JPH06136018A - プロピレンのブロック共重合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 耐衝撃性と剛性のバランスに優れたプロピレ
ンブロック共重合体を製造する方法を提供する。 【構成】 下記１）〜３）からなる重合触媒を用いて、
プロピレンの重合工程ａ）及びプロピレンとエチレンの
共重合工程ｂ）を行なうプロピレンのブロック共重合体
の製造方法。 １）Ｍｇ，Ｔｉ，ハロゲン及び電子供与性化合物を必須
とする固体触媒成分、２）有機金属化合物及び３） 〔Ｒ¹ は炭化水素基、Ｒ² はＲ¹ 又はＯＲ⁴ 、Ｒ³ はメ
チル又はエチル、ｘは１又は２、ｙは０又は１、ｚは２
又は３〕の有機珪素化合物、（例えば（ｉ−ＰｒＯ）₂
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプロピレンブロック共重
合体の製造方法に関し、詳しくは、耐衝撃性と剛性のバ
ランスに優れたプロピレンブロック共重合体を製造する
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】さまざまな種類の高立体規則性触媒を用
いて製造される高結晶性ポリプロピレンは、剛性や耐熱
性に優れていることから、近年需要が急増している。し
かしながら、これらの性質も、使用目的によっては未だ
不十分であり、剛性を改良する方法が種々提案されてい
るが、それらの多くはポリプロピレンに核剤等を添加す
るなどの後処理を施す方法である。従って、プロセス面
のコスト高である上、添加剤によっては成形品の外観を
損うものもある。添加剤による処理なしで、重合方法に
より剛性を改良する方法も提案されているが、いずれも
剛性は不十分である。

【０００３】さらに、ポリプロピレンは本来、耐衝撃強
度が低いという欠点を有するため、エチレンなど他のオ
レフィンと共重合することによって耐衝撃性を改良する
方法が広く行われている。この方法により耐衝撃性は向
上するが、それに伴って剛性が低下する。そこでプロピ
レンの他のオレフィンの重合比を変えながら段階的に重
合する方法、すなわち多段重合を行うことにより、共重
合体の剛性と耐衝撃性の物性パランスを改良する方法が
種々提案されている。しかし、これらの方法によって
も、十分にすぐれた物性バランスは得られない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、より効果的
に、耐衝撃性と剛性のバランスに優れたプロピレンブロ
ック共重合体を製造する方法を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を行った結果、特定の有機硅素化合物を必須成分とする
重合触媒を用いて共重合することにより、本発明の目的
を達成し得ることを見出し、本発明を完成した。

【０００６】発明の要旨 すなわち、本発明の要旨は、（Ａ）マグネシウム，チタ
ン，ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とする固
体触媒成分、（Ｂ）有機金属化合物及び（Ｃ）一般式

【化２】 〔但し、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基、Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
は脂環式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏ、Ｒ³ はメチル基若しく
はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
１、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ⁴ はＲ¹ と
同意義である。〕の有機珪素化合物とからなる重合触媒
の存在下、（１）プロピレンを重合して高結晶性ポリプ
ロピレンを製造する工程（ａ）及び（２）プロピレンと
エチレンを共重合する工程（ｂ）からなるプロピレンの
ブロック共重合体の製造方法にある。

【０００７】固体触媒成分 本発明で用いられる触媒（以下本発明の触媒という）の
一成分である固体触媒成分（以下、成分Ａという）は、
マグネシウム，チタン，ハロゲン及び電子供与性化合物
を必須成分とするが、このような成分は通常マグネシウ
ム化合物、チタン化合物及び電子供与性化合物、更に前
記各化合物がハロゲンを有しない化合物の場合は、ハロ
ゲン含有化合物を、それぞれ接触することにより調製さ
れる。

【０００８】（１）マグネシウム化合物 マグネシウム化合物は、一般式ＭｇＲ¹ Ｒ² で表わされ
る。式において、Ｒ¹及びＲ² は同一か異なる炭化水素
基、ＯＲ基（Ｒは炭化水素基）、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、Ｒ¹ 及びＲ² の炭化水素基としては、炭
素数１〜２０個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、ＯＲ基としては、Ｒが炭素
数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。

【０００９】それら化合物の具体例を下記に示すが、化
学式において、Ｍｅ：メチル、Ｅｔ：エチル、Ｐｒ :プ
ロピル、Ｂｕ：ブチル、Ｈｅ：ヘキシル、Ｏｃｔ：オク
チル、Ｐｈ：フェニル、ｃｙＨｅ：シクロヘキシルをそ
れぞれ示す。ＭｇＭｅ₂ ，ＭｇＥｔ₂ , Ｍｇｉ−Ｐ
ｒ₂ , ＭｇＢｕ₂ ，ＭｇＨｅ₂ ，ＭｇＯｃｔ₂ ，ＭｇＥ
ｔＢｕ，ＭｇＰｈ₂ ，ＭｇｃｙＨｅ₂ ，Ｍｇ（ＯＭｅ）
₂ ，Ｍｇ（ＯＥｔ）₂ ，Ｍｇ（ＯＢｕ）₂ ，Ｍｇ（ＯＨ
ｅ）₂ ，Ｍｇ（ＯＯｃｔ）₂ ，Ｍｇ（ＯＰｈ）₂ ，Ｍｇ
（ＯｃｙＨｅ）₂ , ＥｔＭｇＣｌ，ＢｕＭｇＣｌ，Ｈｅ
ＭｇＣｌ，ｉ−ＢｕＭｇＣｌ，ｔ−ＢｕＭｇＣｌ，Ｐｈ
ＭｇＣｌ，ＰｈＣＨ₂ ＭｇＣｌ，ＥｔＭｇＢｒ，ＢｕＭ
ｇＢｒ，ＰｈＭｇＢｒ，ＢｕＭｇＩ，ＥｔＭｇＣｌ，Ｂ
ｕＯＭｇＣｌ，ＨｅＯＭｇＣｌ，ＰｈＯＭｇＣｌ，Ｅｔ
ＯＭｇＢｒ，ＢｕＯＭｇＢｒ，ＥｔＯＭｇＩ，ＭｇＣｌ
₂ ，ＭｇＢｒ₂ ，ＭｇＩ₂ 。

【００１０】上記マグネシウム化合物は、成分Ａを調製
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例とし
て、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式
Ｘ_n Ｍ（ＯＲ) _m-n のアルコキシ基含有化合物〔式にお
いて、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜２０
個の炭化水素基、Ｍは硼素、炭素、アルミニウム、珪素
又は燐原子、Ｒは炭素数１〜２０個の炭化水素基、ｍは
Ｍの原子価、ｍ＞ｎ≧０を示す。〕を接触させる方法が
挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一般式のＸ及
びＲの炭化水素基としては、メチル（Ｍｅ）、エチル
（Ｅｔ) 、プロピル、（Ｐｒ）、ｉ−プロピル（ｉ−Ｐ
ｒ) 、ブチル（Ｂｕ) 、ｉ−ブチル（ｉ−Ｂｕ) 、ヘキ
シル（Ｈｅ)、オクチル（Ｏｃｔ）等のアルキル基、シ
クロヘキシル（ｃｙＨｅ) 、メチルシクロヘキシル等の
シクロアルキル基、アリル、プロペニル、ブテニル等の
アルケニル基、フェニル（Ｐｈ) 、トリル、キシリル基
のアリール基、フェネチル、３−フェニルプロピル等の
アルアルキル等が挙げられる。これらの中でも、特に炭
素数１〜１０個のアルキル基が望ましい。以下、アルコ
キシ基含有化合物の具体例を挙げる。

【００１１】Ｍが炭素の場合の化合物 式 Ｃ（ＯＲ）₄ に含まれるＣ（ＯＭｅ）₄ ，Ｃ（ＯＥ
ｔ）₄ , Ｃ（ＯＰｒ） ₄ , Ｃ（ＯＢｕ）₄ , Ｃ（Ｏｉ−
Ｂｕ）₄ ，Ｃ（ＯＨｅ）₄ , Ｃ（ＯＯｃｔ）₄：式 Ｘ
Ｃ（ＯＲ）₃ に含まれるＨＣ（ＯＭｅ）₃ , ＨＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＨＣ（ＯＰｒ）_{3 ,} ＨＣ（ＯＢｕ）₃ ，ＨＣ
（ＯＨｅ）₃ , ＨＣ（ＯＰｈ）₃ ；ＭｅＣ（ＯＭ
ｅ）₃ , ＭｅＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＥｔＣ（ＯＭｅ）₃ ,Ｅ
ｔＣ（ＯＥｔ）₃，ｃｙＨｅＣ（ＯＥｔ）₃ , ＰｈＣ
（ＯＭｅ）₃ ，ＰｈＣ（ＯＥｔ）₃ ，ＣＨ₂ＣｌＣ（Ｏ
Ｅｔ）₃ ，ＭｅＣＨＢｒＣ（ＯＥｔ）₃ , ＭｅＣＨＣｌ
Ｃ（ＯＥｔ） ₃ ；ＣｌＣ（ＯＭｅ）₃ ，ＣｌＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＣｌＣ（Ｏｉ−Ｂｕ）₃ ，ＢｒＣ（ＯＥ
ｔ）₃ ；式 Ｘ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ に含まれるＭｅＣＨ（Ｏ
Ｍｅ）₂ , ＭｅＣＨ（ＯＥｔ）₂ , ＣＨ₂ （ＯＭ
ｅ）₂ , ＣＨ₂ （ＯＥｔ）₂ ，ＣＨ₂ ＣｌＣＨ（ＯＥ
ｔ）₂ ，ＣＨＣｌ₂ ＣＨ（ＯＥｔ）₂ ，ＣＣｌ₃ ＣＨ
（ＯＥｔ）₂ ，ＣＨ ₂ ＢｒＣＨ（ＯＥｔ）₂ ，ＰｈＣＨ
（ＯＥｔ）₂ 。

【００１２】Ｍが珪素の場合の化合物 式 Ｓｉ（ＯＲ）₄ に含まれるＳｉ（ＯＭｅ）₄ ，Ｓｉ
（ＯＥｔ）₄ ，Ｓｉ（ＯＢｕ）₄ ，Ｓｉ（Ｏｉ−Ｂｕ）
₄ ，Ｓｉ（ＯＨｅ）₄ ，Ｓｉ（ＯＯｃｔ）₄ ，Ｓｉ（Ｏ
Ｐｈ）₄ ：式 ＸＳｉ（ＯＲ）₃ に含まれるＨＳｉ（Ｏ
Ｅｔ）₃ ，ＨＳｉ（ＯＢｕ）₃ ，ＨＳｉ（ＯＨｅ）₃ ，
ＨＳｉ（ＯＰｈ）₃ ；ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₃ ，ＭｅＳｉ
（ＯＥｔ）₃ ，ＭｅＳｉ（ＯＢｕ）₃ ，ＥｔＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＰｈＳｉ（ＯＥｔ）₃ ，ＥｔＳｉ（ＯＰ
ｈ）₃ ；ＣｌＳｉ（ＯＭｅ）₃ ，ＣｌＳｉ（ＯＥ
ｔ）₃ ，ＣｌＳｉ（ＯＢｕ）₃ ，ＣｌＳｉ（ＯＰ
ｈ）₃ ，ＢｒＳｉ（ＯＥｔ）₃ ；式 Ｘ₂ Ｓｉ（ＯＲ）
₂ に含まれるＭｅ₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，Ｍｅ₂Ｓｉ（Ｏ
Ｅｔ）₂ ，Ｅｔ₂ Ｓｉ（ＯＥｔ）₂ ；ＭｅＣｌＳｉ（Ｏ
Ｅｔ）₂ ；ＣＨＣｌ₂ ＳｉＨ（ＯＥｔ）₂ ；ＣＣｌ₃ Ｓ
ｉＨ（ＯＥｔ）₂ ；ＭｅＢｅＳｉ（ＯＥｔ）₂ ：Ｘ₃ Ｓ
ｉＯＲに含まれるＭｅ₃ ＳｉＯＭｅ，Ｍｅ₃ ＳｉＯＥ
ｔ，Ｍｅ₃ＳｉＯＢｕ，Ｍｅ₃ ＳｉＯＰｈ，Ｅｔ₃ Ｓｉ
ＯＥｔ，Ｐｈ₃ ＳｉＯＥｔ。

【００１３】Ｍが硼素の場合の化合物 式 Ｂ（ＯＲ）₃ に含まれるＢ（ＯＥｔ）₃ ，Ｂ（ＯＢ
ｕ）₃ , Ｂ（ＯＨｅ）₃ ，Ｂ（ＯＰｈ）₃ 。

【００１４】Ｍがアルミニウムの場合の化合物 式 Ａｌ（ＯＲ）₃ に含まれるＡｌ（ＯＭｅ）₃ ，Ａｌ
（ＯＥｔ）₃ ，Ａｌ（ＯＰｒ）₃ ，Ａｌ（Ｏｉ−Ｐｒ）
₃ ，Ａｌ（ＯＢｕ）₃ ，Ａｌ（Ｏｔ−Ｂｕ）₃，Ａｌ
（ＯＨｅ）₃ ，Ａｌ（ＯＰｈ）₃ 。

【００１５】Ｍが燐の場合の化合物 式 Ｐ（ＯＲ）₃ に含まれるＰ（ＯＭｅ）₃ , Ｐ（ＯＥ
ｔ）₃ , Ｐ（ＯＢｕ） ₃ ，Ｐ（ＯＨｅ）₃ ，Ｐ（ＯＰ
ｈ）₃ 。

【００１６】更に、前記マグネシウム化合物は、周期表
第II族又は第 IIIａ族金属（Ｍ）の有機化合物との錯体
も使用することができる。該錯体は一般式 ＭｇＲ¹ Ｒ
² ・ｎ（ＭＲ³ _m ) で表わされる。該金属としては、ア
ルミニウム、亜鉛、カルシウム等であり、Ｒ³ は炭素数
１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アルアルキル基である。又、ｍは金属Ｍの原子価
を、ｎは０．１〜１０の数を示す。ＭＲ³ _m で表わされ
る化合物の具体例としては、ＡｌＭｅ₃ , ＡｌＥｔ₃ ，
Ａｌｉ−Ｂｕ₃ ，ＡｌＰｈ₃ ，ＺｎＭｅ₂ ，ＺｎＥ
ｔ₂ ，ＺｎＢｕ₂ ，ＺｎＰｈ₂ ，ＣａＥｔ₂ ，ＣａＰｈ
₂ 等が挙げられる。

【００１７】（２）チタン化合物 チタン化合物は、二価、三価及び四価のチタンの化合物
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。

【００１８】（３）電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート
類、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ
素およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエー
テル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられ
る。これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カル
ボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコー
ル類、エーテル類が好ましく用いられる。

【００１９】カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン
酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマ
ル酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ
カルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘ
キセンモノカルボン酸、シス−１，２−シクロヘキサン
ジカルボン酸、シス−４−メチルシクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、ト
ルイル酸、アニス酸、ｐ−第三級ブチル安息香酸、ナフ
トエ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメ
リト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、
メリト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カ
ルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水
物が使用し得る。

【００２０】カルボン酸エステルとしては、上記のカル
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することがで
き、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピ
バリン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク
酸ジエチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチ
ル、グルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタ
ル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエ
チル、マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、
フマル酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイ
ソブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジ
イソブチル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ
−第三級ブチル安息香酸エチル、ｐ−アニス酸エチル、
α−ナフトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケ
イ皮酸エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ２−エ
チルヘキシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナ
フタル酸ジエチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸
トリエチル、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テ
トラメチル、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸
テトラブチル等が挙げられる。

【００２１】カルボン酸ハロゲン化物としては、上記の
カルボン酸類の酸ハロゲン化物が使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリ
ド、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリ
ル酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸
クロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオ
ダイド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロ
ン酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、
グルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸
クロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、
セバシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸
ブロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石
酸クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン
酸クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、１−
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、
臭化ベンゾイル、ｐ−トルイル酸クロリド、ｐ−トルイ
ル酸ブロミド、ｐ−アニス酸クロリド、ｐ−アニス酸ブ
ロミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、
ケイ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブ
ロミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロ
ミド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリド
が挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マ
レイン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルク
ロリド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸
のモノアルキルハロゲン化物も使用し得る。

【００２２】アルコール類は、一般式 ＲＯＨで表わさ
れる。式においてＲは炭素数１〜１２個のアルキル、ア
ルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルで
ある。その具体例としては、メタノール、エタノール、
プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブ
タノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノー
ル、２−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベ
ンジルアルコール、アリルアルコール、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロ
ピルフェノール、ｐ−ターシャリーブチルフェノール、
ｎ−オクチルフェノール等である。エーテル類は、一般
式ＲＯＲ¹ で表わされる。式においてＲ，Ｒ¹ は炭素数
１〜１２個のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、
アリール、アルアルキルであり、ＲとＲ¹ は同じでも異
ってもよい。その具体例としては、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブ
チルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジ−２−エチル
ヘキシルエーテル、ジアリルエーテル、エチルアリルエ
ーテル、ブチルアリルエーテル、ジフェニルエーテル、
アニソール、エチルフェニルエーテル等である。

【００２３】成分Ａの調製法としては、マグネシウム
化合物（成分１）、チタン化合物（成分２）及び電子供
与性化合物（成分３）をその順序に接触させる。成分
１と成分３を接触させた後、成分２を接触させる。成
分１，成分２及び成分３を同時に接触させる等の方法が
採用し得る。又、成分２を用いて接触させる前にハロゲ
ン含有化合物と接触させることもできる。

【００２４】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第IIａ族、IVａ
族、Ｖａ族元素のハロゲン化物 （以下、金属ハライド
という。）等が挙げられる。

【００２５】ハロゲン化炭化水素としては、炭素数１〜
１２個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ及びポリハロゲン置換体である。それら化
合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロラ
イド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチレ
ンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオダ
イド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四
塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライ
ド、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、１，２−
ジクロルエタン、１，２−ジブロムエタン、１，２−ジ
ヨードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホル
ム、メチルヨードホルム、１，１，２−トリクロルエチ
レン、１，１，２−トリブロモエチレン、１，１，２,
２−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、ｎ−プロピルク
ロライド、１，２−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−
ジクロルベンゼン、ｐ−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、ｐ−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられ
る。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いて
もよい。

【００２６】ハロゲン含有アルコールとしては、一分子
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味す
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
原子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。

【００２７】それら化合物を例示すると、２−クロルエ
タノール、１−クロル−２−プロパノール、３−クロル
−１−プロパノール、１−クロル−２−メチル−２−プ
ロパノール、４−クロル−１−ブタノール、５−クロル
−１−ペンタノール、６−クロル−１−ヘキサノール、
３−クロル−１，２−プロパンジオール、２−クロルシ
クロヘキサノール、４−クロルベンズヒドロール、
（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルベンジルアルコール、４−クロ
ルカテコール、４−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、
６−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、４−クロル−
３，５−ジメチルフェノール、クロルハイドロキノン、
２−ベンジル−４−クロルフェノール、４−クロル−１
−ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルフェノール、ｐ
−クロル−α−メチルベンジルアルコール、２−クロル
−４−フェニルフェノール、６−クロルチモール、４−
クロルレゾルシン、２−ブロムエタノール、３−ブロム
−１−プロパノール、１−ブルム−２−プロパノール、
１−ブロム−２−ブタノール、２−ブロム−ｐ−クレゾ
ール、１−ブロム−２−ナフトール、６−ブロム−２−
ナフトール、（ｍ，ｏ，ｐ）−ブロムフェノール、４−
ブロムレゾルシン、（ｍ，ｏ，ｐ）−フロロフェノー
ル、ｐ−イオドフェノール：２，２−ジクロルエタノー
ル、２，３−ジクロル−１−プロパノール、１，３−ジ
クロル−２−プロパノール、３−クロル−１−（α−ク
ロルメチル）−１−プロパノール、２，３−ジブロム−
１−プロパノール、１，３−ジブロム−２−プロパノー
ル、２，４−ジブロムフェノール、２，４−ジブロム−
１−ナフトール：２，２，２−トリクロルエタノール、
１，１，１−トリクロル−２−プロパノール、β，β，
β−トリクロル−ｔｅｒｔ−ブタノール、２，３，４−
トリクロルフェノール、２，４，５−トリクロルフェノ
ール、２，４，６−トリクロルフェノール、２，４，６
−トリブロムフェノール、２，３，５−トリブロム−２
−ヒドロキシトルエン、２，３，５−トリブロム−４−
ヒドロキシトルエン、２，２，２−トリフルオロエタノ
ール、α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、
２，４，６−トリイオドフェノール：２，３，４，６−
テトラクロルフェノール、テトラクロルハイドロキノ
ン、テトラクロルビスフェノールＡ、テトラブロムビス
フェノールＡ、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−
プロパノール、２，３，５，６−テトラフルオロフェノ
ール、テトラフルオロレゾルシン等が挙げられる。

【００２８】水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化
合物としては、ＨＳｉＣｌ₃ ，Ｈ₂ＳｉＣｌ₂ ，Ｈ₃ Ｓ
ｉＣｌ，ＨＣＨ₃ ＳｉＣｌ₂ , ＨＣ₂ Ｈ₅ ＳｉＣｌ₂ ，
Ｈ（ｔ−Ｃ₄ Ｈ₉ ）ＳｉＣｌ₂ ，ＨＣ₆ Ｈ₅ ＳｉＣｌ
_{2 ,} Ｈ（ＣＨ₃ ) ₂ ＳｉＣｌ，Ｈ（ｉ−Ｃ₃ Ｈ₇ ）₂ Ｓ
ｉＣｌ，Ｈ₂ Ｃ₂ Ｈ₅ ＳｉＣｌ，Ｈ₂ （ｎ−Ｃ₄ Ｈ₉ ）
ＳｉＣｌ、Ｈ₂ （Ｃ₆ Ｈ₄ ＣＨ₃ ）ＳｉＣｌ、ＨＳｉＣ
ｌ（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ 等が挙げられる。

【００２９】金属ハライドとしては、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂ
ｉの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にＢＣｌ₃ ，ＢＢｒ₃ , ＢＩ₃ ，ＡｌＣｌ₃ ，ＡｌＢｒ
₃ , ＧａＣｌ₃ ，ＧａＢｒ₃, ＩｎＣｌ₃ ，ＴｌＣ
ｌ₃ ，ＳｉＣｌ₄ ，ＳｎＣｌ₄ ，ＳｂＣｌ₅ ，ＳｂＦ₅
等が好適である。

【００３０】成分１，成分２及び成分３、更に必要に応
じて接触させることのできるハロゲン含有化合物との接
触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、混合攪拌す
るが、機械的に共粉砕することによりなされる。接触は
４０〜１５０℃の加熱下で行うことができる。

【００３１】不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得
る。

【００３２】本発明における成分Ａの望ましい調製法
は、特開昭６３−２６４６０７号、同５８−１９８５０
３号、同６２−１４６９０４号公報等に開示されている
方法である。より詳細には、 （イ) 金属マグネシウム、（ロ）ハロゲン化炭化水
素、（ハ) 一般式Ｘ_n Ｍ（ＯＲ）_m-n の化合物（前記の
アルコキシ基含有化合物と同じ）を接触させることによ
り得られるマグネシウム含有固体を（ニ) ハロゲン含有
アルコールと接触させ、次いで（ホ）電子供与性化合物
及び（ヘ) チタン化合物と接触させる方法（特開昭６３
−２６４６０７号公報）、 （イ）マグネシウムジアルコキシドと（ロ) 水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた
後、（ハ）ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次いで
（ニ）電子供与性化合物と接触させ（必要に応じて更に
ハロゲン化チタン化合物と接触させる）る方法（特開昭
６２−１４６９０４号公報）、 （イ) マグネシウムジアルコキシドと（ロ）水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた
後、（ハ）電子供与性化合物と接触させ、次いで（ニ）
チタン化合物と接触させる方法（特開昭５８−１９８５
０３号公報）である。これらの内でも特にの方法が最
も望ましい。 上記のようにして成分Ａは調製されるが、成分Ａは必要
に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよく、更に乾燥
してもよい。

【００３３】又、成分Ａは、更に有機アルミニウム化合
物の存在下、オレフィンと接触させて成分Ａ中に生成す
るオレフィンポリマーを含有させてもよい。有機アルミ
ニウム化合物としては、本発明の触媒の一成分である後
記の有機金属化合物の中から選ばれる。

【００３４】オレフィンとしては、エチレンの他プロピ
レン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペ
ンテン等のα−オレフィンが使用し得る。オレフィンと
の接触は、前記の不活性媒体の存在下行うのが望まし
い。接触は、通常１００℃以下、望ましくは−１０〜＋
５０℃の温度で行われる。成分Ａ中に含有させるオレフ
ィンポリマーの量は、成分Ａ１ｇ当り通常０．１〜１０
０ｇである。

【００３５】成分Ａとオレフィンの接触は、有機アルミ
ニウム化合物と共に電子供与性化合物を存在させてもよ
い。電子供与性化合物は、成分Ａを調製させる際に用い
られる化合物およびＳｉ−Ｏ−Ｃ結合もしくはＳｉ−Ｎ
−Ｃ結合を有する有機珪素化合物などの中から選択され
る。オレフィンと接触した成分Ａは必要に応じて前記の
不活性媒体で洗浄することができ、又更に乾燥すること
ができる。

【００３６】有機金属化合物 有機金属化合物（以下成分Ｂという。）は、周期表第Ｉ
族ないし第III 族金属の有機化合物である。成分Ｂとし
ては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及び
アルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中で
も特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得
る有機アルミニウム化合物としては、一般式 Ｒ_n Ａｌ
Ｘ_3-n （但し、Ｒはアルキル基又はアリール基、Ｘはハ
ロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を示し、ｎは１
≦ｎ≦３の範囲の任意の数である。）で示されるもので
あり、例えばトリアルキルアルミニウム、ジアルキルア
ルミニウムモノハライド、モノアルキルアルミニウムジ
ハライド、アルキルアルミニウムセスキハライド、ジア
ルキルアルミニウムモノアルコキシド及びジアルキルア
ルミニウムモノハイドライドなどの炭素数１ないし１８
個、好ましくは炭素数２ないし６個のアルキルアルミニ
ウム化合物又はその混合物もしくは錯化合物が特に好ま
しい。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチ
ルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウムなどの
トリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロ
リド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミ
ニウムブロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、
ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキルア
ルミニウムモノハライド、メチルアルミニウムジクロリ
ド、エチルアルミニウムジクロリド、メチルアルミニウ
ムジブロミド、エチルアルミニウムジブロミド、エチル
アルミニウムジアイオダイド、イソブチルアルミニウム
ジクロリドなどのモノアルキルアルミニウムジハライ
ド、エチルアルミニウムセスキクロリドなどのアルキル
アルミニウムセスキハライド、ジメチルアルミニウムメ
トキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチル
アルミニウムフェノキシド、ジプロピルアルミニウムエ
トキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシド、ジイ
ソブチルアルミニウムフェノキシドなどのジアルキルア
ルミニウムモノアルコキシド、ジメチルアルミニウムハ
イドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプ
ロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハイ
ドライドが挙げられる。これらの中でも、トリアルキル
アルミニウムが、特にトリエチルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウムが望ましい。又、これらトリアル
キルアルミニウムは、その他の有機アルミニウム化合
物、例えば、工業的に入手し易いジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアル
ミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウムエトキ
シド、ジエチルアルミニウムハイドライド又はこれらの
混合物若しくは錯化合物等と併用することができる。
又、酸素原子や窒素原子を介して２個以上のアルミニウ
ムが結合した有機アルミニウム化合物も使用可能であ
る。そのような化合物としては、例えば

【化３】 等を例示できる。

【００３７】アルミニウム金属以外の金属の有機化合物
としては、ジエチルマグネシウム、エチルマグネシウム
クロリド、ジエチル亜鉛等の他ＬｉＡｌ（Ｃ
₂ Ｈ₅ ）₄ ，ＬｉＡｌ（Ｃ₇ Ｈ₁₅）₄ 等の化合物が挙げ
られる。

【００３８】有機珪素化合物 本発明の触媒の一成分である有機珪素化合物（以下、成
分Ｃという。）は、前記一般式で表わされる。該式にお
いて、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環式
炭化水素基であるが、望ましくはアルキル基、アルケニ
ル基等の脂肪族炭化水素基であり、特に望ましくはアル
キル基である。なお、アルキル基にあたっては、分岐し
たアルキル基の場合に、好結果を示すことが多い。Ｒ²
は炭素数１〜１０個の脂肪族若しくは脂環式炭化水素基
又はＲ⁴ Ｏである。該炭化水素基としては、望ましくは
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルカ
ジエニル基等の脂環式炭化水素基である。Ｒ⁴ ＯのＲ⁴
はＲ¹ と同意義である。Ｒ ³ はメチル基若しくはエチル
基である。ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは１、ｚは
２若しくは３であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４である。

【００３９】以下、成分Ｃの具体例を列挙する。なお、
以下において、Ｍｅ＝メチル、Ｅｔ＝エチル、Ｐｒ＝プ
ロピル、Ｂｕ＝ブチル、Ａｍｙ＝アミル、Ｈｅｘ＝ヘキ
シル、Ｏｃｔ＝オクチル、Ｄｅｃ＝デシル、ＣｙＰｅ＝
シクロペンチル、ＣｙＨｅ＝シクロヘキシル、ＣｙＰｙ
＝シクロペンテニル、ＣｙＰｔ＝シクロペンタジエニ
ル、ＣｙＨｙ＝シクロヘキセニル基をそれぞれ示す。な
お、以下の具体例は、前記一般式において、Ｒ³ がメチ
ル基の場合についてのみであり、エチル基の場合は省略
した。それら具体例のＲ³ のメチル基をエチル基に代え
た化合物も、具体例として挙げることができる。

【００４０】○（Ｒ¹ Ｏ）₂ Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｎ−ＰｒＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ , （ｉ−ＰｒＯ）₂
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｂ
ｕＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）₂ Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ
−ＡｍｙＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）₂
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ｎ−ＤｅｃＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）₂ Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｔＯ）₂Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）₂ Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ 。 ○（Ｒ¹ Ｏ）（Ｒ⁴ Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）（ｎ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ
−ＰｒＯ）（ｔ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂ
ｕＯ）（ｎ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）（ｉ─ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）
（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）
（ｓ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）
（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ
−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃ
ｙＨｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｔＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃ
ｙＰｔＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｔＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｒ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−Ｏｃｔ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ 。

【００４１】○（Ｒ¹ Ｏ）Ｒ² Ｓｉ（ＯＲ³ ）₂ の化合
物 （ｉ−ＰｒＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）
ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ｔ−Ａｍｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ
−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）Ｅｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＢｕＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ｉ
−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＢｕＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｈｅｘ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＥｔＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−
ＨｅｘＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）ｎ−Ｏｃ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏ
ｃｔ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）Ｃｙ
ＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−
ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ
ｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂，（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｃｙ
ＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ａｍ
ｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｃ
ｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｔＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ
−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ｎ−ＢｕＯ）
ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳ
ｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｔ−Ａ
ｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）
ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂，（ｎ−ＯｃｔＯ）ＣｙＨｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｅＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）Ｍ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＰｙ
Ｏ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｉ−Ｂ
ｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰ
ｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ｎ
−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−Ｏｃｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＰｔＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，
（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨ
ｙＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＰｔＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ） ₂ ，（ＣｙＨｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
₂ ，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）₂ ，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）₂ 。

【００４２】○（Ｒ¹ Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ³ ）₃ の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₃ ，（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ｉ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）₃ ，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ｎ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₃ ，（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，
（ｎ−ＤｅｃＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ＣｙＰｅＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ） ₃ ，（ＣｙＨｅＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，
（ＣｙＰｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ ，（ＣｙＰｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）₃ ，（ＣｙＨｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）₃ 。

【００４３】本発明の触媒は、成分Ａ，成分Ｂ及び成分
Ｃからなるが、それらの構成割合は、成分Ｂが成分Ａ中
のチタン１グラム原子当り１〜２，０００グラムモル、
望ましくは２０〜５００グラムモル、成分Ｃが成分Ｂ１
モルに対して０．００１〜１０モル、望ましくは０．０
１〜１．０モルとなるように用いられる。

【００４４】プロピレン−エチレンブロック共重合体の
製造法 プロピレン−エチレンブロック共重合体の製造法の製造
方法は、プロピレンを重合して高結晶性ポリプロピレン
とする工程（工程ａ）と、プロピレンとエチレンを共重
合する工程（工程ｂ）とからなる。

【００４５】（１）工程ａ 工程ａは、前記重合触媒の存在下、プロピレンを重合す
ることからなる。重合反応は、気相、液相のいずれでも
よく、液相で重合させる場合は、ノルマルブタン、イソ
ブタン、ノルマルペンタン、イソペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の不活性炭化水素中及び液状モノマー
中で行うことができる。重合温度は、通常−８０℃〜＋
１５０℃、好ましくは４０〜１２０℃の範囲である。重
合圧力は、例えば１〜６０気圧でよい。又得られる重合
体の分子量の調節は、水素若しくは他の公知の分子量調
節剤を存在せしめることにより行われる。工程ａでは、
そこで得られるポリプロピレンが該ブロック共重合体の
５０〜９８重量％、特に７０重量％〜９５重量％となる
ようにするのが望ましい。

【００４６】（２）工程ｂ プロピレンとエチレンの共重合は、前記の重合触媒の存
在下で行なわれる。共重合は、そこで得られる共重合体
中のエチレン含有量が３０〜９５重量％、望ましくは４
０〜８０重量％となるように、プロピレンとエチレンを
接触して反応することによりなされる。共重合反応は、
工程ａで行なわれる重合条件の範囲の中から適宜選択す
るすることができ、又水素等の分子量調節剤の使用も工
程ａの場合と同じである。工程ｂで得られる共重合体の
量は、通常該ブロック共重合体の５０〜２重量％である
が、望ましくは３０〜５重量％である。

【００４７】本発明の方法は、工程ａと工程ｂとからな
るが、工程ａと工程ｂは、その順序に、又は逆に行う直
列方式の他、工程ａと工程ｂを並列に行い、それぞれで
得られるポリマーを合体する方法が採用することができ
るが、これらの中でも、特に工程ａと工程ｂをその順序
に行う方法が、装置上有利であり望ましい。

【００４８】

【実施例】本発明を実施例及び比較例により具体的に説
明する。なお、例におけるパーセント（％）は特に断ら
ない限り重量による。ポリマーの物性測定は、該ポリマ
ー粉末に、ＢＨＴ（２，６−ジターシャリーブチル−４
−メチルフェノール）を０．１８重量％、ＤＳＴＤＰ
（ジステリアルチオジプロピオネート）を０．０８重量
％、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０〔テトラキス−｛メチレン
−（３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシヒ
ドロ−シンナメート）メタン｝〕を０．０４重量％、カ
ルシウムステアレートを０．０６重量％それぞれ添加
し、溶融混練によりペレットとした後、射出成形形によ
り試験片を作成して行った。曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ
７２０３−１９８２に：デュポン衝撃強度：ＪＩＳ Ｋ
７２１１−１９７６にそれぞれ準拠。又、ポリマーの
ＭＦＲはＡＳＴＭ Ｄ−１２３８に従って測定した。

【００４９】実施例１ 成分Ａの調製 還流冷却器をつけた１リットルの反応容器に、窒素ガス
雰囲気下で、チップ状の金属マグネシウム（純度９９．
５％、平均粒径１．６mm）８．３ｇ及びｎ−ヘキサン２
５０mlを入れ、６８℃で１時間攪拌後、金属マグネシウ
ムを取出し、６５℃で減圧乾燥するという方法で予備活
性化した金属マグネシウムを得た。次に、この金属マグ
ネシウムに、ｎ−ブチルエーテル１４０ml及びｎ−ブチ
ルマグネシウムクロリドのｎ−ブチルエーテル溶液
（１．７５モル／ｌ）を０．５ml加えた懸濁液を５５℃
に保ち、更にｎ−ブチルエーテル５０mlにｎ−ブチルク
ロライド３８．５mlを溶解した溶液を５０分間で滴下し
た。攪拌下７０℃で４時間反応を行った後、反応液を２
５℃に保持した。次いで、この反応液にＨＣ（ＯＣ₂ Ｈ
₅ ）₃ ５５．７mlを１時間で滴下した。滴下終了後、
６０℃で１５分間反応を行ない、反応生成固体をｎ−ヘ
キサン各３００mlで６回洗浄し、室温で１時間減圧乾燥
し、マグネシウムを１９．０％、塩素を２８．９％を含
むマグネシウム含有固体３１．６ｇを回収した。還流冷
却器、攪拌機及び滴下ロートを取付けた３００mlの反応
容器に、窒素ガス雰囲気下マグネシウム含有固体６．３
ｇ及びｎ−ヘプタン５０mlを入れ懸濁液とし、室温で攪
拌しながら２，２，２−トリクロルエタノール２０ml
（０．０２ミリモル）とｎ−ヘプタン１１mlの混合溶液
を滴下ロートから３０分間で滴下し、更に８０℃で１時
間攪拌した。得られた固体をろ過し、室温のｎ−ヘキサ
ン各１００mlで４回洗浄し、更にトルエン各１００mlで
２回洗浄して固体成分を得た。上記の固体成分にトルエ
ン４０mlを加え、更に四塩化チタン／トルエンの体積比
が３／２になるように四塩化チタンを加えて９０℃に昇
温した。攪拌下、フタル酸ジｎ−ブチル２mlとトルエン
５mlの混合溶液を５分間で滴下した後、１２０℃で２時
間攪拌した。得られた固体状物質を９０℃でろ別し、ト
ルエン各１００mlで２回、９０℃で洗浄した。更に、新
らたに四塩化チタン／トルエンの体積比が３／２になる
ように四塩化チタンを加え、１２０℃で２時間攪拌しし
た。得られた固体物質を１１０℃でろ別し、室温の各１
００mlのｎ−ヘキサンにて７回洗浄して成分Ａ５．５ｇ
を得た。

【００５０】重合 窒素置換をして充分に乾燥された５リットルのオートク
レーブに、上記で得られた成分Ａ２７．７mg、ｎ−ヘプ
タン１リットル中に０．３モルのトリエチルアルミニウ
ムを含む溶液４ml、及びｎ−ヘプタン１リットル中に
０．０８モルのジイソプロポキシジメトキシシランを含
む溶液３mlを混合し、５分間保持したものを入れた。次
いで水素を７．８リットル及び液体プロピレン３リット
ルを圧入した後、オートクレーブ内部温度を７０℃に昇
温し、第１段重合を行った。１時間後、未反応プロピレ
ンおよび水素をパージして、器内圧力を０．２ｋｇ／ｃ
ｍ² ・Ｇとした。第１段目のポリマーを少量採取した
後、系内に水素を導入した。引き続いてプロピレンとエ
チレンのモル比が１．５の混合ガスを供給して、プロピ
レン−エチレン共重合を行った。器内圧力を６ｋｇ／ｃ
ｍ² ・Ｇに保ち、７５℃で２時間共重合を行った。重合
終了後、未反応ガスをパージし、ポリマーを取り出し乾
燥した。未反応ガス中には０．６モル％の水素が含まれ
ていた。得られたポリマーのＭＦＲは１３．５ｇ／１０
分であった。分析の結果、共重合によって得られたポリ
マーの生成量は２０重量％であり、エチレン含有量は５
０重量％であった。また、１段目終了後にサンプリング
したポリマーのＭＦＲは３２．４ｇ／１０分であった。
最終ポリマーの物性を測定したところ、曲げ弾性率は
７．９３×１０ ³ ｋｇ／ｃｍ² 、デュポン衝撃強度は１
０２．７ｋｇ・ｃｍであった。

【００５１】実施例２〜５、比較例１〜２ 実施例１において、重合触媒の一成分として用いたジイ
ソプロポキシジメトキシシランのかわりに、表１に示す
有機硅素化合物を用いて、さらに表１に示すようなＭＦ
Ｒになるように水素量を調節した以外は実施例１と同様
にしてプロピレンの共重合を行った。得られた最終ポリ
マーの物性も表１に示した。これより本発明のものが、
弾性率と衝撃強度にバランスよく優れていることがわか
る。

【表１】

【００５２】

【発明の効果】本発明の方法により、耐衝撃性と剛性の
バランスに優れたプロピレンのブロック共重合体を製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の方法を示すフローチャート図
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植木 聰 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内 (72)発明者 斉藤 博夫 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内 (72)発明者 滝 敬之 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）マグネシウム，チタン，ハロゲン及
   び電子供与性化合物を必須成分とする固体触媒成分、
   （Ｂ）有機金属化合物及び（Ｃ）一般式 【化１】 〔但し、Ｒ¹ は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
   式炭化水素基、Ｒ² は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
   は脂環式炭化水素基又はＲ⁴ Ｏ、Ｒ³ はメチル基若しく
   はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
   １、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ⁴ はＲ¹ と
   同意義である。〕の有機珪素化合物とからなる重合触媒
   の存在下、（１）プロピレンを重合して高結晶性ポリプ
   ロピレンを製造する工程（ａ）及び（２）プロピレンと
   エチレンを共重合する工程（ｂ）からなるプロピレンの
   ブロック共重合体の製造方法。