JPH0612627A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH0612627A JPH0612627A JP16726692A JP16726692A JPH0612627A JP H0612627 A JPH0612627 A JP H0612627A JP 16726692 A JP16726692 A JP 16726692A JP 16726692 A JP16726692 A JP 16726692A JP H0612627 A JPH0612627 A JP H0612627A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、センス電流の増大、Δρ／ρ
の増大による再生出力の増大が可能な、長寿命の磁気抵
抗効果型ヘッドを提供することである。 【構成】磁気記録媒体からの信号磁束を読み取るための
強磁性体からなる磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加手段
と、該磁気抵抗効果膜の磁区構造を制御するための磁区
構造制御手段と、該磁気抵抗効果膜へセンス電流を印加
するための手段と、さらに、上部及び下部一対の磁気シ
ールド層とを備えてなる磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、上記磁気抵抗効果膜がＮｉとＦｅとの多層膜から成
り、かつ該多層膜の第一層目がＮｉ層であると同時に、
全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比が７０：３０から９０：１
０の間にある。
の増大による再生出力の増大が可能な、長寿命の磁気抵
抗効果型ヘッドを提供することである。 【構成】磁気記録媒体からの信号磁束を読み取るための
強磁性体からなる磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加手段
と、該磁気抵抗効果膜の磁区構造を制御するための磁区
構造制御手段と、該磁気抵抗効果膜へセンス電流を印加
するための手段と、さらに、上部及び下部一対の磁気シ
ールド層とを備えてなる磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、上記磁気抵抗効果膜がＮｉとＦｅとの多層膜から成
り、かつ該多層膜の第一層目がＮｉ層であると同時に、
全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比が７０：３０から９０：１
０の間にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に用
いられる磁気ヘッドに係り、特に高再生出力の期待でき
る再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
いられる磁気ヘッドに係り、特に高再生出力の期待でき
る再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から知られている磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、アイ イー イー イートランズアクショ
ンズ オブ マグネティクス エム エー ジー７ １
９７１Ｐ．１５０−１５４，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍ
ａｇ．，ＭＡＧ−７（１９７１）Ｐ．１５０−１５４に
記載されているように、異常磁気抵抗効果を示す軟磁性
体で磁気抵抗効果膜と呼ばれる磁束センシング用薄膜の
両端に、該薄膜にセンス電流を流すための導体膜が設け
られてなる構造が基本となっている。該磁気抵抗効果膜
には通常ＮｉＦｅ合金膜やＮｉＦｅＣｏ合金膜あるいは
ＮｉＣｏ合金膜などが用いられるが、特開平１−０６４
３８３にはＮｉＦｅ膜とＣｏ膜ないしはＮｉＣｏ膜の多
層膜を該磁気抵抗効果膜に使用することが記載されてお
り、またこれとは別に、特開平２−０２３６７９にはＮ
ｉ膜とＦｅ膜からなる多層膜を、特開平２−０２３６７
８にはＮｉ膜とＣｏ膜の多層膜を該磁気抵抗効果膜とし
て使用することが記載されている。
気ヘッドは、アイ イー イー イートランズアクショ
ンズ オブ マグネティクス エム エー ジー７ １
９７１Ｐ．１５０−１５４，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍ
ａｇ．，ＭＡＧ−７（１９７１）Ｐ．１５０−１５４に
記載されているように、異常磁気抵抗効果を示す軟磁性
体で磁気抵抗効果膜と呼ばれる磁束センシング用薄膜の
両端に、該薄膜にセンス電流を流すための導体膜が設け
られてなる構造が基本となっている。該磁気抵抗効果膜
には通常ＮｉＦｅ合金膜やＮｉＦｅＣｏ合金膜あるいは
ＮｉＣｏ合金膜などが用いられるが、特開平１−０６４
３８３にはＮｉＦｅ膜とＣｏ膜ないしはＮｉＣｏ膜の多
層膜を該磁気抵抗効果膜に使用することが記載されてお
り、またこれとは別に、特開平２−０２３６７９にはＮ
ｉ膜とＦｅ膜からなる多層膜を、特開平２−０２３６７
８にはＮｉ膜とＣｏ膜の多層膜を該磁気抵抗効果膜とし
て使用することが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】今後磁気記録装置の高
密度化が進むのに伴って、磁気ヘッドのギャップ長やト
ラック幅はますます狭くなり、ヘッドの再生出力は低下
する。しかし、実際に磁気記録装置を正常に駆動するた
めには、ある程度以上の再生出力と分解能が必要で、こ
れを確保することが磁気ヘッドの重要課題である。
密度化が進むのに伴って、磁気ヘッドのギャップ長やト
ラック幅はますます狭くなり、ヘッドの再生出力は低下
する。しかし、実際に磁気記録装置を正常に駆動するた
めには、ある程度以上の再生出力と分解能が必要で、こ
れを確保することが磁気ヘッドの重要課題である。
【０００４】再生専用の磁気抵抗効果型ヘッドの再生出
力を増大するにはいくつかの方法がある。この中で、セ
ンス電流を増大する方法は比較的容易で大きな効果が期
待できるが、該ヘッドに使用する磁束センシング用磁気
抵抗効果膜の抵抗値の大小によってヘッドの通電寿命が
左右されるので、長寿命を保証するためには低抵抗で安
定した磁気抵抗効果膜が望まれる。また、上記磁気抵抗
効果膜の磁気抵抗変化率（Δρ／ρ）と磁気抵抗変化量
（Δρ）を増大することも高出力化に有効であり、この
点からΔρ／ρの大きな磁気抵抗効果膜が望まれる。と
ころが、従来から使用されているＮｉＦｅ合金膜やＮｉ
ＦｅＣｏ合金膜あるいはＮｉＣｏ合金膜においては、ρ
が同組成のバルクの値に比べてかなり高く、センス電流
を増大する（１０7Ａ／ｃｍ2台）ことはヘッドの通電寿
命の低下を招く結果となるので、電流増加による出力の
増大は非常に厳しい。一方、これらの膜のΔρ／ρの値
は組成を変えたとしても最大で４％程度で、バルクの値
に比べるとかなり（２０％程度）低く、Δρ／ρの増加
による出力の増大も非常に厳しい。つまり、このような
従来の磁気抵抗効果膜を使用した磁気抵抗効果型ヘッド
では、再生出力の大幅な増大は望めないという問題があ
る。他方、Ｎｉ膜とＦｅ膜からなる多層膜、ないしはＮ
ｉ膜とＣｏ膜からなる多層膜を上記磁気抵抗効果膜とし
て使用した場合は、膜厚や積層の順番によって該多層膜
のρおよびΔρ／ρの値が大きく異なり、簡単にはρの
低下によるセンス電流の増大、Δρ／ρの増大による出
力の増大につながらない。最適な膜厚、最適な積層の順
番を検討、確立する必要がある。しかし、この点につい
ては従来技術では明らかでなく、従来技術による上記多
層膜を用いても再生出力の増大は難しいという問題があ
る。
力を増大するにはいくつかの方法がある。この中で、セ
ンス電流を増大する方法は比較的容易で大きな効果が期
待できるが、該ヘッドに使用する磁束センシング用磁気
抵抗効果膜の抵抗値の大小によってヘッドの通電寿命が
左右されるので、長寿命を保証するためには低抵抗で安
定した磁気抵抗効果膜が望まれる。また、上記磁気抵抗
効果膜の磁気抵抗変化率（Δρ／ρ）と磁気抵抗変化量
（Δρ）を増大することも高出力化に有効であり、この
点からΔρ／ρの大きな磁気抵抗効果膜が望まれる。と
ころが、従来から使用されているＮｉＦｅ合金膜やＮｉ
ＦｅＣｏ合金膜あるいはＮｉＣｏ合金膜においては、ρ
が同組成のバルクの値に比べてかなり高く、センス電流
を増大する（１０7Ａ／ｃｍ2台）ことはヘッドの通電寿
命の低下を招く結果となるので、電流増加による出力の
増大は非常に厳しい。一方、これらの膜のΔρ／ρの値
は組成を変えたとしても最大で４％程度で、バルクの値
に比べるとかなり（２０％程度）低く、Δρ／ρの増加
による出力の増大も非常に厳しい。つまり、このような
従来の磁気抵抗効果膜を使用した磁気抵抗効果型ヘッド
では、再生出力の大幅な増大は望めないという問題があ
る。他方、Ｎｉ膜とＦｅ膜からなる多層膜、ないしはＮ
ｉ膜とＣｏ膜からなる多層膜を上記磁気抵抗効果膜とし
て使用した場合は、膜厚や積層の順番によって該多層膜
のρおよびΔρ／ρの値が大きく異なり、簡単にはρの
低下によるセンス電流の増大、Δρ／ρの増大による出
力の増大につながらない。最適な膜厚、最適な積層の順
番を検討、確立する必要がある。しかし、この点につい
ては従来技術では明らかでなく、従来技術による上記多
層膜を用いても再生出力の増大は難しいという問題があ
る。
【０００５】本発明の目的は、上記問題点を解決し、セ
ンス電流の増大、Δρ／ρの増大による再生出力の増大
が可能な、長寿命の磁気抵抗効果型ヘッドを提供するこ
とにある。
ンス電流の増大、Δρ／ρの増大による再生出力の増大
が可能な、長寿命の磁気抵抗効果型ヘッドを提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では磁気抵抗効果膜として以下のような多
層膜を使用した。第一層目がＮｉ層からなり、全Ｎｉ層
と全Ｆｅ層の重量比が７０：３０から９０：１０の間に
あるＮｉ層とＦｅ層との多層膜、ないしは第一層目がＮ
ｉ層からなり、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重量比が５０：５
０から８５：１５の間にあるＮｉ層とＣｏ層との多層
膜、ないしはＮｉとＦｅと元素Ｍから成る多層膜で、Ｍ
としてはＣｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかの元
素を使用し、同時に第一層目がＮｉ層で全Ｎｉ層と全Ｆ
ｅ層の重量比が７０：３０から９０：１０の間にある多
層膜、ないしはＮｉとＣｏと元素Ｍから成る多層膜で、
ＭとしてはＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかの
元素を使用し、同時に第一層目がＮｉ層で全Ｎｉ層と全
Ｃｏ層の重量比が５０：５０から８５：１５の間にある
多層膜であり、さらに、該多層膜における各々の層が互
いにエピタキシャル的に成長していることを特徴とした
上記いずれかの多層膜である。そして、該多層膜を構成
する各層の膜厚を精密に制御した。
めに、本発明では磁気抵抗効果膜として以下のような多
層膜を使用した。第一層目がＮｉ層からなり、全Ｎｉ層
と全Ｆｅ層の重量比が７０：３０から９０：１０の間に
あるＮｉ層とＦｅ層との多層膜、ないしは第一層目がＮ
ｉ層からなり、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重量比が５０：５
０から８５：１５の間にあるＮｉ層とＣｏ層との多層
膜、ないしはＮｉとＦｅと元素Ｍから成る多層膜で、Ｍ
としてはＣｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかの元
素を使用し、同時に第一層目がＮｉ層で全Ｎｉ層と全Ｆ
ｅ層の重量比が７０：３０から９０：１０の間にある多
層膜、ないしはＮｉとＣｏと元素Ｍから成る多層膜で、
ＭとしてはＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかの
元素を使用し、同時に第一層目がＮｉ層で全Ｎｉ層と全
Ｃｏ層の重量比が５０：５０から８５：１５の間にある
多層膜であり、さらに、該多層膜における各々の層が互
いにエピタキシャル的に成長していることを特徴とした
上記いずれかの多層膜である。そして、該多層膜を構成
する各層の膜厚を精密に制御した。
【０００７】
【作用】上記課題を解決するために磁気抵抗効果膜に用
いた上記多層膜では、合金膜よりも抵抗の低いＮｉ単層
膜、Ｆｅ単層膜、ないしは元素Ｍの単層膜から構成され
るので、比抵抗ρがこれらの元素からなる合金膜のρよ
りも大幅に低下することになる。さらに、上記多層膜を
構成する各層は各々エピタキシャル的に成長しており、
このため各層の界面では各層の原子間で交換相互作用が
生じ、ｓ−ｄ相互作用によって異方性磁気抵抗効果が発
現する。と同時に、Ｍ層を介した磁性層間においては、
いわゆる巨大磁気抵抗効果の発現原因となるスピン間相
互作用も働くので、該異方性磁気抵抗効果と該巨大磁気
抵抗効果とが合わされた大きな磁気抵抗変化率が得られ
ることになる。磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力を増大
するには、すでに述べたように、磁気抵抗効果膜に流す
センス電流を増大するか、該磁気抵抗効果膜の磁気抵抗
変化率を増大することが必要である。この点、上記多層
膜は上述したようにρが非常に低くなり、該多層膜を磁
気抵抗効果膜に使用すればジュール熱の発生を極力抑え
ることが可能である。したがって、センス電流を増大し
てもジュール熱によって加速されるエレクトロマイグレ
ーションを抑えることが可能で、ヘッドの通電寿命の劣
化が大幅に改善されることになる。すなわち、センス電
流の増大によって該磁気抵抗効果型ヘッドの出力の大幅
な増大が実現できる。一方また、上述したように該多層
膜では従来の合金膜よりも大きな磁気抵抗効果が得られ
るので、該磁気抵抗効果の増大分の出力の増大が期待で
き、磁気抵抗効果型ヘッドのさらに大幅な出力の増大が
できる。
いた上記多層膜では、合金膜よりも抵抗の低いＮｉ単層
膜、Ｆｅ単層膜、ないしは元素Ｍの単層膜から構成され
るので、比抵抗ρがこれらの元素からなる合金膜のρよ
りも大幅に低下することになる。さらに、上記多層膜を
構成する各層は各々エピタキシャル的に成長しており、
このため各層の界面では各層の原子間で交換相互作用が
生じ、ｓ−ｄ相互作用によって異方性磁気抵抗効果が発
現する。と同時に、Ｍ層を介した磁性層間においては、
いわゆる巨大磁気抵抗効果の発現原因となるスピン間相
互作用も働くので、該異方性磁気抵抗効果と該巨大磁気
抵抗効果とが合わされた大きな磁気抵抗変化率が得られ
ることになる。磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力を増大
するには、すでに述べたように、磁気抵抗効果膜に流す
センス電流を増大するか、該磁気抵抗効果膜の磁気抵抗
変化率を増大することが必要である。この点、上記多層
膜は上述したようにρが非常に低くなり、該多層膜を磁
気抵抗効果膜に使用すればジュール熱の発生を極力抑え
ることが可能である。したがって、センス電流を増大し
てもジュール熱によって加速されるエレクトロマイグレ
ーションを抑えることが可能で、ヘッドの通電寿命の劣
化が大幅に改善されることになる。すなわち、センス電
流の増大によって該磁気抵抗効果型ヘッドの出力の大幅
な増大が実現できる。一方また、上述したように該多層
膜では従来の合金膜よりも大きな磁気抵抗効果が得られ
るので、該磁気抵抗効果の増大分の出力の増大が期待で
き、磁気抵抗効果型ヘッドのさらに大幅な出力の増大が
できる。
【０００８】
実施例１ 上述した本発明の内容を、以下に実施例により具体的に
説明する。
説明する。
【０００９】図１は、本発明による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの平面図（ａ）ならびにＡ−Ａ’断面図（ｂ）を示し
たものである。本実施例では、非磁性のセラミクスから
なる基板１上に平坦化用のＡｌ2Ｏ3等からなる絶縁層２
を数μｍ積層した後、パーマロイ等からなる下部磁気シ
ールド用の軟磁性膜３を１μｍ厚に積層し、ホトリソグ
ラフィにより所定の形状に加工する。但し、該下部磁気
シールドには基板も兼ねた磁性セラミクスを用いてもと
くに差し支えない。次に、ギップ長を形成するためのＡ
ｌ2Ｏ3等からなる下部絶縁層４を０．０５〜０．６μｍ
の厚さで積層し、磁区制御用の反強磁性膜５と磁気抵抗
効果膜６およびバイアス磁界印加用のシャント膜７とを
蒸着法あるいはスパッタ法により連続積層した後、ホト
リソグラフィにより所定の形状に加工する。本実施例に
おいては、該磁気抵抗効果膜６はＮｉ層とＦｅ層からな
る多層膜で作製しており、さらに該多層膜は図２に拡大
断面図を示すように、まずＮｉ層を所定の膜厚に積層し
た後Ｆｅ層を積層した構造からなる。そして、該多層膜
における全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比は本実施例では８
２：１８に設定しており、Ｎｉ層とＦｅ層とを合わせた
層数は少なくとも２層以上とし、各層の膜厚は該重量比
を満足するように決定した。図３は、このようにして積
層した上記多層膜のρ，Δρ，Δρ／ρと第１層目をＦ
ｅ層として次いでＮｉ層、Ｆｅ層を順次積層した多層膜
のρ，Δρ，Δρ／ρの層数に対する依存性を比較した
ものである。同図には、同組成比のＮｉＦｅ合金膜の値
も参考のために示してある。また、ここではトータルの
膜厚は約５０ｎｍとした。図からわかるように、まず第
１層目にＮｉ層を積層した後Ｆｅ層、Ｎｉ層を順次積層
した多層膜のΔρは合金膜の値よりもやや大きくなり、
ρは逆に低下してΔρ／ρは合金膜の値よりも増加す
る。一方、第１層目をＦｅ層とした多層膜は、ρは低く
なるもののΔρも大幅に低下してΔρ／ρも低下する。
このように、同じＮｉとＦｅの多層膜でも本実施例のよ
うに、まず第１層目にＮｉ層を積層した後Ｆｅ層、Ｎｉ
層を順次積層した構成からなる多層膜を使用なければ効
果がない。さらにこれらの多層膜の層構造を電子顕微鏡
等で検討した結果、このような効果が期待できるにはＮ
ｉ層とＦｅ層とが互いにエピタキシャル的な成長をして
いることが必要でことが明らかになった。、このために
は、蒸着法で作製する場合は蒸着時真空度を１０~7Ｔｏ
ｒｒ以下に設定すること、スパッタリング法などで作製
する場合は到達真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定した
上、純度５Ｎ以上のスパッタリングガスを使用すること
が必要である。なお、該多層膜の全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の
重量比は、７０：３０から９０：１０の間にあればとく
に問題はない。一方、シャント膜７としては本実施例の
場合Ｎｂ膜を用いた。該磁気抵抗効果膜６として用いた
多層膜と該シャント膜７の膜厚は、各々５〜４５ｎｍ,
１０〜１４０ｎｍに設定している。この後、磁気抵抗効
果膜６およびシャント膜７とにセンス電流を流すための
電流リード端子８を形成するが、本実施例では該リード
端子８にはＡｕ／Ｎｂの２層膜を用い、リフトオフ法に
よって形成した。膜厚は各々２００ｎｍ,１０ｎｍとし
た。しかし、リフトオフ法でなくても通常のドライエッ
チング法で形成しても、また膜厚がこれより厚くてもと
くにかまわない。但し、ドライエッチング法の場合には
シャント膜７へのダメージを考慮してドライエッチング
による終点判定を精密に制御する必要がある。次いで、
上部ギャップ層を構成するＡｌ2Ｏ3等からなる上部絶縁
層９を０．０５〜０．６μｍの厚さで積層し、引き続き
パーマロイ等からなる上部磁気シールド用の軟磁性膜１
０を１μｍ厚に積層してＭＲヘッド部１１の形成を終了
した。実際に磁気装置用として該ヘッドを使用するため
には、この後平坦化用の絶縁膜１２を積層して、この上
に上記ＭＲヘッドのトラック幅に対応した記録用の電磁
誘導型の薄膜磁気ヘッドを作製し、複合ヘッドとする。
ドの平面図（ａ）ならびにＡ−Ａ’断面図（ｂ）を示し
たものである。本実施例では、非磁性のセラミクスから
なる基板１上に平坦化用のＡｌ2Ｏ3等からなる絶縁層２
を数μｍ積層した後、パーマロイ等からなる下部磁気シ
ールド用の軟磁性膜３を１μｍ厚に積層し、ホトリソグ
ラフィにより所定の形状に加工する。但し、該下部磁気
シールドには基板も兼ねた磁性セラミクスを用いてもと
くに差し支えない。次に、ギップ長を形成するためのＡ
ｌ2Ｏ3等からなる下部絶縁層４を０．０５〜０．６μｍ
の厚さで積層し、磁区制御用の反強磁性膜５と磁気抵抗
効果膜６およびバイアス磁界印加用のシャント膜７とを
蒸着法あるいはスパッタ法により連続積層した後、ホト
リソグラフィにより所定の形状に加工する。本実施例に
おいては、該磁気抵抗効果膜６はＮｉ層とＦｅ層からな
る多層膜で作製しており、さらに該多層膜は図２に拡大
断面図を示すように、まずＮｉ層を所定の膜厚に積層し
た後Ｆｅ層を積層した構造からなる。そして、該多層膜
における全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比は本実施例では８
２：１８に設定しており、Ｎｉ層とＦｅ層とを合わせた
層数は少なくとも２層以上とし、各層の膜厚は該重量比
を満足するように決定した。図３は、このようにして積
層した上記多層膜のρ，Δρ，Δρ／ρと第１層目をＦ
ｅ層として次いでＮｉ層、Ｆｅ層を順次積層した多層膜
のρ，Δρ，Δρ／ρの層数に対する依存性を比較した
ものである。同図には、同組成比のＮｉＦｅ合金膜の値
も参考のために示してある。また、ここではトータルの
膜厚は約５０ｎｍとした。図からわかるように、まず第
１層目にＮｉ層を積層した後Ｆｅ層、Ｎｉ層を順次積層
した多層膜のΔρは合金膜の値よりもやや大きくなり、
ρは逆に低下してΔρ／ρは合金膜の値よりも増加す
る。一方、第１層目をＦｅ層とした多層膜は、ρは低く
なるもののΔρも大幅に低下してΔρ／ρも低下する。
このように、同じＮｉとＦｅの多層膜でも本実施例のよ
うに、まず第１層目にＮｉ層を積層した後Ｆｅ層、Ｎｉ
層を順次積層した構成からなる多層膜を使用なければ効
果がない。さらにこれらの多層膜の層構造を電子顕微鏡
等で検討した結果、このような効果が期待できるにはＮ
ｉ層とＦｅ層とが互いにエピタキシャル的な成長をして
いることが必要でことが明らかになった。、このために
は、蒸着法で作製する場合は蒸着時真空度を１０~7Ｔｏ
ｒｒ以下に設定すること、スパッタリング法などで作製
する場合は到達真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定した
上、純度５Ｎ以上のスパッタリングガスを使用すること
が必要である。なお、該多層膜の全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の
重量比は、７０：３０から９０：１０の間にあればとく
に問題はない。一方、シャント膜７としては本実施例の
場合Ｎｂ膜を用いた。該磁気抵抗効果膜６として用いた
多層膜と該シャント膜７の膜厚は、各々５〜４５ｎｍ,
１０〜１４０ｎｍに設定している。この後、磁気抵抗効
果膜６およびシャント膜７とにセンス電流を流すための
電流リード端子８を形成するが、本実施例では該リード
端子８にはＡｕ／Ｎｂの２層膜を用い、リフトオフ法に
よって形成した。膜厚は各々２００ｎｍ,１０ｎｍとし
た。しかし、リフトオフ法でなくても通常のドライエッ
チング法で形成しても、また膜厚がこれより厚くてもと
くにかまわない。但し、ドライエッチング法の場合には
シャント膜７へのダメージを考慮してドライエッチング
による終点判定を精密に制御する必要がある。次いで、
上部ギャップ層を構成するＡｌ2Ｏ3等からなる上部絶縁
層９を０．０５〜０．６μｍの厚さで積層し、引き続き
パーマロイ等からなる上部磁気シールド用の軟磁性膜１
０を１μｍ厚に積層してＭＲヘッド部１１の形成を終了
した。実際に磁気装置用として該ヘッドを使用するため
には、この後平坦化用の絶縁膜１２を積層して、この上
に上記ＭＲヘッドのトラック幅に対応した記録用の電磁
誘導型の薄膜磁気ヘッドを作製し、複合ヘッドとする。
【００１０】以上のようにして作製した磁気抵抗効果型
ヘッドは、該電流リード端子８からシャント膜７および
磁気抵抗効果膜６とにセンス電流を流し、シャント膜７
の作るバイアス磁界を磁気抵抗効果膜６に印加した状態
で、磁気記録媒体からの信号磁界を受ける。磁気抵抗効
果膜６に信号磁束が入ると、磁気抵抗効果膜６の磁化が
磁束入射方向に回転し、これによって磁気抵抗効果膜６
の抵抗が変化する。電流リード端子８においてこの抵抗
変化に対応した電圧変化を検出することで、該磁気記録
媒体に記録された信号を読み取ることができる。
ヘッドは、該電流リード端子８からシャント膜７および
磁気抵抗効果膜６とにセンス電流を流し、シャント膜７
の作るバイアス磁界を磁気抵抗効果膜６に印加した状態
で、磁気記録媒体からの信号磁界を受ける。磁気抵抗効
果膜６に信号磁束が入ると、磁気抵抗効果膜６の磁化が
磁束入射方向に回転し、これによって磁気抵抗効果膜６
の抵抗が変化する。電流リード端子８においてこの抵抗
変化に対応した電圧変化を検出することで、該磁気記録
媒体に記録された信号を読み取ることができる。
【００１１】上述したように、磁気抵抗効果膜６にはＮ
ｉ，Ｆｅからなる多層膜を使用しており、該多層膜のρ
は同組成比の合金膜の値よりも低く、Δρは逆にやや高
い。したがって、従来の合金膜を使用したＭＲヘッドと
同一密度のセンス電流を本実施例によるＭＲヘッドに流
した場合、本実施例によるＭＲヘッドの出力は従来のも
のより高くなり、通電寿命も伸びる。寿命が伸びるの
は、ρが低いので電流による発熱量が低くなりエレクト
ロマイグレーションの進行が緩やかになるためである。
このため本実施例によるＭＲヘッドには、従来のＭＲヘ
ッドよりも高密度のセンス電流を流すことが可能であ
り、これによって大幅な出力の増大が期待できる。すな
わち、本実施例によるＭＲヘッドによれば従来のＭＲヘ
ッドよりも大幅な出力増大の効果がある。
ｉ，Ｆｅからなる多層膜を使用しており、該多層膜のρ
は同組成比の合金膜の値よりも低く、Δρは逆にやや高
い。したがって、従来の合金膜を使用したＭＲヘッドと
同一密度のセンス電流を本実施例によるＭＲヘッドに流
した場合、本実施例によるＭＲヘッドの出力は従来のも
のより高くなり、通電寿命も伸びる。寿命が伸びるの
は、ρが低いので電流による発熱量が低くなりエレクト
ロマイグレーションの進行が緩やかになるためである。
このため本実施例によるＭＲヘッドには、従来のＭＲヘ
ッドよりも高密度のセンス電流を流すことが可能であ
り、これによって大幅な出力の増大が期待できる。すな
わち、本実施例によるＭＲヘッドによれば従来のＭＲヘ
ッドよりも大幅な出力増大の効果がある。
【００１２】実施例２ 本実施例によるＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜６とし
て、上記実施例１で用いたＮｉ，Ｆｅ多層膜に代えてＮ
ｉ，Ｃｏからなる多層膜を使用したものであり、その他
の構成は実施例１のＭＲヘッド１１と全く同様である。
なお、Ｎｉ層とＣｏ層の積層の順番は、上記実施例１に
示したＮｉ，Ｆｅ多層膜のように、まず第１層目として
Ｎｉ層を積層し、次いでＣｏ層を、その後Ｎｉ層、Ｃｏ
層の順に積層してなる。また、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重
量比は７５：２５としたが、５０：５０から８５：１５
の間にあればとくに問題はない。さらに、本多層膜の場
合もＮｉ層とＣｏ層とが互いにエピタキシャル的な成長
をしていることが必要で、このために蒸着法で作製する
場合は蒸着時真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定し、ス
パッタリング法などで作製する場合は到達真空度を１０
~7Ｔｏｒｒ以下に設定した上、純度５Ｎ以上のスパッタ
リングガスを使用する必要がある。
て、上記実施例１で用いたＮｉ，Ｆｅ多層膜に代えてＮ
ｉ，Ｃｏからなる多層膜を使用したものであり、その他
の構成は実施例１のＭＲヘッド１１と全く同様である。
なお、Ｎｉ層とＣｏ層の積層の順番は、上記実施例１に
示したＮｉ，Ｆｅ多層膜のように、まず第１層目として
Ｎｉ層を積層し、次いでＣｏ層を、その後Ｎｉ層、Ｃｏ
層の順に積層してなる。また、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重
量比は７５：２５としたが、５０：５０から８５：１５
の間にあればとくに問題はない。さらに、本多層膜の場
合もＮｉ層とＣｏ層とが互いにエピタキシャル的な成長
をしていることが必要で、このために蒸着法で作製する
場合は蒸着時真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定し、ス
パッタリング法などで作製する場合は到達真空度を１０
~7Ｔｏｒｒ以下に設定した上、純度５Ｎ以上のスパッタ
リングガスを使用する必要がある。
【００１３】このようにして作製した本実施例によるＭ
Ｒヘッドの動作原理は上記実施例１のＭＲヘッド１１と
全く同様であり、全く同様の効果が期待できる。
Ｒヘッドの動作原理は上記実施例１のＭＲヘッド１１と
全く同様であり、全く同様の効果が期待できる。
【００１４】実施例３ 本実施例によるＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜６とし
て、上記実施例１で用いたＮｉ，Ｆｅ多層膜に代えて、
Ｎｉ，Ｆｅ、元素Ｍの３種類の層からなる多層膜を使用
したものである。元素Ｍとしては、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｃｕ，Ｍｏのいずれかの元素を用い、その他の構成は全
く実施例１のＭＲヘッド１１と同様である。なお、Ｎｉ
層、Ｆｅ層、Ｍ層の積層の順番は、上記実施例１に示し
たＮｉ，Ｆｅ多層膜のように、まず第１層目にＮｉ層を
積層し、その後Ｆｅ層、Ｍ層、Ｆｅ層とし、全体ではＮ
ｉ／Ｆｅ／Ｍ／Ｆｅの積層構造を一周期とするような積
層周期構造にしたものである。このような積層周期構造
にしたことによって、異方性磁気抵抗効果とともにいわ
ゆる巨大磁気抵抗効果も加わる結果になり、上記実施例
１，２のヘッドより大幅な出力の増大が期待できる。な
お、全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比は７０：３０から９
０：１０の間に設定し、この重量比になるように各々の
膜厚を設定している。一方、Ｍ層の膜厚は０．５〜５ｎ
ｍの間の適当な値に設定した。さらにまた、本多層膜の
場合もＮｉ層とＦｅ層とが互いにエピタキシャル的な成
長をしていることが必要で、望ましくはＭ層もＦｅ層と
の間でもエピタキシャル的な成長をしているのがよい
が、このために蒸着法で作製する場合は蒸着時真空度を
１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定し、スパッタリング法などで
作製する場合は到達真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定
した上、純度５Ｎ以上のスパッタリングガスを使用する
必要がある。
て、上記実施例１で用いたＮｉ，Ｆｅ多層膜に代えて、
Ｎｉ，Ｆｅ、元素Ｍの３種類の層からなる多層膜を使用
したものである。元素Ｍとしては、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｃｕ，Ｍｏのいずれかの元素を用い、その他の構成は全
く実施例１のＭＲヘッド１１と同様である。なお、Ｎｉ
層、Ｆｅ層、Ｍ層の積層の順番は、上記実施例１に示し
たＮｉ，Ｆｅ多層膜のように、まず第１層目にＮｉ層を
積層し、その後Ｆｅ層、Ｍ層、Ｆｅ層とし、全体ではＮ
ｉ／Ｆｅ／Ｍ／Ｆｅの積層構造を一周期とするような積
層周期構造にしたものである。このような積層周期構造
にしたことによって、異方性磁気抵抗効果とともにいわ
ゆる巨大磁気抵抗効果も加わる結果になり、上記実施例
１，２のヘッドより大幅な出力の増大が期待できる。な
お、全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比は７０：３０から９
０：１０の間に設定し、この重量比になるように各々の
膜厚を設定している。一方、Ｍ層の膜厚は０．５〜５ｎ
ｍの間の適当な値に設定した。さらにまた、本多層膜の
場合もＮｉ層とＦｅ層とが互いにエピタキシャル的な成
長をしていることが必要で、望ましくはＭ層もＦｅ層と
の間でもエピタキシャル的な成長をしているのがよい
が、このために蒸着法で作製する場合は蒸着時真空度を
１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定し、スパッタリング法などで
作製する場合は到達真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定
した上、純度５Ｎ以上のスパッタリングガスを使用する
必要がある。
【００１５】さて、このようにして作製した本実施例に
よるＭＲヘッドの動作原理は、上記実施例１のＭＲヘッ
ド１１と同様であるが、本実施例によればいわゆる巨大
磁気抵抗効果も加わることになるので、上記実施例１，
２のＭＲヘッドより大幅に出力を増大できる効果があ
る。但し、本実施例によるＭＲヘッドでは、異方性磁気
抵抗効果と巨大磁気抵抗効果を加わて有効に出力の増大
を図るために、ＭＲ素子は、図４に示すようにセンス電
流の方向と信号磁束の方向とが平行となるようにＭＲ膜
を媒体に対して垂直になるように加工し、導体をその両
端に設けた構造とする必要がある。
よるＭＲヘッドの動作原理は、上記実施例１のＭＲヘッ
ド１１と同様であるが、本実施例によればいわゆる巨大
磁気抵抗効果も加わることになるので、上記実施例１，
２のＭＲヘッドより大幅に出力を増大できる効果があ
る。但し、本実施例によるＭＲヘッドでは、異方性磁気
抵抗効果と巨大磁気抵抗効果を加わて有効に出力の増大
を図るために、ＭＲ素子は、図４に示すようにセンス電
流の方向と信号磁束の方向とが平行となるようにＭＲ膜
を媒体に対して垂直になるように加工し、導体をその両
端に設けた構造とする必要がある。
【００１６】実施例４ 本実施例によるＭＲヘッドでは、磁気抵抗効果膜６とし
て、上記実施例２で用いたＮｉ，Ｃｏ多層膜に代えて、
Ｎｉ，Ｃｏ、元素Ｍの３種類の層からなる多層膜を使用
したものである。元素Ｍとしては、Ｆｅ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｃｕ，Ｍｏのいずれかの元素を用い、その他の構成は全
く実施例１のＭＲヘッド１１と同様である。なお、Ｎｉ
層、Ｃｏ層、Ｍ層の積層の順番は、上記実施例１に示し
たＮｉ，Ｆｅ多層膜のように、まず第１層目にＮｉ層を
積層し、その後Ｃｏ層、Ｍ層、Ｃｏ層とし、全体ではＮ
ｉ／Ｃｏ／Ｍ／Ｃｏの積層構造を一周期とするような積
層周期構造にしたものである。このような積層周期構造
にしたことによって、異方性磁気抵抗効果とともにいわ
ゆる巨大磁気抵抗効果も加わる結果になり、上記実施例
１，２のヘッドより大幅な出力の増大が期待できる。な
お、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重量比は５０：５０から８
５：１５の間に設定し、この重量比になるように各々の
膜厚を設定している。一方、Ｍ層の膜厚は０．５〜５ｎ
ｍの間の適当な値に設定した。さらにまた、本多層膜の
場合もＮｉ層とＦｅ層とが互いにエピタキシャル的な成
長をしていることが必要で、望ましくはＭ層もＦｅ層と
の間でもエピタキシャル的な成長をしているのがよい
が、このために蒸着法で作製する場合は蒸着時真空度を
１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定し、スパッタリング法などで
作製する場合は到達真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定
した上、純度５Ｎ以上のスパッタリングガスを使用する
必要がある。
て、上記実施例２で用いたＮｉ，Ｃｏ多層膜に代えて、
Ｎｉ，Ｃｏ、元素Ｍの３種類の層からなる多層膜を使用
したものである。元素Ｍとしては、Ｆｅ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｃｕ，Ｍｏのいずれかの元素を用い、その他の構成は全
く実施例１のＭＲヘッド１１と同様である。なお、Ｎｉ
層、Ｃｏ層、Ｍ層の積層の順番は、上記実施例１に示し
たＮｉ，Ｆｅ多層膜のように、まず第１層目にＮｉ層を
積層し、その後Ｃｏ層、Ｍ層、Ｃｏ層とし、全体ではＮ
ｉ／Ｃｏ／Ｍ／Ｃｏの積層構造を一周期とするような積
層周期構造にしたものである。このような積層周期構造
にしたことによって、異方性磁気抵抗効果とともにいわ
ゆる巨大磁気抵抗効果も加わる結果になり、上記実施例
１，２のヘッドより大幅な出力の増大が期待できる。な
お、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重量比は５０：５０から８
５：１５の間に設定し、この重量比になるように各々の
膜厚を設定している。一方、Ｍ層の膜厚は０．５〜５ｎ
ｍの間の適当な値に設定した。さらにまた、本多層膜の
場合もＮｉ層とＦｅ層とが互いにエピタキシャル的な成
長をしていることが必要で、望ましくはＭ層もＦｅ層と
の間でもエピタキシャル的な成長をしているのがよい
が、このために蒸着法で作製する場合は蒸着時真空度を
１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定し、スパッタリング法などで
作製する場合は到達真空度を１０~7Ｔｏｒｒ以下に設定
した上、純度５Ｎ以上のスパッタリングガスを使用する
必要がある。
【００１７】さて、このようにして作製した本実施例に
よるＭＲヘッドの動作原理は、上記実施例１のＭＲヘッ
ド１１と同様であるが、本実施例によればいわゆる巨大
磁気抵抗効果も加わることになるので、上記実施例１，
２のＭＲヘッドより大幅に出力を増大できる効果があ
る。但し、本実施例によるＭＲヘッドでは、異方性磁気
抵抗効果と巨大磁気抵抗効果を加わて有効に出力の増大
を図るために、ＭＲ素子は、上記実施例３の図４に示し
たように、やはりセンス電流の方向と信号磁束の方向と
が平行となるようにＭＲ膜を媒体に対して垂直になるよ
うに加工し、導体をその両端に設けた構造とする必要が
ある。
よるＭＲヘッドの動作原理は、上記実施例１のＭＲヘッ
ド１１と同様であるが、本実施例によればいわゆる巨大
磁気抵抗効果も加わることになるので、上記実施例１，
２のＭＲヘッドより大幅に出力を増大できる効果があ
る。但し、本実施例によるＭＲヘッドでは、異方性磁気
抵抗効果と巨大磁気抵抗効果を加わて有効に出力の増大
を図るために、ＭＲ素子は、上記実施例３の図４に示し
たように、やはりセンス電流の方向と信号磁束の方向と
が平行となるようにＭＲ膜を媒体に対して垂直になるよ
うに加工し、導体をその両端に設けた構造とする必要が
ある。
【００１８】
【発明の効果】本発明によるＭＲヘッドでは、上述した
ように磁気抵抗効果膜６としてＮｉ，ＦｅないしはＣ
ｏ、さらには元素Ｍからなる多層膜を使用する。該多層
膜のρは従来のＮｉ−ＦｅないしはＮｉ−Ｃｏ合金膜か
らなる磁気抵抗効果膜のρよりも低く、Δρは逆にやや
高い。このため、これら従来の磁気抵抗効果膜を使用し
たＭＲヘッドと比較して、同一密度のセンス電流を流し
た場合には通電寿命が大幅に伸びる、と同時により高い
出力が得られるという効果がある。また、このように通
電寿命が伸びるのは、ρが低いためセンス電流による発
熱量が低くエレクトロマイグレーションの進行が緩やか
になることによっている。したがって本発明によるＭＲ
ヘッドでは、従来のＭＲヘッドよりも高密度のセンス電
流を流すことが可能であり、電流による出力の大幅な増
大ができる。さらに、Ｎｉ，ＦｅないしはＣｏ、および
元素Ｍからなる多層膜では、通常の異方性磁気抵抗効果
に加えて巨大磁気抵抗効果の分も出力に寄与することに
なるので、これによるさらに大幅な出力の増大が可能で
きる。すなわち、本発明によるＭＲヘッドでは、大幅な
出力増大効果がある。
ように磁気抵抗効果膜６としてＮｉ，ＦｅないしはＣ
ｏ、さらには元素Ｍからなる多層膜を使用する。該多層
膜のρは従来のＮｉ−ＦｅないしはＮｉ−Ｃｏ合金膜か
らなる磁気抵抗効果膜のρよりも低く、Δρは逆にやや
高い。このため、これら従来の磁気抵抗効果膜を使用し
たＭＲヘッドと比較して、同一密度のセンス電流を流し
た場合には通電寿命が大幅に伸びる、と同時により高い
出力が得られるという効果がある。また、このように通
電寿命が伸びるのは、ρが低いためセンス電流による発
熱量が低くエレクトロマイグレーションの進行が緩やか
になることによっている。したがって本発明によるＭＲ
ヘッドでは、従来のＭＲヘッドよりも高密度のセンス電
流を流すことが可能であり、電流による出力の大幅な増
大ができる。さらに、Ｎｉ，ＦｅないしはＣｏ、および
元素Ｍからなる多層膜では、通常の異方性磁気抵抗効果
に加えて巨大磁気抵抗効果の分も出力に寄与することに
なるので、これによるさらに大幅な出力の増大が可能で
きる。すなわち、本発明によるＭＲヘッドでは、大幅な
出力増大効果がある。
【図１】本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの平面図な
らびに断面図である。
らびに断面図である。
【図２】Ｎｉ層およびＦｅ層の多層膜からなる磁気抵抗
効果膜の拡大断面図である。
効果膜の拡大断面図である。
【図３】本発明による多層膜のρ、Δρ、Δρ／ρの層
数に対する依存性を示す図である。
数に対する依存性を示す図である。
【図４】本発明の一実施例によるＭＲヘッドにおけるＭ
Ｒ素子の平面図である。
Ｒ素子の平面図である。
１…基板、 ２…絶縁層、 ３…軟磁性膜、 ４…下部絶縁膜、 ５…反強磁性膜、 ６…磁気抵抗効果膜、 ７…シャント膜、 ８…電流リード端子、 ９…上部絶縁層、 １０…軟磁性膜、 １１…ＭＲヘッド部、 １２…絶縁膜。
Claims (10)
- 【請求項１】磁気記録媒体からの信号磁束を読み取るた
めの強磁性体からなる磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加
手段と、該磁気抵抗効果膜の磁区構造を制御するための
磁区構造制御手段と、該磁気抵抗効果膜へセンス電流を
印加するための手段と、さらに、上部および下部一対の
磁気シールド層とを備えてなる磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、上記磁気抵抗効果膜がＮｉとＦｅとの多層膜か
ら成り、かつ該多層膜の第一層目がＮｉ層であると同時
に、全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比が７０：３０から９
０：１０の間にあることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、ＮｉとＦｅとの多層膜からなる上記磁気抵抗効果
膜のＮｉ層とＦｅ層が、互いにエピタキシャル的な成長
をして成ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】磁気記録媒体からの信号磁束を読み取るた
めの強磁性体からなる磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加
手段と、該磁気抵抗効果膜の磁区構造を制御するための
磁区構造制御手段と、該磁気抵抗効果膜へセンス電流を
印加するための手段と、さらに上部および下部一対の磁
気シールド層とを備えてなる磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、該磁気抵抗効果膜がＮｉとＦｅと元素Ｍから成る
多層膜であって、ＭがＣｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｍｏの
いずれかの元素から成り、かつ該多層膜の第一層目がＮ
ｉ層であると同時に、全Ｎｉ層と全Ｆｅ層の重量比が７
０：３０から９０：１０の間にあることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】請求項３記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、ＮｉとＦｅと元素Ｍの多層膜から成る磁気抵抗効
果膜が、Ｎｉ／Ｆｅ／Ｍ／Ｆｅの積層構造を一周期とす
る積層周期構造から成ることを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項５】請求項３又は請求項４記載の磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、ＮｉとＦｅと元素Ｍの多層膜からな
る上記磁気抵抗効果膜のＮｉ層とＦｅ層とＭ層が、互い
にエピタキシャル的な成長をしていることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】磁気記録媒体からの信号磁束を読み取るた
めの強磁性体からなる磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加
手段と、該磁気抵抗効果膜の磁区構造を制御するための
磁区構造制御手段と、該磁気抵抗効果膜へセンス電流を
印加するための手段と、さらに、上部および下部一対の
磁気シールド層とを備えてなる磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、該磁気抵抗効果膜がＮｉとＣｏとの多層膜から
成り、かつ該多層膜の第一層目がＮｉ層であると同時
に、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重量比が５０：５０から８
５：１５の間にあることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 - 【請求項７】請求項６記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、ＮｉとＣｏとの多層膜からなる上記磁気抵抗効果
膜のＮｉ層とＣｏ層が、互いにエピタキシャル的な成長
をして成ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項８】磁気記録媒体からの信号磁束を読み取るた
めの強磁性体からなる磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加
手段と、該磁気抵抗効果膜の磁区構造を制御するための
磁区構造制御手段と、該磁気抵抗効果膜へセンス電流を
印加するための手段と、さらに上部および下部一対の磁
気シールド層とを備えてなる磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、該磁気抵抗効果膜がＮｉとＣｏと元素Ｍから成る
多層膜であって、ＭがＦｅ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｍｏの
いずれかの元素から成り、かつ該多層膜の第一層目がＮ
ｉ層であると同時に、全Ｎｉ層と全Ｃｏ層の重量比が５
０：５０から８５：１５の間にあることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項９】請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、ＮｉとＣｏと元素Ｍの多層膜から成る該磁気抵抗
効果膜が、Ｎｉ／Ｃｏ／Ｍ／Ｃｏの積層構造を一周期と
する積層周期構造から成ることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッド。 - 【請求項１０】請求項８又は請求項９記載の磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、ＮｉとＣｏと元素Ｍの多層膜から
なる上記磁気抵抗効果膜のＮｉ層とＣｏ層とＭ層が、互
いにエピタキシャル的な成長をしてなることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16726692A JPH0612627A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16726692A JPH0612627A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0612627A true JPH0612627A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15846553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16726692A Pending JPH0612627A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394450C (zh) * | 2002-10-26 | 2008-06-11 | 深圳市华夏磁电子技术开发有限公司 | 自旋阀巨磁电阻及含有该巨磁电阻的验钞机磁头传感器 |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16726692A patent/JPH0612627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394450C (zh) * | 2002-10-26 | 2008-06-11 | 深圳市华夏磁电子技术开发有限公司 | 自旋阀巨磁电阻及含有该巨磁电阻的验钞机磁头传感器 |
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