JPH06136568A - プラズマクリーニング方法 - Google Patents
プラズマクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH06136568A JPH06136568A JP29054492A JP29054492A JPH06136568A JP H06136568 A JPH06136568 A JP H06136568A JP 29054492 A JP29054492 A JP 29054492A JP 29054492 A JP29054492 A JP 29054492A JP H06136568 A JPH06136568 A JP H06136568A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- gas
- plasma
- deposits
- plasma cleaning
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置稼働率及び製品良品率を向上せしめるプ
ラズマクリーニング方法を提供する。 【構成】 Cl2 (200sccm) とHe(100sccm) との混合ガス
をガス導入管５を介して反応室１内へ導入し、圧力350m
Torr，Power 250 Ｗ，上部電極２，下部電極３の電極間
隔 1.1cmで高周波を印加して 300秒間クリーニングを行
う。
ラズマクリーニング方法を提供する。 【構成】 Cl2 (200sccm) とHe(100sccm) との混合ガス
をガス導入管５を介して反応室１内へ導入し、圧力350m
Torr，Power 250 Ｗ，上部電極２，下部電極３の電極間
隔 1.1cmで高周波を印加して 300秒間クリーニングを行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング処
理を行う処理容器内に付着した付着物を除去するプラズ
マクリーニング方法に関する。
理を行う処理容器内に付着した付着物を除去するプラズ
マクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマエッチング装置において、ＩＣ
等のデバイスを加工する場合、不良率を上昇させる最大
の要因はパーティクルによるコンタミネーションであ
る。また近年のＩＣの微細化に伴い、コンタミネーショ
ンによる影響は益々大きくなる傾向がある。このコンタ
ミネーションを防止するために、装置の稼働を停止し、
処理容器内を有機溶剤により洗浄（以下ウェットクリー
ニングという）する方法があるが、このウェットクリー
ニングは非稼働状態にて行うため、頻繁に行うと量産性
低下につながる。そこで製品の不良率及び非稼働時間を
増大させずに、低コストでプラズマエッチング装置の良
好な使用状態を維持する方法が盛んに研究されている。
等のデバイスを加工する場合、不良率を上昇させる最大
の要因はパーティクルによるコンタミネーションであ
る。また近年のＩＣの微細化に伴い、コンタミネーショ
ンによる影響は益々大きくなる傾向がある。このコンタ
ミネーションを防止するために、装置の稼働を停止し、
処理容器内を有機溶剤により洗浄（以下ウェットクリー
ニングという）する方法があるが、このウェットクリー
ニングは非稼働状態にて行うため、頻繁に行うと量産性
低下につながる。そこで製品の不良率及び非稼働時間を
増大させずに、低コストでプラズマエッチング装置の良
好な使用状態を維持する方法が盛んに研究されている。
【０００３】そこでパーティクルについては一定の管理
値を設け、この管理値以下にパーティクル数を低減する
ために、稼働状態にて行えるプラズマクリーニングを定
期的に行い、非稼働状態にて行うウェットクリーニング
の回数を削減する方法が採られている。このプラズマク
リーニングは、プラズマエッチング終了後、プラズマク
リーニング用のガスを処理容器内へ導入し、電極間に高
周波電圧を印加して行うものである。従来、ＨBrガスを
プロセスガスとして用い、ポリシリコン，タングステン
ポリサイド等の膜をエッチングしている場合のプラズマ
クリーニング用ガスとしてはＯ2 ，ＳＦ6 ，He等のガス
を用いていた。Ｏ2 ガスは単一で使用する場合は付着物
を離脱させる目的で使用しており、ＳＦ6 ガスについて
はSi生成物を除去する目的で使用している。またHeガス
はこれらのガスと併用して用いプラズマ安定を目的とし
ている。
値を設け、この管理値以下にパーティクル数を低減する
ために、稼働状態にて行えるプラズマクリーニングを定
期的に行い、非稼働状態にて行うウェットクリーニング
の回数を削減する方法が採られている。このプラズマク
リーニングは、プラズマエッチング終了後、プラズマク
リーニング用のガスを処理容器内へ導入し、電極間に高
周波電圧を印加して行うものである。従来、ＨBrガスを
プロセスガスとして用い、ポリシリコン，タングステン
ポリサイド等の膜をエッチングしている場合のプラズマ
クリーニング用ガスとしてはＯ2 ，ＳＦ6 ，He等のガス
を用いていた。Ｏ2 ガスは単一で使用する場合は付着物
を離脱させる目的で使用しており、ＳＦ6 ガスについて
はSi生成物を除去する目的で使用している。またHeガス
はこれらのガスと併用して用いプラズマ安定を目的とし
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ガスでは充分なパーティクル低減効果は得られず、前述
のウェットクリーニング回数は依然として多かった。本
発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、Cl2
とHeとの混合ガスを使用することにより、充分なパーテ
ィクル低減効果が得られるプラズマクリーニング方法を
提供することを目的とする。
ガスでは充分なパーティクル低減効果は得られず、前述
のウェットクリーニング回数は依然として多かった。本
発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、Cl2
とHeとの混合ガスを使用することにより、充分なパーテ
ィクル低減効果が得られるプラズマクリーニング方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマク
リーニング方法は、プラズマエッチング処理を行う処理
容器へ、処理終了後、クリーニング用のガスを導入し、
高周波を印加して処理容器内に付着した付着物を除去す
る方法において、前記クリーニング用のガスとしてCl2
とHeとの混合ガスを前記処理容器へ導入することを特徴
とする。
リーニング方法は、プラズマエッチング処理を行う処理
容器へ、処理終了後、クリーニング用のガスを導入し、
高周波を印加して処理容器内に付着した付着物を除去す
る方法において、前記クリーニング用のガスとしてCl2
とHeとの混合ガスを前記処理容器へ導入することを特徴
とする。
【０００６】
【作用】本発明にあっては、Cl2 とHeとの混合ガスをプ
ラズマクリーニング用ガスとして使用することにより、
ウェットクリーニングを行う回数を大幅に削減すること
が可能となる。
ラズマクリーニング用ガスとして使用することにより、
ウェットクリーニングを行う回数を大幅に削減すること
が可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて説明する。図１は本発明方法の実施に使用する、プ
ラズマエッチング装置を示す模式的断面図である。図中
１は、処理容器である反応室であり、反応室１内には、
高周波電源（図示せず）に接続された平行平板型の上部
電極２，下部電極３が設置されている。この上部電極２
にはその厚み方向に後述するガスを通過させるための複
数の孔が開設されており、また下部電極３はその上にウ
エハＷを固定するようになしてある。また反応室１上壁
にはプロセスガスを導入するためのガス導入管4a, 4b及
びクリーニング用のガスを導入するためのガス導入管５
が配設されている。さらに反応室１底部には圧力を調節
するための排気管６が配設されている。
いて説明する。図１は本発明方法の実施に使用する、プ
ラズマエッチング装置を示す模式的断面図である。図中
１は、処理容器である反応室であり、反応室１内には、
高周波電源（図示せず）に接続された平行平板型の上部
電極２，下部電極３が設置されている。この上部電極２
にはその厚み方向に後述するガスを通過させるための複
数の孔が開設されており、また下部電極３はその上にウ
エハＷを固定するようになしてある。また反応室１上壁
にはプロセスガスを導入するためのガス導入管4a, 4b及
びクリーニング用のガスを導入するためのガス導入管５
が配設されている。さらに反応室１底部には圧力を調節
するための排気管６が配設されている。
【０００８】以上の如き構成のプラズマエッチング装置
において、エッチングを行う場合はガス導入管4a, 4bよ
りプロセスガスを導入する。そうするとこのプロセスガ
スは上部電極２の孔を通過し、上部電極２，下部電極３
間に充満する。そして上部電極２，下部電極３間に高周
波電圧を印加してエッチングを行う。またクリーニング
を行う場合はガス導入管５よりクリーニング用ガスを導
入する。そうするとこのクリーニング用ガスは上部電極
２の孔を通過し、上部電極２，下部電極３間に充満す
る。そして上部電極２，下部電極３間に高周波電圧を印
加してクリーニングを行う。
において、エッチングを行う場合はガス導入管4a, 4bよ
りプロセスガスを導入する。そうするとこのプロセスガ
スは上部電極２の孔を通過し、上部電極２，下部電極３
間に充満する。そして上部電極２，下部電極３間に高周
波電圧を印加してエッチングを行う。またクリーニング
を行う場合はガス導入管５よりクリーニング用ガスを導
入する。そうするとこのクリーニング用ガスは上部電極
２の孔を通過し、上部電極２，下部電極３間に充満す
る。そして上部電極２，下部電極３間に高周波電圧を印
加してクリーニングを行う。
【０００９】上述の如きプラズマエッチング装置におい
て、タングステン・ポリサイドをエッチングした処理容
器内を従来方法と本発明方法とによってクリーニングを
行った。処理容器内の初期状態は有機溶剤によるウェッ
トクリーニングを行い、 0.3μm 以上のパーティクル数
を10個以下とする。被エッチング材は絶縁膜上にポリシ
リコン，タングステン・ポリサイドが形成され、さらに
フォトレジストによりレジストパターンが形成された６
インチウエハである。エッチング条件は以下のとおりで
ある。 プロセスガス Ｈｅ ： １００ sccm ＳＦ6 ： １００ sccm ＨＢｒ： １００ sccm 圧力 ： ３５０ mTorr Power ： ２５０ Ｗ
て、タングステン・ポリサイドをエッチングした処理容
器内を従来方法と本発明方法とによってクリーニングを
行った。処理容器内の初期状態は有機溶剤によるウェッ
トクリーニングを行い、 0.3μm 以上のパーティクル数
を10個以下とする。被エッチング材は絶縁膜上にポリシ
リコン，タングステン・ポリサイドが形成され、さらに
フォトレジストによりレジストパターンが形成された６
インチウエハである。エッチング条件は以下のとおりで
ある。 プロセスガス Ｈｅ ： １００ sccm ＳＦ6 ： １００ sccm ＨＢｒ： １００ sccm 圧力 ： ３５０ mTorr Power ： ２５０ Ｗ
【００１０】そして50枚を１ロットとし、１ロットのウ
エハをエッチングする都度、電極上にSiＯ2 ウエハを置
いてプラズマクリーニングを行い、ある所定箇所のパー
ティクル数のチェックを行う。従来方法におけるプラズ
マクリーニング条件は以下のとおりである。 プラズマクリーニング用ガス Ｈｅ ： １００ sccm ＳＦ6 ： ５０ sccm Ｏ2 ： １０ sccm 圧力 ： ２５０ mTorr Power ： ２５０ Ｗ 時間 ： ３００ sec.
エハをエッチングする都度、電極上にSiＯ2 ウエハを置
いてプラズマクリーニングを行い、ある所定箇所のパー
ティクル数のチェックを行う。従来方法におけるプラズ
マクリーニング条件は以下のとおりである。 プラズマクリーニング用ガス Ｈｅ ： １００ sccm ＳＦ6 ： ５０ sccm Ｏ2 ： １０ sccm 圧力 ： ２５０ mTorr Power ： ２５０ Ｗ 時間 ： ３００ sec.
【００１１】本発明方法におけるプラズマクリーニング
条件は以下のとおりである。 プラズマクリーニング用ガス Ｈｅ ： １００ sccm Ｃｌ2 ： ２００ sccm 圧力 ： ３５０ mTorr Power ： ２５０ Ｗ 時間 ： ３００ sec.
条件は以下のとおりである。 プラズマクリーニング用ガス Ｈｅ ： １００ sccm Ｃｌ2 ： ２００ sccm 圧力 ： ３５０ mTorr Power ： ２５０ Ｗ 時間 ： ３００ sec.
【００１２】図２は従来方法により１ロット毎にクリー
ニングを行い、測定したパーティクル数を表すグラフで
あり、図３は本発明方法により１ロット毎にクリーニン
グを行い、測定したパーティクル数を表すグラフであ
る。図２，図３より明らかな如く、規定パーティクル数
を50個とすると、従来方法では10ロット位から規定数を
越え始め、処理が40ロットを越えるとほとんど毎回規定
数を越えるような状態である。これに比べ本発明方法で
は60ロットを越えても規定数を越えることはほとんどな
かった。
ニングを行い、測定したパーティクル数を表すグラフで
あり、図３は本発明方法により１ロット毎にクリーニン
グを行い、測定したパーティクル数を表すグラフであ
る。図２，図３より明らかな如く、規定パーティクル数
を50個とすると、従来方法では10ロット位から規定数を
越え始め、処理が40ロットを越えるとほとんど毎回規定
数を越えるような状態である。これに比べ本発明方法で
は60ロットを越えても規定数を越えることはほとんどな
かった。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るプラズマク
リーニング方法は、Cl2 とHeとの混合ガスをプラズマク
リーニング用ガスとして使用することにより、ウェット
クリーニングを行う回数を大幅に削減することが可能と
なる等、本発明は優れた効果を奏する。
リーニング方法は、Cl2 とHeとの混合ガスをプラズマク
リーニング用ガスとして使用することにより、ウェット
クリーニングを行う回数を大幅に削減することが可能と
なる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明方法の実施に使用するプラズマエッチン
グ装置を示す模式的断面図である。
グ装置を示す模式的断面図である。
【図２】従来方法によるプラズマクリーニング後のパー
ティクル数を表すグラフである。
ティクル数を表すグラフである。
【図３】本発明方法によるプラズマクリーニング後のパ
ーティクル数を表すグラフである。
ーティクル数を表すグラフである。
１ 反応室 ２ 上部電極 ３ 下部電極 4a, 4b，５ ガス導入管 ６ 排気管
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマエッチング処理を行う処理容器
へ、処理終了後、クリーニング用のガスを導入し、高周
波を印加して処理容器内に付着した付着物を除去する方
法において、前記クリーニング用のガスとしてCl2 とHe
との混合ガスを前記処理容器へ導入することを特徴とす
るプラズマクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29054492A JPH06136568A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29054492A JPH06136568A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06136568A true JPH06136568A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17757404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29054492A Pending JPH06136568A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06136568A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4856549A (en) * | 1988-02-22 | 1989-08-15 | Diesel Kiki Co., Ltd. | Shuttle valve device |
| US5868853A (en) * | 1997-06-18 | 1999-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Integrated film etching/chamber cleaning process |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29054492A patent/JPH06136568A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4856549A (en) * | 1988-02-22 | 1989-08-15 | Diesel Kiki Co., Ltd. | Shuttle valve device |
| US5868853A (en) * | 1997-06-18 | 1999-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Integrated film etching/chamber cleaning process |
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