JPH0613708A - 半導体レーザ集積回路用給電システム - Google Patents
半導体レーザ集積回路用給電システムInfo
- Publication number
- JPH0613708A JPH0613708A JP4330513A JP33051392A JPH0613708A JP H0613708 A JPH0613708 A JP H0613708A JP 4330513 A JP4330513 A JP 4330513A JP 33051392 A JP33051392 A JP 33051392A JP H0613708 A JPH0613708 A JP H0613708A
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- Japan
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- laser
- comb
- metallized
- integrated circuit
- layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 列を成すレーザの総てに均等に電流を分配す
る給電システムを提供する。 【構成】 電流分配が２個の櫛形金属化膜によって行な
われ、これらの金属化膜の櫛歯部（４２、４３）はレー
ザ発光帯（１８）間に該発光帯に平行に挟まれている。
第一の櫛形金属化膜の櫛歯部（４２）の先端に位置する
金属化領域（４４）は凹部（４８）の底部に付着してお
り、第二の櫛形金属化膜の櫛歯部（４３）の先端に位置
する金属化領域（４５）はレーザ列（３０）の上面上に
配置されている。
る給電システムを提供する。 【構成】 電流分配が２個の櫛形金属化膜によって行な
われ、これらの金属化膜の櫛歯部（４２、４３）はレー
ザ発光帯（１８）間に該発光帯に平行に挟まれている。
第一の櫛形金属化膜の櫛歯部（４２）の先端に位置する
金属化領域（４４）は凹部（４８）の底部に付着してお
り、第二の櫛形金属化膜の櫛歯部（４３）の先端に位置
する金属化領域（４５）はレーザ列（３０）の上面上に
配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ列と反射鏡スト
リップとが交互に配置された半導体レーザ集積回路に係
わる。このアセンブリは、集積回路の主要面に垂直なレ
ーザビームを発生する。本発明は特に、上記レーザ列の
各レーザに電力を分配するシステムに係わる。
リップとが交互に配置された半導体レーザ集積回路に係
わる。このアセンブリは、集積回路の主要面に垂直なレ
ーザビームを発生する。本発明は特に、上記レーザ列の
各レーザに電力を分配するシステムに係わる。
【０００２】本発明は、レーザ集積回路に電力を分配す
るシステムの製造方法にも係わる。
るシステムの製造方法にも係わる。
【０００３】
【従来の技術】半導体レーザ集積回路は、例えば１９８
８年１１月１５日付のフランス特許出願第８８ １４７
９９号から当業者に公知であり、本明細書の添付図面の
図１は前記特許出願から参照符号を変えずに引用した斜
視図である。
８年１１月１５日付のフランス特許出願第８８ １４７
９９号から当業者に公知であり、本明細書の添付図面の
図１は前記特許出願から参照符号を変えずに引用した斜
視図である。
【０００４】図１において、半導体レーザ集積回路はＩ
ＩＩ−Ｖ族材料から成る基板２７を含む。説明の簡略化
のため、基板２７は半絶縁性のＧａＡｓから成るものと
する。基板２７には機械加工によって、平行ストリップ
の形態の反射鏡２８が形成されており、反射鏡２８の横
断面は両脚が４５°傾斜した台形か、または半円形であ
る。反射鏡ストリップ２８の少なくとも側面２９が金属
化されて、鏡面が４５°傾斜しているかまたは半円筒状
である反射鏡と導電体との両方として機能する。
ＩＩ−Ｖ族材料から成る基板２７を含む。説明の簡略化
のため、基板２７は半絶縁性のＧａＡｓから成るものと
する。基板２７には機械加工によって、平行ストリップ
の形態の反射鏡２８が形成されており、反射鏡２８の横
断面は両脚が４５°傾斜した台形か、または半円形であ
る。反射鏡ストリップ２８の少なくとも側面２９が金属
化されて、鏡面が４５°傾斜しているかまたは半円筒状
である反射鏡と導電体との両方として機能する。
【０００５】反射鏡ストリップ２８同士の間に半導体レ
ーザ列３０が配置されている。各列３０は幾つかのエピ
タキシャル半導体材料層から成り、これらの層には一括
して参照符号１６が付してある。層１６に、レーザ列３
０の中心軸に垂直に伸長する一連の平行溝１７がイオン
エッチングによって形成されている。溝１７は、対を成
す２本ずつが個々のレーザの発光帯１８を規定する。
ーザ列３０が配置されている。各列３０は幾つかのエピ
タキシャル半導体材料層から成り、これらの層には一括
して参照符号１６が付してある。層１６に、レーザ列３
０の中心軸に垂直に伸長する一連の平行溝１７がイオン
エッチングによって形成されている。溝１７は、対を成
す２本ずつが個々のレーザの発光帯１８を規定する。
【０００６】一連のエピタキシャル層１６のうち、少な
くとも最初に付着（ｄｅｐｏｓｉｔ）した層４０はドー
ピングによって導電性とされており、この層４０は半絶
縁性基板２７の自由表面３１と反射鏡ストリップ２８の
側面２９とを被覆している。
くとも最初に付着（ｄｅｐｏｓｉｔ）した層４０はドー
ピングによって導電性とされており、この層４０は半絶
縁性基板２７の自由表面３１と反射鏡ストリップ２８の
側面２９とを被覆している。
【０００７】各レーザ列３０の自由上面上に、レーザ列
３０の全長にわたって伸長する金属化膜３２がデポジッ
トされており、各反射鏡ストリップ２８の上面上にはス
トリップ２８の全長にわたって伸長する金属化膜３３が
デポジットされている。金属化膜３２及び３３はエピタ
キシャル導電層４０と共に、個々のレーザに電流を分配
する。
３０の全長にわたって伸長する金属化膜３２がデポジッ
トされており、各反射鏡ストリップ２８の上面上にはス
トリップ２８の全長にわたって伸長する金属化膜３３が
デポジットされている。金属化膜３２及び３３はエピタ
キシャル導電層４０と共に、個々のレーザに電流を分配
する。
【０００８】集積回路がオン状態にされると、各レーザ
はその発光帯１８から一方のカット面を介してコヒーレ
ント光ビーム３５を、また他方のカット面を介してビー
ム３６を発生する。ビーム３５及び３６は反射鏡ストリ
ップ２８の金属化側面２９によって、集積回路の主要平
面に実質的に垂直な方向に反射される。従って、集積回
路はその全体で多数の平行ビーム３５−３６を発生す
る。
はその発光帯１８から一方のカット面を介してコヒーレ
ント光ビーム３５を、また他方のカット面を介してビー
ム３６を発生する。ビーム３５及び３６は反射鏡ストリ
ップ２８の金属化側面２９によって、集積回路の主要平
面に実質的に垂直な方向に反射される。従って、集積回
路はその全体で多数の平行ビーム３５−３６を発生す
る。
【０００９】図２は、図１の集積回路の部分断面図であ
る。この図は一つのレーザ列３０への電気の分配を説明
するためのものであり、材料層の細部が給電の問題に影
響することは無いので一つのレーザ列３０及び２個の反
射鏡ストリップ２８の輪郭のみを示している。
る。この図は一つのレーザ列３０への電気の分配を説明
するためのものであり、材料層の細部が給電の問題に影
響することは無いので一つのレーザ列３０及び２個の反
射鏡ストリップ２８の輪郭のみを示している。
【００１０】レーザ発光帯１８への給電は垂直方向に行
なわれる。この電流は金属化膜３２からエピタキシャル
層１６を通り、かつ基板２７の自由表面３１と反射鏡２
９の表面とを被覆する導電層４０を経て金属化膜３３へ
と流れる。電流が辿る経路は極性の与え方次第で逆にな
り得る。
なわれる。この電流は金属化膜３２からエピタキシャル
層１６を通り、かつ基板２７の自由表面３１と反射鏡２
９の表面とを被覆する導電層４０を経て金属化膜３３へ
と流れる。電流が辿る経路は極性の与え方次第で逆にな
り得る。
【００１１】しかし、レーザ列３０に沿った電流の分配
について考察する時、金属化膜３２がレーザ列３０の中
心軸に平行、即ち発光帯１８の中心軸に垂直であること
が分かる。理論上、電流は全てのレーザに同様に分配さ
れ、従って各レーザに付与される条件は同等のはずであ
るが、実際には給電端子から遠いレーザほど受け取る電
力が小さくなるので発光が減少する。電源インピーダン
スがどのようなものであろうと、金属化膜３２は薄いの
で抵抗が大きい。金属化膜３２の幅または厚みを増大さ
せることによってその抵抗を小さくすることはマイクロ
エレクトロニクスにおける集積のスケールからして不可
能である。従って、一つの列を構成する１０〜３０個の
レーザが総て同様に給電されることはない。
について考察する時、金属化膜３２がレーザ列３０の中
心軸に平行、即ち発光帯１８の中心軸に垂直であること
が分かる。理論上、電流は全てのレーザに同様に分配さ
れ、従って各レーザに付与される条件は同等のはずであ
るが、実際には給電端子から遠いレーザほど受け取る電
力が小さくなるので発光が減少する。電源インピーダン
スがどのようなものであろうと、金属化膜３２は薄いの
で抵抗が大きい。金属化膜３２の幅または厚みを増大さ
せることによってその抵抗を小さくすることはマイクロ
エレクトロニクスにおける集積のスケールからして不可
能である。従って、一つの列を構成する１０〜３０個の
レーザが総て同様に給電されることはない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、先に言及し
たフランス特許出願に述べられているような半導体レー
ザ集積回路のレーザ列のレーザへの給電を改良すること
を目的とする。
たフランス特許出願に述べられているような半導体レー
ザ集積回路のレーザ列のレーザへの給電を改良すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の給電システムに
よれば、分配される電流は第一の櫛形金属化ストリップ
を介してレーザに供給され、その際櫛形ストリップの
“櫛歯”の部分はレーザ列の中心軸に対して垂直に、従
って発光帯に対しては平行に配置される。レーザを流れ
る電流は、第一の櫛形金属化ストリップと同様の向きに
配置された第二の櫛形金属化ストリップを介してレーザ
から回収される。電流が個々のレーザを垂直方向に流れ
ることを保証するべく、２個の櫛形金属化ストリップの
うちの一方が低いレベルに配置される。即ち、当該櫛形
ストリップの櫛歯部の先端領域はレーザ列のエピタキシ
ャル層に設けられた凹部内に位置する。
よれば、分配される電流は第一の櫛形金属化ストリップ
を介してレーザに供給され、その際櫛形ストリップの
“櫛歯”の部分はレーザ列の中心軸に対して垂直に、従
って発光帯に対しては平行に配置される。レーザを流れ
る電流は、第一の櫛形金属化ストリップと同様の向きに
配置された第二の櫛形金属化ストリップを介してレーザ
から回収される。電流が個々のレーザを垂直方向に流れ
ることを保証するべく、２個の櫛形金属化ストリップの
うちの一方が低いレベルに配置される。即ち、当該櫛形
ストリップの櫛歯部の先端領域はレーザ列のエピタキシ
ャル層に設けられた凹部内に位置する。
【００１４】本発明は特に、レーザ列のレーザ発光帯の
中心軸に対して垂直な２個の反射鏡ストリップ間に配置
されたレーザ列を一つ以上含む半導体レーザ集積回路の
ための給電システムであって、レーザへの電流分配がレ
ーザ列の各側方に位置する反射鏡ストリップ上に付着し
た２個の櫛形金属化ストリップによって行なわれ、少な
くとも第一の櫛形ストリップの櫛歯部はレーザ発光帯間
に挟まれており、該櫛歯部各々の先端はレーザ発光帯の
中心軸に対して平行な金属化ストリップとなっているシ
ステムを提供する。
中心軸に対して垂直な２個の反射鏡ストリップ間に配置
されたレーザ列を一つ以上含む半導体レーザ集積回路の
ための給電システムであって、レーザへの電流分配がレ
ーザ列の各側方に位置する反射鏡ストリップ上に付着し
た２個の櫛形金属化ストリップによって行なわれ、少な
くとも第一の櫛形ストリップの櫛歯部はレーザ発光帯間
に挟まれており、該櫛歯部各々の先端はレーザ発光帯の
中心軸に対して平行な金属化ストリップとなっているシ
ステムを提供する。
【００１５】
【実施例】添付図面を参照して説明する以下の実施例に
よって、本発明はより良く理解され、また本発明の上記
以外の利点も明らかとなるであろう。
よって、本発明はより良く理解され、また本発明の上記
以外の利点も明らかとなるであろう。
【００１６】本発明は、先に述べ、かつ図１及び図２に
示したような半導体レーザ集積回路に適用される。しか
し本発明では、所与のレーザ列のレーザへの電流分配を
改善するべく金属化膜を改良し、そのために発光帯間の
エピタキシャル層に凹部を形成することが必要となる。
示したような半導体レーザ集積回路に適用される。しか
し本発明では、所与のレーザ列のレーザへの電流分配を
改善するべく金属化膜を改良し、そのために発光帯間の
エピタキシャル層に凹部を形成することが必要となる。
【００１７】図３は、レーザ列に電流を分配する本発明
の給電システムの部分平面図である。比較しやすいよう
に、この図には図２に示したものと同様の部分を同じス
ケールで示してある。くわえて、参照符号も同じ構成要
素を示すものはそのまま用いてある。
の給電システムの部分平面図である。比較しやすいよう
に、この図には図２に示したものと同様の部分を同じス
ケールで示してある。くわえて、参照符号も同じ構成要
素を示すものはそのまま用いてある。
【００１８】図３に示した給電システムは、第一の反射
鏡ストリップ２８ａを電流供給バスとして用い、第二の
反射鏡ストリップ２８ｂを電流回収バスとして用いる。
２個のストリップ２８ａ及び２８ｂ、従って２個のバス
は、それらの間に有るレーザ列３０の中心軸に平行であ
る。ただ一つのレーザ列しか存在しない場合の２個の反
射鏡ストリップは、また、集積回路が複数のレーザ列を
有する場合であれば各レーザ列の両側に位置する２個の
反射鏡ストリップはいずれも、従来技術による金属化膜
３３とは異なり、抵抗の増大を伴わずに大電流を流すこ
とができる櫛形金属化膜の形態の導電バス４１を含む。
鏡ストリップ２８ａを電流供給バスとして用い、第二の
反射鏡ストリップ２８ｂを電流回収バスとして用いる。
２個のストリップ２８ａ及び２８ｂ、従って２個のバス
は、それらの間に有るレーザ列３０の中心軸に平行であ
る。ただ一つのレーザ列しか存在しない場合の２個の反
射鏡ストリップは、また、集積回路が複数のレーザ列を
有する場合であれば各レーザ列の両側に位置する２個の
反射鏡ストリップはいずれも、従来技術による金属化膜
３３とは異なり、抵抗の増大を伴わずに大電流を流すこ
とができる櫛形金属化膜の形態の導電バス４１を含む。
【００１９】第一の導電バス４１ａが有する一連の導電
性突出部、即ち第一の導電性“櫛歯部”４２は反射面２
９及び自由表面３１上に配置されており、これらの櫛歯
部４２はレーザ列３０の中心軸に垂直、従って発光帯１
８に平行である。櫛形電流供給バス４１ａの導電性櫛歯
部４２は個々のレーザ間に接続し、電流が均等に分配さ
れるように所与のレーザ列の複数のレーザに配分されて
いる。
性突出部、即ち第一の導電性“櫛歯部”４２は反射面２
９及び自由表面３１上に配置されており、これらの櫛歯
部４２はレーザ列３０の中心軸に垂直、従って発光帯１
８に平行である。櫛形電流供給バス４１ａの導電性櫛歯
部４２は個々のレーザ間に接続し、電流が均等に分配さ
れるように所与のレーザ列の複数のレーザに配分されて
いる。
【００２０】ストリップ２８ｂ上に配置された第二の導
電バス４１ｂも一連の導電性突出部、即ち第二の導電性
櫛歯部４３を有し、このバス４１ｂは櫛形電流回収バス
として機能する。櫛形導電バス４１ａ（電流供給用）と
４１ｂ（電流回収用）とは同じレーザ列の各側方に面し
ており、それらの櫛歯部４２と４３とは実質的に一線上
にある。所与のレーザ列３０の位置において、櫛形電流
供給バス４１ａの櫛歯部４２の先端が金属化領域４４と
なっており、櫛形電流回収バス４１ｂの櫛歯部４３の先
端は金属化領域４５となっている。従って、電流は、図
３に２群の矢印４６及び４７によって示したようにレー
ザ発光帯１８に平行な第一の櫛形バス４１ａから発して
第二の櫛形バス４１ｂに至る複数の経路を辿る。
電バス４１ｂも一連の導電性突出部、即ち第二の導電性
櫛歯部４３を有し、このバス４１ｂは櫛形電流回収バス
として機能する。櫛形導電バス４１ａ（電流供給用）と
４１ｂ（電流回収用）とは同じレーザ列の各側方に面し
ており、それらの櫛歯部４２と４３とは実質的に一線上
にある。所与のレーザ列３０の位置において、櫛形電流
供給バス４１ａの櫛歯部４２の先端が金属化領域４４と
なっており、櫛形電流回収バス４１ｂの櫛歯部４３の先
端は金属化領域４５となっている。従って、電流は、図
３に２群の矢印４６及び４７によって示したようにレー
ザ発光帯１８に平行な第一の櫛形バス４１ａから発して
第二の櫛形バス４１ｂに至る複数の経路を辿る。
【００２１】本発明によるシステムを適用した半導体レ
ーザ集積回路の部分斜視図である図４に、レーザ列３０
の半導体層１６を流れる電流の経路を示す。
ーザ集積回路の部分斜視図である図４に、レーザ列３０
の半導体層１６を流れる電流の経路を示す。
【００２２】レーザが作動し、光ビームを発生するため
には、レーザを構成する様々な半導体層を電流が垂直方
向に流れなければならない。電流を通す櫛歯部４２と金
属化領域４５を含む櫛歯部４３とが集積回路体の表面に
あるので、櫛歯部４２先端の各金属化領域４４は、ドー
ピングを施された導電層４０に達する深さまで層１６を
エッチングして形成された凹部４８の底部に付着され
る。図５は凹部４８の断面図である。所与のレーザ列３
０において複数の凹部がエッチングにより、各凹部４
８、より正確には各凹部４８の底部に付着する金属化領
域４４が導電層４０を介して当該凹部４８の両側に位置
する複数のレーザに給電するようにレーザ発光帯１８に
対して平行に形成され位置決めされる。上記のような給
電は、金属化領域４４から発する矢印４６によって図示
してある。レーザに供給された電流は、電流を回収する
金属化領域４５が積み重ねられた半導体層１６の上面上
に付着しているので、層１６を垂直に流れる。
には、レーザを構成する様々な半導体層を電流が垂直方
向に流れなければならない。電流を通す櫛歯部４２と金
属化領域４５を含む櫛歯部４３とが集積回路体の表面に
あるので、櫛歯部４２先端の各金属化領域４４は、ドー
ピングを施された導電層４０に達する深さまで層１６を
エッチングして形成された凹部４８の底部に付着され
る。図５は凹部４８の断面図である。所与のレーザ列３
０において複数の凹部がエッチングにより、各凹部４
８、より正確には各凹部４８の底部に付着する金属化領
域４４が導電層４０を介して当該凹部４８の両側に位置
する複数のレーザに給電するようにレーザ発光帯１８に
対して平行に形成され位置決めされる。上記のような給
電は、金属化領域４４から発する矢印４６によって図示
してある。レーザに供給された電流は、電流を回収する
金属化領域４５が積み重ねられた半導体層１６の上面上
に付着しているので、層１６を垂直に流れる。
【００２３】櫛歯部４２の半導体層１６上面上に位置す
る部分と、凹部４８底部に位置する金属化領域４４との
電気的連続性を確実にするために、凹部４８の垂直側壁
４９は金属化されなければならない。同様に、レーザ列
３０上面上に位置する金属化領域４５と、櫛歯部４３の
自由表面３１上に位置する部分との間には、レーザ列３
０の垂直側面を金属化して金属化領域５０が形成され
る。二つの金属化領域４９及び５０は、絶縁しないと半
導体層１６を短絡する。従って、金属化領域４９及び５
０の形成前に少なくとも凹部４８の側面及びレーザ列３
０の側面に、例えばアルミナＡｌ2Ｏ3から成る絶縁層５
１が付着される。
る部分と、凹部４８底部に位置する金属化領域４４との
電気的連続性を確実にするために、凹部４８の垂直側壁
４９は金属化されなければならない。同様に、レーザ列
３０上面上に位置する金属化領域４５と、櫛歯部４３の
自由表面３１上に位置する部分との間には、レーザ列３
０の垂直側面を金属化して金属化領域５０が形成され
る。二つの金属化領域４９及び５０は、絶縁しないと半
導体層１６を短絡する。従って、金属化領域４９及び５
０の形成前に少なくとも凹部４８の側面及びレーザ列３
０の側面に、例えばアルミナＡｌ2Ｏ3から成る絶縁層５
１が付着される。
【００２４】凹部４８の、レーザ発光帯１８に平行な側
面に形成されたアルミナ層５１は、レーザ横方向への光
の拡散を防止するのにも有用である。
面に形成されたアルミナ層５１は、レーザ横方向への光
の拡散を防止するのにも有用である。
【００２５】本発明によるシステムを具備した集積回路
の実現には、先に述べたフランス特許出願第８８ １４
７９９号に開示された方法に比較して大きな改良は必要
でない。基板２７をエッチングして反射鏡ストリップ２
８を形成し、かつエピタキシャル層１６を成長させた
後、発光帯１８を作る前に凹部４８をエッチングによっ
て形成する。
の実現には、先に述べたフランス特許出願第８８ １４
７９９号に開示された方法に比較して大きな改良は必要
でない。基板２７をエッチングして反射鏡ストリップ２
８を形成し、かつエピタキシャル層１６を成長させた
後、発光帯１８を作る前に凹部４８をエッチングによっ
て形成する。
【００２６】レーザ列３０の上面上に位置する金属化領
域、例えば領域４５をまず付着させる。この領域は例え
ばＡｕ−Ｐｔ、Ａｕ−ＣｒまたはＡｕ−Ｐｔ−Ｔｉとい
ったｐ+材料から成る。次いで凹部４８を、好ましくは
ＧａＡｓから成る導電層４０に達する深さまでイオンエ
ッチングを行なうことにより形成する。次に、半導体層
１６を後で形成する垂直金属化領域４９から絶縁するべ
く、例えばアルミナから成る誘電体層５１を凹部４８の
垂直側面に付着させる。当然ながら、誘電体を付着させ
た後、レーザ列３０の上面上、及び凹部４８底部の導電
層４０上に付着した誘電体層はエッチングによって除去
しなければならない。
域、例えば領域４５をまず付着させる。この領域は例え
ばＡｕ−Ｐｔ、Ａｕ−ＣｒまたはＡｕ−Ｐｔ−Ｔｉとい
ったｐ+材料から成る。次いで凹部４８を、好ましくは
ＧａＡｓから成る導電層４０に達する深さまでイオンエ
ッチングを行なうことにより形成する。次に、半導体層
１６を後で形成する垂直金属化領域４９から絶縁するべ
く、例えばアルミナから成る誘電体層５１を凹部４８の
垂直側面に付着させる。当然ながら、誘電体を付着させ
た後、レーザ列３０の上面上、及び凹部４８底部の導電
層４０上に付着した誘電体層はエッチングによって除去
しなければならない。
【００２７】誘電体層の除去が済んだ導電層４０上に、
ｎ型材料から成る金属化領域、例えば４４及び４９を付
着させるが、これらの金属化領域もまた、全表面に付着
した金属膜の不要領域をエッチングによって除去して形
成する。ｎ型金属膜は、Ａｕ−ＧｅまたはＡｕ−Ｇｅ−
Ｎｉ並びにＭｏ及びＡｕから成る。
ｎ型材料から成る金属化領域、例えば４４及び４９を付
着させるが、これらの金属化領域もまた、全表面に付着
した金属膜の不要領域をエッチングによって除去して形
成する。ｎ型金属膜は、Ａｕ−ＧｅまたはＡｕ−Ｇｅ−
Ｎｉ並びにＭｏ及びＡｕから成る。
【００２８】上記以降の製造工程は、フランス特許出願
第８８ １４７９９号に開示された方法に準じる。即
ち、注入による発光帯１８の生成、エッチングでレーザ
列構造体を形成することによるレーザ面のカット、及び
電流を分配する金属膜４２及び４３の付着形成と続く。
第８８ １４７９９号に開示された方法に準じる。即
ち、注入による発光帯１８の生成、エッチングでレーザ
列構造体を形成することによるレーザ面のカット、及び
電流を分配する金属膜４２及び４３の付着形成と続く。
【００２９】ここでの説明は総て、一つのレーザ列３０
に基づいている。集積回路が複数のレーザ列を含む場
合、それらのレーザ列は互いに直列または並列に接続さ
れ得る。
に基づいている。集積回路が複数のレーザ列を含む場
合、それらのレーザ列は互いに直列または並列に接続さ
れ得る。
【図１】本発明のシステムを適用できる従来の半導体レ
ーザ集積回路の斜視図である。
ーザ集積回路の斜視図である。
【図２】半導体レーザ集積回路に用いられる従来の電気
分配システムの断面図である。
分配システムの断面図である。
【図３】半導体レーザ集積回路のレーザ列のレーザに電
気を分配する本発明システムの平面図である。
気を分配する本発明システムの平面図である。
【図４】本発明による給電システムと適合し得るように
改良された半導体レーザ集積回路の部分斜視図である。
改良された半導体レーザ集積回路の部分斜視図である。
【図５】本発明によるシステムの電気分配凹部の断面図
である。
である。
１８ レーザ発光帯 ２８ａ，２８ｂ 反射鏡ストリップ ３０ レーザ列 ４１ａ，４１ｂ 櫛形導電バス ４２，４３ 櫛歯部 ４４，４５ 金属化領域
Claims (6)
- 【請求項１】 内部のレーザ発光帯の中心軸に垂直な２
個の反射鏡ストリップ間に配置されたレーザ列を少なく
とも一つ含む半導体レーザ集積回路のための給電システ
ムであって、レーザ列の各側方に位置する、反射鏡スト
リップ上に付着した２個の金属化櫛形部によって電流が
レーザに分配され、少なくとも第一の金属化櫛形部の櫛
歯部がレーザ発光帯間に挟まれており、該櫛歯部の各歯
の先端がレーザ発光帯の中心軸に平行な金属化領域とな
っていることを特徴とする半導体レーザ集積回路用給電
システム。 - 【請求項２】 第一の金属化櫛形部の各歯の先端が、レ
ーザ列の半導体層にエッチングによって形成された凹部
の底部に付着し、かつレーザ列基板上の、導電性にドー
プされたエピタキシャル層と接触している金属化領域と
なっていることを特徴とする請求項１に記載のシステ
ム。 - 【請求項３】 第二の金属化櫛形部の各歯の先端がレー
ザ列の上面上に配置された金属化領域となっていること
を特徴とする請求項１に記載のシステム。 - 【請求項４】 各凹部の垂直側面及びレーザ列の垂直側
面がアルミナなどの誘電材料の層で被覆されていること
を特徴とする請求項２に記載のシステム。 - 【請求項５】 誘電材料の垂直層が２個の分配金属化櫛
形部の櫛歯部と異なるレベルに位置するそれらの先端領
域との電気的連続性を確実にすべく金属化されているこ
とを特徴とする請求項４に記載のシステム。 - 【請求項６】 電流が列をなしている各レーザを垂直に
流れ、該電流が第一の金属化櫛形部によって、基板と接
触している第一の導電層を介して発光帯に供給され、か
つ第二の金属化櫛形部によってレーザ列上面で回収され
ることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記
載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9115269A FR2684811B1 (fr) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | Systeme d'alimentation electrique d'un circuit integre de lasers semiconducteurs. |
| FR9115269 | 1991-12-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613708A true JPH0613708A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=9419851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4330513A Pending JPH0613708A (ja) | 1991-12-10 | 1992-12-10 | 半導体レーザ集積回路用給電システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5309470A (ja) |
| EP (1) | EP0546889B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0613708A (ja) |
| DE (1) | DE69202756T2 (ja) |
| FR (1) | FR2684811B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19838518A1 (de) * | 1998-08-25 | 2000-03-02 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung |
| US6816528B1 (en) | 1998-12-30 | 2004-11-09 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on a conducting substrate |
| DE10208463B4 (de) * | 2002-02-27 | 2012-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| US5012427A (en) * | 1988-01-30 | 1991-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same |
| US4881237A (en) * | 1988-08-26 | 1989-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays |
| FR2639150B1 (fr) * | 1988-11-15 | 1991-01-25 | Thomson Hybrides Microondes | Dispositif optoelectronique de puissance et son procede de realisation |
| US5001719A (en) * | 1989-11-21 | 1991-03-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser diode array |
| US5159603A (en) * | 1991-06-05 | 1992-10-27 | United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Quantum well, beam deflecting surface emitting lasers |
-
1991
- 1991-12-10 FR FR9115269A patent/FR2684811B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-01 DE DE69202756T patent/DE69202756T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-01 EP EP92403240A patent/EP0546889B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-10 JP JP4330513A patent/JPH0613708A/ja active Pending
- 1992-12-10 US US07/988,758 patent/US5309470A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69202756D1 (de) | 1995-07-06 |
| EP0546889A1 (fr) | 1993-06-16 |
| US5309470A (en) | 1994-05-03 |
| DE69202756T2 (de) | 1995-10-19 |
| FR2684811B1 (fr) | 1994-01-28 |
| EP0546889B1 (fr) | 1995-05-31 |
| FR2684811A1 (fr) | 1993-06-11 |
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