JPH0612622A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0612622A JPH0612622A JP17276992A JP17276992A JPH0612622A JP H0612622 A JPH0612622 A JP H0612622A JP 17276992 A JP17276992 A JP 17276992A JP 17276992 A JP17276992 A JP 17276992A JP H0612622 A JPH0612622 A JP H0612622A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビデオテープレコーダーなどの磁気テープ装
置に用いられる薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気コア
と磁気媒体の接触を良好にし、高い効率で記録再生を行
うことができる薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 磁気ヘッド基板、該基板上に形成された少な
くとも一対の薄膜磁気コア、前記基板内に配設された薄
膜導体コイル、前記薄膜磁気コア間に設けられたギャッ
プ薄膜、前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを電気的に
絶縁する絶縁膜、および前記基板と薄膜磁気コアとのあ
いだに介装され前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを前
記磁気ヘッド基板に固定すると共に摺動中の損傷を防止
する保護膜を有し、磁気媒体と摺動することにより、磁
気媒体上に記録の書き込み、読み出しを行う薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記保護膜表面からドラム回転中心まで
の距離を、磁気ヘッド基板および薄膜磁気コアそれぞれ
の表面からドラム回転中心までの距離より小さくしてい
る。
置に用いられる薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気コア
と磁気媒体の接触を良好にし、高い効率で記録再生を行
うことができる薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 磁気ヘッド基板、該基板上に形成された少な
くとも一対の薄膜磁気コア、前記基板内に配設された薄
膜導体コイル、前記薄膜磁気コア間に設けられたギャッ
プ薄膜、前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを電気的に
絶縁する絶縁膜、および前記基板と薄膜磁気コアとのあ
いだに介装され前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを前
記磁気ヘッド基板に固定すると共に摺動中の損傷を防止
する保護膜を有し、磁気媒体と摺動することにより、磁
気媒体上に記録の書き込み、読み出しを行う薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記保護膜表面からドラム回転中心まで
の距離を、磁気ヘッド基板および薄膜磁気コアそれぞれ
の表面からドラム回転中心までの距離より小さくしてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関す
る。さらに詳しくは、ビデオテープレコ−ダーなどで用
いられ、磁気コアと磁気媒体との接触性を良好にし、高
い効率の記録、再生ができる薄膜磁気ヘッドに関する。
る。さらに詳しくは、ビデオテープレコ−ダーなどで用
いられ、磁気コアと磁気媒体との接触性を良好にし、高
い効率の記録、再生ができる薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はたとえば特開平2-166609号公報に
示された従来の薄膜磁気ヘッドの形状を示している。図
６において１は非磁性の磁気ヘッド基板、２は薄膜磁気
コア、３は薄膜導体コイル、４はギャップ薄膜、５は保
護膜、８は絶縁膜である。図７は薄膜磁気ヘッド全体を
示した図である。図７において６は磁気媒体（テー
プ）、11は磁気媒体と摺動する基板１の摺動面を示して
いる。また、Ａは薄膜磁気ヘッドの進行方向を示してい
る。図７では、わかりやすくするために磁気媒体６は透
明に描いている。図８は薄膜磁気ヘッドが磁気媒体と摺
動し、記録、再生を行うときの位置関係を示した図であ
る。図８において７ａはアッパードラム、７ｂはローア
ードラム、Ｃはアッパードラムの回転方向を示してい
る。磁気ヘッド基板１は摺動面１１を外向きに、アッパ
ードラム７ａ外周部の下に取り付けられている。記録再
生時には磁気媒体６はアッパードラム７ａとローアード
ラム７ｂにヘリカル状に巻き付けられ、アッパードラム
７ａがＣ方向に高速（一般に毎分1800回転）で回転す
る。このとき、磁気媒体６はＢ方向に低速（約30mm／
ｓ）で進む。このため薄膜磁気コア２と磁気媒体６が高
速で摺動し、高密度記録再生が行われる。図９は薄膜磁
気ヘッドと磁気媒体の接触部分付近をアッパードラム７
ａ上方より見た図である。薄膜磁気ヘッドはその摺動面
11をアッパ−ドラム７ａの表面よりわずかに突出した状
態で取り付けられている。磁気媒体１１はアッパードラ
ム７ａ表面と薄膜磁気ヘッド表面に沿いながら、高速で
摺動する。
示された従来の薄膜磁気ヘッドの形状を示している。図
６において１は非磁性の磁気ヘッド基板、２は薄膜磁気
コア、３は薄膜導体コイル、４はギャップ薄膜、５は保
護膜、８は絶縁膜である。図７は薄膜磁気ヘッド全体を
示した図である。図７において６は磁気媒体（テー
プ）、11は磁気媒体と摺動する基板１の摺動面を示して
いる。また、Ａは薄膜磁気ヘッドの進行方向を示してい
る。図７では、わかりやすくするために磁気媒体６は透
明に描いている。図８は薄膜磁気ヘッドが磁気媒体と摺
動し、記録、再生を行うときの位置関係を示した図であ
る。図８において７ａはアッパードラム、７ｂはローア
ードラム、Ｃはアッパードラムの回転方向を示してい
る。磁気ヘッド基板１は摺動面１１を外向きに、アッパ
ードラム７ａ外周部の下に取り付けられている。記録再
生時には磁気媒体６はアッパードラム７ａとローアード
ラム７ｂにヘリカル状に巻き付けられ、アッパードラム
７ａがＣ方向に高速（一般に毎分1800回転）で回転す
る。このとき、磁気媒体６はＢ方向に低速（約30mm／
ｓ）で進む。このため薄膜磁気コア２と磁気媒体６が高
速で摺動し、高密度記録再生が行われる。図９は薄膜磁
気ヘッドと磁気媒体の接触部分付近をアッパードラム７
ａ上方より見た図である。薄膜磁気ヘッドはその摺動面
11をアッパ−ドラム７ａの表面よりわずかに突出した状
態で取り付けられている。磁気媒体１１はアッパードラ
ム７ａ表面と薄膜磁気ヘッド表面に沿いながら、高速で
摺動する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
は以上のように構成されている。そのため、摺動面11お
よび薄膜磁気コア２は磁気媒体の摺動によって次第に摩
耗してくる。この摩耗を防ぐため、従来の薄膜磁気ヘッ
ドでは極力、耐摩耗性の高い（比摩耗量の小さい）磁気
ヘッド基板１と保護膜５を選択している。たとえば磁気
ヘッド基板としてはＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣやフェライトなど
が採用され、また保護膜としてはＳｉＯ2などが採用さ
れている。しかしながら、薄膜磁気コア２は金属または
金属化合物であるため、一般に比摩耗量が大きい。その
ため、薄膜磁気コア２は磁気媒体との摺動によって磁気
ヘッド基板１や保護膜５より早く摩耗し、次第に薄膜磁
気コア２の表面が磁気ヘッド基板１や保護膜５の表面に
比べ後退してくるという現象が現れる。図10は薄膜磁気
コアの表面が後退している現象を示す薄膜磁気ヘッドの
断面図である。このように薄膜磁気コア２の表面が後退
すると、薄膜磁気コア表面と磁気媒体の表面とのあいだ
に隙間が発生し、記録再生効率が低下する。また、薄膜
磁気コア表面と磁気媒体の接触圧力が低下し、接触状態
が不安定になり、記録再生効率が著しく低下するという
現象がみられる。
は以上のように構成されている。そのため、摺動面11お
よび薄膜磁気コア２は磁気媒体の摺動によって次第に摩
耗してくる。この摩耗を防ぐため、従来の薄膜磁気ヘッ
ドでは極力、耐摩耗性の高い（比摩耗量の小さい）磁気
ヘッド基板１と保護膜５を選択している。たとえば磁気
ヘッド基板としてはＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣやフェライトなど
が採用され、また保護膜としてはＳｉＯ2などが採用さ
れている。しかしながら、薄膜磁気コア２は金属または
金属化合物であるため、一般に比摩耗量が大きい。その
ため、薄膜磁気コア２は磁気媒体との摺動によって磁気
ヘッド基板１や保護膜５より早く摩耗し、次第に薄膜磁
気コア２の表面が磁気ヘッド基板１や保護膜５の表面に
比べ後退してくるという現象が現れる。図10は薄膜磁気
コアの表面が後退している現象を示す薄膜磁気ヘッドの
断面図である。このように薄膜磁気コア２の表面が後退
すると、薄膜磁気コア表面と磁気媒体の表面とのあいだ
に隙間が発生し、記録再生効率が低下する。また、薄膜
磁気コア表面と磁気媒体の接触圧力が低下し、接触状態
が不安定になり、記録再生効率が著しく低下するという
現象がみられる。
【０００４】本発明は前記のような問題点を解消するた
めになされたもので、薄膜磁気コアと磁気媒体の良好な
接触状態を保ち、高い記録再生効率をもった薄膜磁気ヘ
ッドを提供すると共に、かかる薄膜磁気ヘッドに適した
膜材料の組み合わせを提供することを目的とする。
めになされたもので、薄膜磁気コアと磁気媒体の良好な
接触状態を保ち、高い記録再生効率をもった薄膜磁気ヘ
ッドを提供すると共に、かかる薄膜磁気ヘッドに適した
膜材料の組み合わせを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気ヘッド基板、該基板上に形成された少なくとも
一対の薄膜磁気コア、前記基板内に配設された薄膜導体
コイル、前記薄膜磁気コア間に設けられたギャップ薄
膜、前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを電気的に絶縁
する絶縁膜、および前記基板と薄膜磁気コアとのあいだ
に介装され前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを前記磁
気ヘッド基板に固定すると共に摺動中の損傷を防止する
保護膜を有し、磁気媒体と摺動することにより、磁気媒
体上に記録の書き込み、読み出しを行う薄膜磁気ヘッド
において、前記保護膜、磁気ヘッド基板、および薄膜磁
気コアの表面に関して、それぞれのドラム回転中心から
の距離Ｌｐ、Ｌｓ、およびＬｃの関係が、少なくともＬ
ｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃであることを特徴としている。
は、磁気ヘッド基板、該基板上に形成された少なくとも
一対の薄膜磁気コア、前記基板内に配設された薄膜導体
コイル、前記薄膜磁気コア間に設けられたギャップ薄
膜、前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを電気的に絶縁
する絶縁膜、および前記基板と薄膜磁気コアとのあいだ
に介装され前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを前記磁
気ヘッド基板に固定すると共に摺動中の損傷を防止する
保護膜を有し、磁気媒体と摺動することにより、磁気媒
体上に記録の書き込み、読み出しを行う薄膜磁気ヘッド
において、前記保護膜、磁気ヘッド基板、および薄膜磁
気コアの表面に関して、それぞれのドラム回転中心から
の距離Ｌｐ、Ｌｓ、およびＬｃの関係が、少なくともＬ
ｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃであることを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドは、摺動前または摺動
後において、保護膜の表面が薄膜磁気コアの表面よりも
くぼんでいるため、磁気媒体は必ず薄膜磁気コアと接触
した状態を保ち、良好な記録再生効率をうることができ
る。
後において、保護膜の表面が薄膜磁気コアの表面よりも
くぼんでいるため、磁気媒体は必ず薄膜磁気コアと接触
した状態を保ち、良好な記録再生効率をうることができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面に基づき本発明の薄膜磁気ヘ
ッドを詳細に説明する。
ッドを詳細に説明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例にかかわる薄膜磁
気ヘッドの一部破断断面図である。図１において、１は
磁気ヘッド基板、２は該基板１上に形成された少なくと
も一対の薄膜磁気コア、３は前記基板１内に配設された
薄膜導体コイル、４は前記薄膜磁気コア２間に設けられ
たギャップ薄膜である。また、５は前記基板１と薄膜磁
気コア２とのあいだに介装され前記薄膜導体コイル３と
薄膜磁気コア２を前記磁気ヘッド基板１に固定すると共
に摺動中の損傷を防止する保護膜、８は前記薄膜導体コ
イル３と薄膜磁気コア２を電気的に絶縁する絶縁膜、11
は磁気ヘッド基板１の摺動面を示している。また、Ｌｃ
は薄膜磁気コア表面からドラム回転中心までの距離、Ｌ
ｓは磁気ヘッド基板の摺動面11からドラム回転中心まで
の距離、Ｌｐは保護膜表面からドラム回転中心までの距
離を示している。図２および図３は薄膜磁気ヘッドの磁
気媒体との接触状態を示す一部破断断面図である。図２
および図３において６は磁気媒体を示している。
気ヘッドの一部破断断面図である。図１において、１は
磁気ヘッド基板、２は該基板１上に形成された少なくと
も一対の薄膜磁気コア、３は前記基板１内に配設された
薄膜導体コイル、４は前記薄膜磁気コア２間に設けられ
たギャップ薄膜である。また、５は前記基板１と薄膜磁
気コア２とのあいだに介装され前記薄膜導体コイル３と
薄膜磁気コア２を前記磁気ヘッド基板１に固定すると共
に摺動中の損傷を防止する保護膜、８は前記薄膜導体コ
イル３と薄膜磁気コア２を電気的に絶縁する絶縁膜、11
は磁気ヘッド基板１の摺動面を示している。また、Ｌｃ
は薄膜磁気コア表面からドラム回転中心までの距離、Ｌ
ｓは磁気ヘッド基板の摺動面11からドラム回転中心まで
の距離、Ｌｐは保護膜表面からドラム回転中心までの距
離を示している。図２および図３は薄膜磁気ヘッドの磁
気媒体との接触状態を示す一部破断断面図である。図２
および図３において６は磁気媒体を示している。
【０００９】図２の薄膜磁気ヘッドはＬｐ＜ＬｓかつＬ
ｐ＜Ｌｃの関係を満足しているが、具体的にＬｐとＬｓ
については、概ね１nm≦（Ｌｓ−Ｌｐ）≦30nmを満足
し、ＬｐとＬｃについては１nm≦（Ｌｃ−Ｌｐ）≦30nm
を満足することが好ましい。磁気媒体には稼働時に長手
方向に引っ張り力がかかっており、薄膜磁気ヘッド表面
に数ｇ/mm2の接触圧力で接している。そのため、Ｌｓ、
Ｌｃ、およびＬｐがＬｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃの関係を
有していると、磁気媒体は保護膜５表面上で回転中心方
向にわずかにたわみ、薄膜磁気コア２表面では浮上する
ことなく良好に接触する。
ｐ＜Ｌｃの関係を満足しているが、具体的にＬｐとＬｓ
については、概ね１nm≦（Ｌｓ−Ｌｐ）≦30nmを満足
し、ＬｐとＬｃについては１nm≦（Ｌｃ−Ｌｐ）≦30nm
を満足することが好ましい。磁気媒体には稼働時に長手
方向に引っ張り力がかかっており、薄膜磁気ヘッド表面
に数ｇ/mm2の接触圧力で接している。そのため、Ｌｓ、
Ｌｃ、およびＬｐがＬｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃの関係を
有していると、磁気媒体は保護膜５表面上で回転中心方
向にわずかにたわみ、薄膜磁気コア２表面では浮上する
ことなく良好に接触する。
【００１０】図３は本発明の他の実施例を示している。
前記実施例では、Ｌｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃのみを規定
し、ＬｓとＬｃの関係についてはとくに規定していなか
ったが、本実施例のようにＬｓ＜Ｌｃのばあい、すなわ
ちＬｐ＜Ｌｓ＜Ｌｃの関係を満足すると、薄膜磁気コア
表面が最も突出した状態になるため、磁気コア表面は強
く磁気媒体と接触し、さらに良好な接触がえられる。な
お、図３に示される実施例のばあい、Ｌｃ、Ｌｓ、およ
びＬｐのあいだの関係については、概ね１nm≦（Ｌｃ−
Ｌｓ）≦30nm、かつ１nm≦（Ｌｓ−Ｌｐ）≦30nmを満足
することが好ましい。
前記実施例では、Ｌｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃのみを規定
し、ＬｓとＬｃの関係についてはとくに規定していなか
ったが、本実施例のようにＬｓ＜Ｌｃのばあい、すなわ
ちＬｐ＜Ｌｓ＜Ｌｃの関係を満足すると、薄膜磁気コア
表面が最も突出した状態になるため、磁気コア表面は強
く磁気媒体と接触し、さらに良好な接触がえられる。な
お、図３に示される実施例のばあい、Ｌｃ、Ｌｓ、およ
びＬｐのあいだの関係については、概ね１nm≦（Ｌｃ−
Ｌｓ）≦30nm、かつ１nm≦（Ｌｓ−Ｌｐ）≦30nmを満足
することが好ましい。
【００１１】ところで、摺動前に図２および図３に示さ
れる実施例のような形状を形成しても、磁気ヘッド基
板、薄膜磁気コア、および保護膜の比摩耗量の関係が適
切でないと、通常、摺動後数分でその位置関係は変化し
てしまう。そこで摺動中も図２および図３の実施例に示
されるような形状および位置関係を常に維持するため、
膜材料の比摩耗量が以下の関係を満たしているとさらに
有利である。すなわち磁気ヘッド基板、薄膜磁気コア、
および保護膜の磁気媒体に対するおのおのの比摩耗量を
Ｋｓ，Ｋｃ，およびＫｐとすると、図２に示される実施
例のごとく、Ｌｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃを満たすために
は、Ｋｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐであることが必要ある。
また、図３に示される実施例のごとく、Ｌｐ＜Ｌｓ＜Ｌ
ｃを満たすためには、Ｋｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐであることが必
要である。
れる実施例のような形状を形成しても、磁気ヘッド基
板、薄膜磁気コア、および保護膜の比摩耗量の関係が適
切でないと、通常、摺動後数分でその位置関係は変化し
てしまう。そこで摺動中も図２および図３の実施例に示
されるような形状および位置関係を常に維持するため、
膜材料の比摩耗量が以下の関係を満たしているとさらに
有利である。すなわち磁気ヘッド基板、薄膜磁気コア、
および保護膜の磁気媒体に対するおのおのの比摩耗量を
Ｋｓ，Ｋｃ，およびＫｐとすると、図２に示される実施
例のごとく、Ｌｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃを満たすために
は、Ｋｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐであることが必要ある。
また、図３に示される実施例のごとく、Ｌｐ＜Ｌｓ＜Ｌ
ｃを満たすためには、Ｋｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐであることが必
要である。
【００１２】図４は磁気ヘッド基板、薄膜磁気コア、お
よび保護膜に適用可能な材料の磁気媒体（金属蒸着テー
プ）に対する比摩耗量を示している。Ｋｓ＜ＫｐかつＫ
ｃ＜Ｋｐを満たす材料の組み合わせは多くある。たとえ
ば、アルミナを保護膜として選択すると、図４の材料の
比摩耗量はすべてアルミナより小さいので、薄膜磁気コ
ア、磁気ヘッド基板には、いずれの材料を選択してもＫ
ｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐを満たす。また、Ｓｉ−Ａｌ−
Ｏ−Ｎを主成分とする保護膜を選択すると、薄膜磁気コ
ア材料がＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂまたはセンダストであれば、
保護膜にはいずれの材料を選択してもＫｓ＜ＫｐかつＫ
ｃ＜Ｋｐを満たす。また、Ｋｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐを満たす材
料の組み合わせを、［保護膜／磁気ヘッド基板／薄膜磁
気コア］の順で示すと、［アルミナ／Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ
3・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＣａＯ
・ＴｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＬｉＯ2
・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］，［アルミナ／ＬｉＯ2
・ＳｉＯ2／センダスト］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／Ｎ
ａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＣａＯ・ＴｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・Ｓ
ｉＯ2／センダスト］などがある。
よび保護膜に適用可能な材料の磁気媒体（金属蒸着テー
プ）に対する比摩耗量を示している。Ｋｓ＜ＫｐかつＫ
ｃ＜Ｋｐを満たす材料の組み合わせは多くある。たとえ
ば、アルミナを保護膜として選択すると、図４の材料の
比摩耗量はすべてアルミナより小さいので、薄膜磁気コ
ア、磁気ヘッド基板には、いずれの材料を選択してもＫ
ｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐを満たす。また、Ｓｉ−Ａｌ−
Ｏ−Ｎを主成分とする保護膜を選択すると、薄膜磁気コ
ア材料がＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂまたはセンダストであれば、
保護膜にはいずれの材料を選択してもＫｓ＜ＫｐかつＫ
ｃ＜Ｋｐを満たす。また、Ｋｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐを満たす材
料の組み合わせを、［保護膜／磁気ヘッド基板／薄膜磁
気コア］の順で示すと、［アルミナ／Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ
3・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＣａＯ
・ＴｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＬｉＯ2
・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］，［アルミナ／ＬｉＯ2
・ＳｉＯ2／センダスト］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／Ｎ
ａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＣａＯ・ＴｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・Ｓ
ｉＯ2／センダスト］などがある。
【００１３】図５は本発明の薄膜磁気ヘッドの出力特性
を示している。横軸は記録周波数、縦軸は規格化出力で
ある。Ｌｃ＞Ｌｓ＞Ｌｐの関係を満たす本発明のヘッ
ド、すなわち薄膜磁気コアがもっとも突出した形状のヘ
ッドは、高周波数においても出力の低下が非常に小さ
い。一方、Ｌｓ＞ＬｐかつＬｃ＞Ｌｐ（Ｌｓ＞Ｌｃ）で
あるヘッドも高周波数領域での出力低下は小さい。これ
に比べて、磁気ヘッド基板が最も高くなる従来の薄膜磁
気ヘッド（Ｌｓ＞Ｌｐ＞Ｌｃ）では、薄膜磁気コアと磁
気媒体の接触が良好ではないので、とくに高周波領域で
の出力の低下が大きい。
を示している。横軸は記録周波数、縦軸は規格化出力で
ある。Ｌｃ＞Ｌｓ＞Ｌｐの関係を満たす本発明のヘッ
ド、すなわち薄膜磁気コアがもっとも突出した形状のヘ
ッドは、高周波数においても出力の低下が非常に小さ
い。一方、Ｌｓ＞ＬｐかつＬｃ＞Ｌｐ（Ｌｓ＞Ｌｃ）で
あるヘッドも高周波数領域での出力低下は小さい。これ
に比べて、磁気ヘッド基板が最も高くなる従来の薄膜磁
気ヘッド（Ｌｓ＞Ｌｐ＞Ｌｃ）では、薄膜磁気コアと磁
気媒体の接触が良好ではないので、とくに高周波領域で
の出力の低下が大きい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドによれば、少なくとも保護膜表面からドラム回転
中心までの距離を、薄膜磁気コア表面、および磁気ヘッ
ド基板摺動面それぞれからドラム回転中心までの距離よ
り小さくしているので、磁気媒体が安定して薄膜磁気コ
アに接触し、常に高い効率で記録再生ができる。また、
少なくとも保護膜の磁気媒体に対する比摩耗量が、薄膜
磁気コアおよび磁気ヘッド基板の各比摩耗量より大きい
材料を使用すると、摺動後においても安定して前記距離
関係を維持して、良好な接触状態をうることがてきる。
ヘッドによれば、少なくとも保護膜表面からドラム回転
中心までの距離を、薄膜磁気コア表面、および磁気ヘッ
ド基板摺動面それぞれからドラム回転中心までの距離よ
り小さくしているので、磁気媒体が安定して薄膜磁気コ
アに接触し、常に高い効率で記録再生ができる。また、
少なくとも保護膜の磁気媒体に対する比摩耗量が、薄膜
磁気コアおよび磁気ヘッド基板の各比摩耗量より大きい
材料を使用すると、摺動後においても安定して前記距離
関係を維持して、良好な接触状態をうることがてきる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の一部破断
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドの磁気媒体との接触状態
を示す一部破断断面図である。
を示す一部破断断面図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施例における
薄膜磁気ヘッドの磁気媒体との接触状態を示す一部破断
断面図である。
薄膜磁気ヘッドの磁気媒体との接触状態を示す一部破断
断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける磁気ヘッド基
板、薄膜磁気コア、および保護膜の比摩耗量を示す図で
ある。
板、薄膜磁気コア、および保護膜の比摩耗量を示す図で
ある。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁気ヘッ
ドの出力特性を示す図である。
ドの出力特性を示す図である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドを示す薄膜磁気コア近傍
の斜視図である。
の斜視図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドと回転ドラムの関係を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドと磁性媒体の関係を示す
図である。
図である。
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの一部破断断面図であ
る。
る。
１ 磁気ヘッド基板 ２ 薄膜磁気コア ３ 薄膜導体コイル ４ ギャップ薄膜 ５ 保護膜 ６ 磁気媒体（テープ） ７ａ アッパードラム ７ｂ ローアードラム ８ 絶縁膜 11 摺動面 Ａ 薄膜磁気ヘッドの進行方向 Ｂ 磁気媒体の進行方向 Ｃ アッパードラムの回転方向
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】図４は磁気ヘッド基板、薄膜磁気コア、お
よび保護膜に適用可能な材料の磁気媒体（金属蒸着テー
プ）に対する比摩耗量を示している。Ｋｓ＜ＫｐかつＫ
ｃ＜Ｋｐを満たす材料の組み合わせは多くある。たとえ
ば、アルミナを保護膜として選択すると、図４の材料の
比摩耗量はすべてアルミナより小さいので、薄膜磁気コ
ア、磁気ヘッド基板には、いずれの材料を選択してもＫ
ｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐを満たす。また、Ｓｉ−Ａｌ−
Ｏ−Ｎを主成分とする保護膜を選択すると、薄膜磁気コ
ア材料がＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂまたはセンダストであれば、
磁気ヘッド基板はＬｉＯ2−ＳｉＯ2以外であれば、いず
れの材料を選択してもＫｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐを満た
す。また、Ｋｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐを満たす材料の組み合わせ
を、［保護膜／磁気ヘッド基板／薄膜磁気コア］の順で
示すと、［アルミナ／Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2／Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＣａＯ・ＴｉＯ2／Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］，［アルミナ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／セ
ンダスト］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ
3・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ／ＣａＯ・ＴｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／セン
ダスト］などがある。
よび保護膜に適用可能な材料の磁気媒体（金属蒸着テー
プ）に対する比摩耗量を示している。Ｋｓ＜ＫｐかつＫ
ｃ＜Ｋｐを満たす材料の組み合わせは多くある。たとえ
ば、アルミナを保護膜として選択すると、図４の材料の
比摩耗量はすべてアルミナより小さいので、薄膜磁気コ
ア、磁気ヘッド基板には、いずれの材料を選択してもＫ
ｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐを満たす。また、Ｓｉ−Ａｌ−
Ｏ−Ｎを主成分とする保護膜を選択すると、薄膜磁気コ
ア材料がＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂまたはセンダストであれば、
磁気ヘッド基板はＬｉＯ2−ＳｉＯ2以外であれば、いず
れの材料を選択してもＫｓ＜ＫｐかつＫｃ＜Ｋｐを満た
す。また、Ｋｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐを満たす材料の組み合わせ
を、［保護膜／磁気ヘッド基板／薄膜磁気コア］の順で
示すと、［アルミナ／Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・ＳｉＯ2／Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＣａＯ・ＴｉＯ2／Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［アルミナ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／Ｃ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］，［アルミナ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／セ
ンダスト］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ
3・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ／ＣａＯ・ＴｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ］、［Ｓｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂ］、［Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ／ＬｉＯ2・ＳｉＯ2／セン
ダスト］などがある。
Claims (10)
- 【請求項１】 磁気ヘッド基板、該基板上に形成された
少なくとも一対の薄膜磁気コア、前記基板内に配設され
た薄膜導体コイル、前記薄膜磁気コア間に設けられたギ
ャップ薄膜、前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コアを電気
的に絶縁する絶縁膜、および前記基板と薄膜磁気コアと
のあいだに介装され前記薄膜導体コイルと薄膜磁気コア
を前記磁気ヘッド基板に固定すると共に摺動中の損傷を
防止する保護膜を有し、磁気媒体と摺動することによ
り、磁気媒体上に記録の書き込み、読み出しを行う薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記保護膜、磁気ヘッド基板、お
よび薄膜磁気コアの表面に関して、それぞれのドラム回
転中心からの距離Ｌｐ、Ｌｓ、およびＬｃの関係が、少
なくともＬｐ＜ＬｓかつＬｐ＜Ｌｃであることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記薄膜磁気コア、保護膜，および磁気
ヘッド基板の磁気媒体に対するそれぞれの比摩耗量Ｋ
ｃ、Ｋｐ、およびＫｓの関係が少なくともＫｃ＜Ｋｐか
つＫｓ＜Ｋｐである請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記保護膜、磁気ヘッド基板、および薄
膜磁気コアの表面からドラム回転中心までのそれぞれの
距離Ｌｐ、Ｌｓ、およびＬｃの関係が、Ｌｐ＜Ｌｓ＜Ｌ
ｃである請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、お
よび保護膜の磁気媒体に対するそれぞれの比摩耗量Ｋ
ｃ、Ｋｓ、およびＫｐの関係がＫｃ＜Ｋｓ＜Ｋｐである
請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、お
よび保護膜の組み合わせが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、ＣａＯ
−ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ主成分とする材料であ
る請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、お
よび保護膜の組み合わせが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、ＣａＯ
−ＴｉＯ2、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎをそれぞれ主成分とす
る材料である請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、お
よび保護膜の組み合わせが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｎａ2
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ主成分と
する材料である請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、お
よび保護膜の組み合わせが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｎａ2
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎをそれぞ
れ主成分とする材料である請求項４記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項９】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、お
よび保護膜の組み合わせが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、ＬｉＯ
2−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ主成分とする材料であ
る請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記薄膜磁気コア、磁気ヘッド基板、
および保護膜の組み合わせが、センダスト、ＬｉＯ2−
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ主成分とする材料である
請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17276992A JP2898474B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17276992A JP2898474B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0612622A true JPH0612622A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2898474B2 JP2898474B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=15947997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17276992A Expired - Fee Related JP2898474B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2898474B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831792A (en) * | 1997-04-11 | 1998-11-03 | Western Digital Corporation | Slider having a debris barrier surrounding a transducer |
| US6219200B1 (en) * | 1993-06-29 | 2001-04-17 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head with air bearing end face of magnetic film protruding beyond air bearing end face of substrate |
| US7457079B2 (en) * | 2002-07-03 | 2008-11-25 | Sony Corporation | Magnetic head with rectangular-shaped planar spiral coil and leading core width smaller than trailing core width |
| US7724474B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-05-25 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising contact pad including portions of closure and substrate and magnetic recording apparatus comprising the head |
| US7764466B2 (en) | 2005-11-17 | 2010-07-27 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with closure and manufacturing method of the head |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17276992A patent/JP2898474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6219200B1 (en) * | 1993-06-29 | 2001-04-17 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head with air bearing end face of magnetic film protruding beyond air bearing end face of substrate |
| US5831792A (en) * | 1997-04-11 | 1998-11-03 | Western Digital Corporation | Slider having a debris barrier surrounding a transducer |
| US7457079B2 (en) * | 2002-07-03 | 2008-11-25 | Sony Corporation | Magnetic head with rectangular-shaped planar spiral coil and leading core width smaller than trailing core width |
| US7724474B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-05-25 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising contact pad including portions of closure and substrate and magnetic recording apparatus comprising the head |
| US7764466B2 (en) | 2005-11-17 | 2010-07-27 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with closure and manufacturing method of the head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2898474B2 (ja) | 1999-06-02 |
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