JPH0612666A - 面内記録型磁気記録体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ディスクの磁気異方性、モジュレーションの
低い面内記録型磁気記録体を製造する方法。 【構成】 スパッタ法で非磁性基板上に下地膜と、その
下地膜上にエピタキシャル成長させたＣｏ合金膜を形成
する際、下地膜のターゲットに印加する電力、或いは下
地膜ターゲットとＣｏ合金ターゲットの両ターゲットに
印加する電力を直流電力に高周波電力を重畳した電力で
行う面内記録型磁気記録体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、面内記録型磁気記録体
の製造方法に関し、更に詳しくは、非磁性基板上に下地
膜を形成し、その上にＣｏ合金膜を形成し、該Ｃｏ合金
膜をエピタキシャル成長させて成る面内記録型磁器記録
体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】面内記録型磁気記録体としては、例えば
アルミニウム材から成る非磁性の基板上に、例えばＣｒ
から成る下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｏ合金
膜を形成し、該Ｃｏ合金膜をエピタキシャル成長させ、
更にその上にＣ保護膜を形成した面内記録型磁気記録体
が知られている。この面内記録型磁気記録体は高い保磁
力を有するので、高密度記録可能なハードディスク媒体
として多用されている。面内記録型磁気記録体のこれら
膜形成には一般的にスパッタ法が知られており、なかで
も成膜速度が大きいことから直流マグネトロンスパッタ
法が広く利用されている。

【０００３】非磁性基板にこれらＣｒ膜、Ｃｏ合金膜を
形成するには、基板を各ターゲットの前面に移動させな
がら、直流マグネトロンスパッタ法で夫々のターゲット
のカソードに高電力を印加し、ターゲットをスパッタリ
ングして非磁性基板上にＣｒ膜、Ｃｏ合金膜を、更にＣ
保護膜を順次連続して成膜する通過型成膜方式が広く利
用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記通
過型成膜方式は生産性に優れているが、作製された面内
記録型磁気記録体に磁気的な異方性が生じる。

【０００５】この磁気的な異方性は例えば成膜時のスパ
ッタ原子の入射角の不均一性のために面内記録型磁気記
録体内の磁気特性が均一でなくなり、その結果、該面内
記録型磁気記録体で記録再生を行うと図１に示すような
出力電圧のうねり、所謂モジュレーションを生じるとい
う問題がある。

【０００６】本発明は、前記問題点を解消し、磁気異方
性、モジュレーションの少ない面内記録型磁気記録体の
製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成すべく鋭意検討した結果、基板上への下地膜およ
びＣｏ合金膜を形成する際、下地膜ターゲットのみに、
或いは下地膜ターゲットおよびＣｏ合金ターゲットの両
ターゲットに印加する直流電力に高周波電力を重畳して
スパッタして成膜すると磁気異方性、モジュレーション
の極めて少ない良好な面内記録型磁気記録体が得られる
ことを知見した。

【０００８】本発明は前記知見に基づいてなされたもの
であって、本発明の面内記録型磁気記録体の製造方法
は、スパッタ法で非磁性基板上に下地膜を形成し、次い
で該下地膜上にＣｏ合金膜を形成し、該Ｃｏ合金膜をエ
ピタキシャル成長させて成る面内記録型の面内記録型磁
気記録体の製造方法において、下地膜を形成する際、下
地膜ターゲットに直流電力と高周波電力を重畳して印加
してスパッタ成膜することを特徴とする。

【０００９】また、下地膜ターゲットはＣｒ、Ｍｏ、Ｗ
の単独ターゲット、或いはこれらを主成分とする合金タ
ーゲットとしてもよい。また、下地膜または／およびＣ
ｏ合金膜の成膜の際に、基板に負のバイアス電圧を印加
しながら成膜してもよい。また、Ｃｏ合金膜を形成する
際に、Ｃｏ合金ターゲットに直流電力と高周波電力を重
畳して印加してスパッタ成膜するようにしてもよい。ま
た、ターゲットに印加する全電力中の高周波電力の割合
を３％以上、８５％以下としてもよい。

【００１０】非磁性基板上に下地膜およびＣｏ合金膜を
成膜する際に、下地膜ターゲットのみ、或いは下地膜タ
ーゲットおよびＣｏ合金ターゲットの両ターゲットに印
加する電力として、直流電力に高周波電力を重畳してス
パッタ成膜すると磁気異方性、モジュレーションの極め
て少ない良好な面内記録型磁気記録体が得られるのは次
のような理由からと考えられる。尚、基板上に形成する
下地膜をＣｒ膜とした場合を例にして説明する。

【００１１】即ち、先ず、下地のＣｒ膜層において、Ｃ
ｒ膜を成膜する際、基板上の各点にはターゲットから種
々の入射角度でＣｒ原子が飛来する。そして基板上に到
達したＣｒ原子は到達時に有していた入射エネルギーに
より基板表面状で拡散運動をし、やがてエネルギーを失
って基板上のある部分に固着される。その後同様にＣｒ
原子が次々と飛来し、基板上のＣｒ原子に合体し、この
合体を繰り返しながら次第に大きな粒子に成長する。と
ころが粒子がある程度の大きさ以上に成長すると主たる
入射方向に対して該粒子の裏側では影になる部分、所謂
シャドゥイングが出来る。シャドゥイングが起こり始め
ると、ある程度大きくなった粒子の裏側ではＣｒ原子の
飛来確率が小さくなる、所謂シャドゥイングの効果が生
じる。その結果、Ｃｒ原子の主たる入射方向に対し、直
角の隣接せる粒子位置ではシャドゥイングの効果が小さ
いため粒子が合体して繋がりやすいが、主たる入射方向
に対し平行方向にはシャドゥイングの効果のため、粒子
同志が互いに分断されたままの状態になりやすい。この
ようにスパッタされ、基板上に飛来するＣｒ原子の主た
る入射方向に対し、既に成長せる基板上のＣｒ粒子の繋
がり方が、ある方向とそれと直交方向では差が生じる。
以上のことはＣｏ合金粒子についても同様のことが生じ
る。

【００１２】これらのＣｒ粒子やＣｏ合金粒子の繋がり
方の方向による差が、面内記録型磁気記録体の磁気特性
の異方性をもたらし、その結果モジュレーションが生じ
る。換言すればモジュレーションを生じさせないために
は、Ｃｒ粒子やＣｏ合金粒子の繋がり方の不均一性を解
消すればよいことになる。

【００１３】一般的によく知られているように、ひとつ
の真空成膜スパッタ装置内に複数台の高周波電力の印加
されるターゲットのカソード同志が近傍に配設されてい
る場合は、カソードに印加された高周波が互いに干渉を
起こして、膜厚分布が不均一になる可能性がある。ハー
ドディスクの場合、特に下地膜の上に形成されるＣｏ合
金膜の膜厚均一性がその特性上非常に重要である。

【００１４】従って、生産上はＣｏ合金膜を成膜するＣ
ｏ合金ターゲットに印加する電力としては直流電力を用
い、Ｃｒ膜を成膜するＣｒターゲットに印加する電力と
して直流電力に高周波電力を重畳する方法を用いる方が
よい。この場合、下地のＣｒ膜、Ｃｏ合金膜ともに直流
電流に高周波電力を重畳した場合に比べて磁気異方性、
モジュレーションの低減効果はやや小さくなるものの、
両者とも重畳しない従来法に比べると著しく磁気異方
性、モジュレーションは改善される。これはＣｏ合金膜
の成膜中にはＣｏ合金粒子はシャドゥイングを生じる
が、広く知られているようにＣｏ合金膜は下地のＣｒ膜
上にエピタキシャル成長するので、下地のＣｒ粒子が高
周波電力の重畳によりほとんどランダムであれば、その
上にエピタキシャル成長するＣｏ合金粒子もランダムに
なるためである。

【００１５】

【作用】基板上に下地膜およびＣｏ合金膜を形成する
際、下地膜ターゲットのカソードのみ、或いは下地膜タ
ーゲットおよびＣｏ合金ターゲットの両ターゲットのカ
ソードに、直流電力に高周波電力を重畳した電力を印加
し、ターゲットをスパッタして成膜すると、直流電力の
み印加したカソードでターゲットをスパッタして成膜し
た場合に比べてターゲットにかかる実効的な自己バイア
ス電位が上昇し、かつプラズマ中のイオン化率が増加し
て基板に到達するスパッタ粒子の平均的な入射エネルギ
ーが大きくなる。そのため、低い入射エネルギーで粒子
が基板に到達した場合に比べ、高いエネルギーで入射し
た場合には基板表面での粒子の拡散運動が活発になり、
シャドゥになる部分にも下地膜の粒子やＣｏ合金膜の粒
子が表面拡散する。従って、下地膜の粒子やＣｏ合金粒
子の繋がり方がランダムになり、ハードディスクの磁気
異方性が発生しにくくなり、モジュレーションの発生を
押さえることが出来る。また、成膜中に基板に負のバイ
アス電圧を印加するとイオン化されたプラズマ中の粒子
がバイアス電位により加速され、より入射エネルギーが
高くなるため、よりモジュレーションの発生を小さくす
ることが出来、また、得られるディスクの保磁力も増加
させることが出来る。

【００１６】

【実施例】本発明の面内記録型磁気記録体の製造方法の
具体的な実施例を比較例と共に説明する。

【００１７】実施例１ 成膜はターゲットとして大きさ縦１８インチ、横５イン
チの長方形のＣｒ（下地膜材）、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ
−２ａｔ％Ｔａ（Ｃｏ合金膜材）、Ｃ（保護膜材）のタ
ーゲットを夫々２台ずつ両側に対向するように取り付け
た合計６台のカソードを備えたインターバック型の縦型
両面成膜スパッタ装置を用いて行った。そして縦型両面
成膜スパッタ装置内の圧力を１×１０^{- 6}Torr以下にな
るまで排気した後、Ａｒガスを５×１０^{- 3}Torrまで導
入した。Ｃｒターゲットを取り付けたカソード（以下Ｃ
ｒカソードという）には１．０ＫＷの直流電力と５０Ｗ
の高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を重畳した電力、Ｃ
ｏ合金カソードを取り付けた（以下Ｃｏ合金カソードと
いう）には０．８ＫＷの直流電力と４０Ｗの高周波電力
（１３．５６ＭＨｚ）を重畳した電力、Ｃターゲットを
取り付けたカソード（以下Ｃカソードという）には３Ｋ
Ｗの直流電力を夫々印加した。

【００１８】放電中は対向するターゲット間を表面がテ
スクチャー処理された非晶質ＮｉＰメッキのアルミニウ
ム製の径３．５インチの基板を搬送速度２００ｍｍ／ｍ
ｉｎで通過させ、通過させながら基板両面に夫々Ｃｒ
膜、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜（以下Ｃｏ合金膜という）、Ｃ
膜の順で順次成膜してディスクを作製した。基板上に成
膜した各膜厚はＣｒ膜は１０００Å、Ｃｏ合金膜は５０
０Å、Ｃ膜は３００Åであった。

【００１９】基板上にＣｒ膜、Ｃｏ合金膜、Ｃ膜の順序
で各膜が形成されたディスクを縦型両面成膜装置内より
取り出し、記録再生特性、および磁気特性を測定した。
記録再生特性においてモジュレーションの評価はディス
クの一周における再生出力波形（エンベロープ）から出
力の最大値Ｅmaxと最小値Ｅminから、次式で求められた
数値を指標とした（図１参照）。

【００２０】

【数１】

【００２１】磁気特性測定はディスクの成膜時の搬送に
おいて先頭位置（０°位置）と、上側位置（９０°位
置）の２カ所の夫々において、ディスク半径３５ｍｍの
場所から大きさ８×８ｍｍのサンプルを切り出し、いず
れもディスクの円周方向の磁気特性をＶＳＭにより測定
し、０°位置と９０°位置での保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨ
ｃと、膜厚と残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒから
ディスク内の磁気特性の不均一性を判断した。

【００２２】作製したディスクの一周におけるエンベロ
ープを磁気ディスク記録再生特性評価装置［ナショナル
コンピュータ株式会社製、モデルＲＤ−００８］で測定
し、それを図２に示した。また、試料振動式磁力計［理
研電子社製、モデルＢＨＶ−３］で測定した０°位置の
ヒステリシスループを図３（Ａ）に示し、また、９０°
位置のヒステリシスループを図３（Ｂ）に示した。これ
らの結果、モジュレーション率は5.4 ％であり、０°位
置における保磁力（Ｈｃ）は1558Ｏｅ、残留磁化の積
（ＴＢｒ）は457Ｇ・μｍであり、また、９０°位置に
おける保磁力（Ｈｃ）は1578Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢ
ｒ）は436Ｇ・μｍであり、そして、保磁力（Ｈｃ）の
差ΔＨｃは20Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢ
ｒは21Ｇ・μｍであった。

【００２３】実施例２ Ｃｒカソードに印加する電力を０．８ＫＷの直流電力と
３００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を重畳した
電力とし、Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．６４
ＫＷの直流電力と２４０Ｗの高周波電力（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を重畳した電力とした以外は前記実施例１と同様
の方法でディスクを作製した。作製したディスクのエン
ベロープを実施例１と同様の方法で測定した結果、モジ
ュレーション率は4.2％であり、また、０°位置および
９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施例１と同
様の方法で測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは
25Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは16Ｇ・
μｍであった。 実施例３ Ｃｒカソードに印加する電力を０．８８ＫＷの直流電力
と３３０Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を重畳し
た電力とし、Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．７
０４ＫＷの直流電力と２６４Ｗの高周波電力（１３．５
６ＭＨｚ）を重畳した電力とし、更に、Ｃｒ膜およびＣ
ｏ合金膜の成膜中基板に３００Ｖの負のバイアス電圧を
印加した以外は前記実施例２と同様の方法でディスクを
作製した。作製したディスクのエンベロープを実施例１
と同様の方法で測定した結果、モジュレーション率は2.
5％であり、また、０°位置および９０°位置の夫々の
ヒステリシスループを実施例１と同様の方法で測定した
結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは18Ｏｅ、残留磁化の
積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは10Ｇ・μｍであった。 比較例１ Ｃｒカソードに印加する電力を１．０４ＫＷの直流電力
とし、Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．８３ＫＷ
の直流電力とした以外は前記実施例２と同様の方法でデ
ィスクを作製した。作製したディスクのエンベロープを
実施例１と同様の方法で測定し、それを図５に示した。
また、０°位置のヒステリシスループを実施例１と同様
の方法で測定し、それを図６（Ａ）に示し、また、９０
°位置のヒステリシスループを実施例１と同様の方法で
測定し、それを図６（Ｂ）に示した。これらの結果、モ
ジュレーション率は14.6％であり、０°位置における保
磁力（Ｈｃ）は1524Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）は41
6Ｇ・μｍであり、また、９０°位置における保磁力
（Ｈｃ）は1770Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）は451Ｇ
・μｍであり、そして、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは24
6Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは35Ｇ・
μｍであった。

【００２４】比較例２ Ｃｒカソードに印加する電力を１．７ＫＷの高周波電力
とし、Ｃｏ合金カソードに印加する電力を１．４ＫＷの
高周波電力とした以外は前記実施例２と同様の方法でデ
ィスクを作製した。作製したディスクのエンベロープを
実施例１と同様の方法で測定し、それを図７に示した。
また、０°位置のヒステリシスループを実施例１と同様
の方法で測定し、それを図８（Ａ）に示し、また、９０
°位置のヒステリシスループを実施例１と同様の方法で
測定し、それをを図８（Ｂ）に示した。これらの結果、
モジュレーション率は73.4％であり、０°位置における
保磁力（Ｈｃ）は1310Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）は
456Ｇ・μｍであり、また、９０°位置における保磁力
（Ｈｃ）は1440Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）は296Ｇ
・μｍであり、そして、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは13
0Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは160Ｇ・
μｍであった。

【００２５】図２、図５および図７並びに図３、図６お
よび図８から明らかなように、ハードディスクのモジュ
レーションの発生の根拠は膜材の粒子の繋がり方の不均
一性にあることが分かる。特に長方形のターゲットを用
い、通過成膜方式で基板上に成膜してハードディスクを
作製する場合、ターゲットからの粒子の主な入射方向が
基板上の０°位置と９０°位置において、夫々のディス
クの円周方向について比較した場合にスパッタ粒子の主
なる入射方向（即ち運動エネルギーを有する方向）が異
なっているため、両位置におけるシャドゥイング効果に
よるＣｒ粒子やＣｏ合金粒子の繋がり方も異なってしま
う。

【００２６】従って、モジュレーションを低減させるに
は０°位置と９０°位置においてシャドゥイング効果に
よる繋がり方の差が小さくなるよう基板に入射するＣｒ
粒子やＣｏ合金粒子の基板表面での表面運動（表面拡
散）を活発にし、粒子同志が繋がろうとする方向をラン
ダムにするのが効果的である。そのためには基板に入射
するＣｒ、Ｃｏ合金の入射エネルギーを出来るだけ大き
くしてやればよいことが分かる。

【００２７】本発明の実施例１，２，３はカソードに印
加する電力を直流電力に高周波電力を重畳するようにし
ているため、カソードに印加する電力を直流電力のみと
した比較例１の場合、或いは印加電力を高周波電力のみ
とした比較例２の場合とは異なり、ターゲットにかかる
実効的な自己バイアス電圧が上昇し、かつプラズマ中の
イオン化率が増加して基板に到達するスパッタ粒子の平
均的な入射エネルギーが大きくなる。また、実施例２の
ように実施例１に比して直流電力に重畳する高周波電力
を大きくすると更に基板に到達するスパッタ粒子の平均
的入射エネルギーが大きくなってモジュレーション率が
低減する。また、実施例３のように成膜中に基板に負の
バイアス電圧を印加することを併せて行うと、プラズマ
中のイオン化されたＣｒ粒子やＣｏ合金粒子が基板のバ
イアス電位に引き寄せられるため、基板に入射する各原
子のエネルギーは更に大きくなってモジュレーション率
が更に小さくなることが分かる。

【００２８】一般的によく知られているように、１つの
真空成膜スパッタ装置内で複数の高周波スパッタを行う
カソード同志が近傍に配設されている場合、スパッタ時
には互いに高周波が干渉しあって基板上に形成される膜
厚分布に異常が発生する。このことは比較例２の結果、
詳しくは、図７のように対称性のないモジュレーション
が発生していること、および図８（Ａ）および図８
（Ｂ）からみて、Ｃｏ合金膜の膜厚が異なっていること
から明らかである。これは対向した２対のカソードに印
加した高周波が互いに干渉するため、Ｃｒ膜上に形成さ
れるＣｏ合金膜の膜厚に異常が生じたためと考えられ
る。

【００２９】面内記録型磁気記録体の場合、下地となる
Ｃｒ膜の膜厚変動に対する磁気特性の変動は極めて穏や
かであるが、下地膜の上に形成されるＣｏ合金膜の膜厚
変動に対しては媒体の磁気特性は急激に変化する。この
ようなカソードに印加した高周波が互いに干渉すること
による膜厚分布異常は常に同じように起こるとは限らな
いため、実際に面内記録型磁気記録体を生産する際に
は、このような危険を避けるようにする必要性がある。

【００３０】実施例４ ＣｒカソードおよびＣｏ合金カソードに印加する全電力
に対する高周波電力の割合を種々変化させた以外は前記
実施例２と同様の方法で種々のディスクを作製した。作
製された夫々のディスクのエンベロープを前記実施例１
と同様の方法で測定し、その結果からモジュレーション
率を求め、それを図４に曲線Ａとして示した。

【００３１】実施例５ ＣｒカソードおよびＣｏ合金カソードに印加する全電力
に対する高周波電力の割合を種々変化させると共に、Ｃ
ｒ膜およびＣｏ合金膜の成膜中基板に３００Ｖの負のバ
イアス電圧を印加した以外は前記実施例２と同様の方法
で種々のディスクを作製した。作製された夫々のディス
クのエンベロープを前記実施例１と同様の方法で測定
し、その結果からモジュレーション率を求め、それを図
４に曲線Ｂとして示した。

【００３２】実施例６ Ｃｒカソードに印加する全電力に対する高周波電力の割
合を種々変化させ、Ｃｏ合金カソードには直流電力を印
加させた以外は前記実施例２と同様の方法で種々のディ
スクを作製した。作製された夫々のディスクのエンベロ
ープを前記実施例１と同様の方法で測定し、その結果か
らモジュレーション率を求め、それを図４に曲線Ｃとし
て示した。

【００３３】実施例７ Ｃｒカソードに印加する全電力に対する高周波電力の割
合を種々変化させ、Ｃｏ合金カソードには直流電力を印
加させると共に、Ｃｒ膜およびＣｏ合金膜の成膜中基板
に３００Ｖの負のバイアス電圧を印加した以外は前記実
施例２と同様の方法で種々のディスクを作製した。作製
された夫々のディスクのエンベロープを前記実施例１と
同様の方法で測定し、その結果からモジュレーション率
を求め、それを図４に曲線Ｄとして示した。

【００３４】図４から明らかなように、直流電力への高
周波電力の重畳を適用するカソード、および基板への負
のバイアス電圧の印加の有無により多少の差はあるが、
カソードに印加する全電力中の高周波電力の割合が３％
より８５％の範囲内でモジュレーション率を低減させ得
ることが分かる。また、モジュレーション率を低減させ
る効果はやや少ないが、生産性、作業性等を考慮すれ
ば、Ｃｒターゲットへのスパッタ時に印加する電力のみ
に高周波電力を重畳し、Ｃｏ合金ターゲットへのスパッ
タ時に印加する電力は直流電力のみとしてもよいことが
分かる。

【００３５】実施例８ Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．８３ＫＷの直流
電力のみとし、更にＣｒ膜の成膜中のみに基板に３００
Ｖの負のバイアス電圧を印加した以外は前記実施例２と
同様の方法でディスクを作製した。作製されたディスク
のエンベロープを実施例１と同様の方法で測定した結
果、モジュレーション率は4.0％であり、また、０°位
置および９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施
例１と同様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の
差ΔＨｃは65Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢ
ｒは41Ｇ・μｍであった。

【００３６】実施例９ Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．９１ＫＷの直流
電力のみとし、更に下地膜の上に形成するＣｏ合金膜の
成膜中のみに基板に３００Ｖの負のバイアス電圧を印加
した以外は前記実施例２と同様の方法でディスクを作製
した。作製されたディスクのエンベロープを実施例１と
同様の方法で測定した結果、モジュレーション率は5.8
％であり、また、０°位置および９０°位置の夫々のヒ
ステリシスループを実施例１と同様の方法でを測定した
結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは63Ｏｅ、残留磁化の
積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは28Ｇ・μｍであった。

【００３７】実施例１０ Ｃｒカソードに印加する電力を０．８８ＫＷの直流電力
と３３０Ｗの高周波電力を重畳して印加し、Ｃｒ膜の成
膜中のみに基板に３００Ｖの負のバイアス電圧を印加し
た以外は前記実施例２と同様の方法でディスクを作製し
た。作製されたディスクのエンベロープを実施例１と同
様の方法で測定した結果、モジュレーション率は3.9％
であり、また、０°位置および９０°位置の夫々のヒス
テリシスループを実施例１と同様の方法でを測定した結
果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは55Ｏｅ、残留磁化の積
（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは20Ｇ・μｍであった。

【００３８】実施例１１ Ｃｒ膜の上に形成するＣｏ合金カソードに印加する電力
を０．７０４ＫＷの直流電力と２６４Ｗの高周波電力を
重畳して印加し、Ｃｏ合金膜の成膜中のみに基板に３０
０Ｖの負のバイアス電圧を印加した以外は前記実施例２
と同様の方法でディスクを作製した。作製されたディス
クのエンベロープを実施例１と同様の方法で測定した結
果、モジュレーション率は3.5％であり、また、０°位
置および９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施
例１と同様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の
差ΔＨｃは70Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢ
ｒは34Ｇ・μｍであった。

【００３９】実施例１２ 下地膜のターゲットとしてＭｏターゲットを用いた以外
は前記実施例２と同様の方法でディスクを作製した。作
製されたディスクのエンベロープを実施例１と同様の方
法で測定した結果、モジュレーション率は5.1％であ
り、また、０°位置および９０°位置の夫々のヒステリ
シスループを実施例１と同様の方法でを測定した結果、
保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは69Ｏｅ、残留磁化の積（Ｔ
Ｂｒ）の差ΔＴＢｒは22Ｇ・μｍであった。

【００４０】実施例１３ 下地膜のターゲットとしてＷターゲットを用いた以外は
前記実施例２と同様の方法でディスクを作製した。作製
されたディスクのエンベロープを実施例１と同様の方法
で測定した結果、モジュレーション率は5.8％であり、
また、０°位置および９０°位置の夫々のヒステリシス
ループを実施例１と同様の方法でを測定した結果、保磁
力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは88Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢ
ｒ）の差ΔＴＢｒは30Ｇ・μｍであった。

【００４１】実施例１４ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用いた以外は前記実施例２と同様
の方法でディスクを作製した。作製されたディスクのエ
ンベロープを実施例１と同様の方法で測定した結果、モ
ジュレーション率は4.9％であり、また、０°位置およ
び９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施例１と
同様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨ
ｃは77Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは27
Ｇ・μｍであった。

【００４２】実施例１５ 下地膜のターゲットとしてＭｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−２ａ
ｔ％Ｓｉから成るＭｏ合金ターゲットを用いた以外は前
記実施例２と同様の方法でディスクを作製した。作製さ
れたディスクのエンベロープを実施例１と同様の方法で
測定した結果、モジュレーション率は5.1％であり、ま
た、０°位置および９０°位置の夫々のヒステリシスル
ープを実施例１と同様の方法でを測定した結果、保磁力
（Ｈｃ）の差ΔＨｃは90Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）
の差ΔＴＢｒは31Ｇ・μｍであった。

【００４３】実施例１６ 下地膜のターゲットとしてＷ−２０ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ
％Ｓｉから成るＷ合金ターゲットを用いた以外は前記実
施例２と同様の方法でディスクを作製した。作製された
ディスクのエンベロープを実施例１と同様の方法で測定
した結果、モジュレーション率は5.0％であり、また、
０°位置および９０°位置の夫々のヒステリシスループ
を実施例１と同様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈ
ｃ）の差ΔＨｃは79Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差
ΔＴＢｒは27Ｇ・μｍであった。

【００４４】実施例１７ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用い、Ｃｒカソードに０．８８Ｋ
Ｗの直流電力と３３０Ｗの高周波電力を重畳して印加
し、Ｃｒ合金膜の成膜中のみに基板に３００Ｖの負のバ
イアス電圧を印加した以外は前記実施例２と同様の方法
でディスクを作製した。作製されたディスクのエンベロ
ープを実施例１と同様の方法で測定した結果、モジュレ
ーション率は4.0％であり、また、０°位置および９０
°位置の夫々のヒステリシスループを実施例１と同様の
方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは37
Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは31Ｇ・μ
ｍであった。

【００４５】実施例１８ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用い、下地膜の上に形成するＣｏ
合金カソードに０．７０４ＫＷの直流電力と２６４Ｗの
高周波電力を重畳して印加し、Ｃｏ合金膜の成膜中のみ
に基板に３００Ｖの負のバイアス電圧を印加した以外は
前記実施例２と同様の方法でディスクを作製した。作製
されたディスクのエンベロープを実施例１と同様の方法
で測定した結果、モジュレーション率は5.5％であり、
また、０°位置および９０°位置の夫々のヒステリシス
ループを実施例１と同様の方法でを測定した結果、保磁
力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは80Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢ
ｒ）の差ΔＴＢｒは35Ｇ・μｍであった。

【００４６】実施例１９ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用い、Ｃｒカソードに０．８８Ｋ
Ｗの直流電力と３３０Ｗの高周波電力を重畳して印加
し、Ｃｏ合金カソードに０．７０４ＫＷの直流電力と２
６４Ｗの高周波電力を重畳して印加し、かつＣｒ合金膜
およびＣｏ合金膜の成膜中に基板に３００Ｖの負のバイ
アス電圧を印加した以外は前記実施例２と同様の方法で
ディスクを作製した。作製されたディスクのエンベロー
プを実施例１と同様の方法で測定した結果、モジュレー
ション率は2.8％であり、また、０°位置および９０°
位置の夫々のヒステリシスループを実施例１と同様の方
法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは21Ｏ
ｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは13Ｇ・μｍ
であった。

【００４７】実施例２０ 上膜のＣｏ合金ターゲットとしてＣｏ−３０at％Ｎｉ−
７．５at％Ｃｒから成るＣｏ合金ターゲットを用いた以
外は前記実施例２と同様の方法でディスクを作製した。
作製されたディスクのエンベロープを実施例１と同様の
方法で測定した結果、モジュレーション率は4.0％であ
り、また、０°位置および９０°位置の夫々のヒステリ
シスループを実施例１と同様の方法でを測定した結果、
保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは38Ｏｅ、残留磁化の積（Ｔ
Ｂｒ）の差ΔＴＢｒは20Ｇ・μｍであった。

【００４８】実施例２１ 上膜のＣｏ合金ターゲットとしてＣｏ−１０at％Ｃｒ−
１２at％Ｐｔから成るＣｏ合金ターゲットを用いた以外
は前記実施例２と同様の方法でディスクを作製した。作
製されたディスクのエンベロープを実施例１と同様の方
法で測定した結果、モジュレーション率は4.8％であ
り、また、０°位置および９０°位置の夫々のヒステリ
シスループを実施例１と同様の方法でを測定した結果、
保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは81Ｏｅ、残留磁化の積（Ｔ
Ｂｒ）の差ΔＴＢｒは18Ｇ・μｍであった。

【００４９】実施例２２ 上膜のＣｏ合金ターゲットとしてＣｏ−３０at％Ｎｉ−
７．５at％Ｃｒから成るＣｏ合金ターゲットを用い、該
Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．８３ＫＷの直流
電力とした以外は前記実施例２と同様の方法でディスク
を作製した。作製されたディスクのエンベロープを実施
例１と同様の方法で測定した結果、モジュレーション率
は4.1％であり、また、０°位置および９０°位置の夫
々のヒステリシスループを実施例１と同様の方法でを測
定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは29Ｏｅ、残留
磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは30Ｇ・μｍであっ
た。

【００５０】実施例２３ 上膜のＣｏ合金ターゲットとしてＣｏ−３０at％Ｎｉ−
７．５at％Ｃｒから成るＣｏ合金ターゲットを用い、該
Ｃｏ合金カソードに印加する電力を０．８３ＫＷの直流
電力とし、Ｃｒカソードに０．８８ＫＷの直流電力と３
３０Ｗの高周波電力を重畳して印加し、更にＣｒ膜の成
膜中のみに基板に３００Ｖの負のバイアス電圧を印加し
た以外は前記実施例２と同様の方法でディスクを作製し
た。作製されたディスクのエンベロープを実施例１と同
様の方法で測定した結果、モジュレーション率は4.3％
であり、また、０°位置および９０°位置の夫々のヒス
テリシスループを実施例１と同様の方法でを測定した結
果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃは50Ｏｅ、残留磁化の積
（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは23Ｇ・μｍであった。

【００５１】実施例２４ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用い、上膜のＣｏ合金ターゲット
としてＣｏ−３０at％Ｎｉ−７．５at％Ｃｒから成るＣ
ｏ合金ターゲットを用いた以外は前記実施例２と同様の
方法でディスクを作製した。作製されたディスクのエン
ベロープを実施例１と同様の方法で測定した結果、モジ
ュレーション率は4.3％であり、また、０°位置および
９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施例１と同
様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨｃ
は54Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは33Ｇ
・μｍであった。

【００５２】実施例２５ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用い、上膜のＣｏ合金ターゲット
としてＣｏ−３０at％Ｎｉ−７．５at％Ｃｒから成るＣ
ｏ合金ターゲットを用い、該Ｃｏ合金カソードに印加す
る電力を０．８３ＫＷの直流電力とし、Ｃｒカソードに
０．８８ＫＷの直流電力と３３０Ｗの高周波電力を重畳
して印加し、更にＣｒ合金膜の成膜中のみに基板に３０
０Ｖの負のバイアス電圧を印加した以外は前記実施例２
と同様の方法でディスクを作製した。作製されたディス
クのエンベロープを実施例１と同様の方法で測定した結
果、モジュレーション率は4.0％であり、また、０°位
置および９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施
例１と同様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の
差ΔＨｃは90Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢ
ｒは16Ｇ・μｍであった。

【００５３】実施例２６ 下地膜のターゲットとしてＣｒ−２ａｔ％Ｓｉから成る
Ｃｒ合金ターゲットを用い、上膜のＣｏ合金ターゲット
としてＣｏ−３０at％Ｎｉ−７．５at％Ｃｒから成るＣ
ｏ合金ターゲットを用い、該Ｃｏ合金カソードに印加す
る電力を０．９１ＫＷの直流電力とし、更に下地膜の上
に形成するＣｏ合金膜の成膜中のみに基板に３００Ｖの
負のバイアス電圧を印加した以外は前記実施例２と同様
の方法でディスクを作製した。作製されたディスクのエ
ンベロープを実施例１と同様の方法で測定した結果、モ
ジュレーション率は5.7％であり、また、０°位置およ
び９０°位置の夫々のヒステリシスループを実施例１と
同様の方法でを測定した結果、保磁力（Ｈｃ）の差ΔＨ
ｃは67Ｏｅ、残留磁化の積（ＴＢｒ）の差ΔＴＢｒは31
Ｇ・μｍであった。

【００５４】前記実施例では下地膜ターゲットのみに、
或いは下地膜ターゲットおよびＣｏ合金ターゲットの両
ターゲットに印加する直流電力に重畳する高周波電力の
周波数を１３．５６ＭＨｚとしたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、数キロヘルツから数百メガヘル
ツの高周波電力を直流電力に重畳することにより、カソ
ードの自己バイアス電圧を増加させる周波数か、或いは
プラズマ中のイオン化効率を高く出来る周波数であれば
よい。

【００５５】

【発明の効果】本発明法によるときは、基板上に形成す
る下地膜のターゲットに印加する電力として直流電力に
高周波電力を重畳した電力を用いるようにしたので、基
板上に入射する下地膜粒子のエネルギーを高めて、基板
上での下地膜粒子の表面拡散を促進させることが出来
て、下地膜粒子の繋がり方の不均一性を低減することが
出来るため、ディスクの磁気異方性、モジュレーション
の少ない面内記録型磁気記録体を容易に製造することが
出来る効果がある。

【００５６】また、下地膜または／Ｃｏ合金膜の成膜中
に基板に負のバイアス電圧を印加しながら成膜すれば、
基板上に入射する粒子のエネルギーが更に高くなり、表
面拡散をより促進出来るのでモジュレーションを小さく
する効果がある。

【００５７】また、下地膜上にＣｏ合金膜を形成する
際、Ｃｏ合金ターゲットに直流電力と高周波電力を重畳
して印加すれば、下地膜の粒子の繋がり方をランダムに
するだけではなく、Ｃｏ粒子の繋がり方もランダムに出
来るので、粒子の繋がり方が非常に均一になり、モジュ
レーションを低くする効果がある。

【００５８】また、ターゲットに印加する全電力中の高
周波電力の割合を３〜８５％とすれば、安定してモジュ
レーションを低下出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 モジュレーションが発生した面内記録型磁気
記録体のエンベロープの１例、

【図２】 本発明の１実施例で作成した面内記録型磁気
記録体のエンベロープ、

【図３】 本発明の１実施例で作成した面内記録型磁気
記録体のヒステリシスループ、（Ａ）はディスクの０°
位置で測定したヒステリシスループ、（Ｂ）はディスク
の９０°位置で測定したヒステリシスループ、

【図４】 本発明の他の実施例で作成した面内記録型磁
気記録体のモジュレーション率と全電力中の高周波電力
の割合との関係を示す特性線図、

【図５】 従来法で作成した面内記録型磁気記録体のエ
ンベロープ、

【図６】 従来法で作成した面内記録型磁気記録体のヒ
ステリシスループ、（Ａ）はディスクの０°位置で測定
したヒステリシスループ、（Ｂ）はディスクの９０°位
置で測定したヒステリシスループ、

【図７】 従来法の他の方法で作成した面内記録型磁気
記録体のエンベロープ、

【図８】 従来法の他の方法で作成した面内記録型磁気
記録体のヒステリシスループ、（Ａ）はディスクの０°
位置で測定したヒステリシスループ、（Ｂ）はディスク
の９０°位置で測定したヒステリシスループ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 道夫 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 太田 賀文 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 白 忠烈 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパッタ法で非磁性基板上に下地膜を形
   成し、次いで該下地膜上にＣｏ合金膜を形成し、該Ｃｏ
   合金膜をエピタキシャル成長させて成る面内記録型磁気
   記録体の製造方法において、下地膜を形成する際、下地
   膜ターゲットに直流電力と高周波電力を重畳して印加し
   てスパッタ成膜することを特徴とする面内記録型磁気記
   録体の製造方法。
2. 【請求項２】 下地膜ターゲットはＣｒ、Ｍｏ、Ｗの単
   独ターゲット、或いはこれらを主成分とする合金ターゲ
   ットであることを特徴とする請求項第１項に記載の面内
   記録型磁器記録体の製造方法。
3. 【請求項３】 下地膜または／およびＣｏ合金膜の成膜
   中に基板に負のバイアス電圧を印加しながら成膜するこ
   とを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の面内
   記録型磁気記録体の製造方法。
4. 【請求項４】 Ｃｏ合金膜を形成する際、Ｃｏ合金ター
   ゲットに直流電力と高周波電力を重畳して印加してスパ
   ッタ成膜することを特徴とする請求項第１項ないし第３
   項のいずれか１項に記載の面内記録型磁気記録体の製造
   方法。
5. 【請求項５】 ターゲットに印加する全電力中の高周波
   電力の割合が３％以上、８５％以下であることを特徴と
   する請求項第１項ないし第４項のいずれか１項に記載の
   面内記録型磁気記録体の製造方法。