JP3092868B2 - プロピレン−エチレンブロック共重合体の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プロピレン−エチレン
ブロック共重合体の製造方法に関する。より詳しくは、
特定の重合用触媒を用いて、光沢性と剛性のバランスに
より優れたプロピレン−エチレンブロック共重合体を製
造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高結晶性ポリプロピレンは剛性、耐熱
性、表面光沢性に優れていることから広く利用されてい
る。しかしながら衝撃強度が低いという欠点を有するた
め、耐衝撃性を改良するためにいくつかの方法が提案さ
れている。例えば、プロピレンに少量のエチレンを添加
してランダム共重合を行う方法が知られている。しか
し、この方法では、ポリプロピレンの本来の特性である
剛性が著しく低下してしまう。耐衝撃性と剛性のバラン
スに優れたポリプロピレンを得る方法としてはプロピレ
ンの単独重合を行う工程と、プロピレンとエチレンの共
重合を行う工程とを組み合わせた、いわゆるプロピレン
−エチレンブロック共重合体の製造法が行われている。
しかしこの方法にて耐衝撃性と剛性のバランスは向上す
るものの、今度はポリプロピレン本来の特性である表面
光沢が損なわれる。近年、ポリプロピレンの用途拡大に
伴ってさまざまな付加価値が求められており、用途分野
によっては単に機械物性にとどまらず、表面光沢性がよ
いなどの外観の美しさも製品の価値を左右する重要な因
子となる場合が多くなっている。

【０００３】このような機械物性と、表面光沢性のバラ
ンスを向上させる目的で、最近プロピレン−エチレンブ
ロック共重合体を製造する際のプロピレンの単独重合工
程に、少量のエチレンを添加してプロピレンと共重合を
行う方法が行われるようになった。しかしながら、この
方法を用いると、表面光沢性は改善されるものの、剛性
は期待されるほど向上せず、共重合体の用途によってそ
の使用が制限されることがあった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、より効果的
に剛性と光沢性のバランスに優れたプロピレン−エチレ
ンブロック共重合体を製造する方法を提供することを目
的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を行った結果、特定の有機珪素化合物を必須成分とする
重合触媒を用いて共重合することにより、本発明の目的
を達成しうることを見出し、本発明を完成した。

【０００６】発明の要旨すなわち、本発明の要旨は、
（Ａ）マグネシウム、チタン、ハロゲン及び電子供与性
化合物を必須成分とする固体触媒成分、（Ｂ）一般式Ｒ
_ｎ ＡｌＸ _３−ｎ （但し、Ｒはアルキル基又はアリール
基、Ｘはハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を示
し、ｎは１≦ｎ≦３の範囲の任意の数である。）で示さ
れる有機アルミニウム化合物及び（Ｃ）一般式

【化２】 〔但し、Ｒ^１は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
式炭化水素基、Ｒ^２は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
は脂環式炭化水素基又はＲ^４Ｏ、Ｒ^３はメチル基若しく
はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
１、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ^４はＲ^１と
同意義である。〕の有機珪素化合物とからなる重合触媒
の存在下、（１）プロピレンとエチレンを共重合してエ
チレン含有量が０．０１〜１０重量％のプロピレンとエ
チレンの共重合体を製造する工程（ａ）、（２）プロピ
レンとエチレンを共重合してエチレン含有量が３０〜９
５重量％のプロピレンとエチレンの共重合体を製造する
工程（ｂ）及び（３）エチレンの単独重合体を製造する
工程（ｃ）からなるプロピレン−エチレンブロック共重
合体の製造法にある。

【０００７】固体触媒成分本発明で用いられる触媒（以
下本発明の触媒という）の一成分である固体触媒成分
（以下、成分Ａという）は、マグネシウム，チタン，ハ
ロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とするが、この
ような成分は通常マグネシウム化合物、チタン化合物及
び電子供与性化合物、更に前記各化合物がハロゲンを有
しない化合物の場合は、ハロゲン含有化合物を、それぞ
れ接触することにより調製される。

【０００８】（１）マグネシウム化合物 マグネシウム化合物は、一般式ＭｇＲ^１Ｒ^２で表わされ
る。式において、Ｒ^１及びＲ^２は同一か異なる炭化水素
基、ＯＲ基（Ｒは炭化水素基）、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、Ｒ^１及びＲ^２の炭化水素基としては、炭
素数１〜２０個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、ＯＲ基としては、Ｒが炭素
数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。

【０００９】それら化合物の具体例を下記に示すが、化
学式において、Ｍｅ：メチル、Ｅｔ：エチル、Ｐｒ：プ
ロピル、Ｂｕ：ブチル、Ｈｅ：ヘキシル、Ｏｃｔ：オク
チル、Ｐｈ：フェニル、ｃｙＨｅ：シクロヘキシルをそ
れぞれ示す。ＭｇＭｅ_２、ＭｇＥｔ_２、Ｍｇｉ−Ｐ
ｒ_２、ＭｇＢｕ_２、ＭｇＨｅ_２、ＭｇＯｃｔ_２、ＭｇＥ
ｔＢｕ、ＭｇＰｈ_２、ＭｇｃｙＨｅ_２、Ｍｇ（ＯＭｅ）
_２、Ｍｇ（ＯＥｔ）_２、Ｍｇ（ＯＢｕ）_２、Ｍｇ（ＯＨ
ｅ）_２、Ｍｇ（ＯＯｃｔ）_２、Ｍｇ（ＯＰｈ）_２、Ｍｇ
（ＯｃｙＨｅ）_２、ＥｔＭｇＣｌ、ＢｕＭｇＣｌ、Ｈｅ
ＭｇＣｌ、ｉ−ＢｕＭｇＣｌ、ｔ−ＢｕＭｇＣｌ、Ｐｈ
ＭｇＣｌ、ＰｈＣＨ_２ＭｇＣｌ、ＥｔＭｇＢｒ、ＢｕＭ
ｇＢｒ、ＰｈＭｇＢｒ、ＢｕＭｇＩ、ＥｔＭｇＣｌ、Ｂ
ｕＯＭｇＣｌ、ＨｅＯＭｇＣｌ、ＰｈＯＭｇＣｌ、Ｅｔ
ＯＭｇＢｒ、ＢｕＯＭｇＢｒ、ＥｔＯＭｇＩ、ＭｇＣｌ
_２、ＭｇＢｒ_２、ＭｇＩ_２。

【００１０】上記マグネシウム化合物は、成分Ａを調製
する際に、金属マグネシウム又はその他のマグネシウム
化合物から調製することも可能である。その一例とし
て、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水素及び一般式
Ｘ_ｎＭ（ＯＲ）_ｍ−ｎのアルコキシ基含有化合物〔式に
おいて、Ｘは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜２
０個の炭化水素基、Ｍは硼素、炭素、アルミニウム、珪
素又は燐原子、Ｒは炭素数１〜２０個の炭化水素基、ｍ
はＭの原子価、ｍ＞ｎ≧０を示す。〕を接触させる方法
が挙げられる。該アルコキシ基含有化合物の一般式のＸ
及びＲの炭化水素基としては、メチル（Ｍｅ）、エチル
（Ｅｔ）、プロピル（Ｐｒ）、ｉ−プロピル（ｉ−Ｐ
ｒ）、ブチル（Ｂｕ）、ｉ−ブチル（ｉ−Ｂｕ）、ヘキ
シル（Ｈｅ）、オクチル（Ｏｃｔ）等のアルキル基、シ
クロヘキシル（ｃｙＨｅ）、メチルシクロヘキシル等の
シクロアルキル基、アリル、プロペニル、ブテニル等の
アルケニル基、フェニル（Ｐｈ）、トリル、キシリル基
のアリール基、フェネチル、３−フェニルプロピル等の
アルアルキル等が挙げられる。これらの中でも、特に炭
素数１〜１０個のアルキル基が望ましい。以下、アルコ
キシ基含有化合物の具体例を挙げる。

【００１１】Ｍが炭素の場合の化合物 式 Ｃ（ＯＲ）_４に含まれるＣ（ＯＭｅ）_４、Ｃ（ＯＥ
ｔ）_４、Ｃ（ＯＰｒ）_４、Ｃ（ＯＢｕ）_４、Ｃ（Ｏｉ−
Ｂｕ）_４、Ｃ（ＯＨｅ）_４、Ｃ（ＯＯｃｔ）_４：式 Ｘ
Ｃ（ＯＲ）_３に含まれるＨＣ（ＯＭｅ）_３、ＨＣ（ＯＥ
ｔ）_３、ＨＣ（ＯＰｒ）_３、ＨＣ（ＯＢｕ）_３、ＨＣ
（ＯＨｅ）_３、ＨＣ（ＯＰｈ）_３；ＭｅＣ（ＯＭ
ｅ）_３、ＭｅＣ（ＯＥｔ）_３、ＥｔＣ（ＯＭｅ）_３、Ｅ
ｔＣ（ＯＥｔ）_３、ｃｙＨｅＣ（ＯＥｔ）_３、ＰｈＣ
（ＯＭｅ）_３、ＰｈＣ（ＯＥｔ）_３、ＣＨ_２ＣｌＣ（Ｏ
Ｅｔ）_３、ＭｅＣＨＢｒＣ（ＯＥｔ）_３、ＭｅＣＨＣｌ
Ｃ（ＯＥｔ）_３；ＣｌＣ（ＯＭｅ）_３、ＣｌＣ（ＯＥ
ｔ）_３、ＣｌＣ（Ｏｉ−Ｂｕ）_３、ＢｒＣ（ＯＥ
ｔ）_３；式 Ｘ_２Ｃ（ＯＲ）_２に含まれるＭｅＣＨ（Ｏ
Ｍｅ）_２、ＭｅＣＨ（ＯＥｔ）_２、ＣＨ_２（ＯＭ
ｅ）_２、ＣＨ_２（ＯＥｔ）_２、ＣＨ_２ＣｌＣＨ（ＯＥ
ｔ）_２、ＣＨＣｌ_２ＣＨ（ＯＥｔ）_２、ＣＣｌ_３ＣＨ
（ＯＥｔ）_２、ＣＨ_２ＢｒＣＨ（ＯＥｔ）_２、ＰｈＣＨ
（ＯＥｔ）_２。

【００１２】Ｍが珪素の場合の化合物 式 Ｓｉ（ＯＲ）_４に含まれるＳｉ（ＯＭｅ）_４、Ｓｉ
（ＯＥｔ）_４、Ｓｉ（ＯＢｕ）_４、Ｓｉ（Ｏｉ−Ｂｕ）
_４、Ｓｉ（ＯＨｅ）_４、Ｓｉ（ＯＯｃｔ）_４、Ｓｉ（Ｏ
Ｐｈ）_４：式 ＸＳｉ（ＯＲ）_３に含まれるＨＳｉ（Ｏ
Ｅｔ）_３、ＨＳｉ（ＯＢｕ）_３、ＨＳｉ（ＯＨｅ）_３、
ＨＳｉ（ＯＰｈ）_３；ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_３、ＭｅＳｉ
（ＯＥｔ）_３、ＭｅＳｉ（ＯＢｕ）_３、ＥｔＳｉ（ＯＥ
ｔ）_３、ＰｈＳｉ（ＯＥｔ）_３、ＥｔＳｉ（ＯＰ
ｈ）_３；ＣｌＳｉ（ＯＭｅ）_３、ＣｌＳｉ（ＯＥ
ｔ）_３、ＣｌＳｉ（ＯＢｕ）_３、ＣｌＳｉ（ＯＰ
ｈ）_３、ＢｒＳｉ（ＯＥｔ）_３；式 Ｘ_２Ｓｉ（ＯＲ）
_２に含まれるＭｅ_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２、Ｍｅ_２Ｓｉ（Ｏ
Ｅｔ）_２、Ｅｔ_２Ｓｉ（ＯＥｔ）_２；ＭｅＣｌＳｉ（Ｏ
Ｅｔ）_２；ＣＨＣｌ_２ＳｉＨ（ＯＥｔ）_２；ＣＣｌ_３Ｓ
ｉＨ（ＯＥｔ）_２；ＭｅＢｕＳｉ（ＯＥｔ）_２：Ｘ_３Ｓ
ｉＯＲに含まれるＭｅ_３ＳｉＯＭｅ、Ｍｅ_３ＳｉＯＥ
ｔ、Ｍｅ_３ＳｉＯＢｕ、Ｍｅ_３ＳｉＯＰｈ、Ｅｔ_３Ｓｉ
ＯＥｔ、Ｐｈ_３ＳｉＯＥｔ。

【００１３】Ｍが硼素の場合の化合物 式 Ｂ（ＯＲ）_３に含まれるＢ（ＯＥｔ）_３、Ｂ（ＯＢ
ｕ）_３、Ｂ（ＯＨｅ）_３、Ｂ（ＯＰｈ）_３。

【００１４】Ｍがアルミニウムの場合の化合物 式 Ａｌ（ＯＲ）_３に含まれるＡｌ（ＯＭｅ）_３、Ａｌ
（ＯＥｔ）_３、Ａｌ（ＯＰｒ）_３、Ａｌ（Ｏｉ−Ｐｒ）
_３、Ａｌ（ＯＢｕ）_３、Ａｌ（Ｏｔ−Ｂｕ）_３、Ａｌ
（ＯＨｅ）_３、Ａｌ（ＯＰｈ）_３。

【００１５】Ｍが燐の場合の化合物 式 Ｐ（ＯＲ）_３に含まれるＰ（ＯＭｅ）_３、ｐ（ＯＥ
ｔ）_３、Ｐ（ＯＢｕ）_３、Ｐ（ＯＨｅ）_３、Ｐ（ＯＰ
ｈ）_３。

【００１６】更に、前記マグネシウム化合物は、周期表
第ＩＩ族又は第ＩＩＩａ族金属（Ｍ）の有機化合物との
錯体も使用することができる。該錯体は一般式 ＭｇＲ
^１Ｒ^２・ｎ（ＭＲ^３ _ｍ）で表わされる。該金属として
は、アルミニウム、亜鉛、カルシウム等であり、Ｒ^３は
炭素数１〜１２個のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アルアルキル基である。又、ｍは金属Ｍの原
子価を、ｎは０．１〜１０の数を示す。ＭＲ^３ _ｍで表わ
される化合物の具体例としては、ＡｌＭｅ_３，ＡｌＥｔ
_３，Ａｌｉ−Ｂｕ_３，ＡｌＰｈ_３，ＺｎＭｅ_３，ＺｎＥ
ｔ_２，ＺｎＢｕ_２，ＺｎＰｈ_２，ＣａＥｔ_２，ＣａＰｈ
_２等が挙げられる。

【００１７】（２）チタン化合物 チタン化合物は、三価及び四価のチタン化合物であり、
それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チタン、ト
リクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシチタン、
ジクロルジエトキシチタン、ジクロルジブトキシチタ
ン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエトキシ
チタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブトキシチ
タン、三塩化チタン等を挙げることができる。これらの
中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタン、ジ
クロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシチタン
等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に四塩化
チタンが望ましい。

【００１８】（３）電子供与性化合物 電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート
類、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ
素およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエー
テル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられ
る。これらのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カ
ルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコ
ール類、エーテル類が好ましく用いられる。

【００１９】カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン
酸、ピバリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン
酸等の脂肪族モノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマ
ル酸等の脂肪族ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ
カルボン酸、シクロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘ
キセンモノカルボン酸、シス−１，２−シクロヘキサン
ジカルボン酸、シス−４−メチルシクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、ト
ルイル酸、アニス酸、ｐ−第三級ブチル安息香酸、ナフ
トエ酸、ケイ皮酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル
酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメ
リト酸、ヘミメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、
メリト酸等の芳香族多価カルボン酸等が挙げられる。カ
ルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無水
物が使用し得る。

【００２０】カルボン酸エステルとしては、上記のカル
ボン酸類のモノ又は多価エステルが使用することがで
き、その具体例として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル、イソ酪酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピ
バリン酸イソブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチ
ル、マロン酸ジエチル、マロン酸ジイソブチル、コハク
酸ジエチル、コハク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチ
ル、グルタル酸ジエチル、グルタル酸ジブチル、グルタ
ル酸ジイソブチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン
酸ジブチル、セバシン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエ
チル、マレイン酸ジブチル、マレイン酸ジイソブチル、
フマル酸モノメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイ
ソブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジ
イソブチル、シクロヘキサンカルボン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ
−第三級ブチル安息香酸エチル、ｐ−アニス酸エチル、
α−ナフトエ酸エチル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケ
イ皮酸エチル、フタル酸モノメチル、フタル酸モノブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジイソブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジ２−エ
チルヘキシル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジフェニ
ル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジイソブチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジブチル、ナ
フタル酸ジエチル、ナフタル酸ジブチル、トリメリト酸
トリエチル、トリメリト酸トリブチル、ピロメリト酸テ
トラメチル、ピロメリト酸テトラエチル、ピロメリト酸
テトラブチル等が挙げられる。

【００２１】カルボン酸ハロゲン化物としては、上記の
カルボン酸類の酸ハロゲン化物が使用することができ、
その具体例として、酢酸クロリド、酢酸ブロミド、酢酸
アイオダイド、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、
酪酸ブロミド、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリ
ド、ピバリン酸ブロミド、アクリル酸クロリド、アクリ
ル酸ブロミド、アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸
クロリド、メタクリル酸ブロミド、メタクリル酸アイオ
ダイド、クロトン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロ
ン酸ブロミド、コハク酸クロリド、コハク酸ブロミド、
グルタル酸クロリド、グルタル酸ブロミド、アジピン酸
クロリド、アジピン酸ブロミド、セバシン酸クロリド、
セバシン酸ブロミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸
ブロミド、フマル酸クロリド、フマル酸ブロミド、酒石
酸クロリド、酒石酸ブロミド、シクロヘキサンカルボン
酸クロリド、シクロヘキサンカルボン酸ブロミド、１−
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸クロリド、シス−４−メチル
シクロヘキセンカルボン酸ブロミド、塩化ベンゾイル、
臭化ベンゾイル、ｐ−トルイル酸クロリド、ｐ−トルイ
ル酸ブロミド、ｐ−アニス酸クロリド、ｐ−アニス酸ブ
ロミド、α−ナフトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、
ケイ皮酸ブロミド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブ
ロミド、イソフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロ
ミド、テレフタル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリド
が挙げられる。又、アジピン酸モノメチルクロリド、マ
レイン酸モノエチルクロリド、マレイン酸モノメチルク
ロリド、フタル酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸
のモノアルキルハロゲン化物も使用し得る。

【００２２】アルコール類は、一般式 ＲＯＨで表わさ
れる。式においてＲは炭素数１〜１２個のアルキル、ア
ルケニル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルで
ある。その具体例としては、メタノール、エタノール、
プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブ
タノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノー
ル、２−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベ
ンジルアルコール、アリルアルコール、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロ
ピルフェノール、ｐ−ターシャリーブチルフェノール、
ｎ−オクチルフェノール等である。エーテル類は、一般
式ＲＯＲ^１で表わされる。式においてＲ，Ｒ^１は炭素数
１〜１２個のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、
アリール、アルアルキルであり、ＲとＲ^１は同じでも異
ってもよい。その具体例としては、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブ
チルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジ−２−エチル
ヘキシルエーテル、ジアリルエーテル、エチルアリルエ
ーテル、ブチルアリルエーテル、ジフェニルエーテル、
アニソール、エチルフェニルエーテル等である。

【００２３】成分Ａの調製法としては、マグネシウム
化合物（成分１）、チタン化合物（成分２）及び電子供
与性化合物（成分３）をその順序に接触させる。成分
１と成分３を接触させた後、成分２を接触させる。成
分１、成分２及び成分３を同時に接触させる等の方法が
採用し得る。又、成分２を用いて接触させる前にハロゲ
ン含有化合物と接触させることもできる。

【００２４】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素、ハロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を
有するハロゲン化珪素化合物、周期表第ＩＩａ族、ＩＶ
ａ族、Ｖａ族元素のハロゲン化物（以下、金属ハライド
という。）等が挙げられる。

【００２５】ハロゲン化炭化水素としては、炭素数１〜
１２個の飽和又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭
化水素のモノ、及びポリハロゲン置換体である。それら
化合物の具体的な例は、脂肪族化合物では、メチルクロ
ライド、メチルブロマイド、メチルアイオダイド、メチ
レンクロライド、メチレンブロマイド、メチレンアイオ
ダイド、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、
四塩化炭素、四臭化炭素、四沃化炭素、エチルクロライ
ド、エチルブロマイド、エチルアイオダイド、１，２−
ジクロルエタン、１，２−ジブロムエタン、１，２−ジ
ヨードエタン、メチルクロロホルム、メチルブロモホル
ム、メチルヨードホルム、１，１，２−トリクロルエチ
レン、１，１，２−トリブロモエチレン、１，１，２，
２−テトラクロルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキ
サクロルエタン、ヘキサブロモエタン、ｎ−プロピルク
ロライド、１，２−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプ
ロピレン、オクタクロロプロパン、デカブロモブタン、
塩素化パラフィンが、脂環式化合物ではクロロシクロプ
ロパン、テトラクロルシクロペンタン、ヘキサクロロシ
クロペンタジェン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳
香族化合物ではクロルベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−
ジクロルベンゼン、ｐ−ジクロルベンゼン、ヘキサクロ
ロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ベンゾトリクロラ
イド、ｐ−クロロベンゾトリクロライド等が挙げられ
る。これらの化合物は、一種のみならず二種以上用いて
もよい。

【００２６】ハロゲン含有アルコールとしては、一分子
中に一個又は二個以上の水酸基を有するモノ又は多価ア
ルコール中の、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の
水素原子がハロゲン原子で置換された化合物を意味す
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素
原子が挙げられるが、塩素原子が望ましい。

【００２７】それら化合物を例示すると、２−クロルエ
タノール、１−クロル−２−プロパノール、３−クロル
−１−プロパノール、１−クロル−２−メチル−２−プ
ロパノール、４−クロル−１−ブタノール、５−クロル
−１−ペンタノール、６−クロル−１−ヘキサノール、
３−クロル−１，２−プロパンジオール、２−クロルシ
クロキサノール、４−クロルベンズピドロール、（ｍ，
ｏ，ｐ）−クロルベンジルアルコール、４−クロルカテ
コール、４−クロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、６−ク
ロル−（ｍ，ｏ）−クレゾール、４−クロル−３，５−
ジメチルフェノール、クロルハイドロキノン、２−ベン
ジル−４−クロルフェノール、４−クロル−１−ナフト
ール、（ｍ，ｏ，ｐ）−クロルフェノール、ｐ−クロル
−α−メチルベンジルアルコール、２−クロル−４−フ
ェニルフェノール、６−クロルチモール、４−クロルレ
ゾルシン、２−ブロムエタノール、３−ブロム−１−プ
ロパノール、１−ブロム−２−プロパノール、１−ブロ
ム−２−ブタノール、２−ブロム−ｐ−クレゾール、１
−ブロム−２−ナフトール、６−ブロム−２−ナフトー
ル、（ｍ，ｏ，ｐ）−ブロムフェノール、４−ブロムレ
ゾルシン、（ｍ，ｏ，ｐ）−フロロフェノール、ｐ−イ
オドフェノール：２，２−ジクロルエタノール、２，３
−ジクロル−１−プロパノール、１，３−ジクロル−２
−プロパノール、３−クロル−１−（α−クロルメチ
ル）−１−プロパノール、２，３−ジブロム−１−プロ
パノール、１，３−ジブロム−２−プロパノール、２，
４−ジブロムフェノール、２，４−ジブロム−１−ナフ
トール：２，２，２−トリクロルエタノール、１，１，
１−トリクロル−２−プロパノール、β，β，β−トリ
クロル−ｔｅｒｔ−ブタノール、２，３，４−トリクロ
ルフェノール、２，４，５−トリクロルフェノール、
２，４，６−トリクロルフェノール、２，４，６−トリ
ブロムフェノール、２，３，５−トリブロム−２−ヒド
ロキシトルエン、２，３，５−トリブロム−４−ヒドロ
キシトルエン、２，２，２−トリフルオロエタノール、
α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、２，４，
６−トリイオドフェノール：２，３，４，６−テトラク
ロルフェノール、テトラクロルハイドロキノン、テトラ
クロルビスフェノールＡ、テトラブロムビスフェノール
Ａ、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノー
ル、２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、テト
ラフルオロレゾルシン等が挙げられる。

【００２８】水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化
合物としては、ＨＳｉＣｌ_３、Ｈ_２ＳｉＣｌ_２、Ｈ_３Ｓ
ｉＣｌ、ＨＣＨ_３ＳｉＣｌ_２、ＨＣ_２Ｈ_５ＳｉＣｌ_２、
Ｈ（ｔ−Ｃ_４Ｈ_９）ＳｉＣｌ_２、ＨＣ_６Ｈ_５ＳｉＣ
ｌ_２、Ｈ（ＣＨ_３）_２ＳｉＣｌ、Ｈ（ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２
ＳｉＣｌ、Ｈ_２Ｃ_２Ｈ_５ＳｉＣｌ、Ｈ_２（ｎ−Ｃ
_４Ｈ_９）ＳｉＣｌ、Ｈ_２（Ｃ_６Ｈ_４ＣＨ_３）ＳｉＣｌ、
ＨＳｉＣｌ（Ｃ_６Ｈ_５）_２等が挙げられる。

【００２９】金属ハライドとしては、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，
Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂ
ｉの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられ、特
にＢＣｌ_３，ＢＢｒ_３，ＢＩ_３，ＡｌＣｌ_３，ＡｌＢｒ
_３，ＧａＣｌ_３，ＧａＢｒ_３，ＩｎＣｌ_３，ＴｌＣ
ｌ_３，ＳｉＣｌ_４，ＳｎＣｌ_４，ＳｂＣｌ_５，ＳｂＦ_５
等が好適である。

【００３０】成分１，成分２及び成分３、更に必要に応
じて接触させることのできるハロゲン含有化合物との接
触は、不活性媒体の存在下、又は不存在下、混合撹拌す
るが、機械的に共粉砕することによりなされる。接触は
４０〜１５０℃の加熱下で行うことができる。

【００３１】不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が使用し得
る。

【００３２】本発明における成分Ａの望ましい調製法
は、特開昭６３−２６４６０７号、同５８−１９８５０
３号、同６２−１４６９０４号公報等に開示されている
方法である。より詳細には、 （イ）金属マグネシウ
ム、（ロ）ハロゲン化炭化水素、（ハ）一般式Ｘ_ｎＭ
（ＯＲ）_ｍ−ｎの化合物（前記のアルコキシ基含有化合
物と同じ）を接触させることにより得られるマグネシウ
ム含有固体を（ニ）ハロゲン含有アルコールと接触さ
せ、次いで（ホ）電子供与性化合物及び（ヘ）チタン化
合物と接触させる方法（特開昭６３−２６４６０７号公
報）、 （イ）マグネシウムジアルコキシドと（ロ）
水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触さ
せた後、（ハ）ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次
いで（ニ）電子供与性化合物と接触させ（必要に応じて
更にハロゲン化チタン化合物と接触させる）る方法（特
開昭６２−１４６９０４号公報）、 （イ）マグネシ
ウムジアルコキシドと（ロ）水素−珪素結合を有するハ
ロゲン化珪素化合物を接触させた後、（ハ）電子供与性
化合物と接触させ、次いで（ニ）チタン化合物と接触さ
せる方法（特開昭５８−１９８５０３号公報）である。
これらの内でも特にの方法が最も望ましい。上記のよ
うにして成分Ａは調製されるが、成分Ａは必要に応じて
前記の不活性媒体で洗浄してもよく、更に乾燥してもよ
い。

【００３３】又、成分Ａは、更に有機アルミニウム化合
物の存在下、オレフィンと接触させて成分Ａ中に生成す
るオレフィンポリマーを含有させてもよい。有機アルミ
ニウム化合物としては、本発明の触媒の一成分である後
記の有機アルミニウム化合物の中から選ばれる。

【００３４】オレフィンとしては、エチレンの他のプロ
ピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−
ペンテン等のα−オレフィンが使用し得る。オレフィン
との触媒は、前記の不活性媒体の存在下に行うのが望ま
しい。接触は、通常１００℃以下、望ましくは−１０〜
＋５０℃の温度で行われる。成分Ａ中に含有させるオレ
フィンポリマーの量は、成分Ａ１ｇ当り通常０．１〜１
００ｇである。

【００３５】成分Ａとオレフィンの接触は、有機アルミ
ニウム化合物と共に電子供与性化合物を存在させてもよ
い。電子供与性化合物は、成分Ａを調製させる際に用い
られる化合物およびＳｉ−Ｏ−Ｃ結合もしくはＳｉ−Ｎ
−Ｃ結合を有する有機珪素化合物などの中から選択され
る。オレフィンと接触した成分Ａは必要に応じて前記の
不活性媒体で洗浄することができ、又更に乾燥すること
ができる。

【００３６】有機アルミニウム化合物 有機アルミニウム化合物（以下成分Ｂという。）は 、一
般式 Ｒ_ｎＡｌＸ_３−ｎ（但し、Ｒはアルキル基又はア
リール基、Ｘはハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原
子を示し、ｎは１≦ｎ≦３の範囲の任意の数である。）
で示されるものであり、例えばトリアルキルアルミニウ
ム、ジアルキルアルミニウムモノハライド、モノアルキ
ルアルミニウムジハライド、アルキルアルミニウムセス
キハライド、ジアルキルアルミニウムモノアルコキシド
及びジアルキルアルミニウムモノハイドライドなどの炭
素数１ないし１８個、好ましくは炭素数２ないし６個の
アルキルアルミニウム化合物又はその混合物もしくは錯
化合物が特に好ましい。具体的には、トリメチルアルミ
ニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミ
ニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルア
ルミニウムなどのトリアルキルアルミニウム、ジメチル
アルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリ
ド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジエチルアルミニ
ウムアイオダイド、ジイソブチルアルミニウムクロリド
などのジアルキルアルミニウムモノハライド、メチルア
ルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリ
ド、メチルアルミニウムジブロミド、エチルアルミニウ
ムジブロミド、エチルアルミニウムジアイオダイド、イ
ソブチルアルミニウムジクロリドなどのモノアルキルア
ルミニウムジハライド、エチルアルミニウムセスキクロ
リドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド、ジメ
チルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエ
トキシド、ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジプロ
ピルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウ
ムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムフェノキシド
などのジアルキルアルミニウムモノアルコキシド、ジメ
チルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウム
ハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、
ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキ
ルアルミニウムハイドライドが挙げられる。これらの中
でも、トリアルキルアルミニウムが、特にトリエチルア
ルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが望ましい。
又、これらトリアルキルアルミニウムは、その他の有機
アルミニウム化合物、例えば、工業的に入手し易いジエ
チルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロ
リド、エチルアルミニウムセスキクロリド、ジエチルア
ルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウムハイドラ
イド又はこれらの混合物もしくは錯化合物等と併用する
ことができる。

【００３７】有機珪素化合物本発明の触媒の一成分であ
る有機珪素化合物（以下、成分Ｃという。）は、前記一
般式で表わされる。該式において、Ｒ^１は炭素数３〜１
０個の脂肪族若しくは脂環式炭化水素基であるが、望ま
しくはアルキル基、アルケニル基等の脂肪族炭化水素基
であり、特に望ましくはアルキル基である。なお、アル
キル基にあっては、分岐したアルキル基の場合に、好結
果を示すことが多い。Ｒ^２は炭素数１〜１０個の脂肪族
若しくは脂環式炭化水素基又はＲ^４Ｏである。該炭化水
素基としては、望ましくはシクロアルキル基、シクロア
ルケニル基、シクロアルカジエニル基等の脂環式炭化水
素基である。Ｒ^４ＯのＲ^４はＲ^１と同意義である。Ｒ^３
はメチル基若しくはエチル基である。ｘは１若しくは
２、ｙは０若しくは１、ｚは２若しくは３であり、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝４である。

【００３８】以下、成分Ｃの具体例を列挙する。なお、
以下において、Ｍｅ＝メチル、Ｅｔ＝エチル、Ｐｒ＝プ
ロピル、Ｂｕ＝ブチル、Ａｍｙ＝アミル、Ｈｅｘ＝ヘキ
シル、Ｏｃｔ＝オクチル、Ｄｅｃ＝デシル、ＣｙＰｅ＝
シクロペンチル、ＣｙＨｅ＝シクロヘキシル、ＣｙＰｙ
＝シクロペンテニル、ＣｙＰｔ＝シクロペンタジエニ
ル、ＣｙＨｙ＝シクロヘキセニル基をそれぞれ示す。な
お、以下の具体例は、前記一般式において、Ｒ^３がメチ
ル基の場合についてのみであり、エチル基の場合は省略
した。それら具体例のＲ^３のメチル基をエチル基に代え
た化合物も、具体例として挙げることができる。

【００３９】○（Ｒ^１Ｏ）_２Ｓｉ（ＯＲ^３）_２の化合物 （ｎ−ＰｒＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）_２
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｂ
ｕＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）_２Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ
−ＡｍｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）_２
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＯｃｔＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）
_２，（ｎ−ＤｅｃＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅ
Ｏ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）_２Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰ
ｔＯ）_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）_２Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２。 ○（Ｒ^１Ｏ）（Ｒ^４Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ^３）_２の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２、（ｎ
−ＰｒＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−Ｂ
ｕＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ａｍｙ
Ｏ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＢｕＯ）
（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）
（ｓ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）
（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）
（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ
−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＨｅＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＨｅＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃ
ｙＨｅＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨ
ｅＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙ
Ｏ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）
（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−Ｂ
ｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｓ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）
Ｃｙ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＰｒＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）（ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＰｙＯ）（ｉ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＰｔＯ）（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃ
ｙＰｔＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰ
ｔＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔ
Ｏ）（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙ
Ｏ）（ｎ−Ｐｒ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）
（ｉ−Ｐｒ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−
ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｓ−ＢｕＯ）
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）（ｎ−Ｏｃｔ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２。

【００４０】○（Ｒ^１Ｏ）Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_２の化合
物 （ｉ−ＰｒＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）
ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＰｒＯ）ｔ−Ａｍｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｎ−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ
−ＢｕＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）Ｅｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＢｕＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＡｍｙＯ）ｉ
−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＢｕＳ
ｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｈｅｘ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＥｔＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−
ＨｅｘＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｏｃｔ
Ｏ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＯｃｔＯ）ｎ−Ｏｃ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｅＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｏ
ｃｔ）ＣｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）Ｃｙ
ＨｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｓ−
ＢｕＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ
ｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳ
ｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＨｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＰ
ｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＡｍｙＯ）Ｃｙ
ＰｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−Ｐｒ
Ｏ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＢｕＯ）ＣｙＰ
ｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ａｍ
ｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｃ
ｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）ＣｙＰｔＳ
ｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｏｃｔ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｎ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｉ−ＰｒＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−Ｂｕ
Ｏ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｉ−Ｐｒ）ＣｙＨｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ｓ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ｔ−ＢｕＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ｎ−ＡｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｔ−Ａ
ｍｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＨｅｘＯ）
ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ｎ−ＯｃｔＯ）ＣｙＨｙ
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＰｅＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＰｅＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＨｅＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ｓ
−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＨｅＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨ
ｅＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）Ｍ
ｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＰｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙ
Ｏ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ｉ−Ｂ
ｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＰｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰ
ｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ｎ
−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ｎ−Ｏｃｔ
Ｓｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙｐｔＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙｐｔＯ）ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｎ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−Ｐ
ｒＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（Ｏ
Ｍｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＰｔＯ）ｓ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔ
Ｏ）ｔ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−Ａ
ｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＨｙＯ）ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）
ＥｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＰｒＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ｉ−ＰｒＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ｉ−ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯｓ−
ＢｕＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＢｕＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭ
ｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ｔ−ＡｍｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，
（ＣｙＨｙＯ）ｎ−ＨｅｘＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨ
ｙＯ）ｎ−ＯｃｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＰｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ＰｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＨｅＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ＨｅＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＰｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ＰｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＰｔＯ）ＣｙｐｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ｐｔＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）Ｃ
ｙＰｅＳｉ（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＨｅＳｉ
（ＯＭｅ）_２，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｙＳｉ（ＯＭｅ）
_２，（ＣｙＨｙＯ）ＣｙＰｔＳｉ（ＯＭｅ）_２，（Ｃｙ
ＨｙＯ）ＣｙＨｙＳｉ（ＯＭｅ）_２。

【００４１】○（Ｒ^１Ｏ）Ｓｉ（ＯＲ^３）_３の化合物 （ｉ−ＰｒＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＢｕＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ｓ−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｉ
−ＢｕＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｔ−ＢｕＯ）Ｓｉ（Ｏ
Ｍｅ）_３，（ｔ−ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−
ＡｍｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＨｅｘＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ｎ−ＯｃｔＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，
（ｎ−ＤｅｃＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＰｅＯ）Ｓ
ｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＨｅＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，
（ＣｙＰｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＰｔＯ）Ｓｉ
（ＯＭｅ）_３，（ＣｙＨｙＯ）Ｓｉ（ＯＭｅ）_３。

【００４２】本発明の触媒は、成分Ａ、成分Ｂ及び成分
Ｃからなるが、それらの構成割合は、成分Ｂが成分Ａ中
のチタン１グラム原子当り１〜２，０００グラムモル、
望ましくは２０〜５００グラムモル、成分Ｃが成分Ｂ１
モルに対して０．００１〜１０モル、望ましくは０．０
１〜１．０モルとなるように用いられる。

【００４３】プロピレン−エチレンブロック共重合体の
製造法 プロピレン−エチレンブロック共重合体の製造法は、プ
ロピレンとエチレンを共重合してエチレン含有量が０．
０１〜１０重量％のプロピレンとエチレンの共重合体を
製造する工程（工程ａ）、プロピレンとエチレンを共重
合してエチレン含有量が３０〜９５重量％のプロピレン
とエチレンの共重合体を製造する工程（工程ｂ）及びエ
チレンの単独重合体を製造する工程（工程ｃ）とからな
る。

【００４４】（１）工程ａ 工程ａは、前記重合触媒の存在下、プロピレンとエチレ
ンを共重合することからなる。共重合反応は、気相、液
相のいずれでもよく、液相で重合させる場合は、ノルマ
ルブタン、イソブタン、ノルマルペンタン、イソペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の不活性炭化水素中及
び液状モノマー中で行うことができる。重合温度は、通
常−８０℃〜＋１５０℃、好ましくは４０〜１２０℃の
範囲である。重合圧力は、例えば１〜６０気圧でよい。
又得られる重合体の分子量の調節は、水素若しくは他の
公知の分子量調節剤を存在せしめることにより行われ
る。共重合は、そこで得られる共重合体中のエチレン含
有量が０．０１〜１０重量％、望ましくは０．１〜５重
量％となるように、プロピレンとエチレンを接触して反
応することによりなされる。工程ａでは、そこで得られ
る共重合体が該ブロック共重合体の４０〜９８重量％、
特に７０〜９０重量％となるようにするのが望ましい。
更に、この工程では得られる共重合体のメルトフローレ
ート（ＭＦＲ）を０．０１〜２００ｇ／１０分、特に
０．１〜１００ｇ／１０分とするのが望ましい。

【００４５】（２）工程ｂ プロピレンとエチレンの共重合は、前記の重合触媒の存
在下で行なわれる。共重合は、そこで得られる共重合体
中のエチレン含有量が３０〜９５重量％、望ましくは４
０〜８０重量％となるように、プロピレンとエチレンを
接触して反応することによりなされる。共重合反応は、
工程ａで行なわれる重合条件の範囲の中から適宜選択す
ることができ、又水素等の分子量調節剤の使用も工程ａ
の場合と同じである。工程ｂで得られる共重合体の量
は、該ブロック共重合体の５０〜１重量％、特に３０〜
５重量％とするのが望ましい。更に、工程ｂでは、得ら
れる共重合体のＭＦＲを０．００１〜１５０ｇ／１０
分、特に０．０１〜１００ｇ／１０とするのが望まし
い。

【００４６】（３）工程ｃ エチレンの単独重合体の製造は、前記の重合触媒の存在
下、エチレンを重合することにより行なわれる。エチレ
ンの重合反応は、工程ａ或いは工程ｂで行なわれる重合
条件の範囲の中から選ばれる。又、水素等の分子量調節
剤の使用も工程ａ及び工程ｂの場合と同じである。工程
ｃで得られるエチレン単独重合体は、該ブロック共重合
体の５０〜１重量％、特に３０〜５重量％とするのが望
ましく、又、該単独重合体のＭＦＲを１０^−８〜１５０
ｇ／１０分、特に１０^−６〜１００ｇ／１０分とするの
が望ましい。

【００４７】本発明の方法は、工程ａ、工程ｂ及び工程
ｃからなるが、それら３工程を任意の順序に行う直列方
式の他、それら３工程を並列に行い、それぞれで得られ
るポリマーを合体する方法が採用することができるが、
これらの中でも、特に工程ａ、工程ｂ及び工程ｃをその
順序に行う方法が、装置上有利であり望ましい。このよ
うにして得られたブロック共重合体は、０．００１〜１
５０ｇ／１０分のＭＦＲを有するが、望ましくは０．０
１〜１００ｇ／１０分である。

【００４８】

【実施例】本発明を実施例及び比較例により具体的に説
明する。なお、例におけるパーセント（％）は特に断ら
ない限り重量による。ポリマーの物性測定は、該ポリマ
ー粉末に、ＢＨＴ（２，６−ジターシャリーブチル−４
−メチルフェノール）を０．１８重量％、ＤＳＴＤＰ
（ジステアリルチオジプロピオネート）を０．０８重量
％、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０〔テトラキス−｛メチレン
−（３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシヒ
ドロ−シンナメート）メタン｝〕を０．０４重量％、カ
ルシウムステアレートを０．０６重量％それぞれ添加
し、溶融混練によりペレットとした後、射出成形形によ
り試験片を作成して行った。曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ７
２０３−１９８２に準拠。又、ポリマーのＭＦＲはＡＳ
ＴＭ Ｄ−１２３８に従って測定した。更に、ポリマー
のグロスは、厚さ２．０ｍｍのシートを用い、ＪＩＳ
Ｋ ７１０５−１９８１に従い、入射角及び受光角を各
々６０°として測定した。

【００４９】実施例１ 成分Ａの調製 還流冷却器をつけた１リットルの反応容器に、窒素ガス
雰囲気下で、チップ状の金属マグネシウム（純度９９．
５％、平均粒径１．６ｍｍ）８．３ｇ及びｎ−ヘキサン
２５０ｍｌを入れ、６８℃で１時間撹拌後、金属マグネ
シウムを取出し、６５℃で減圧乾燥するという方法で予
備活性化した金属マグネシウムを得た。次に、この金属
マグネシウムに、ｎ−ブチルエーテル１４０ｍｌ及びｎ
−ブチルマグネシウムクロリドのｎ−ブチルエーテル溶
液（１．７５モル／ｌ）を０．５ｍｌ加えた懸濁液を５
５℃に保ち、更にｎ−ブチルエーテル５０ｍｌにｎ−ブ
チルクロライド３８．５ｍｌを溶解した溶液を５０分間
で滴下した。撹拌下７０℃で４時間反応を行った後、反
応液を２５℃に保持した。次いで、この反応液にＨＣ
（ＯＣ_２Ｈ_５）_３ ５５．７ｍｌを１時間で滴下した。
滴下終了後、６０℃で１５分間反応を行ない、反応生成
固体をｎ−ヘキサン各３００ｍｌで６回洗浄し、室温で
１時間減圧乾燥し、マグネシウムを１９．０％、塩素を
２８．９％を含むマグネシウム含有固体３１．６ｇを回
収した。還流冷却器、撹拌機及び滴下ロートを取付けた
３００ｍｌの反応容器に、窒素ガス雰囲気下マグネシウ
ム含有固体６．３ｇ及びｎ−ヘプタン５０ｍｌを入れ懸
濁液とし、室温で撹拌しながら２，２，２−トリクロル
エタノール２０ｍｌ（２．０２ミリモル）とｎ−ヘプタ
ン１１ｍｌの混合溶液を滴下ロートから３０分間で滴下
し、更に８０℃で１時間撹拌した。得られた固体をろ過
し、室温のｎ−ヘキサン各１００ｍｌで４回洗浄し、更
にトルエン各１００ｍｌで２回洗浄して固体成分を得
た。上記の固体成分にトルエン４０ｍｌを加え、更に四
塩化チタン／トルエンの体積比が３／２になるように四
塩化チタンを加えて９０℃に昇温した。撹拌下、フタル
酸ジｎ−ブチル２ｍｌとトルエン５ｍｌの混合溶液を５
分間で滴下した後、１２０℃で２時間撹拌した。得られ
た固体状物質を９０℃でろ別し、トルエン各１００ｍｌ
で２回、９０℃で洗浄した。更に、新たに四塩化チタン
／トルエンの体積比が３／２になるように四塩化チタン
を加え、１２０℃で２時間撹拌した。得られた固体物質
を１１０℃でろ別し、室温の各１００ｍｌのｎ−ヘキサ
ンにて７回洗浄して成分Ａ５．５ｇを得た。

【００５０】プロプレンとエチレンの共重合 窒素置換をして充分に乾燥させた５リットルのオートク
レーブに上記で得られた成分Ａ２７．６１ｍｇ、ｎ−ヘ
プタン１リットル中に０．３モルのトリエチルアルミニ
ウムを含む溶液４ｍｌ及びｎ−ヘプタン１リットル中に
０．０８モルのジイソプロポキシジメトキシシランを含
む溶液３ｍｌを混合し、５分間保持した物をいれた。次
いで水素を７．５リットル及び液体プロピレン３リット
ルを圧入した後、オートクレーブ内部温度を７０℃に昇
温し、エチレンを一定量連続的に供給し、第１段重合
（工程ａ）を行った。１時間後、未反応のプロピレン、
エチレン並びに水素をパージして、器内圧力を０．２ｋ
ｇ／ｃｍ^２−Ｇとした。第１段目のポリマーを少量採取
した後、系内に水素を導入した。引き続いて、第２段重
合（工程ｂ）として、プロピレンとエチレンのモル比が
２：３の混合ガスを供給して器内圧力を６ｋｇ／ｃｍ^２
−Ｇに保ち、７５℃で４０分、プロピレンとエチレンの
共重合を行った。重合終了後、未反応ガス中には０．６
モル％の水素が含まれていた。未反応ガスを除去した
後、ポリマーを少量採取した。さらに、水素とエチレン
ガスを導入し、７５℃で１時間３０分、第３段重合（工
程ｃ）を行った。分析の結果、１段目の重合終了後、サ
ンプリングしたポリマーのＭＦＲは３０．８ｇ／１０分
であり、エチレン含有率は１．２重量％であった。２段
目の重合終了後、サンプリングしたポリマーのＭＦＲは
２０．２ｇ／１０分であり、２段目の共重合によって得
られたポリマーの生成量は８％、エチレンの含有量は５
０％であった。最終ポリマーのＭＦＲは７．４ｇ／１０
分であり、３段目の重合によって得られたポリマーの生
成量は１７％であった。最終ポリマーの曲げ弾性率は
８．２５ｋｇ／ｃｍ^２であった、また、グロスは８１．
３％であった。

【００５１】実施例２〜５、比較例１、２ 重合触媒の成分Ｃとして用いたジイソプロポキシジメト
キシシランのかわりに、表１及び表２に示す有機珪素化
合物を用い、さらに表１及び表２に示すＭＦＲになるよ
うに水素量を調節した以外は、実施例１と同様にして、
プロピレンとエチレンの共重合を行った。得られた最終
ポリマーの物性も表１及び表２に示した。

【００５２】

【表１】

【表２】

【００５３】

【発明の効果】本発明の方法によって、剛性と光沢性の
バランスに優れたプロピレン−エチレンブロック共重合
体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施例及び比較例で得られた
ブロック共重合体の曲げ弾性率と光沢性との関係を示す
図面である。

【図２】図２は、本発明の方法を示すフローチャート図
である。

フロントページの続き (72)発明者 今西 邦彦 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番 １号 東燃株式会社 総合研究所内 (72)発明者 植木 聰 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番 １号 東燃株式会社 総合研究所内 (72)発明者 斉藤 博夫 埼玉県入間郡大井町西鶴ケ岡一丁目３番 １号 東燃株式会社 総合研究所内 (56)参考文献 特開 平６−136021（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−295035（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−370103（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−119004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−8094（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−27517（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08F 4/60 - 4/70

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）マグネシウム、チタン、ハロゲン及
   び電子供与性化合物を必須成分とする固体触媒成分、 （Ｂ）一般式Ｒ _ｎ ＡｌＸ _３−ｎ （但し、Ｒはアルキル基
   又はアリール基、Ｘはハロゲン原子、アルコキシ基又は
   水素原子を示し、ｎは１≦ｎ≦３の範囲の任意の数であ
   る。）で示される有機アルミニウム化合物及び（Ｃ）一
   般式 【化１】 〔但し、Ｒ^１は炭素数３〜１０個の脂肪族若しくは脂環
   式炭化水素基、Ｒ^２は炭素数１〜１０個の脂肪族若しく
   は脂環式炭化水素基又はＲ^４Ｏ、Ｒ^３はメチル基若しく
   はエチル基であり、ｘは１若しくは２、ｙは０若しくは
   １、ｚは２若しくは３、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４、Ｒ^４はＲ^１と
   同意義である。〕の有機珪素化合物とからなる重合触媒
   の存在下、（１）プロピレンとエチレンを共重合してエ
   チレン含有量が０．０１〜１０重量％のプロピレンとエ
   チレンの共重合体を製造する工程（ａ）、（２）プロピ
   レンとエチレンを共重合してエチレン含有量が３０〜９
   ５重量％のプロピレンとエチレンの共重合体を製造する
   工程（ｂ）及び（３）エチレンの単独重合体を製造する
   工程（ｃ）からなるプロピレン−エチレンブロック共重
   合体の製造法。