A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008298492A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Photon Production Laboratory Ltd | ターゲットユニット、電磁波発生装置及びその方法 |
CN101610916A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-12-23 | Dic株式会社 | 装饰成形品及其制造方法 |
JP2014229575A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 住友重機械工業株式会社 | マイクロトロン |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29151192A patent/JPH06140200A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008298492A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Photon Production Laboratory Ltd | ターゲットユニット、電磁波発生装置及びその方法 |
CN101610916A (zh) * | 2007-09-28 | 2009-12-23 | Dic株式会社 | 装饰成形品及其制造方法 |
JP2014229575A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 住友重機械工業株式会社 | マイクロトロン |
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