JPH06139638A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH06139638A JPH06139638A JP29144092A JP29144092A JPH06139638A JP H06139638 A JPH06139638 A JP H06139638A JP 29144092 A JP29144092 A JP 29144092A JP 29144092 A JP29144092 A JP 29144092A JP H06139638 A JPH06139638 A JP H06139638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- recording medium
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高Ｃ／Ｎでかつ耐久性に優れた光磁気記録媒
体を、生産性よく製造することができる方法を提供す
る。 【構成】 スパッタリング法により成膜した保護膜を介
して基板上に光磁気記録層を積層する光磁気記録媒体を
製造するにあたって、前記保護膜を基板上に成膜するに
際し、成膜パワーを、基板に接する領域においてはグル
ーブを変形させない程度に抑制すると共に、その後は生
産性向上のために無段階に又は段階的に増大変化させ
る。
体を、生産性よく製造することができる方法を提供す
る。 【構成】 スパッタリング法により成膜した保護膜を介
して基板上に光磁気記録層を積層する光磁気記録媒体を
製造するにあたって、前記保護膜を基板上に成膜するに
際し、成膜パワーを、基板に接する領域においてはグル
ーブを変形させない程度に抑制すると共に、その後は生
産性向上のために無段階に又は段階的に増大変化させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関し、
更に詳しくは基板と光磁気記録膜との間に保護膜を介挿
してなる光磁気記録媒体に関する。
更に詳しくは基板と光磁気記録膜との間に保護膜を介挿
してなる光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書換え可能な高記録
密度記録媒体として種々研究されてきており、最近製品
化されつつある。
密度記録媒体として種々研究されてきており、最近製品
化されつつある。
【０００３】このような光磁気記録媒体としては、図１
に示すような基板ｌ上部に光磁気記録層３、反射膜５を
積層し、更に光磁気記録層３の保護の目的、及び磁気光
学効果を高める目的で光磁気記録層３を透明無機物層と
しての保護膜２，４で狭持するものが従来知られてい
る。
に示すような基板ｌ上部に光磁気記録層３、反射膜５を
積層し、更に光磁気記録層３の保護の目的、及び磁気光
学効果を高める目的で光磁気記録層３を透明無機物層と
しての保護膜２，４で狭持するものが従来知られてい
る。
【０００４】ここで用いられる磁気記録媒体の材料は、
基板１としてはポリカーボネートあるいはアモルファス
ポリオレフィンなどの透明樹脂が、光磁気記録層３とし
てはＭｎＢｉあるいは希土類−遷移金属元素合金など
が、反射層５としてはアルミニウム、アルミニウム合金
などの反射性の金属材料などが、保護膜２，４としては
珪素の酸化物、窒化物、アルミニウムの酸化物、窒化物
などが知られている。
基板１としてはポリカーボネートあるいはアモルファス
ポリオレフィンなどの透明樹脂が、光磁気記録層３とし
てはＭｎＢｉあるいは希土類−遷移金属元素合金など
が、反射層５としてはアルミニウム、アルミニウム合金
などの反射性の金属材料などが、保護膜２，４としては
珪素の酸化物、窒化物、アルミニウムの酸化物、窒化物
などが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
光磁気記録媒体においてスパッタリング法で形成される
保護膜２は直接基板１のグルーブ上に堆積するため、該
基板は、高エネルギーのスパッタ粒子あるいはプラズマ
中の電子にさらされる。そのため基板はグルーブの変形
が生じＣ／Ｎの低下の原因となっていた。しかし、この
変形を避ける為にスパッタリングレートを減少させる
と、生産性が著しく低下してしまう。
光磁気記録媒体においてスパッタリング法で形成される
保護膜２は直接基板１のグルーブ上に堆積するため、該
基板は、高エネルギーのスパッタ粒子あるいはプラズマ
中の電子にさらされる。そのため基板はグルーブの変形
が生じＣ／Ｎの低下の原因となっていた。しかし、この
変形を避ける為にスパッタリングレートを減少させる
と、生産性が著しく低下してしまう。
【０００６】また、一般に保護膜２にはピンホールが形
成され易く、基板１を通して進入する酸素，水が更にピ
ンホールを通して光磁気記録層３に到達して光磁気記録
層３の酸化をもたらし、孔食によるビットエラーレート
の増加を招き、光磁気記録媒体の信頼性の低下の原因と
なるという欠点があった。
成され易く、基板１を通して進入する酸素，水が更にピ
ンホールを通して光磁気記録層３に到達して光磁気記録
層３の酸化をもたらし、孔食によるビットエラーレート
の増加を招き、光磁気記録媒体の信頼性の低下の原因と
なるという欠点があった。
【０００７】本発明の目的は、高Ｃ／Ｎでかつ耐久性に
優れた光磁気記録媒体の高い生産性を有する製造方法を
提供することにある。
優れた光磁気記録媒体の高い生産性を有する製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するするために鋭意検討を行った結果、光磁気記録
媒体の基板１と光磁気記録層３との間の保護膜２をスパ
ッタリング法で成膜するに際し、成膜パワーを変化させ
ることによって、高Ｃ／Ｎでかつ高信頼性を保有して使
用できる光磁気記銭媒体とすることを見い出し、本発明
を完成するに至った。
解決するするために鋭意検討を行った結果、光磁気記録
媒体の基板１と光磁気記録層３との間の保護膜２をスパ
ッタリング法で成膜するに際し、成膜パワーを変化させ
ることによって、高Ｃ／Ｎでかつ高信頼性を保有して使
用できる光磁気記銭媒体とすることを見い出し、本発明
を完成するに至った。
【０００９】即ち本発明の特徴の一つは、スパッタリン
グ法により成膜した保護膜を介して基板上に光磁気記録
層を積層する光磁気記録媒体において、前記保護膜を基
板上に成膜するに際し、成膜パワーを、無段階（連続
的）に又は段階的に増大変化させるようにして光磁気記
録媒体を製造する方法を提供するところにある。
グ法により成膜した保護膜を介して基板上に光磁気記録
層を積層する光磁気記録媒体において、前記保護膜を基
板上に成膜するに際し、成膜パワーを、無段階（連続
的）に又は段階的に増大変化させるようにして光磁気記
録媒体を製造する方法を提供するところにある。
【００１０】以下本発明を詳細に説明する。本発明の光
磁気記録媒体は、基板ｌと光磁気記録層３の間の保護膜
２を成膜するに際し、成膜パワーを、無段階に又は段階
的に変化させるところに特徴があり、このようにして形
成された保護膜を有するものであれば光磁気記録媒体の
他の構成は特に限定されない。
磁気記録媒体は、基板ｌと光磁気記録層３の間の保護膜
２を成膜するに際し、成膜パワーを、無段階に又は段階
的に変化させるところに特徴があり、このようにして形
成された保護膜を有するものであれば光磁気記録媒体の
他の構成は特に限定されない。
【００１１】一般にスパッタリングされた粒子あるいは
プラズマ中の電子は高いエネルギ―を有し、ＰＣ基板上
に接すると基板表面の変形をもたらす。上述のように保
護膜２の成膜パワーを無段階に又は段階的に変化させる
ことにより、保護膜２の成膜時の基板上のグルーブの変
形を最小にする条件でかつ高い生産性を有し成膜するこ
とができる。
プラズマ中の電子は高いエネルギ―を有し、ＰＣ基板上
に接すると基板表面の変形をもたらす。上述のように保
護膜２の成膜パワーを無段階に又は段階的に変化させる
ことにより、保護膜２の成膜時の基板上のグルーブの変
形を最小にする条件でかつ高い生産性を有し成膜するこ
とができる。
【００１２】保護膜２の成膜条件は、基板に接する保護
膜のスパッタ条件をスパッタされた粒子あるいはプラズ
マ中の電子の持つエネルギーを低下させ基板上のグルー
ブの変形をさけるために、成膜パワーは極力低い方が良
い。具体的には基板に接する保護膜の成膜条件としてタ
ーゲット面積当りのスパッタリングパワーを３．１Ｗ／
ｃｍ2 以下であれば良いがＣ／Ｎの低下を十分に抑える
ためには１．５Ｗ／ｃｍ2 以下とすることが好ましい。
このパワーによる成膜膜厚は５０オングストローム以上
あればよいが、Ｃ／Ｎの低下を十分抑える為には１００
オングストローム以上が好ましい。またそれ以上の膜厚
における成膜条件は特に限定しないがタクトタイムを短
縮し生産性を向上させるためにスパッタリングレートの
高い条件が好ましい。
膜のスパッタ条件をスパッタされた粒子あるいはプラズ
マ中の電子の持つエネルギーを低下させ基板上のグルー
ブの変形をさけるために、成膜パワーは極力低い方が良
い。具体的には基板に接する保護膜の成膜条件としてタ
ーゲット面積当りのスパッタリングパワーを３．１Ｗ／
ｃｍ2 以下であれば良いがＣ／Ｎの低下を十分に抑える
ためには１．５Ｗ／ｃｍ2 以下とすることが好ましい。
このパワーによる成膜膜厚は５０オングストローム以上
あればよいが、Ｃ／Ｎの低下を十分抑える為には１００
オングストローム以上が好ましい。またそれ以上の膜厚
における成膜条件は特に限定しないがタクトタイムを短
縮し生産性を向上させるためにスパッタリングレートの
高い条件が好ましい。
【００１３】プラズマ中のガスの種類或はスパッタリン
グレートによりプラズマ中のスパッタ粒子或は電子の密
度は異なるが、水素等の電離しやすいガスがプラズマ中
に添加された場合や高スパッタレートの場合などは本発
明による成膜方法は特に効果がある。
グレートによりプラズマ中のスパッタ粒子或は電子の密
度は異なるが、水素等の電離しやすいガスがプラズマ中
に添加された場合や高スパッタレートの場合などは本発
明による成膜方法は特に効果がある。
【００１４】また保護膜２に形成されるピンホールは、
保護膜の成膜条件が変化することで途切れる為に、基板
１を通して進入する酸素，水がピンホールを通して光磁
気記録層３に到達することがなく、光磁気記録層の酸化
に起因する孔食によるビットエラーレートの増加が少な
く信頼性が向上する。
保護膜の成膜条件が変化することで途切れる為に、基板
１を通して進入する酸素，水がピンホールを通して光磁
気記録層３に到達することがなく、光磁気記録層の酸化
に起因する孔食によるビットエラーレートの増加が少な
く信頼性が向上する。
【００１５】本発明における保護膜２を形成する透明無
機物層は、無機材料であれば特に眼定はされないが、透
水性が低く、保護効果の高い珪素の酸化物、窒化物、ア
ルミニウムの酸化物、窒化物などを用いて好ましく形成
される。
機物層は、無機材料であれば特に眼定はされないが、透
水性が低く、保護効果の高い珪素の酸化物、窒化物、ア
ルミニウムの酸化物、窒化物などを用いて好ましく形成
される。
【００１６】さらに本発明に用いられる保護膜として
は、従来用いられている材料を用いることができ、保護
膜２から反射膜層５までの各層はスパッタリング法など
の通常の薄膜形成方法により形成することができる。
は、従来用いられている材料を用いることができ、保護
膜２から反射膜層５までの各層はスパッタリング法など
の通常の薄膜形成方法により形成することができる。
【００１７】
【発明の効果】上述の構造を有する本発明の光磁気記録
媒体は、基板上に保護膜を形成する際のグルーブの変形
が極めて少なく、高Ｃ／Ｎを保有し、かつ、ピンホール
による光磁気記録層の酸化、孔食が少なく、ビットエラ
ーレートの少ない高信頼性を保有する光磁気記録媒体を
提供することが可能となった。
媒体は、基板上に保護膜を形成する際のグルーブの変形
が極めて少なく、高Ｃ／Ｎを保有し、かつ、ピンホール
による光磁気記録層の酸化、孔食が少なく、ビットエラ
ーレートの少ない高信頼性を保有する光磁気記録媒体を
提供することが可能となった。
【００１８】
【案施例】以下実施例に基づき本発明を説明するが、本
発明はこれに限定されない。
発明はこれに限定されない。
【００１９】（実施例１）基板１としてポリカーボネー
ト基板を用い、光磁気記録層３として２５０オングスト
ロームの厚みのＴｂＦｅＣｏ合金膜を、保護膜４として
３００オングストロームの厚みの窒化珪素膜を、反射層
５として５００オングストロームのアルミニウム膜を各
々スパッタリング法により作成した。保護膜２は屈折率
２．０５の窒化珪素膜を２段階の成膜により作製した。
ＰＣ基板と接する１段目の成膜膜厚は１００オングスト
ロームとし、２段目の成膜膜厚を８００オングストロー
ムとした。この条件で成膜した試験ＮｏとＮｏの保
護膜２の１段目成膜パワ―の条件とＣ／Ｎの関係を表１
に示す。
ト基板を用い、光磁気記録層３として２５０オングスト
ロームの厚みのＴｂＦｅＣｏ合金膜を、保護膜４として
３００オングストロームの厚みの窒化珪素膜を、反射層
５として５００オングストロームのアルミニウム膜を各
々スパッタリング法により作成した。保護膜２は屈折率
２．０５の窒化珪素膜を２段階の成膜により作製した。
ＰＣ基板と接する１段目の成膜膜厚は１００オングスト
ロームとし、２段目の成膜膜厚を８００オングストロー
ムとした。この条件で成膜した試験ＮｏとＮｏの保
護膜２の１段目成膜パワ―の条件とＣ／Ｎの関係を表１
に示す。
【００２０】次に、得られた試験Ｎｏの保護膜を持つ
光磁気記録媒体の耐久性試験を行った。耐久性試験の条
件は温度８０℃、湿度９０％の恒温，恒湿条件とし、ビ
ットエラーレート測定装置を用いて光磁気記録媒体のビ
ットエラーレートの経時変化を測定した。その結果を図
２に示す。
光磁気記録媒体の耐久性試験を行った。耐久性試験の条
件は温度８０℃、湿度９０％の恒温，恒湿条件とし、ビ
ットエラーレート測定装置を用いて光磁気記録媒体のビ
ットエラーレートの経時変化を測定した。その結果を図
２に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】（実施例２）基板１としてポリカーボネー
ト基板を用い、光磁気記録層３として２５０オングスト
ロームの厚みのＴｂＦｅＣｏ合金膜を、保護膜層４とし
て３００オングストロームの厚みの窒化珪素膜を、反射
層５として５００オングストロームのアルミニウム膜を
各々スパッタリング法により作成した。保護膜２は屈折
率２．０５の窒化珪素膜を連続的に成膜パワーを変化さ
せ作製した。この条件で成膜した試験Ｎｏの保護膜２
の成膜パワーの条件とＣ／Ｎの関係を表ｌに示す。
ト基板を用い、光磁気記録層３として２５０オングスト
ロームの厚みのＴｂＦｅＣｏ合金膜を、保護膜層４とし
て３００オングストロームの厚みの窒化珪素膜を、反射
層５として５００オングストロームのアルミニウム膜を
各々スパッタリング法により作成した。保護膜２は屈折
率２．０５の窒化珪素膜を連続的に成膜パワーを変化さ
せ作製した。この条件で成膜した試験Ｎｏの保護膜２
の成膜パワーの条件とＣ／Ｎの関係を表ｌに示す。
【００２３】次に実施例１と同様の方法により、得られ
た試験Ｎｏの保護膜を持つ光磁気記録媒体の耐久性試
験を行つた。その結果を図２に示す。
た試験Ｎｏの保護膜を持つ光磁気記録媒体の耐久性試
験を行つた。その結果を図２に示す。
【００２４】（比較例）基板と光磁気記録膜との間の保
護膜２を、成膜パワー，成膜圧力を連続的或は段階的に
変化させることなく、タ−ゲット面積当りの成膜パワー
を９．２５Ｗ／ｃｍ2 で一定（試験Ｎｏ）、それ以外
は実施例ｌと同様の方法によって光磁気記録媒体を作成
した。この光磁気記録媒体のＣ／Ｎを表１に示す。
護膜２を、成膜パワー，成膜圧力を連続的或は段階的に
変化させることなく、タ−ゲット面積当りの成膜パワー
を９．２５Ｗ／ｃｍ2 で一定（試験Ｎｏ）、それ以外
は実施例ｌと同様の方法によって光磁気記録媒体を作成
した。この光磁気記録媒体のＣ／Ｎを表１に示す。
【００２５】次に実施例１と同様の方法により、得られ
た光磁気記録媒体の耐久性試験を行った。その結果を図
２に示す。
た光磁気記録媒体の耐久性試験を行った。その結果を図
２に示す。
【００２６】以上の実施例１，２及び比較例の対比か
ら、本発明方法によって製造された光磁気記録媒体は高
Ｃ／Ｎを保有し、また耐久性試験の結果によって耐久性
に優れていることが確認された。
ら、本発明方法によって製造された光磁気記録媒体は高
Ｃ／Ｎを保有し、また耐久性試験の結果によって耐久性
に優れていることが確認された。
【図１】本発明方法が適用される光磁気記録媒体の部分
断面図。
断面図。
【図２】実施例１、実施例２及び比較例で得られた光磁
気記録媒体の耐久性試験の結果を示す図。
気記録媒体の耐久性試験の結果を示す図。
ｌ：基板、２：保護膜層、３：光磁気磁性層、４：保護
膜層、５：反射膜層
膜層、５：反射膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高城 信二 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電ア ネルバ株式会社内 (72)発明者 桜井 武広 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電ア ネルバ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタリング法により成膜した保護膜
を介して基板上に光磁気記録層を積層する光磁気記録媒
体において、前記保護膜を基板上に成膜するに際し、成
膜パワーを、無段階に又は段階的に増大変化させること
を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、少なくとも成膜パワ
ーを無段階に又は段階的に変化させると共に、基板に接
する領域の保護膜の成膜パワーを、ターゲット面積当り
３．１Ｗ／ｃｍ2 以下とすることを特徴とする光磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29144092A JPH06139638A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29144092A JPH06139638A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139638A true JPH06139638A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17768897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29144092A Pending JPH06139638A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06139638A (ja) |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29144092A patent/JPH06139638A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06139638A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2955112B2 (ja) | 光磁気記憶媒体 | |
| JPH01173455A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5091267A (en) | Magneto-optical recording medium and process for production of the same | |
| JPS62279542A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01173454A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2559432B2 (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH06111403A (ja) | 遷移金属／貴金属人工格子多層膜記録媒体の成膜方法 | |
| KR100304864B1 (ko) | 광기록 매체의 제조 방법 | |
| JPH04263143A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01173453A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02128346A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP2583255B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60197967A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH0476841A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH09128828A (ja) | 光磁気記録素子 | |
| JPH01243256A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0773522A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0917054A (ja) | 光磁気記録素子 | |
| JPS63167450A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07182711A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01138639A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02254647A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03286438A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06231498A (ja) | 光磁気記録媒体 |