JPH06132266A - 半導体装置の製造方法および装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および装置Info
- Publication number
- JPH06132266A JPH06132266A JP27698392A JP27698392A JPH06132266A JP H06132266 A JPH06132266 A JP H06132266A JP 27698392 A JP27698392 A JP 27698392A JP 27698392 A JP27698392 A JP 27698392A JP H06132266 A JPH06132266 A JP H06132266A
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- JP
- Japan
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- processed
- plate
- substance
- reaction gas
- ultraviolet ray
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】被処理物１の保持を周辺の数点で行い、被処理
物１の両面に紫外線，反応ガスを供給するようにする。 【効果】被処理物の装置への付着が周辺のみで面積が少
ないので異物付着を大幅に減少させることができ、被処
理物の両面に紫外線，反応ガスを供給でき両面の処理を
同時にできる。
物１の両面に紫外線，反応ガスを供給するようにする。 【効果】被処理物の装置への付着が周辺のみで面積が少
ないので異物付着を大幅に減少させることができ、被処
理物の両面に紫外線，反応ガスを供給でき両面の処理を
同時にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
および装置に係り、特に半導体基板上の有機物の灰化除
去や表裏面洗浄，保護膜の形成，改質等に好適な方法お
よび装置に関する。
および装置に係り、特に半導体基板上の有機物の灰化除
去や表裏面洗浄，保護膜の形成，改質等に好適な方法お
よび装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、被処理物の表面の洗浄，改質に
主眼をおいて処理中の被処理物の裏面は、ステージに真
空吸着させていたので被処理物裏面の洗浄を同時に行う
ことはできなかった。
主眼をおいて処理中の被処理物の裏面は、ステージに真
空吸着させていたので被処理物裏面の洗浄を同時に行う
ことはできなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】集積度が高くなった超
ＬＳＩの製造に於いては被処理物の裏面への異物の付着
汚染が素子の特性に影響するようになり、製造過程にお
ける被処理物の裏面への異物付着を極力減少させる必要
性が生じてきた。
ＬＳＩの製造に於いては被処理物の裏面への異物の付着
汚染が素子の特性に影響するようになり、製造過程にお
ける被処理物の裏面への異物付着を極力減少させる必要
性が生じてきた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】処理中の被処理物の保持
を周辺の数点のみとし、紫外線および反応ガスを被処理
物の表裏両面に供給する。また、必要に応じて加熱源と
して紫外線放射源と加熱放射源の両方を併用する。
を周辺の数点のみとし、紫外線および反応ガスを被処理
物の表裏両面に供給する。また、必要に応じて加熱源と
して紫外線放射源と加熱放射源の両方を併用する。
【０００５】
【作用】被処理物は、その周辺を数点で保持されている
ので裏面への異物の付着が極力減少し、しかも周辺のみ
となるので素子への特性の影響が殆んど無くなる。
ので裏面への異物の付着が極力減少し、しかも周辺のみ
となるので素子への特性の影響が殆んど無くなる。
【０００６】被処理物の表裏面に同時に紫外線および反
応ガスのが供給されるので被処理物の両面の洗浄，改質
ができる。
応ガスのが供給されるので被処理物の両面の洗浄，改質
ができる。
【０００７】
【実施例】図１に、本発明の一実施に係る要部の説明図
を示し、本図について本発明を詳細に説明する。
を示し、本図について本発明を詳細に説明する。
【０００８】被処理物１は、その周辺を数点で重金属を
含有しない石英，ＳｉＮ，サファイア，ダイアモンド同
等品等からなる保持治具２によって保持する。保持治具
２は紫外線を透過する石英，サファイア等からなる板３
に固定されており、被処理物１と板３との間隔を数mmと
し板３は上下，回転可能である。板３と被処理物１との
間にオゾン，チッソ酸化物，水蒸気，アルコール類等の
反応ガスをノズル８から供給する。板３の被処理物１と
反対側には、紫外線，熱源の放射源９を配置する。
含有しない石英，ＳｉＮ，サファイア，ダイアモンド同
等品等からなる保持治具２によって保持する。保持治具
２は紫外線を透過する石英，サファイア等からなる板３
に固定されており、被処理物１と板３との間隔を数mmと
し板３は上下，回転可能である。板３と被処理物１との
間にオゾン，チッソ酸化物，水蒸気，アルコール類等の
反応ガスをノズル８から供給する。板３の被処理物１と
反対側には、紫外線，熱源の放射源９を配置する。
【０００９】さらに、被処理物１の板３とは反対側に紫
外線を透過し反応ガスを供給する配管６を備えた板７を
配置し、板７の被処理物１の反対側に紫外線，熱源の放
射源４を配置する。
外線を透過し反応ガスを供給する配管６を備えた板７を
配置し、板７の被処理物１の反対側に紫外線，熱源の放
射源４を配置する。
【００１０】被処理物１の保持治具２への載置は、周辺
を保持する搬送アーム(図示しない)によって開閉窓１２
より行う。搬送アームと保持治具２との間での移載はア
ームまたは板３の上下によって行う。被処理物１を保持
治具２に移載した後搬送アームを引き出し、開閉窓１２
を閉じて、板３を上昇させ被処理物１と板７との間隔を
数mm以下(好ましくは、０.５mm以下）にして回転させ
る。同時に反応ガスを配管６およびノズル８より被処理
物１の表裏両面に紫外線とともに供給する。
を保持する搬送アーム(図示しない)によって開閉窓１２
より行う。搬送アームと保持治具２との間での移載はア
ームまたは板３の上下によって行う。被処理物１を保持
治具２に移載した後搬送アームを引き出し、開閉窓１２
を閉じて、板３を上昇させ被処理物１と板７との間隔を
数mm以下(好ましくは、０.５mm以下）にして回転させ
る。同時に反応ガスを配管６およびノズル８より被処理
物１の表裏両面に紫外線とともに供給する。
【００１１】ノズル８は回転に邪魔にならない位置に一
個以上配置する（好ましくは２本程度で供給ガスがぶつ
かりあわない方向に配置する）。また配管６は、被処理
物１の回転中心を避けて同一回転半径上に無い位置に複
数（２〜３）個配置することが好ましい。
個以上配置する（好ましくは２本程度で供給ガスがぶつ
かりあわない方向に配置する）。また配管６は、被処理
物１の回転中心を避けて同一回転半径上に無い位置に複
数（２〜３）個配置することが好ましい。
【００１２】ノズル８，配管６は紫外線，反応ガスの影
響によって不純物を溶出しない材料が選ばれなければな
らない（好ましくは高純度の石英）。
響によって不純物を溶出しない材料が選ばれなければな
らない（好ましくは高純度の石英）。
【００１３】供給ガスは、排気管１１によって排出し残
留有害ガスを処理する。
留有害ガスを処理する。
【００１４】被処理物１の加熱は、必要に応じて熱放射
源（たとえば赤外放射ランプ）を紫外線放射源と並列配
置し出力制御することによって行う。
源（たとえば赤外放射ランプ）を紫外線放射源と並列配
置し出力制御することによって行う。
【００１５】
【発明の効果】被処理物の保持をその周辺で数点のみと
することにより被処理物に異物の付着を大幅に減少させ
ることができる。また、被処理物の両面に紫外線，反応
ガスを供給するので両面の処理が同時にできる。
することにより被処理物に異物の付着を大幅に減少させ
ることができる。また、被処理物の両面に紫外線，反応
ガスを供給するので両面の処理が同時にできる。
【図１】本発明の一実施例の要部の説明図。
１…被処理物、２…保持治具、３…板、４，９…紫外
線，熱源放射源、６，８…反応ガス供給ノズル、７…
板、１０…回転軸、１１…排気管、１２…被処理物出し
入れ開閉窓。
線，熱源放射源、６，８…反応ガス供給ノズル、７…
板、１０…回転軸、１１…排気管、１２…被処理物出し
入れ開閉窓。
Claims (2)
- 【請求項１】被処理物の表裏面に紫外線と反応ガスを同
時に供給する工程を持つことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】被処理物の周辺を数点で重金属を含まない
治具で保持し、前記治具が紫外線を透過する回転可能な
第一の板に設置されていて反応ガスの一部を前記被処理
物と前記第一の板の間に供給し、前記紫外線を透過する
第一の板の被処理物と反対側に紫外線を供給する放射源
と必要に応じて加熱源を設置し、前記被処理物の上記と
は反対の面に対向して紫外線を透過する第二の板を配置
し前記第二の板には、反応ガスを供給する配管が設置さ
れていて、前記第二の板の前記被処理物と反対側に紫外
線を供給する放射源と必要に応じて加熱源を配置し、前
記被処理物の表裏面に紫外線と反応ガスを同時に供給す
る手段を持つことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27698392A JPH06132266A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 半導体装置の製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27698392A JPH06132266A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 半導体装置の製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132266A true JPH06132266A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17577137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27698392A Pending JPH06132266A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 半導体装置の製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132266A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478401A (en) * | 1994-03-10 | 1995-12-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for surface treatment |
| JP2004214438A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｈｓｇ膜の形成方法 |
| JP2007184393A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周処理装置及び方法 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP27698392A patent/JPH06132266A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478401A (en) * | 1994-03-10 | 1995-12-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for surface treatment |
| JP2004214438A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｈｓｇ膜の形成方法 |
| JP2007184393A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Sekisui Chem Co Ltd | 基材外周処理装置及び方法 |
| JP4704916B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-06-22 | 積水化学工業株式会社 | 基材外周処理装置及び方法 |
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