JPH06125126A - レーザダイオードの劣化検出回路 - Google Patents
レーザダイオードの劣化検出回路Info
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- JPH06125126A JPH06125126A JP27473192A JP27473192A JPH06125126A JP H06125126 A JPH06125126 A JP H06125126A JP 27473192 A JP27473192 A JP 27473192A JP 27473192 A JP27473192 A JP 27473192A JP H06125126 A JPH06125126 A JP H06125126A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザダイオードの劣化検出回路に関し、低
温領域で正確に劣化を判定でき、かつ、簡易で消費電力
の少ない、レーザダイオードの劣化検出回路を提供する
ことを目的とする。 【構成】 レーザダイオードのバイアス電流のモニタ電
圧と、劣化判定の基準電圧を入力して比較結果を出力す
る比較回路と、周囲温度に応じた出力電圧を発生する温
度センサと、温度センサの出力電圧を入力して基準電圧
を生成するしきい値設定回路を有するレーザダイオード
の劣化検出回路において、しきい値電圧を補正する電圧
を出力する補正電圧発生回路を設け、該補正電圧発生回
路の出力電圧と前記しきい値設定回路の出力電圧の和を
基準電圧となすように構成する。
温領域で正確に劣化を判定でき、かつ、簡易で消費電力
の少ない、レーザダイオードの劣化検出回路を提供する
ことを目的とする。 【構成】 レーザダイオードのバイアス電流のモニタ電
圧と、劣化判定の基準電圧を入力して比較結果を出力す
る比較回路と、周囲温度に応じた出力電圧を発生する温
度センサと、温度センサの出力電圧を入力して基準電圧
を生成するしきい値設定回路を有するレーザダイオード
の劣化検出回路において、しきい値電圧を補正する電圧
を出力する補正電圧発生回路を設け、該補正電圧発生回
路の出力電圧と前記しきい値設定回路の出力電圧の和を
基準電圧となすように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信の発光源として
使用されるレーザダイオードの劣化検出回路に係り、特
に、簡易な構成で正しく劣化検出することを可能にす
る、レーザダイオードの劣化検出回路に関する。
使用されるレーザダイオードの劣化検出回路に係り、特
に、簡易な構成で正しく劣化検出することを可能にす
る、レーザダイオードの劣化検出回路に関する。
【０００２】光通信は、光ファイバの低損失性／広帯域
性、光信号と電気信号の無干渉性によって、社会の通信
インフラである基幹通信網をはじめ、企業の構内通信網
や、電算機システムの装置間配線など、極めて広い範囲
で利用されている。特に、低損失性による長スパン中継
が可能という利点を生かして、大陸間の海底通信での利
用の増加が著しい。
性、光信号と電気信号の無干渉性によって、社会の通信
インフラである基幹通信網をはじめ、企業の構内通信網
や、電算機システムの装置間配線など、極めて広い範囲
で利用されている。特に、低損失性による長スパン中継
が可能という利点を生かして、大陸間の海底通信での利
用の増加が著しい。
【０００３】海底通信システムでは、海底に敷設した後
は中継器の保守は実質的に不可能であるので、主要な装
置、回路、部品を二重化する設計がとられるが、中継器
において、再生した電気信号を再び光信号に変換して出
力するレーザダイオードも二重化されており、使用中
（現用という）のレーザダイオードのバイアス電流は常
にモニタされていて、その結果、劣化したと判定された
時には、予備のレーザダイオードに切り替えられる。
は中継器の保守は実質的に不可能であるので、主要な装
置、回路、部品を二重化する設計がとられるが、中継器
において、再生した電気信号を再び光信号に変換して出
力するレーザダイオードも二重化されており、使用中
（現用という）のレーザダイオードのバイアス電流は常
にモニタされていて、その結果、劣化したと判定された
時には、予備のレーザダイオードに切り替えられる。
【０００４】従って、劣化を正しく判定できる、レーザ
ダイオードの劣化検出回路の重要度は高い。また、元来
海底中継器ができるだけ小さなスペースで実現すること
と、できるだけ少ない電力で動作することを強く要求さ
れている中で、レーザダイオードの劣化検出回路もまた
同じ要求を満たすものでなければならない。従って、簡
易な構成で正しく劣化を検出する、レーザダイオードの
劣化検出回路を提供する技術の実現が強く望まれてい
る。
ダイオードの劣化検出回路の重要度は高い。また、元来
海底中継器ができるだけ小さなスペースで実現すること
と、できるだけ少ない電力で動作することを強く要求さ
れている中で、レーザダイオードの劣化検出回路もまた
同じ要求を満たすものでなければならない。従って、簡
易な構成で正しく劣化を検出する、レーザダイオードの
劣化検出回路を提供する技術の実現が強く望まれてい
る。
【０００５】
【従来の技術】図５は、従来のレーザダイオードの劣化
検出回路の原理を示す図で、（イ）はブロックダイアグ
ラム、（ロ）はレーザダイオードのバイアス電流のモニ
タ電圧と、劣化検出のための基準電圧の温度特性を示し
ている。
検出回路の原理を示す図で、（イ）はブロックダイアグ
ラム、（ロ）はレーザダイオードのバイアス電流のモニ
タ電圧と、劣化検出のための基準電圧の温度特性を示し
ている。
【０００６】図５（イ）において、１は比較回路、２は
温度センサ、３はしきい値設定回路である。温度センサ
が周囲温度の変化に応じて出力する電圧を用いて、しき
い値設定回路において基準電圧を生成し、レーザダイオ
ードのバイアス電流のモニタ電圧と比較する。双方の電
圧の差が所定の値以下になって、比較回路が劣化と判定
すると、レーザダイオードを自動的に現用から予備に切
り替えるとともに、陸上の監視局に切り替えた旨の情報
を発信する。
温度センサ、３はしきい値設定回路である。温度センサ
が周囲温度の変化に応じて出力する電圧を用いて、しき
い値設定回路において基準電圧を生成し、レーザダイオ
ードのバイアス電流のモニタ電圧と比較する。双方の電
圧の差が所定の値以下になって、比較回路が劣化と判定
すると、レーザダイオードを自動的に現用から予備に切
り替えるとともに、陸上の監視局に切り替えた旨の情報
を発信する。
【０００７】図５（ロ）において、６はレーザダイオー
ドのバイアス電流のモニタ電圧、８はしきい値設定回路
が出力する基準電圧である。そして、レーザダイオード
のモニタ電圧は温度の指数関数であり、そのモニタ電圧
は、レーザダイオードが劣化すると同一温度であっても
上昇するので、基準電圧は通常のモニタ電圧より高く設
定しておき、それらの差が所定の値以下になった時に劣
化と判定する。また、一般に基準電圧には温度変化に対
して一次関数で変化する電圧が使用される。
ドのバイアス電流のモニタ電圧、８はしきい値設定回路
が出力する基準電圧である。そして、レーザダイオード
のモニタ電圧は温度の指数関数であり、そのモニタ電圧
は、レーザダイオードが劣化すると同一温度であっても
上昇するので、基準電圧は通常のモニタ電圧より高く設
定しておき、それらの差が所定の値以下になった時に劣
化と判定する。また、一般に基準電圧には温度変化に対
して一次関数で変化する電圧が使用される。
【０００８】一次関数で変化する基準電圧を、ある温度
範囲で、指数関数で変化するモニタ電圧より高く設定し
ても、低温と高温の領域で両者に交点ができるので、モ
ニタ電圧が異常でなくても、レーザダイオードの劣化と
判定する恐れがある。
範囲で、指数関数で変化するモニタ電圧より高く設定し
ても、低温と高温の領域で両者に交点ができるので、モ
ニタ電圧が異常でなくても、レーザダイオードの劣化と
判定する恐れがある。
【０００９】このように、正しい判定が不可能な領域
は、低温側と高温側に存在するが、下記の理由で低温側
の交点が問題となる。即ち、海底中継器は周囲の海水に
よって常に冷却されており、中継器内の温度は、周囲の
海水の温度に、器内温度上昇を加えた値になる。大半の
中継器が敷設される深海では、海水の温度は海域、気候
の影響をほとんど受けることなく、数度で一定である。
一方、陸上区間の浅い海では海水の温度は３０度程度に
はなる。従って、深海で電源を投入されたばかりの中継
器の温度が最も低く、浅い海で長時間作動している中継
器の温度が最も高くなり、器内温度上昇を１０度程度と
みると、数度から４０度程度が実際の器内温度範囲で、
マージンをみても、０度から４５度程度が器内温度範囲
となる。そして、実用的には、４５度程度では高温側の
交点はできないからである。
は、低温側と高温側に存在するが、下記の理由で低温側
の交点が問題となる。即ち、海底中継器は周囲の海水に
よって常に冷却されており、中継器内の温度は、周囲の
海水の温度に、器内温度上昇を加えた値になる。大半の
中継器が敷設される深海では、海水の温度は海域、気候
の影響をほとんど受けることなく、数度で一定である。
一方、陸上区間の浅い海では海水の温度は３０度程度に
はなる。従って、深海で電源を投入されたばかりの中継
器の温度が最も低く、浅い海で長時間作動している中継
器の温度が最も高くなり、器内温度上昇を１０度程度と
みると、数度から４０度程度が実際の器内温度範囲で、
マージンをみても、０度から４５度程度が器内温度範囲
となる。そして、実用的には、４５度程度では高温側の
交点はできないからである。
【００１０】従って、従来の劣化検出回路が低温領域で
正しく劣化判定できない問題に着目すればよい。
正しく劣化判定できない問題に着目すればよい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
に対処して、低温側でも正しくレーザダイオードの劣化
を検出できる劣化検出回路を提供するとともに、上にも
述べた、海底中継器に対する大きさと消費電力の制約を
満たす劣化検出回路を実現することを目的とする。
に対処して、低温側でも正しくレーザダイオードの劣化
を検出できる劣化検出回路を提供するとともに、上にも
述べた、海底中継器に対する大きさと消費電力の制約を
満たす劣化検出回路を実現することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理を
示す図である。図１において、１は比較回路、２は温度
センサ、３はしきい値設定回路、４は補正電圧発生回
路、５は加算手段である。
示す図である。図１において、１は比較回路、２は温度
センサ、３はしきい値設定回路、４は補正電圧発生回
路、５は加算手段である。
【００１３】本発明においては、しきい値設定回路の出
力電圧と、補正電圧発生回路の出力電圧の和を基準電圧
となし、モニタ電圧と比較する。
力電圧と、補正電圧発生回路の出力電圧の和を基準電圧
となし、モニタ電圧と比較する。
【００１４】
【作用】補正電圧を温度変化に対して一定な電圧とすれ
ば、基準電圧は温度の一次関数で変化するしきい値電圧
を、一定な電圧だけシフトした電圧になるので、この電
圧が正の電圧であれば、指数関数で変化するモニタ電圧
に対して、低温領域で余裕をもたせることができ、低温
領域での劣化判定の確度を高めることが可能になる。
ば、基準電圧は温度の一次関数で変化するしきい値電圧
を、一定な電圧だけシフトした電圧になるので、この電
圧が正の電圧であれば、指数関数で変化するモニタ電圧
に対して、低温領域で余裕をもたせることができ、低温
領域での劣化判定の確度を高めることが可能になる。
【００１５】
【実施例】図２は、本発明の実施例と、温度特性を示す
図である。なお、実施例においては、本発明に直接関わ
りない比較回路は省略して図示している。
図である。なお、実施例においては、本発明に直接関わ
りない比較回路は省略して図示している。
【００１６】図２（イ）において、２１は温度センサと
しての第一のシリコン接合ダイオード、２２は第一のシ
リコン接合ダイオードの電流を決定する第一の抵抗、３
１は差動増幅器、４１、４２は定電圧を生成する第二、
第三の抵抗である。なお、差動増幅器３１は、その利得
を決定する抵抗回路を、一般に増幅器を示す三角記号の
中に含めて図示している。
しての第一のシリコン接合ダイオード、２２は第一のシ
リコン接合ダイオードの電流を決定する第一の抵抗、３
１は差動増幅器、４１、４２は定電圧を生成する第二、
第三の抵抗である。なお、差動増幅器３１は、その利得
を決定する抵抗回路を、一般に増幅器を示す三角記号の
中に含めて図示している。
【００１７】図２（ロ）において、６はモニタ電圧、７
は図２（イ）の回路が出力する基準電圧である。シリコ
ン接合ダイオードの温度ｔにおける順方向電圧Ｖdtは、
温度零度における順方向電圧Ｖd0と温度係数ｋとする
と、Ｖdt＝Ｖd0−ｋｔとなる。従って第一のシリコン接
合ダイオードと第一の抵抗の接続点１０１の電圧Ｖi
は、電源電圧をＶccとすると、（Ｖcc−Ｖd0＋ｋｔ）と
なる。
は図２（イ）の回路が出力する基準電圧である。シリコ
ン接合ダイオードの温度ｔにおける順方向電圧Ｖdtは、
温度零度における順方向電圧Ｖd0と温度係数ｋとする
と、Ｖdt＝Ｖd0−ｋｔとなる。従って第一のシリコン接
合ダイオードと第一の抵抗の接続点１０１の電圧Ｖi
は、電源電圧をＶccとすると、（Ｖcc−Ｖd0＋ｋｔ）と
なる。
【００１８】一方、第に、第三の抵抗４１、４２の抵抗
値をＲ1 、Ｒ2 とすると、接続点１０２の電圧はＶcc・
Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）となるが、この電圧を（Ｖcc−Ｖ
d0−Ｅ）に等しくする。ここで、Ｅは補正電圧発生回路
が出力する一定電圧である。そして、接続点１０１を第
一の差動増幅器の同相入力端子に、接続点１０２を、第
一の差動増幅器の逆相入力端子に接続する。
値をＲ1 、Ｒ2 とすると、接続点１０２の電圧はＶcc・
Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）となるが、この電圧を（Ｖcc−Ｖ
d0−Ｅ）に等しくする。ここで、Ｅは補正電圧発生回路
が出力する一定電圧である。そして、接続点１０１を第
一の差動増幅器の同相入力端子に、接続点１０２を、第
一の差動増幅器の逆相入力端子に接続する。
【００１９】第一の差動増幅器３１は、Ｖi （＝Ｖcc−
Ｖd0＋ｋｔ）と、（Ｖcc−Ｖd0−Ｅ）の差の電圧を出力
する。故に、第一の差動増幅器の同相利得をＧ、逆相利
得を−Ｇに設定すれば、その出力電圧Ｖo は、Ｇ・（ｋ
ｔ＋Ｅ）に等しくなり、基準電圧は温度零度でＧ・Ｅを
とり、一次関数で増加する電圧となる。
Ｖd0＋ｋｔ）と、（Ｖcc−Ｖd0−Ｅ）の差の電圧を出力
する。故に、第一の差動増幅器の同相利得をＧ、逆相利
得を−Ｇに設定すれば、その出力電圧Ｖo は、Ｇ・（ｋ
ｔ＋Ｅ）に等しくなり、基準電圧は温度零度でＧ・Ｅを
とり、一次関数で増加する電圧となる。
【００２０】従って、図２（ロ）の如く、低温領域で基
準電圧とモニタ電圧が交わることによる、誤った劣化判
定を避けることができるようになり、かつ、極めて簡易
な回路で実現できる。そして、第一の差動増幅器は、し
きい値設定回路と加算手段を兼ねた形になっている。
準電圧とモニタ電圧が交わることによる、誤った劣化判
定を避けることができるようになり、かつ、極めて簡易
な回路で実現できる。そして、第一の差動増幅器は、し
きい値設定回路と加算手段を兼ねた形になっている。
【００２１】なお、図２においては、一個のシリコン接
合ダイオードを図示しているが、複数のシリコン接合ダ
イオードを直列接続して使用することも当然可能であ
る。ただし、シリコン接合ダイオードを複数使用する場
合には、抵抗４１、４２の分圧比も同時に変える必要が
ある。
合ダイオードを図示しているが、複数のシリコン接合ダ
イオードを直列接続して使用することも当然可能であ
る。ただし、シリコン接合ダイオードを複数使用する場
合には、抵抗４１、４２の分圧比も同時に変える必要が
ある。
【００２２】また、図２では、電源に直接シリコン接合
ダイオードが接続され、第一の抵抗がアース側にあるも
のとして説明したが、電源側に第一の抵抗、アース側に
第一のシリコン接合ダイオードが配置される場合には、
接続点１０１を第一の差動増幅器の逆相入力端子に、接
続点１０２をその同相入力端子に接続し、かつ、第二の
接続点の電圧を（Ｅ−Ｖｄ0 ）に等しくなるように第
二、第三の抵抗の分圧比を決定する。
ダイオードが接続され、第一の抵抗がアース側にあるも
のとして説明したが、電源側に第一の抵抗、アース側に
第一のシリコン接合ダイオードが配置される場合には、
接続点１０１を第一の差動増幅器の逆相入力端子に、接
続点１０２をその同相入力端子に接続し、かつ、第二の
接続点の電圧を（Ｅ−Ｖｄ0 ）に等しくなるように第
二、第三の抵抗の分圧比を決定する。
【００２３】図３は、本発明の第二の実施例である。図
３において、２１は第一のシリコン接合ダイオード、２
２は第一の抵抗、３１は第一の差動増幅器、４１、４
２、４３、４５、４８はそれぞれ第二から第六の抵抗、
４４、４７は第二、第三のシリコン接合ダイオード、４
６、４９、５１は第二、第三、第四の差動増幅器であ
る。そして、図１との対応をとると、２１、２２が温度
センサ、３１がしきい値設定回路、４１乃至４９が補正
電圧発生回路、５１が加算手段を構成する。
３において、２１は第一のシリコン接合ダイオード、２
２は第一の抵抗、３１は第一の差動増幅器、４１、４
２、４３、４５、４８はそれぞれ第二から第六の抵抗、
４４、４７は第二、第三のシリコン接合ダイオード、４
６、４９、５１は第二、第三、第四の差動増幅器であ
る。そして、図１との対応をとると、２１、２２が温度
センサ、３１がしきい値設定回路、４１乃至４９が補正
電圧発生回路、５１が加算手段を構成する。
【００２４】なお、第一、第二の差動増幅器は同相利
得、逆相利得とも絶対値をＧに設定し、第三、第四の差
動増幅器の同相利得、逆相利得とも絶対値を１に設定し
てあるものとする。
得、逆相利得とも絶対値をＧに設定し、第三、第四の差
動増幅器の同相利得、逆相利得とも絶対値を１に設定し
てあるものとする。
【００２５】第一のシリコン接合ダイオード２１と第一
の抵抗２２の接続点１０１の電圧は（Ｖcc−Ｖd0＋ｋ
ｔ）で、第三の抵抗４２と第四の抵抗４３の接続点１０
４の電圧を（Ｖcc−Ｖd0）に設定すれば、第一の差動増
幅器の出力電圧はＧ・ｋｔとなる。一方、第二、第三の
抵抗の接続点１０３の電圧を（Ｖcc−Ｖd0＋Ｅ）に設定
すれば、第二の差動増幅器の出力電圧はＧ・（ｋｔ−
Ｅ）となる。この電圧が第六の抵抗の一端に印加され、
第六の抵抗と直列接続された第三のシリコン接合ダイオ
ードのアノードが、第五の抵抗４５と第二のシリコン接
合ダイオード４４の接続点１０５に接続されているの
で、Ｇ・（ｋｔ−Ｅ）が負の値である間は第三のシリコ
ン接合ダイオード４７と第六の抵抗４８には電流が流
れ、Ｇ・（ｋｔ−Ｅ）が正の電圧になれば第六の抵抗４
８には電流が流れなくなる。従って、第三の差動増幅器
の出力電圧はｔ＜Ｅ／ｋの範囲で（ｋｔ−Ｅ）となり、
ｔ＞Ｅ／ｋでは零になる。
の抵抗２２の接続点１０１の電圧は（Ｖcc−Ｖd0＋ｋ
ｔ）で、第三の抵抗４２と第四の抵抗４３の接続点１０
４の電圧を（Ｖcc−Ｖd0）に設定すれば、第一の差動増
幅器の出力電圧はＧ・ｋｔとなる。一方、第二、第三の
抵抗の接続点１０３の電圧を（Ｖcc−Ｖd0＋Ｅ）に設定
すれば、第二の差動増幅器の出力電圧はＧ・（ｋｔ−
Ｅ）となる。この電圧が第六の抵抗の一端に印加され、
第六の抵抗と直列接続された第三のシリコン接合ダイオ
ードのアノードが、第五の抵抗４５と第二のシリコン接
合ダイオード４４の接続点１０５に接続されているの
で、Ｇ・（ｋｔ−Ｅ）が負の値である間は第三のシリコ
ン接合ダイオード４７と第六の抵抗４８には電流が流
れ、Ｇ・（ｋｔ−Ｅ）が正の電圧になれば第六の抵抗４
８には電流が流れなくなる。従って、第三の差動増幅器
の出力電圧はｔ＜Ｅ／ｋの範囲で（ｋｔ−Ｅ）となり、
ｔ＞Ｅ／ｋでは零になる。
【００２６】第一の差動増幅器の出力電圧を第四の差動
増幅器の同相入力端子に印加し、第三の差動増幅器の出
力電圧を第四の差動増幅器の逆相入力端子に印加して、
それらの差をとれば、ｔ＜Ｅ／ｋの範囲で一定Ｇ・Ｅ、
ｔ＞Ｅ／ｋで一次関数で変化する電圧が得られる。
増幅器の同相入力端子に印加し、第三の差動増幅器の出
力電圧を第四の差動増幅器の逆相入力端子に印加して、
それらの差をとれば、ｔ＜Ｅ／ｋの範囲で一定Ｇ・Ｅ、
ｔ＞Ｅ／ｋで一次関数で変化する電圧が得られる。
【００２７】図４は、図３の構成の各部の電圧を示す図
である。図４（イ）は第一の差動増幅器３１の出力電
圧、（ロ）は第三の差動増幅器４６の出力電圧、（ハ）
は第四の差動増幅器５１の出力電圧、即ち、基準電圧で
あり、上の説明を図示したものである。
である。図４（イ）は第一の差動増幅器３１の出力電
圧、（ロ）は第三の差動増幅器４６の出力電圧、（ハ）
は第四の差動増幅器５１の出力電圧、即ち、基準電圧で
あり、上の説明を図示したものである。
【００２８】即ち、低温領域で一定値をとり、所定の温
度より高温で一次関数で変化する基準電圧が得られ、指
数関数で変化するモニタ電圧に対して、低温領域で余裕
をとることができる。
度より高温で一次関数で変化する基準電圧が得られ、指
数関数で変化するモニタ電圧に対して、低温領域で余裕
をとることができる。
【００２９】図２の説明の最後にも述べたが、例えば、
第一のシリコン接合ダイオードと第一の抵抗が、接続点
１０１を中心に電源とアースに対して逆の位置に配置さ
れる場合には、第一の差動増幅器の入力端子と接続点１
０１、１０４の接続を図３とは逆にするなど、些細な変
形はあり得るが、それらはすべて、本発明の範囲に含ま
れるものである。
第一のシリコン接合ダイオードと第一の抵抗が、接続点
１０１を中心に電源とアースに対して逆の位置に配置さ
れる場合には、第一の差動増幅器の入力端子と接続点１
０１、１０４の接続を図３とは逆にするなど、些細な変
形はあり得るが、それらはすべて、本発明の範囲に含ま
れるものである。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したごとく、低温領域での基準
電圧とモニタ電圧の交点ができることを避けて、低温領
域で性格な劣化判定の可能なレーザダイオードの劣化検
出回路の実現が可能になり、加えて、その回路は簡易な
構成で実現できる。
電圧とモニタ電圧の交点ができることを避けて、低温領
域で性格な劣化判定の可能なレーザダイオードの劣化検
出回路の実現が可能になり、加えて、その回路は簡易な
構成で実現できる。
【００３１】これによる、海底中継器のレーザダイオー
ドの劣化検出の確度向上に大きく寄与できる。
ドの劣化検出の確度向上に大きく寄与できる。
【図１】 本発明のレーザダイオードの劣化検出回路の
原理。
原理。
【図２】 本発明の実施例。
【図３】 本発明の第二の実施例。
【図４】 本発明の第二の実施例の、各部の電圧の温度
特性。
特性。
【図５】 従来のレーザダイオードの劣化検出回路の原
理。
理。
１ 比較回路 ２ 温度センサ ３ しきい値設定回路 ４ 補正電圧発生回路 ５ 加算手段
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザダイオードのバイアス電流のモニ
タ電圧と、劣化判定の基準電圧を入力して比較結果を出
力する比較回路と、周囲温度に応じた出力電圧を発生す
る温度センサと、温度センサの出力電圧を入力して基準
電圧を生成するしきい値設定回路を有するレーザダイオ
ードの劣化検出回路において、 しきい値設定回路が出力する電圧を補正する補正電圧発
生回路を設け、該補正電圧発生回路の出力電圧と前記し
きい値設定回路の出力電圧の和を基準電圧となすことを
特徴とするレーザダイオードの劣化検出回路。 - 【請求項２】 請求項１記載のレーザダイオードの劣化
検出回路において、 電源とアースの間に、接続点（１０１）において接続さ
れる、第一のシリコン接合ダイオードと第一の抵抗の直
列回路を接続し、 電源とアースの間に、接続点（１０２）において接続さ
れる、第二、第三の抵抗の直列回路を接続し、 第一のシリコン接合ダイオードが、接続点（１０１）の
電源側の時には、接続点（１０１）を第一の差動増幅器
の正相入力端子に接続し、接続点（１０２）を該第一の
差動増幅器の逆相入力端子に接続し、前記第一の差動増
幅器の出力電圧を比較回路に印加し、 第一のシリコン接合ダイオードが、接続点（１０１）の
アース側の時には、接続点（１０１）を第一の差動増幅
器の逆相入力端子に接続し、接続点（１０２）を該第一
の差動増幅器の同相入力端子に接続し、前記第一の差動
増幅器の出力電圧を基準電圧となすことを特徴とするレ
ーザダイオードの劣化検出回路。 - 【請求項３】 請求項１記載のレーザダイオードの劣化
検出回路において、 電源に第一のシリコン接合ダイオードのアノードを接続
し、該シリコン接合ダイオードのカソードと第一の抵抗
の一方の端子を接続し（１０１）、該第一の抵抗の他方
の端子をアースし、 電源に第二の抵抗を接続し、該第二の抵抗の他方の端子
を第三の抵抗に接続し（１０３）、該第三の抵抗の他方
の端子を第四の抵抗の他方の端子に接続し（１０４）、
該第四の抵抗の他方の端子をアースし、 電源に第五の抵抗を接続し、該第五の抵抗の他方の端子
を第二のシリコン接合ダイオードのアノードに接続し
（１０５）、該第二のシリコン接合ダイオードのカソー
ドをアースし、 接続点（１０１）を第一、第二の差動増幅器の同相入力
端子に接続し、接続点（１０４）を第一の差動増幅器の
逆相入力端子に接続し、接続点（１０３）を第二の差動
増幅器の逆相入力端子に接続し、 接続点（１０５）に第三のシリコン接合ダイオードのア
ノードを接続し、該第三のシリコン接合ダイオードのカ
ソードを第六の抵抗に接続し（１０６）、該第六の抵抗
の他方の端子を第二の差動増幅器の出力端子に接続し、 第二の差動増幅器の出力端子を第三の差動増幅器の同相
入力端子に接続し、接続点（１０６）を第三の差動増幅
器の逆相入力端子に接続し、 第一の差動増幅器の出力端子を第四の差動増幅器の同相
入力端子に接続し、第三の差動増幅器の出力端子を第四
の差動増幅器の逆相入力端子に接続し、 第四の差動増幅器の出力電圧を基準電圧となすことを特
徴とするレーザダイオードの劣化検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27473192A JPH06125126A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | レーザダイオードの劣化検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27473192A JPH06125126A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | レーザダイオードの劣化検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125126A true JPH06125126A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17545797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27473192A Withdrawn JPH06125126A (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | レーザダイオードの劣化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06125126A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026434A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| CN107449469A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-08 | 湖北三江航天红峰控制有限公司 | 光纤激光器状态监控装置和方法 |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP27473192A patent/JPH06125126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026434A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JP4714967B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2011-07-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| CN107449469A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-08 | 湖北三江航天红峰控制有限公司 | 光纤激光器状态监控装置和方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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