JPH061310B2 - 液晶装置 - Google Patents
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- JPH061310B2 JPH061310B2 JP62117440A JP11744087A JPH061310B2 JP H061310 B2 JPH061310 B2 JP H061310B2 JP 62117440 A JP62117440 A JP 62117440A JP 11744087 A JP11744087 A JP 11744087A JP H061310 B2 JPH061310 B2 JP H061310B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、改善された駆動特性を示す液晶装置に関し、
特に温度変化に対して改善された駆動特性を示す強誘電
性液晶装置に関する。
特に温度変化に対して改善された駆動特性を示す強誘電
性液晶装置に関する。
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。
これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば“アプラ
イド・フイジク・レターズ”（"Applied Physics Lette
rs"）1971年、18(4)号127〜128頁に掲載のＭ．シヤツト
（M.Schadr及びＷ．ヘルフリヒ（W.Helfrich）共著にな
る“ボルテージ・デイペンダント・オプテイカル・アク
テイビテイー・オブ・ア・ツイステツド・ネマチツク・
リキツド・クリスタル”（"Voltage Dependent Optical
Activity of a Twisted Nematic Liquid Crystal"）に
示されたＴＮ（Twisted Nematic）型液晶であった。
イド・フイジク・レターズ”（"Applied Physics Lette
rs"）1971年、18(4)号127〜128頁に掲載のＭ．シヤツト
（M.Schadr及びＷ．ヘルフリヒ（W.Helfrich）共著にな
る“ボルテージ・デイペンダント・オプテイカル・アク
テイビテイー・オブ・ア・ツイステツド・ネマチツク・
リキツド・クリスタル”（"Voltage Dependent Optical
Activity of a Twisted Nematic Liquid Crystal"）に
示されたＴＮ（Twisted Nematic）型液晶であった。
近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Clark）及びラガーウ
オール（Lagerwall）の両者により特開昭56−107216号
公報、米国特許第4367924号明細書等で提案されてい
る。双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクチツ
クＣ相（ＳｍＣ*）又はＨ相（ＳｍＨ*）を有する強誘電
性液晶が用いられ、これらの状態において、印加された
電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安
定状態とのいずれかをとり、かつ電界が印加されないと
きはその状態を維持する性質、即ち双安定性を有し、ま
た電界の変化に対する応答がすみやかで、高速かつ記憶
型の表示装置等の分野における広い利用が期待されてい
る。
する液晶素子の使用がクラーク（Clark）及びラガーウ
オール（Lagerwall）の両者により特開昭56−107216号
公報、米国特許第4367924号明細書等で提案されてい
る。双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクチツ
クＣ相（ＳｍＣ*）又はＨ相（ＳｍＨ*）を有する強誘電
性液晶が用いられ、これらの状態において、印加された
電界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安
定状態とのいずれかをとり、かつ電界が印加されないと
きはその状態を維持する性質、即ち双安定性を有し、ま
た電界の変化に対する応答がすみやかで、高速かつ記憶
型の表示装置等の分野における広い利用が期待されてい
る。
上記強誘電性液晶における第１の安定状態と第２の安定
状態の間にスイツチングは、例えば矩形パルスの場合に
は、パルスの時間幅（パルス幅）と電圧値によって定ま
る闘値以上のパルスが印加された場合に起こる。従っ
て、走査電極と情報電極の交点で形成される画素のう
ち、選択画素には闘値以上、その他の画素には闘値以下
のパルスが印加されるように、走査電極と情報電極に適
正なパルスを印加することによりマルチプレクシング駆
動が可能となる。
状態の間にスイツチングは、例えば矩形パルスの場合に
は、パルスの時間幅（パルス幅）と電圧値によって定ま
る闘値以上のパルスが印加された場合に起こる。従っ
て、走査電極と情報電極の交点で形成される画素のう
ち、選択画素には闘値以上、その他の画素には闘値以下
のパルスが印加されるように、走査電極と情報電極に適
正なパルスを印加することによりマルチプレクシング駆
動が可能となる。
このようなマルチプレクシング駆動方式には種々のもの
があるが、クロストーク量が少ない電圧平均化法である
１／ａバイアス法（例えば１／３バイアス法）が最も良
く用いられている。この１／ａバイアス法によれば、走
査線の選択状態と非選択状態との組合わせにより、画素
に印加される電圧の印加状態には４通りの状態が発生す
る。つまり、走査線および情報信号線が共に選択状態で
あれば（選択状態という）、駆動電圧のピーク値はＶｏ
（ただしＶｏは一定の電源電圧）、また走査線が選択状
態で情報信号線が非選択状態であれば（半選択状態とい
う）、駆動電圧のピークは（１−２／ａ）Ｖｏ、一方、
走査線が非選択状態であれば、情報信号線に関係なく
（非選択状態という）、駆動電圧のピークはＶｏ／ａで
ある。従って、マルチプレクシング駆動の１フレーム
（１周期時間）では、選択状態にある画素に印加される
駆動電圧の実効値は、非選択状態にある画素に印加され
る駆動電圧の実効値より大きく、この実効値の差が液晶
の透過光強度もしくは反射光強度の差すなわちコントラ
ストとなり表示が行えるものである。
があるが、クロストーク量が少ない電圧平均化法である
１／ａバイアス法（例えば１／３バイアス法）が最も良
く用いられている。この１／ａバイアス法によれば、走
査線の選択状態と非選択状態との組合わせにより、画素
に印加される電圧の印加状態には４通りの状態が発生す
る。つまり、走査線および情報信号線が共に選択状態で
あれば（選択状態という）、駆動電圧のピーク値はＶｏ
（ただしＶｏは一定の電源電圧）、また走査線が選択状
態で情報信号線が非選択状態であれば（半選択状態とい
う）、駆動電圧のピークは（１−２／ａ）Ｖｏ、一方、
走査線が非選択状態であれば、情報信号線に関係なく
（非選択状態という）、駆動電圧のピークはＶｏ／ａで
ある。従って、マルチプレクシング駆動の１フレーム
（１周期時間）では、選択状態にある画素に印加される
駆動電圧の実効値は、非選択状態にある画素に印加され
る駆動電圧の実効値より大きく、この実効値の差が液晶
の透過光強度もしくは反射光強度の差すなわちコントラ
ストとなり表示が行えるものである。
ところで、マルチプレクシング駆動においては、選択状
態で闘値電圧以上の書込みパルスが印加され、その後の
非選択状態では、書込みパルスの１／ａの電圧値をもつ
パルス列が情報信号に応じて印加されることになるが、
かかる非選択状態下のパルス列の印加状態によっては、
選択時に書込みパルスが印加されたにもかかわらず、反
転を生じない画素を生じる（つまり選択時に書込みパル
スの印加によって反転を生じるが、続く非選択時に印加
される１／ａの電圧値をもつパルス列の印加によって再
反転を生じる）ことがある。このため、ａの値を十分に
大きな値に設定することが考えられていた。
態で闘値電圧以上の書込みパルスが印加され、その後の
非選択状態では、書込みパルスの１／ａの電圧値をもつ
パルス列が情報信号に応じて印加されることになるが、
かかる非選択状態下のパルス列の印加状態によっては、
選択時に書込みパルスが印加されたにもかかわらず、反
転を生じない画素を生じる（つまり選択時に書込みパル
スの印加によって反転を生じるが、続く非選択時に印加
される１／ａの電圧値をもつパルス列の印加によって再
反転を生じる）ことがある。このため、ａの値を十分に
大きな値に設定することが考えられていた。
しかし、ａの値が大きすぎると、選択状態下の画素と半
選択状態下の画素に印加される電圧の振幅差が小さくな
り、画素間で闘値電圧にバラツキを生じている場合で
も、スイツチング不良を惹起こすことになる。また、選
択状態下では、走査側ドライバーが負担する電圧のピー
ク値は、（１−１／ａ）Ｖｏとなっており、バイアス比
ａの値が大きい程、走査側ドライバーの負担は大きくな
る。
選択状態下の画素に印加される電圧の振幅差が小さくな
り、画素間で闘値電圧にバラツキを生じている場合で
も、スイツチング不良を惹起こすことになる。また、選
択状態下では、走査側ドライバーが負担する電圧のピー
ク値は、（１−１／ａ）Ｖｏとなっており、バイアス比
ａの値が大きい程、走査側ドライバーの負担は大きくな
る。
このため従来では、上述の点を考慮に入れバイアス比の
最適下を行っていたが、駆動条件が温度により大きく変
化する強誘電性液晶では、温度変化を生じた時に最適な
バイアス比から外してしまうことになり、このため駆動
できる温度範囲が制限されていた。
最適下を行っていたが、駆動条件が温度により大きく変
化する強誘電性液晶では、温度変化を生じた時に最適な
バイアス比から外してしまうことになり、このため駆動
できる温度範囲が制限されていた。
本発明は、前記従来例を解決するためになされたもの
で、広範な温度領域で高品位表示を可能にした強誘電性
液晶装置を提供することを目的としている。特に、本発
明の別の目的は、広範な温度領域で駆動可能な温度補償
法を提供することにある。
で、広範な温度領域で高品位表示を可能にした強誘電性
液晶装置を提供することを目的としている。特に、本発
明の別の目的は、広範な温度領域で駆動可能な温度補償
法を提供することにある。
本発明者らは、強誘電性液晶装置のマルチプレクシング
駆動において、駆動条件（駆動電圧とバイアス比）と温
度の関係について、種々の研究を行った結果、バイアス
比を使用温度に応じて変化させることで、駆動可能な温
度範囲を実用上問題とならない程度にまで拡げることが
できた。本発明は、かかる知見に基づいてなしたもので
ある。
駆動において、駆動条件（駆動電圧とバイアス比）と温
度の関係について、種々の研究を行った結果、バイアス
比を使用温度に応じて変化させることで、駆動可能な温
度範囲を実用上問題とならない程度にまで拡げることが
できた。本発明は、かかる知見に基づいてなしたもので
ある。
すなわち、本発明は、第１に、走査線と情報線とを有
し、該走査線と情報線との間に強誘電性液晶を配置した
液晶素子、及び走査線を順次選択し、選択された走査線
への走査信号の印加と同期させて情報線に情報信号を印
加する手段を有する液晶装置において、選択された走査
線と選択された情報線との交差部（選択点）への印加電
圧に対する選択されていない走査線と選択された情報線
との交差線（非選択点）への印加電圧の比（１／ａバイ
アス比）を温度変化に応じて可変させ、且つ該選択され
た走査線と情報線との交差部への印加電圧振幅を温度変
化に応じて可変させる手段を有する液晶装置に第１の特
徴を有し、第２に、走査線と情報線とを有し、該走査線
と情報線との間に強誘電性液晶を配置した液晶素子、及
び走査線を順次選択し、選択された走査線への走査信号
の印加と同期させて情報線に情報信号を印加する手段を
有する液晶装置において、選択された走査線と選択され
た情報線との交差部への印加電圧に対する選択されてい
ない走査線と選択された情報線との交差部への印加電圧
の比を温度変化に応じて可変させ、且つ該選択された走
査線と情報線との交差部への印加電圧パルス幅を温度変
化に応じて可変させる手段を有する液晶装置に第２の特
徴を有している。
し、該走査線と情報線との間に強誘電性液晶を配置した
液晶素子、及び走査線を順次選択し、選択された走査線
への走査信号の印加と同期させて情報線に情報信号を印
加する手段を有する液晶装置において、選択された走査
線と選択された情報線との交差部（選択点）への印加電
圧に対する選択されていない走査線と選択された情報線
との交差線（非選択点）への印加電圧の比（１／ａバイ
アス比）を温度変化に応じて可変させ、且つ該選択され
た走査線と情報線との交差部への印加電圧振幅を温度変
化に応じて可変させる手段を有する液晶装置に第１の特
徴を有し、第２に、走査線と情報線とを有し、該走査線
と情報線との間に強誘電性液晶を配置した液晶素子、及
び走査線を順次選択し、選択された走査線への走査信号
の印加と同期させて情報線に情報信号を印加する手段を
有する液晶装置において、選択された走査線と選択され
た情報線との交差部への印加電圧に対する選択されてい
ない走査線と選択された情報線との交差部への印加電圧
の比を温度変化に応じて可変させ、且つ該選択された走
査線と情報線との交差部への印加電圧パルス幅を温度変
化に応じて可変させる手段を有する液晶装置に第２の特
徴を有している。
特に本発明の好ましい具体例では、選択点又は非選択点
へ印加電圧が低温時より高温時で低い電圧に設定されて
いるか、又は選択点又は非選択点への印加電圧のパルス
幅が低温時より高温時で短かい電圧パルス幅に設定され
ているとともに、高温時での前記比の値が低温時での前
記比の値より小さく設定されている。
へ印加電圧が低温時より高温時で低い電圧に設定されて
いるか、又は選択点又は非選択点への印加電圧のパルス
幅が低温時より高温時で短かい電圧パルス幅に設定され
ているとともに、高温時での前記比の値が低温時での前
記比の値より小さく設定されている。
本発明で用いることができる液晶材料として、特に適し
たものはカイラルスメクチツク液晶であって、強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクチツク
Ｃ層（ＳｍＣ*）カイラルスメクチツクＧ相（Ｓｍ
Ｇ*）、カイラルスメクチツクＦ相（ＳｍＦ*）、カイラ
ルスメクチツクＩ相（ＳｍＩ*）又はカイラルスメクチ
ツクＨ相（ＳｍＨ*）の液晶を用いることができる。そ
の強誘電性液晶の詳細については、“ル・ジユーナル・
ド・フイジーク・ルテール”（"LE JOURNAL DE PHYSIOU
E LETTERS"）1975年，36（Ｌ−69）号に掲載の「フエロ
エレクトリック・リキツド・クリスタルス」（「Ferroe
lectric Liquid Crystals」）；“アプライド・フイジ
ツクス・レターズ”（"Appliedphysics Letters"）1980
年，36（11）号に掲載の「サブミクロ・セカンド・バイ
ステイブル・エレクトロオプテイツク・スイツチング・
イン・リキツド・クリスタルス」（「Submicro Second
Bistable Electrooptic Switching in Liquid Crystal
s」）；“固体物理”1981年，16（141）号に掲載の「液
晶」等に記載されていて、本発明ではこれらの開示さた
強誘電性液晶を用いることができる。
たものはカイラルスメクチツク液晶であって、強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクチツク
Ｃ層（ＳｍＣ*）カイラルスメクチツクＧ相（Ｓｍ
Ｇ*）、カイラルスメクチツクＦ相（ＳｍＦ*）、カイラ
ルスメクチツクＩ相（ＳｍＩ*）又はカイラルスメクチ
ツクＨ相（ＳｍＨ*）の液晶を用いることができる。そ
の強誘電性液晶の詳細については、“ル・ジユーナル・
ド・フイジーク・ルテール”（"LE JOURNAL DE PHYSIOU
E LETTERS"）1975年，36（Ｌ−69）号に掲載の「フエロ
エレクトリック・リキツド・クリスタルス」（「Ferroe
lectric Liquid Crystals」）；“アプライド・フイジ
ツクス・レターズ”（"Appliedphysics Letters"）1980
年，36（11）号に掲載の「サブミクロ・セカンド・バイ
ステイブル・エレクトロオプテイツク・スイツチング・
イン・リキツド・クリスタルス」（「Submicro Second
Bistable Electrooptic Switching in Liquid Crystal
s」）；“固体物理”1981年，16（141）号に掲載の「液
晶」等に記載されていて、本発明ではこれらの開示さた
強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−p′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBC）、ヘキシルオキシペンジリデン−p′−ア
ミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACPC）、
４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−4′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）などが挙げられる。
ジリデン−p′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（DOBAMBC）、ヘキシルオキシペンジリデン−p′−ア
ミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACPC）、
４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−4′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）などが挙げられる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要に
応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロツク等によ
り支持することができる。
が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要に
応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロツク等によ
り支持することができる。
以下、本発明を図面に従って説明する。
第１図は、本発明の液晶装置を表わすブロツク図であ
る。図中、強誘電性液晶パネル11には、走査線12と情報
線13とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
12と情報線13との間には強誘電液晶が配置されている。
走査線12には、走査線に走査信号を供給するための走査
回路14と走査側駆動電圧発生回路15とが接続され、情報
線13には、情報線13に情報信号を供給するためのシフト
レジスタ16，ラインメモリー17と信号側駆動電圧発生回
路18とが接続されている。さらに、本発明は、温度変化
に応じて選択点でのバイアス比ａを可変するための温度
補償回路19Ａ，電圧制御回路19Ｂ，周波数制御回路19
Ｃ，温度制御回路19Ｄと温度センサ19Ｅとがそれぞれ走
査側駆動電圧発生回路15と信号側駆動発生回路18に接続
されている。又、上述の電圧制御回路19Ｂと周波数制御
回路19Ｃは、それぞれ同時に又は何れか一方だけが出力
することができる。
る。図中、強誘電性液晶パネル11には、走査線12と情報
線13とが互いに交差して配線され、その交差部の走査線
12と情報線13との間には強誘電液晶が配置されている。
走査線12には、走査線に走査信号を供給するための走査
回路14と走査側駆動電圧発生回路15とが接続され、情報
線13には、情報線13に情報信号を供給するためのシフト
レジスタ16，ラインメモリー17と信号側駆動電圧発生回
路18とが接続されている。さらに、本発明は、温度変化
に応じて選択点でのバイアス比ａを可変するための温度
補償回路19Ａ，電圧制御回路19Ｂ，周波数制御回路19
Ｃ，温度制御回路19Ｄと温度センサ19Ｅとがそれぞれ走
査側駆動電圧発生回路15と信号側駆動発生回路18に接続
されている。又、上述の電圧制御回路19Ｂと周波数制御
回路19Ｃは、それぞれ同時に又は何れか一方だけが出力
することができる。
第２図は強誘電性液晶を封入したセルのマトリクス電極
を示す模式図である。
を示す模式図である。
第２図で示すセル構造体10は、ガラス板などを用いた一
対の基板1aと1bがスペーサ４で所定の間隔に保持され、
この一対の基板をシーリングするために周囲を接着剤６
で接着したセル構造を有しており、基板1aの上には複数
の透明電極2aからなる電極群（例えばマトリクス電極構
造のうちの走査信号印加用電極群）が帯状パターンで形
成され、基板1bの上には前述の透明電極2aと交差させた
複数の透明電極2bからなる電極群（例えば、マトリクス
電極構造のうち情報信号印加用電極群）が形成されてい
る。透明電極を設けた基板上にはポリビニールアルコー
ル（ＰＶＡ），ポリイミド，ポリアミドイミドなどで成
膜した配向制御膜が形成され、その表面にはラビング処
理などの一軸性配向処理が施されている。しかる後、セ
ル内に強誘電性液晶を注入し、一度等方相まで加熱した
後にＳｍＣ*へ徐冷することによって強誘電性液晶セル
が得られる。
対の基板1aと1bがスペーサ４で所定の間隔に保持され、
この一対の基板をシーリングするために周囲を接着剤６
で接着したセル構造を有しており、基板1aの上には複数
の透明電極2aからなる電極群（例えばマトリクス電極構
造のうちの走査信号印加用電極群）が帯状パターンで形
成され、基板1bの上には前述の透明電極2aと交差させた
複数の透明電極2bからなる電極群（例えば、マトリクス
電極構造のうち情報信号印加用電極群）が形成されてい
る。透明電極を設けた基板上にはポリビニールアルコー
ル（ＰＶＡ），ポリイミド，ポリアミドイミドなどで成
膜した配向制御膜が形成され、その表面にはラビング処
理などの一軸性配向処理が施されている。しかる後、セ
ル内に強誘電性液晶を注入し、一度等方相まで加熱した
後にＳｍＣ*へ徐冷することによって強誘電性液晶セル
が得られる。
第３図は、本発明で用いた駆動法の波形図である。
第３図は（Ａ）中のSSは選択された走査線に印加する選
択走査信号を、SNは選択されていない非選択走査信号
を、ISは選択された情報線に印加する選択情報信号
（黒）をINは選択されていない情報線に印加する非選択
情報信号（白）を表わしている。又、図中（IS−SS）と
（IN−SS）は選択された走査線上の画素に印加する電圧
波形で、電圧（IS−SS）が印加された画素は黒の表示状
態をとり、電圧（IN−SS）が印加された画素は白の表示
状態をとる。
択走査信号を、SNは選択されていない非選択走査信号
を、ISは選択された情報線に印加する選択情報信号
（黒）をINは選択されていない情報線に印加する非選択
情報信号（白）を表わしている。又、図中（IS−SS）と
（IN−SS）は選択された走査線上の画素に印加する電圧
波形で、電圧（IS−SS）が印加された画素は黒の表示状
態をとり、電圧（IN−SS）が印加された画素は白の表示
状態をとる。
第３図（Ｂ）は第３図（Ａ）に示す駆動波形で第１図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。尚、第１図
中の斜線部の画素は、黒の書込み状態，空白部の画素
は、白の書込み状態を表わしている。
示す表示を行ったときの時系列波形である。尚、第１図
中の斜線部の画素は、黒の書込み状態，空白部の画素
は、白の書込み状態を表わしている。
第３図に示す駆動例では、選択された走査線に印加する
走査選択信号SSは、VS1と−VS2の電圧に設定した交流電
圧（正極性と負極性は、選択されない走査線の印加電圧
を基準にした）で、その振巾を等しくした電圧（｜VS｜
＝｜VS1｜＝｜VS2｜）を用いており、情報線から印加す
る電圧VI1（−VI2）との間で、例えば１／ａバイアス比
が１／３の時、｜VS｜＝２｜VI｜，１／ａバイアス比が
１／４の｜VS｜＝３｜VI｜の値になる様にそれぞれの振
巾を設定している（VI＝｜VI1｜＝｜VI2｜）。
走査選択信号SSは、VS1と−VS2の電圧に設定した交流電
圧（正極性と負極性は、選択されない走査線の印加電圧
を基準にした）で、その振巾を等しくした電圧（｜VS｜
＝｜VS1｜＝｜VS2｜）を用いており、情報線から印加す
る電圧VI1（−VI2）との間で、例えば１／ａバイアス比
が１／３の時、｜VS｜＝２｜VI｜，１／ａバイアス比が
１／４の｜VS｜＝３｜VI｜の値になる様にそれぞれの振
巾を設定している（VI＝｜VI1｜＝｜VI2｜）。
又、第３図に示す駆動法では、１ライクリヤ位置t1で画
素（IN-SS）に印加される電圧VRは、その電圧印加時間
を最小印加時間Δｔの２倍の時間に設定した時に強誘電
性液晶の飽和闘値Vsatを越える様に設定されているが、
この電圧VRでは波高値−VSと−VSと＋VI＝−VIが異って
おり、且つそれぞれの波高値は最小印加時間Δｔを基準
にした飽和闘値Vsarより小さく設定されている。このた
め、第３図に示す駆動波形では、画素に印加される一方
極性の実効的な直流バイアス成分を低い値に抑えること
ができ、さらに走査選択信号Ssで用いた電圧VS（−VS）
を小さい電圧とすることが可能であるため、走査側駆動
回路の耐圧依存性を低下させることができる。
素（IN-SS）に印加される電圧VRは、その電圧印加時間
を最小印加時間Δｔの２倍の時間に設定した時に強誘電
性液晶の飽和闘値Vsatを越える様に設定されているが、
この電圧VRでは波高値−VSと−VSと＋VI＝−VIが異って
おり、且つそれぞれの波高値は最小印加時間Δｔを基準
にした飽和闘値Vsarより小さく設定されている。このた
め、第３図に示す駆動波形では、画素に印加される一方
極性の実効的な直流バイアス成分を低い値に抑えること
ができ、さらに走査選択信号Ssで用いた電圧VS（−VS）
を小さい電圧とすることが可能であるため、走査側駆動
回路の耐圧依存性を低下させることができる。
第２図に示すマトリクス電極群で形成されたある画素Ｐ
について、第３図に示す波形を用いて、１／３バイアス
法と１／４バイアス法でΔｔ＝２８μsecとして電気光
学特性の測定を行った。第４図（Ａ）と（Ｂ）はtemp＝
27℃での結果で、第４図（Ｃ）と（Ｄ）はtemp=35℃で
の結果を示す。この際に使用した液晶は、以下に示す様
な相変化を生じるエステル形混合液晶であった。
について、第３図に示す波形を用いて、１／３バイアス
法と１／４バイアス法でΔｔ＝２８μsecとして電気光
学特性の測定を行った。第４図（Ａ）と（Ｂ）はtemp＝
27℃での結果で、第４図（Ｃ）と（Ｄ）はtemp=35℃で
の結果を示す。この際に使用した液晶は、以下に示す様
な相変化を生じるエステル形混合液晶であった。
（Iso;等方相、SmA;スメクチツクＡ相、Cry;結晶相を表
わす。） １／３バイアス法（又は１／４バイアス法）で駆動を行
った場合、スイツチング可能な駆動電圧値Vd・１／３
（又はVd・１／４）の範囲は、Vsat・１／３＜Vd・１／
３＜Vct・１／３（又はVsat・１／４＜Vd・１／４＜Vct
・１／４）である。ここで、Vsat・１／３（又はVsat・
１／４）は、黒側と白側の双方がスイツチングできる駆
動電圧の最低値で、黒側の飽和闘値電圧をVsat・１／３
・黒（又はVast・１／４・黒）とし、白側の飽和闘値電
圧をVsat・１／３・白（又はVsat・１／４・白）とすれ
ば、第４図（Ａ）からわるように、黒側書込み電圧のピ
ーク値Vd・黒を基準に考えると、白側書込み電圧のピー
ク値Vd・白は、 ＜Vsat・１／４・黒）の時、Vsat１／３＝Vsat・１／３
・黒（又はVsat・１／４＝Vsat・１／４・黒）である。
わす。） １／３バイアス法（又は１／４バイアス法）で駆動を行
った場合、スイツチング可能な駆動電圧値Vd・１／３
（又はVd・１／４）の範囲は、Vsat・１／３＜Vd・１／
３＜Vct・１／３（又はVsat・１／４＜Vd・１／４＜Vct
・１／４）である。ここで、Vsat・１／３（又はVsat・
１／４）は、黒側と白側の双方がスイツチングできる駆
動電圧の最低値で、黒側の飽和闘値電圧をVsat・１／３
・黒（又はVast・１／４・黒）とし、白側の飽和闘値電
圧をVsat・１／３・白（又はVsat・１／４・白）とすれ
ば、第４図（Ａ）からわるように、黒側書込み電圧のピ
ーク値Vd・黒を基準に考えると、白側書込み電圧のピー
ク値Vd・白は、 ＜Vsat・１／４・黒）の時、Vsat１／３＝Vsat・１／３
・黒（又はVsat・１／４＝Vsat・１／４・黒）である。
一方、Vct・１／３（又はVct・１／４）は、黒側又は白
側のどちらか一方がクロストークし始める駆動電圧値
で、黒側のクロストークし始める電圧値をVct・１／３
・黒（又はVct・１／４・黒）とし、白側のクロストー
クし始める電圧値をVct・１／３・白（又はVct・１／４
・白）とすれば、 Vct・１／４・白＞Vct・１／４・黒）の時、Vct・１／
３＝Vct・１／３・黒（又はVct・１／４＝Vct・ 従って、第４図（Ａ）から判り通り、温度27℃で、スイ
ツチング可能な駆動電圧Vd・１／３の範囲は18（Ｖ）＜
Vd・１／３＜22.5（Ｖ）であった。
側のどちらか一方がクロストークし始める駆動電圧値
で、黒側のクロストークし始める電圧値をVct・１／３
・黒（又はVct・１／４・黒）とし、白側のクロストー
クし始める電圧値をVct・１／３・白（又はVct・１／４
・白）とすれば、 Vct・１／４・白＞Vct・１／４・黒）の時、Vct・１／
３＝Vct・１／３・黒（又はVct・１／４＝Vct・ 従って、第４図（Ａ）から判り通り、温度27℃で、スイ
ツチング可能な駆動電圧Vd・１／３の範囲は18（Ｖ）＜
Vd・１／３＜22.5（Ｖ）であった。
また、第４図（Ｂ）から判る通り、温度27℃でスイツチ
ング可能な駆動電圧の範囲Vd・１／４の範囲は18（Ｖ）
Vd・１／４＜20（Ｖ）であり、どちらのバイアス値の駆
動法でも白・黒の書込みが可能であることがわかる。
ング可能な駆動電圧の範囲Vd・１／４の範囲は18（Ｖ）
Vd・１／４＜20（Ｖ）であり、どちらのバイアス値の駆
動法でも白・黒の書込みが可能であることがわかる。
ここで、それぞれのバイアス値での駆動電圧に対する走
査信号側の電圧負担分を考えてみる。第５図にその結果
を示す。１／４バイアス法での走査信号電圧負担分は、
１／３バイアス法で駆動した場合の9/8倍であり、１／
４バイアス法では温度変化に伴なう駆動電圧の変化に応
じて走側信号側の電圧側を大きく変化させる必要がある
ばかりではなく、ドライバICの耐圧の制限から１／３バ
イアス法のほうがより低温側の駆動が行えることがわか
る。
査信号側の電圧負担分を考えてみる。第５図にその結果
を示す。１／４バイアス法での走査信号電圧負担分は、
１／３バイアス法で駆動した場合の9/8倍であり、１／
４バイアス法では温度変化に伴なう駆動電圧の変化に応
じて走側信号側の電圧側を大きく変化させる必要がある
ばかりではなく、ドライバICの耐圧の制限から１／３バ
イアス法のほうがより低温側の駆動が行えることがわか
る。
しかしながら、１／３バイアス法では温度が27℃から35
℃へと高温になるに従ってクロストークが起こりやすく
なり、第４図（Ｃ）に示すように温度35℃では、黒側の
書込みが出来なくなっている。このように駆動可能な上
限の温度は、クロストークにより制限され、温度の高い
領域ではクロストークしにくい１／４バイアス法が有利
である。また、第４図（Ｄ）に、温度35℃において、１
／４バイアス法で駆動した場合の電気光学特性を示す。
この場合、スイツチング可能な駆動電圧の範囲は、16
（Ｖ）＜Vd・１／４（17.3（Ｖ）であり、書込みが十分
可能であることがわかる。
℃へと高温になるに従ってクロストークが起こりやすく
なり、第４図（Ｃ）に示すように温度35℃では、黒側の
書込みが出来なくなっている。このように駆動可能な上
限の温度は、クロストークにより制限され、温度の高い
領域ではクロストークしにくい１／４バイアス法が有利
である。また、第４図（Ｄ）に、温度35℃において、１
／４バイアス法で駆動した場合の電気光学特性を示す。
この場合、スイツチング可能な駆動電圧の範囲は、16
（Ｖ）＜Vd・１／４（17.3（Ｖ）であり、書込みが十分
可能であることがわかる。
ここで、走査側信号ドライバーＩＣの耐圧が30Ｖの駆動
回路を用いで、第３図に示す駆動例に基づいた１／３バ
イアス法と１／４バイアス法で前記液晶素子のスイツチ
ングを行った時の駆動可能な温度領域を第６図（Ａ）の
（ａ）と（ｂ）に示す。
回路を用いで、第３図に示す駆動例に基づいた１／３バ
イアス法と１／４バイアス法で前記液晶素子のスイツチ
ングを行った時の駆動可能な温度領域を第６図（Ａ）の
（ａ）と（ｂ）に示す。
第６図（Ａ）によれば、25℃〜30℃の温度範囲では、１
／３バイアス法と１／４バイアス法の何れか一方で駆動
可能であるため、この温度範囲内でバイアス比の切換え
を行うことができる。
／３バイアス法と１／４バイアス法の何れか一方で駆動
可能であるため、この温度範囲内でバイアス比の切換え
を行うことができる。
本発明の具体例では、例えば下表１の如き駆動条件で第
３図に示す駆動例に基づいた駆動を行うことができる。
３図に示す駆動例に基づいた駆動を行うことができる。
（但し、走査比選択信号SN＝Ｏｖ 10℃−27℃間＝１／３バイアス；27℃−35℃間＝１／４
バイアス） この様に、本発明の好ましい具体例では、駆動電圧が高
く、クロストークを発生しずらい低温側では、１／３バ
イアス法で駆動を行い、（第６図（Ａ）の（ａ））、駆
動電圧が低く、クロストークを発生しやすい高温側で
は、１／４バイアス法を用いる（第６図（Ａ）の
（ｂ））ことにより第６図（Ａ）の（Ｃ）に示すように
駆動可能な温度領域を広げることが実現できる。
バイアス） この様に、本発明の好ましい具体例では、駆動電圧が高
く、クロストークを発生しずらい低温側では、１／３バ
イアス法で駆動を行い、（第６図（Ａ）の（ａ））、駆
動電圧が低く、クロストークを発生しやすい高温側で
は、１／４バイアス法を用いる（第６図（Ａ）の
（ｂ））ことにより第６図（Ａ）の（Ｃ）に示すように
駆動可能な温度領域を広げることが実現できる。
前述の例を実施した時のΔｔ＝28μsecに代えてΔ＝40
μsecで実験を行った。この時の駆動可能な温度領域を
第６図（Ｂ）に示す。又、この時の駆動条件の具体例を
下表２に示す。
μsecで実験を行った。この時の駆動可能な温度領域を
第６図（Ｂ）に示す。又、この時の駆動条件の具体例を
下表２に示す。
第６図（Ｂ）から明らかな様に、低温側で１／３バイア
ス法，高温側で１／４バイアス法を用いることにより、
駆動可能な温度領域を広げることが実現できた。このよ
うに、異なったパルス巾Δｔでも前述の例におけるΔｔ
＝28μsecの時と同様の効果が得られ、温度に応じて駆
動電圧又はΔｔを可変すると同時にバイアス比を可変す
ることで全体として広い温度範囲で高品位の表示が可能
となる。
ス法，高温側で１／４バイアス法を用いることにより、
駆動可能な温度領域を広げることが実現できた。このよ
うに、異なったパルス巾Δｔでも前述の例におけるΔｔ
＝28μsecの時と同様の効果が得られ、温度に応じて駆
動電圧又はΔｔを可変すると同時にバイアス比を可変す
ることで全体として広い温度範囲で高品位の表示が可能
となる。
（但し、走査非選択信号SN＝Ｏｖ； ５℃−27℃間＝１／３バイアス；27℃−35℃間＝１／４
バイアス） この様に低温時のパルス幅より高温時のパルス幅を短か
く設定する様に、温度変化に応じてパルス幅を可変する
ことで、駆動可能な温度範囲を拡げることができる。
バイアス） この様に低温時のパルス幅より高温時のパルス幅を短か
く設定する様に、温度変化に応じてパルス幅を可変する
ことで、駆動可能な温度範囲を拡げることができる。
以上本発明による駆動法によれば、高温側でのクロスト
ークの発生を防止することができ、また低温側での走査
信号側ドライバの負担を軽減でき、全体として広い温度
範囲で高品位の表示を行うことが可能となった。この駆
動法では、クロストークをおこしやすい液晶材料に特に
有効であり、また駆動電圧の温度依存性が大きいものほ
ど有効である。
ークの発生を防止することができ、また低温側での走査
信号側ドライバの負担を軽減でき、全体として広い温度
範囲で高品位の表示を行うことが可能となった。この駆
動法では、クロストークをおこしやすい液晶材料に特に
有効であり、また駆動電圧の温度依存性が大きいものほ
ど有効である。
また、使用温度に応じて逐次バイアス比を切換え最適の
バイアス比で駆動することが最良である。
バイアス比で駆動することが最良である。
又、上述の例で、低温側と高温側で、それぞれ１／ａバ
イアスを１／３バイアスと１／４バイアスに設定し、そ
れぞれの間で２段階で切換えた例を示したが、本発明で
は、温度変化に応じて切換える１／ａバイアスを３段階
又はそれ以上の段階数で切換えることも可能であり、又
その時の１／ａバイアスの組合わせは低温側での１／ａ
バイアスを高温側でのＩ／ａバイアスより大きい値とな
る範囲内で設定することができる。
イアスを１／３バイアスと１／４バイアスに設定し、そ
れぞれの間で２段階で切換えた例を示したが、本発明で
は、温度変化に応じて切換える１／ａバイアスを３段階
又はそれ以上の段階数で切換えることも可能であり、又
その時の１／ａバイアスの組合わせは低温側での１／ａ
バイアスを高温側でのＩ／ａバイアスより大きい値とな
る範囲内で設定することができる。
又、本発明で用いる駆動例としては、前述の第２図に示
す駆動例に限らず、例えば特開昭59−193426号公報，同
59−193427号公報，同60−156046号公報や同60−156047
号公報に開示された駆動例を用いることも可能である。
す駆動例に限らず、例えば特開昭59−193426号公報，同
59−193427号公報，同60−156046号公報や同60−156047
号公報に開示された駆動例を用いることも可能である。
第７図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてＳ
ｍＣ＊を例にとって説明する。
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてＳ
ｍＣ＊を例にとって説明する。
71ａと71ｂはIn2O3、SnO2あるいはITO（Indium-Tin Oxi
de）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラ
ス板）であり、その間に液晶分子層72がガラス面に垂直
になるように配向したＳｍＣ＊相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線73が液晶分子を表わしており、この
液晶分子73は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。この液晶分子73は、その分子に直交した方向
に双極子モーメト（Ｐ⊥）74を有している。基板71ａと
71ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、
液晶分子73のらせん構造がほどけ、双極子モーメント
（Ｐ⊥）74がすべて電界方向に向くよう、液晶分子73は
配向方向を変えることができる。液晶分子73は、細長い
形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学
特性が変わる液晶光学素子となることは、容易に理解さ
れる。
de）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラ
ス板）であり、その間に液晶分子層72がガラス面に垂直
になるように配向したＳｍＣ＊相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線73が液晶分子を表わしており、この
液晶分子73は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成
している。この液晶分子73は、その分子に直交した方向
に双極子モーメト（Ｐ⊥）74を有している。基板71ａと
71ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、
液晶分子73のらせん構造がほどけ、双極子モーメント
（Ｐ⊥）74がすべて電界方向に向くよう、液晶分子73は
配向方向を変えることができる。液晶分子73は、細長い
形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学
特性が変わる液晶光学素子となることは、容易に理解さ
れる。
本発明の駆動法で好ましく用いられる液晶セルは、その
厚さを充分に薄く（例えば10μ以下）することができ
る。このように液晶層が薄くなるようにしたがい、第８
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極
子モーメント（Pa）また（Pb）は、上向き（84ａ）又は
下向き（84ｂ）のどちらかの状態をとる。
厚さを充分に薄く（例えば10μ以下）することができ
る。このように液晶層が薄くなるようにしたがい、第８
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極
子モーメント（Pa）また（Pb）は、上向き（84ａ）又は
下向き（84ｂ）のどちらかの状態をとる。
このようなセルに、第８図に示す如く一定の閾値以上の
極性を異なる電界Ea又はEbを電圧印加手段81ａと81ｂに
より付与すると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの
電界ベクトルに対応して上向き84ａ又は下向き84ｂと向
きに変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態83
ａかあるいは第２の安定状態83ｂの何れか一方に配向す
る。
極性を異なる電界Ea又はEbを電圧印加手段81ａと81ｂに
より付与すると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの
電界ベクトルに対応して上向き84ａ又は下向き84ｂと向
きに変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態83
ａかあるいは第２の安定状態83ｂの何れか一方に配向す
る。
このような強誘電性を液晶光学素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答速
度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双
安定性を有することである。第２の点を、例えば第８図
によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶分子
は第１の安定状態83ａに配向するが、この状態は電界を
切つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は第２の安定状態83ｂに配向してその分子
の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留
まっている。
利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答速
度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双
安定性を有することである。第２の点を、例えば第８図
によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶分子
は第１の安定状態83ａに配向するが、この状態は電界を
切つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は第２の安定状態83ｂに配向してその分子
の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留
まっている。
以上説明したように、本発明によれば、書込みパルス印
加の後に情報信号による交流的なパルス列が続いて印加
されるマルチプレクシング駆動において、駆動パルスの
バイアス比を使用温度に応じて切換えることにより、広
い温度範囲で高品位の表示が維持できる。
加の後に情報信号による交流的なパルス列が続いて印加
されるマルチプレクシング駆動において、駆動パルスの
バイアス比を使用温度に応じて切換えることにより、広
い温度範囲で高品位の表示が維持できる。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明で用いた強誘電性液晶装置のブロツク
図である。 第２図は、マトリクス電極を示す模式図で、第３図
（Ａ）は本発明で用いた駆動波形の波形図で、第３図
（Ｂ）はそれを用いた時の時系列駆動波形図である。 第４図（Ａ）〜（Ｄ）は、画素に電圧を印加した時の透
過光量特性を表わした特性図で、第５図は駆動電圧と走
査信号電圧の関係を示す説明図であり、第６図（Ａ）及
び（Ｂ）は本発明で用いた強誘電性液晶素子の駆動可能
な温度範囲を示す説明図である。第７図と第８図は、本
発明で用いた強誘電性液晶素子を模式的に表わした斜視
図である。
図である。 第２図は、マトリクス電極を示す模式図で、第３図
（Ａ）は本発明で用いた駆動波形の波形図で、第３図
（Ｂ）はそれを用いた時の時系列駆動波形図である。 第４図（Ａ）〜（Ｄ）は、画素に電圧を印加した時の透
過光量特性を表わした特性図で、第５図は駆動電圧と走
査信号電圧の関係を示す説明図であり、第６図（Ａ）及
び（Ｂ）は本発明で用いた強誘電性液晶素子の駆動可能
な温度範囲を示す説明図である。第７図と第８図は、本
発明で用いた強誘電性液晶素子を模式的に表わした斜視
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 修 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鬼束 義浩 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−245140（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−245141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−246014（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−269122（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】走査線と情報線とを有し、該走査線と情報
線との間に強誘電性液晶を配置した液晶素子、及び走査
線を順次選択し、選択された走査線への走査信号の印加
と同期させて情報線に情報信号を印加する手段を有する
液晶装置において、選択された走査線と選択された情報
線との交差部への印加電圧に対する選択されていない走
査線と選択された情報線との交差線への印加電圧の比を
温度変化に応じて可変させ、且つ該選択された走査線と
情報線との交差部への印加電圧振幅を温度変化に応じて
可変させる手段を有する液晶装置。 - 【請求項２】選択された走査線への印加電圧が選択され
ていない走査線への印加電圧を基準にして一方極性電圧
又は他方極性電圧を有しており、該一方極性電圧又は他
方極性電圧の印加と同期させて、情報線に情報信号を印
加する特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。 - 【請求項３】高温側での前記比の値が低温側での前記比
の値より小さく設定されている特許請求の範囲第１項記
載の液晶装置。 - 【請求項４】前記印加電圧振幅が低温時より高温時で低
い電圧振幅に可変される特許請求の範囲第１項記載の液
晶装置。 - 【請求項５】走査線に走査信号を順次印加する所定期間
を周期的に繰返す特許請求の範囲第１項記載の液晶装
置。 - 【請求項６】前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック
液晶である特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。 - 【請求項７】前記カイラルスメクチック液晶がカイラル
スメクチックＣ又はＨ液晶である特許請求の範囲第６項
記載の液晶装置。 - 【請求項８】走査線と情報線とを有し、該走査線と情報
線との間に強誘電性液晶を配置した液晶素子、及び走査
線を順次選択し、選択された走査線への走査信号の印加
と同期させて情報線に情報信号を印加する手段を有する
液晶装置において、選択された走査線と選択された情報
線との交差部への印加電圧に対する選択されていない走
査線と選択された情報線との交差部への印加電圧の比を
温度変化に応じて可変させ、且つ該選択された走査線と
情報線との交差部への印加電圧パルス幅を温度変化に応
じて可変させる手段を有する液晶装置。 - 【請求項９】選択された走査線への印加電圧が選択され
ていない走査線への印加電圧を基準にして一方極性電圧
又は他方極性電圧を有しており、該一方極性電圧又は他
方極性電圧の印加と同期させて、情報線に情報信号を印
加する特許請求の範囲第８項記載の液晶装置。 - 【請求項１０】高温側での前記比の値が低温側での前記
比の値より小さく設定されている特許請求の範囲第８項
記載の液晶装置。 - 【請求項１１】前記印加電圧パルス幅が低温時より高温
時で短かいパルス幅に可変される特許請求の範囲第８項
記載の液晶装置。 - 【請求項１２】走査線に走査信号を順次印加する所定期
間を周期的に繰返す特許請求の範囲第８項記載の液晶装
置。 - 【請求項１３】前記強誘電性液晶がカイラルスメクチッ
ク液晶である特許請求の範囲第８項記載の液晶装置。 - 【請求項１４】前記カイラルスメクチック液晶がカイラ
ルスメクチックＣ又はＨ液晶である特許請求の範囲第１
３項記載の液晶装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117440A JPH061310B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 液晶装置 |
| US07/175,040 US4952032A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-29 | Display device |
| DE3889966T DE3889966T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Anzeigegerät. |
| EP88302854A EP0285402B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117440A JPH061310B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281136A JPS63281136A (ja) | 1988-11-17 |
| JPH061310B2 true JPH061310B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14711703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117440A Expired - Fee Related JPH061310B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-05-13 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061310B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480150B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2005-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 데이터 제어방법 및 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241731A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクテイック液晶装置 |
| JPS61249024A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Canon Inc | 液晶装置 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62117440A patent/JPH061310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63281136A (ja) | 1988-11-17 |
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