JPH0612855B2 - 周波数混合平衡変調器 - Google Patents

周波数混合平衡変調器

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JPH0612855B2
JPH0612855B2 JP31927190A JP31927190A JPH0612855B2 JP H0612855 B2 JPH0612855 B2 JP H0612855B2 JP 31927190 A JP31927190 A JP 31927190A JP 31927190 A JP31927190 A JP 31927190A JP H0612855 B2 JPH0612855 B2 JP H0612855B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は周波数混合平衡変調器に係わり、特に整合用ス
タブを設けて安定した高周波特性が得られる周波数混合
平衡変調器に関する。
[従来の技術と発明が解決しようとする課題] 従来から、自動車電話等に用いる周波数混合平衡変調器
は、第5図に示すように基板上PLT上に成膜された
第1、第2のトランスLAとLBを有し、第1のトラン
スLAの1次側コイルLの銀電極RF1とG1からRF
信号を、第2のトランスLBの銀電極L01とG2からロ
ーカル信号を入力され、一端がダイオードマトリックス
DMの銀電極P1、P2、P3、P4が接続され、それぞれ
の2次コイルL2、L3、L4、L5の他端の電極IF1
IF2、IF3とIF4から中間周波を出力する。
また、銀電極RF1とG1、L01とG2、IF1、IF2
IF3、IF4との間にそれぞれの信号に係わる外部回路
が接続される。
この基板PLT2は例えば0.635mmのセラミックで
形成される。第1、第2のトランスLA、LBの一次側
コイルL1、L6、2次側コイルL2−L3、L4−L5及び
銀電極RF1、G1、L01、G2、IF1〜IF4、P1〜P
4の導体部分は、金、銀、銀−パラジュム、銅等のペー
トスで基板PLT2上に回路パターンをスパッタリング
若しくは蒸着で薄膜またはスクリーン印刷で厚膜に多層
化することにより成膜される。
第1、第2のトランスLA、LBのフェライトコアは、
印刷性及び厚膜としての焼成が不十分とならないよう
に、例えば交流初透磁率1500のフェライト粉末をガ
ラス粉末量10%の重量比で混合した。全体の仕上り外
形寸法は、例えば4.99×4.5×3.0mmである。
この構成の周波数混合平衡変調器は、第5図に示すよう
に、第1のトランスLAと1次側コイルL1の銀電極R
1とG1から700〜1100MHzのRF信号を入力
し、第2のトランスLBの1次側コイルのコイルL6
銀電極L01とG2からローカル信号を入力すれば、2次
側コイルL2、L3、L4、L5の銀電極IF1とIF2、I
3とIF4から二重平衡変調されたローカル信号に対応
した50〜150MHzの中間周波を得ることができ
る。
ローカル信号のリークハ−40dB〜−60dB、最大
入力200mW、最大動作電圧1V、電流50mA、各
ポートのインピーダンス50Ωで動作する。
この構成の周波数混合平行変調器では銀電極P1〜P2
接続される外部回路が設計された条件から少しでも変移
するとインピーダンスの整合が悪化し、期待した特性が
得られず使用周波数帯域が拡大できない等の難点があ
る。
[発明の目的] 本発明は上述した難点に鑑みなされたもので、外部回路
によるインピーダンスの不整合を補正し、使用周波数帯
域が拡大でき、かつ安定した高周波特性が得られる周波
数混合平衡変調器を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] この目的を達成するため、本発明の周波数混合平衡変調
器は、基板上に、それぞれ第1層、第2層、第3層の配
線からなる第1、第2のトランスと、第1層、第3層の
配線の一端が接続され第1、第2のトランスのそれぞれ
の第2層の配線から入力される第1、第2の信号波を第
1層、第3層の配線の他端から第3の信号波として出力
するダイオードマトリックスと、第1、第2のトランス
及びダイオードマトリックスからなる回路網をシールド
する回路網シールド手段とを順次成膜し、第1、第2の
トランスの1次側のインピーダンスを整合する第1、第
2の整合用スタブを回路網シールド手段でシールドされ
た回路網の外部に成膜したものである。
[実施例] 以下、本発明による周波数混合平衡変調器の好ましい実
施例を図面に沿って詳述する。
本発明による周波数混合平衡変調器は、第1図に示すよ
うに、基板上PLT1に成膜され、それぞれRF側1
層、2層、3層配線2、3、4及びローカル側1層、2
層、3層配線7、8、9からなる第1、第2のトランス
1、6と、RF側及びローカル側の1層、3層配線2、
4、7、9の一端に銀電極P1、P2、P3、P4が接続さ
れ、第1、第2のトランス1、6のRF側及びローカル
側2層配線3、8から入力される第1、第2の信号波が
前記1層、3層配線2、4、7、9の他端の電極IF1
とIF2、IF3とIF4から第3の信号として出力され
るダイオードマトリックスDMとを備えている。
また、第1、第2のトランス1、6のそれぞれのRF側
及びローカル側2層配線3、8は銀電極RF1、G1、L
1、G2に接続され、1層、3層配線2、4、7、9の
他端は銀電極IF1、IF2、IF3に接続される。さら
に、銀電極RF1、LO1には整合用スタブ5、10が接
続される。
外部回路は第2図に示すように、RF側が銀電極RF1
とG1に接続され、ローカル側が銀電極LO1とG2に接
続され、中間周波側が銀電極IF1、IF2及びIF3
IF4の間にそれぞれ接続される。
この第1、第2のトランス1、6とダイオードマトリッ
クスDMで構成された回路網は第3図に示す基板底面シ
ールド11と回路網シールド12でシールドされてい
る。この回路網シールド12の上部に第1、第2のトラ
ンスの1次側のインピーダンスを整合するRF側整合ス
タブ5とローカル側整合スタブ10を設ける。
また、第1、第2のトランス1、6のそれぞれ1層、2
層、3層配線2、3、4と7、8、9を順次下層から導
体印刷で重層し、この配線を絶縁するため導体印刷の間
に絶縁材2a、3a、4aと9a、8a、7aを順次、
層印刷、乾燥する工程を間挿する。また、中央のダイオ
ードマトリックスにポッテング15を行い、その上を第
1アンダコート13を印刷、硬化し、第1アンダコート
13の上に回路網シールド12を更に印刷、硬化する。
つぎに、回路網シールド12の上層を第2アンダコート
14を印刷、硬化させ、その上にRF側整合用スタブ5
とローカル側整合用スタブ10を載せ、全体を全体絶縁
層16で覆う。
この基板PLT1は例えばアルミナ96%と硬化剤で形
成され、各部電極は金、銀、銀−パラジウム、銅等のペ
ーストで基板PLT1上にスパッタリング若しくは蒸着
で薄膜またはスクリーン印刷で厚膜に多層化することに
より成膜される。また、各部伝送線路には金ペーストが
用いられ、各部絶縁層は30〜40μm厚のガラス粉末
を使用する。なお、ガラス粉末と硬化剤は重量比で10
0:6でシールド剤及びスタブはフェノール系銅ペース
トを使用する。
第4図に叙上の周波数混合平衡変調器を得るための厚膜
による成膜パターンプロセスPP9〜PP11を示す。
[発明の作用] このように構成された周波数混合平衡変調器において、
周波数帯域0.9〜1.1GHz、−10〜−5dBm
のRF信号f1を銀電極RF1とG1から、+7dBmの
ローカル信号f2を銀電極LO1とG2からそれぞれ入力
すれば中間周波数f3の特性が0.9〜1.1GHzの
周波数帯全域で平坦になるという顕著な効果が得られ
る。また、2種周波数を同時に入力した2信号による3
次変調歪の発生によるインターセプトポイントは6dB
程度改善される。
なお、整合用スタブを1pF〜3pF程度のコンデンサで代
用すると外部回路によっては3〜5dBの特性が改善さ
れる。
[発明の効果] 以上の説明からも明らかなように、本発明による周波数
混合平衡変調器は、基板上に、それぞれ第1層、第2
層、第3層の配線からなる第1、第2のトランスと、第
1層、第3層の配線の一端が接続され第1、第2のトラ
ンスのそれぞれの第2層の配線から入力される第1、第
2の信号波を第1層、第3層の配線の他端から第3層の
信号波として出力するダイオードマトリックスと、第
1、第2のトランス及びダイオードマトリックスからな
る回路網をシールドする回路網シールド手段とを順次成
膜し、第1、第2のトランスの1次側のインピーダンス
を整合する第1、第2の整合用スタブを回路網シールド
手段でシールドされた回路網の外部に成膜したことによ
り、外部回路によるインピーダンスの不整合を補正で
き、使用周波数帯域が寛大でき、かつ安定した高周波特
性が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による周波数混合平衡変調器の一実施例
を示す構成図、第2図は本発明による周波数混合平衡変
調器の回路図、3図は本発明による周波数混合平衡変調
器の多層化部分の構成図、第4図は厚膜によるパターン
プロセスを示す構成図、第5図は従来の周波数混合平衡
変調器の構成図である。 PLT1……基板 1……第1のトランス 6……第2のトランス 2、3、4……RF側1、2、3層配線 7、8、9……ローカル側1、2、3層配線 DM……ダイオードマトリックス 5……RF側整合用スタブ 10……ローカル側整合用スタブ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板(PLT)上に、それぞれ第1層、
    第2層、第3層の配線(2、3、4;7、8、9)から
    なる第1、第2のトランス(1;6)と、前記第1層、
    第3層の配線(2、4;7、9)の一端が接続され前記
    第1、第2のトランスのそれぞれの第2層の配線(3;
    8)から入力される第1、第2の信号波を前記第1層、
    第3層の配線の他端から第3の信号波として出力するダ
    イオードマトリックス(DM)と、前記第1、第2のト
    ランス及び前記ダイオードマトリックスからなる回路網
    をシールドする回路網シールド手段(12)とを順次成
    膜し、前記第1、第2のトランスの1次側のインピーダ
    ンスを整合する第1、第2の整合用スタブ(5;10)
    を前記回路網シールド手段でシールドされた前記回路網
    の外部に成膜したことを特徴とする周波数混合平衡変調
    器。
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