JPH06125267A - Exclusive or circuit - Google Patents

Exclusive or circuit

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Publication number
JPH06125267A
JPH06125267A JP27578592A JP27578592A JPH06125267A JP H06125267 A JPH06125267 A JP H06125267A JP 27578592 A JP27578592 A JP 27578592A JP 27578592 A JP27578592 A JP 27578592A JP H06125267 A JPH06125267 A JP H06125267A
Authority
JP
Japan
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input
output
circuit
effect transistor
inverter
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP27578592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kotaro Tanaka
幸太郎 田中
Makoto Yomo
誠 四方
Nagayasu Yamagishi
長保 山岸
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make the time until output is determined constant in spite of the states of two input, to shorten delay time from input to output, and to reduce the number of composing elements. CONSTITUTION:This circuit is provided with first and second input terminals A1, B1, first and second inverters 11, 12, first and second field-effect transistors 13, 14, and an output terminal X1, and the first input terminal A1 is connected to the input of the first inverter 11 and the gate electrode of the second field- effect transistor 14, and the second input terminal B1 to the input of the second inverter 12 and the drain electrode of the first field-effect transistor 13, and the output of the first inverter 11 to the gate electrode of the first field-effect transistor 13, and the output of the second inverter 12 to the drain electrode of the second field-effect transistor 14, and the source electrodes of the first field-effect transistor 13 and the second field-effect transistor 14 to the output terminal X1, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ディジタル集積
回路に好適な排他的論理和回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exclusive OR circuit suitable for a semiconductor digital integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、「実用電子回路ハンドブック2 P.52 C
Q出版株式会社 昭和50年10月20日初版発行 昭
和53年12月1日 第8版」に開示されるようなもの
があった。図2はかかる従来の排他的論理和回路の一構
成例を示す回路図であり、NAND回路を用いて構成し
たものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
For example, "Practical Electronic Circuit Handbook 2 P.52 C"
Q Publishing Co., Ltd. October 20, 1975 First edition issued December 1, 1978 8th edition ". FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of such a conventional exclusive OR circuit, which is configured by using a NAND circuit.

【0003】図に示すように、この回路は、入力A,B
がともに“H”のときは、NAND回路1の出力が
“L”となるため、NAND回路2,3の出力はともに
“H”となる。したがって、NAND回路4の出力は
“L”となる。また、入力A,Bがともに“L”の時
も、NAND回路2,3の出力はともに“H”となり、
NAND回路4の出力が“L”となる。
As shown in the figure, this circuit has inputs A and B
When both are "H", the output of the NAND circuit 1 becomes "L", so that the outputs of the NAND circuits 2 and 3 both become "H". Therefore, the output of the NAND circuit 4 becomes "L". Further, even when the inputs A and B are both "L", the outputs of the NAND circuits 2 and 3 are both "H",
The output of the NAND circuit 4 becomes "L".

【0004】一方、入力Aが“H”であり、入力Bが
“L”の時は、NAND回路1の出力は“H”、NAN
D回路2の出力は“L”、NAND回路3の出力は
“H”となる。したがって、NAND回路4の出力は
“H”となる。また、入力Aが“L”であり、入力Bが
“H”の時は、NAND回路1の出力が“H”となり、
NAND回路2の出力は“H”となり、NAND回路3
の出力は“L”となる。したがって、NAND回路4の
出力は“H”となる。
On the other hand, when the input A is "H" and the input B is "L", the output of the NAND circuit 1 is "H", NAN.
The output of the D circuit 2 becomes "L" and the output of the NAND circuit 3 becomes "H". Therefore, the output of the NAND circuit 4 becomes "H". When the input A is "L" and the input B is "H", the output of the NAND circuit 1 is "H",
The output of the NAND circuit 2 becomes "H", and the NAND circuit 3
Output becomes "L". Therefore, the output of the NAND circuit 4 becomes "H".

【0005】以上のように、この回路は、入力Aと入力
Bの入力が一致しない時に、出力に“H”を出力する排
他的論理和回路として動作するものである。
As described above, this circuit operates as an exclusive OR circuit which outputs "H" to the output when the inputs A and B do not match.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た構成の排他的論理和回路では、以下のような3つの問
題点があった。 入力Aと入力Bの入力の状態により、入力A,Bか
ら出力Xが確定するまでの遅延時間が異なる。すなわ
ち、入力A,Bがともに“L”の時は、NAND回路2
と4あるいはNAND回路3と4のゲート2段分の遅延
後に出力が確定するのに対し、入力A,Bがともに
“H”の時は、NAND回路1,2,4あるいはNAN
D回路1,3,4のゲート3段分、入力Aが“H”、入
力Bが“L”の時は、NAND回路1,2,4のゲート
3段分、入力Aが“L”であり、入力Bが“H”の時
は、NAND回路1,3,4のゲート3段分の遅延後に
出力が確定する。すなわち、この回路は、入力A,Bの
状態により、入力A,Bから出力までの遅延時間が、ゲ
ート2段分の場合とゲート3段分の場合が混在する回路
である。したがって、この回路を用いる場合、タイミン
グ設計の際に、2種類の遅延を考慮しなければならな
い。
However, the exclusive OR circuit having the above configuration has the following three problems. The delay time from the determination of the inputs A and B to the output X differs depending on the state of the inputs A and B. That is, when the inputs A and B are both "L", the NAND circuit 2
And 4 or the output of the NAND circuits 3 and 4 is delayed by two gates, while the inputs A and B are both at "H", the NAND circuits 1, 2, 4 or NAN.
When the input A is “H” and the input B is “L” for the three gates of the D circuits 1, 3, and 4, the gate A of the NAND circuits 1, 2, and 4 is the input A is “L”. When the input B is "H", the output is fixed after delaying three gates of the NAND circuits 1, 3, and 4. That is, this circuit is a circuit in which the delay time from the inputs A and B to the output is mixed for two stages of gates and three stages of gates depending on the states of the inputs A and B. Therefore, when using this circuit, two types of delay must be taken into consideration when designing the timing.

【0007】 この回路の動作速度は、入力から出力
までの遅延時間で決まるが、この場合で説明したよう
にゲート3段分と遅延時間が多い。 2入力のNANDゲートを4つ使用していて素子数
が多いために、集積回路を作る場合、不利である。 本発明は、以上述べた3つの問題点を除去するため、2
つの入力の状態の如何にかかわらず、出力が確定するま
での時間を一定とし、入力から出力までの遅延時間を短
くするとともに、構成する素子数を少なくした半導体集
積回路を用いた排他的論理和回路を提供することを目的
とする。
The operating speed of this circuit is determined by the delay time from the input to the output, but as described in this case, the delay time is as long as three stages of gates. This is disadvantageous when an integrated circuit is made because four 2-input NAND gates are used and the number of elements is large. The present invention eliminates the three problems described above by
Regardless of the state of one input, the time until the output is determined is constant, the delay time from input to output is shortened, and the exclusive OR using a semiconductor integrated circuit with a reduced number of elements is configured. The purpose is to provide a circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体集積回路を用いた排他的論理和回
路において、第1の入力端子と、第2の入力端子と、前
記第1の入力端子に接続される第1のインバータと、該
第1のインバータの出力が制御電極に接続されるととも
に、前記第2の入力端子が第1電極に接続される第1の
電界効果トランジスタと、前記第2の入力端子に接続さ
れる第2のインバータと、該第2のインバータの出力が
第1電極に接続されるとともに、前記第1の入力端子が
制御電極に接続される第2の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタの第2電極と前記第2
の電界効果トランジスタの第2電極とが接続される出力
端子とを設けるようにしたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides an exclusive OR circuit using a semiconductor integrated circuit, which has a first input terminal, a second input terminal, and the first input terminal. A first inverter connected to the first input terminal, and a first field effect transistor in which the output of the first inverter is connected to the control electrode and the second input terminal is connected to the first electrode A second inverter connected to the second input terminal, a second inverter connected to the first electrode at the output of the second inverter, and a second electrode connected to the control electrode at the first input terminal. Field effect transistor of
The second electrode of the first field effect transistor and the second electrode
And an output terminal connected to the second electrode of the field effect transistor.

【0009】[0009]

【作用】本発明によれば、上記のように、半導体集積回
路を用いた排他的論理和回路において、第1と第2の入
力端子と、第1と第2のインバータと、第1と第2の電
界効果トランジスタと、出力端子とを有し、第1の入力
端子は、第1のインバータの入力と第2の電界効果トラ
ンジスタの制御電極(ゲート電極)に接続され、第2の
入力端子は、第2のインバータの入力と第1の電界効果
トランジスタの第1電極(ドレイン電極又はソース電
極)に接続され、第1のインバータの出力は、第1の電
界効果トランジスタの制御電極(ゲート電極)に接続さ
れ、第2のインバータの出力は、第2の電界効果トラン
ジスタの第1電極(ドレイン電極又はソース電極)に接
続され、第1と第2の電界効果トランジスタのそれぞれ
の第2電極(ソース電極又はドレイン電極)が出力端子
に接続されるように構成したので、入力端子への入力の
状態の如何にかかわらず、入力から出力までの遅延時間
が一定しているので、タイミング設定がしやすい。
According to the present invention, as described above, in the exclusive OR circuit using the semiconductor integrated circuit, the first and second input terminals, the first and second inverters, and the first and second inverters are provided. 2 field effect transistor and an output terminal, the first input terminal is connected to the input of the first inverter and the control electrode (gate electrode) of the second field effect transistor, and the second input terminal Is connected to the input of the second inverter and the first electrode (drain electrode or source electrode) of the first field effect transistor, and the output of the first inverter is the control electrode (gate electrode of the first field effect transistor). ), The output of the second inverter is connected to the first electrode (drain electrode or source electrode) of the second field-effect transistor, and the second electrode of each of the first and second field-effect transistors ( Source Since it is configured to connect the pole or drain electrode) to the output terminal, the delay time from input to output is constant regardless of the state of input to the input terminal, making it easy to set timing. .

【0010】また、従来回路の遅延時間がゲート3段分
であるのに対し、本発明は2段分と小さく、従来回路に
比べ、約1.5倍の高速化が可能である。更に、素子数
がGaAsMESFETを用いたDCFL回路で比較し
た場合、従来回路が12素子であるのに対して、本発明
は6素子と半分ですみ、2倍の集積化が可能となる。
Further, the delay time of the conventional circuit is 3 stages of gates, whereas the present invention is small as 2 stages, and the speed can be increased by about 1.5 times as compared with the conventional circuit. Further, when compared with the DCFL circuit using GaAs MESFETs, the number of elements is 12 elements in the conventional circuit, but the present invention requires only half as many as 6 elements, and double integration is possible.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示す半導
体集積回路用の排他的論理和回路図である。入力端子A
1(第1の入力端子),入力端子B1(第2の入力端
子)が共に入力“H”の時は、インバータ11(第1の
インバータ)の出力が“L”となる。したがって、電界
効果トランジスタ13(第1の電界効果トランジスタ)
は非導通となる。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is an exclusive OR circuit diagram for a semiconductor integrated circuit showing an embodiment of the present invention. Input terminal A
When both 1 (first input terminal) and input terminal B1 (second input terminal) are input "H", the output of the inverter 11 (first inverter) becomes "L". Therefore, the field effect transistor 13 (first field effect transistor)
Becomes non-conductive.

【0012】一方、入力端子A1が入力“H”の時、電
界効果トランジスタ14(第2の電界効果トランジス
タ)は導通となり、インバータ12(第2のインバー
タ)の出力、すなわち入力端子B1の入力が“H”であ
るために、この場合“L”が出力端子X1に出力され
る。また、入力端子A1,B1が共に入力“L”の時
は、入力端子A1の“L”により、電界効果トランジス
タ14は非導通である。
On the other hand, when the input terminal A1 is the input "H", the field effect transistor 14 (second field effect transistor) becomes conductive and the output of the inverter 12 (second inverter), that is, the input of the input terminal B1 is input. Since it is "H", "L" is output to the output terminal X1 in this case. When both the input terminals A1 and B1 are input "L", the field effect transistor 14 is non-conductive due to "L" of the input terminal A1.

【0013】一方、インバータ11の出力は“H”であ
る。したがって、電界効果トランジスタ13は導通とな
り、入力端子B1の入力すなわち“L”が出力端子X1
に出力される。また、入力端子A1が入力“H”、入力
端子B1が入力“L”の時は、インバータ11の出力は
“L”となる。したがって、電界効果トランジスタ13
は非導通となり、入力端子A1の入力“H”により、電
界効果トランジスタ14は導通となり、入力端子B1が
入力“L”なので、インバータ12の出力“H”が出力
端子X1に出力される。
On the other hand, the output of the inverter 11 is "H". Therefore, the field effect transistor 13 becomes conductive, and the input of the input terminal B1, that is, "L" is output terminal X1.
Is output to. When the input terminal A1 is the input "H" and the input terminal B1 is the input "L", the output of the inverter 11 is "L". Therefore, the field effect transistor 13
Becomes non-conductive, and the field effect transistor 14 becomes conductive due to the input "H" at the input terminal A1. Since the input terminal B1 has the input "L", the output "H" of the inverter 12 is output to the output terminal X1.

【0014】更に、入力端子A1の入力が“L”、入力
端子B1の入力が“H”の時は、入力端子A1の入力
“L”により、電界効果トランジスタ14は非導通とな
り、インバータ11の出力は“H”となる。したがっ
て、電界効果トランジスタ13は導通となり、入力端子
B1の入力、すなわち“H”が出力端子X1に出力され
る。
Further, when the input of the input terminal A1 is "L" and the input of the input terminal B1 is "H", the input "L" of the input terminal A1 causes the field effect transistor 14 to become non-conductive and the inverter 11 of the inverter 11 to operate. The output becomes "H". Therefore, the field effect transistor 13 becomes conductive, and the input of the input terminal B1, that is, "H" is output to the output terminal X1.

【0015】以上、説明したように、本発明の回路は2
つの入力が一致しない時に“H”を出力する排他的論理
和回路として動作する。本発明の回路では、前述した動
作説明からわかるように、入力端子A1,B1の入力状
態の如何にかかわらず、入力から出力までの遅延はイン
バータ1段と電界効果トランジスタ1段となり、一定し
ている。
As described above, the circuit of the present invention has two circuits.
It operates as an exclusive OR circuit that outputs "H" when two inputs do not match. In the circuit of the present invention, as can be seen from the above description of the operation, the delay from the input to the output is constant in one stage of the inverter and one stage of the field effect transistor regardless of the input state of the input terminals A1 and B1. There is.

【0016】また、その遅延時間は、インバータ1段と
電界効果トランジスタ1つであり、従来の回路のような
ゲート3段に比べて少ない。更に、構成素子は、インバ
ータ2つと電界効果トランジスタ2つであり、従来回路
に比べて素子数が少ない。例えば、従来回路と本発明の
回路をGaAsMESFETを用いたDCFL回路で構
成した場合、従来回路の素子数は12素子、本回路は6
素子となる。
Further, the delay time is one stage of the inverter and one field effect transistor, which is smaller than that of the three stages of gates as in the conventional circuit. Further, the constituent elements are two inverters and two field effect transistors, and the number of elements is smaller than that of the conventional circuit. For example, when the conventional circuit and the circuit of the present invention are configured by a DCFL circuit using GaAs MESFETs, the number of elements of the conventional circuit is 12 and this circuit is 6
It becomes an element.

【0017】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、入力端子への入力信号レベルに依存することな
く入力から出力までの遅延時間が一定しているので、タ
イミング設定がしやすい。また、従来回路の遅延時間が
ゲート3段分に対し、本発明は2段分と小さく、従来回
路に比べ約1.5倍の高速化が可能である。
As described above in detail, according to the present invention, the delay time from the input to the output is constant without depending on the input signal level to the input terminal, so that the timing can be set. Cheap. Further, the delay time of the conventional circuit is as small as 2 stages as compared with 3 stages of gates, and the speed can be increased by about 1.5 times compared with the conventional circuit.

【0019】更に、素子数がGaAsMESFETを用
いたDCFL回路で比較した場合、従来回路が12素子
に対し、本発明は6素子と半分、すなわち2倍の集積化
が可能となる。
Further, when the number of elements is compared with the DCFL circuit using GaAs MESFET, the present invention can be integrated with 6 elements, which is half, that is, twice as many as the conventional circuit with 12 elements.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示す半導体集積回路用の排他
的論理和回路図である。
FIG. 1 is an exclusive OR circuit diagram for a semiconductor integrated circuit showing an embodiment of the present invention.

【図2】従来の排他的論理和回路の一構成例を示す回路
図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional exclusive OR circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A1,B1 入力端子 X1 出力端子 11,12 インバータ 13,14 電界効果トランジスタ A1, B1 input terminal X1 output terminal 11,12 inverter 13,14 field effect transistor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路で形成された排他的論理
和回路において、(a)第1の入力端子と、(b)第2
の入力端子と、(c)前記第1の入力端子に接続される
第1のインバータと、(d)該第1のインバータの出力
が制御電極に接続されるとともに、前記第2の入力端子
が第1電極に接続される第1の電界効果トランジスタ
と、(e)前記第2の入力端子に接続される第2のイン
バータと、(f)該第2のインバータの出力が第1電極
に接続されるとともに、前記第1の入力端子が制御電極
に接続される第2の電界効果トランジスタと、(g)前
記第1の電界効果トランジスタの第2電極と前記第2の
電界効果トランジスタの第2電極とが接続される出力端
子とを具備する排他的論理和回路。
1. An exclusive OR circuit formed by a semiconductor integrated circuit, comprising: (a) a first input terminal; and (b) a second input terminal.
An input terminal of (c) a first inverter connected to the first input terminal, (d) an output of the first inverter is connected to a control electrode, and the second input terminal is A first field effect transistor connected to the first electrode; (e) a second inverter connected to the second input terminal; and (f) an output of the second inverter connected to the first electrode. And a second field effect transistor having the first input terminal connected to a control electrode, and (g) a second electrode of the first field effect transistor and a second field effect transistor of the second field effect transistor. An exclusive OR circuit having an output terminal connected to an electrode.
JP27578592A 1992-10-14 1992-10-14 Exclusive or circuit Withdrawn JPH06125267A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7429872B2 (en) 2005-01-18 2008-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Logic circuit combining exclusive OR gate and exclusive NOR gate

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7429872B2 (en) 2005-01-18 2008-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Logic circuit combining exclusive OR gate and exclusive NOR gate

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