JPH06124931A - 基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法 - Google Patents
基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法Info
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- JPH06124931A JPH06124931A JP10482993A JP10482993A JPH06124931A JP H06124931 A JPH06124931 A JP H06124931A JP 10482993 A JP10482993 A JP 10482993A JP 10482993 A JP10482993 A JP 10482993A JP H06124931 A JPH06124931 A JP H06124931A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハなどの基板の平坦度及び清浄度
の向上が図れると同時に塩素系有機溶剤を使用せずに除
去ができることを可能とする。 【構成】 半導体ウェハ４などの基板を研磨用定盤２に
貼付けるために使用する基板貼付用接着剤において、主
成分がシアノアクリレート系であることを特徴としてい
る。
の向上が図れると同時に塩素系有機溶剤を使用せずに除
去ができることを可能とする。 【構成】 半導体ウェハ４などの基板を研磨用定盤２に
貼付けるために使用する基板貼付用接着剤において、主
成分がシアノアクリレート系であることを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハなどの基
板を研磨する際に用いる基板貼付用接着剤及び基板の研
磨方法に関する。
板を研磨する際に用いる基板貼付用接着剤及び基板の研
磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハは、その材質、電気特性に
より、ＬＳＩ、ＩＣなど各種素子の基板として使われ
る。これらの素子の構造は、フォトリソグラフィー技術
の進歩とともに集積化が進んでいる。これに伴い基板と
して使われているミラーウェハの平坦度及び厚みの均一
性に対する要求が厳しくなってきている。平坦度及び厚
みの均一性が低いと、微細な配線パターンを正確にウェ
ハ上に構成できない。またこれと同時にウェハが清浄で
あることが要求される。ここでいう清浄とは、構成元素
以外の元素などの付着量が少ないことである。構成元素
以外の元素がウェハに付着しているときに、ウェハ上に
エピタキシャル層を形成すると、これらの付着した元素
がエピタキシャル層へと拡散し、これが素子の電気的な
誤動作の原因となるためである。半導体ウェハのメーカ
ーでは、これらの要求に応えるために、ウェハの平坦度
（フラットネス）と厚みのバラツキを改善するための加
工技術の開発、及びウェハの清浄度を高めるための研究
をしてきた。
より、ＬＳＩ、ＩＣなど各種素子の基板として使われ
る。これらの素子の構造は、フォトリソグラフィー技術
の進歩とともに集積化が進んでいる。これに伴い基板と
して使われているミラーウェハの平坦度及び厚みの均一
性に対する要求が厳しくなってきている。平坦度及び厚
みの均一性が低いと、微細な配線パターンを正確にウェ
ハ上に構成できない。またこれと同時にウェハが清浄で
あることが要求される。ここでいう清浄とは、構成元素
以外の元素などの付着量が少ないことである。構成元素
以外の元素がウェハに付着しているときに、ウェハ上に
エピタキシャル層を形成すると、これらの付着した元素
がエピタキシャル層へと拡散し、これが素子の電気的な
誤動作の原因となるためである。半導体ウェハのメーカ
ーでは、これらの要求に応えるために、ウェハの平坦度
（フラットネス）と厚みのバラツキを改善するための加
工技術の開発、及びウェハの清浄度を高めるための研究
をしてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ミラーウェ
ハは、単結晶をスライスし、これを研磨することによっ
て作製される。ウェハの研磨は、ウェハを研磨用プレー
トにワックスで貼りつけ、これを回転させ、上から研磨
剤を含む溶液をたらしながら行う。
ハは、単結晶をスライスし、これを研磨することによっ
て作製される。ウェハの研磨は、ウェハを研磨用プレー
トにワックスで貼りつけ、これを回転させ、上から研磨
剤を含む溶液をたらしながら行う。
【０００４】ミラーウェハの表面の平坦度は、このウェ
ハ貼りつけ状態によって左右される。接着剤として使う
ワックスを、ウェハとプレートとの間に異物、気泡の混
入がなくかつなるべく薄く均一に塗ることが平坦度を向
上させるのに必要である。
ハ貼りつけ状態によって左右される。接着剤として使う
ワックスを、ウェハとプレートとの間に異物、気泡の混
入がなくかつなるべく薄く均一に塗ることが平坦度を向
上させるのに必要である。
【０００５】研磨に使用するワックスは、常温下では固
形である。熱を加えることによってこれらを軟化させ液
状にしてプレートに塗布する。この上にウェハを置いて
上から加圧、冷却してワックスを硬化させ、ウェハを接
着する。これらワックスは、軟化したときワックスの温
度によって粘度が変化する。粘度が異なると、接着した
時のワックスの厚さが異なってしまう。この貼りつけの
際、プレート全体を下からヒータで加熱して温度が均一
になるようにし、ワックスの粘度が一様になるようにし
ている。またウェハを載せた後、上から加圧することで
ワックスに研磨むらが生じやすく、ウェハ表面の平坦度
を上げるのに限界があった。
形である。熱を加えることによってこれらを軟化させ液
状にしてプレートに塗布する。この上にウェハを置いて
上から加圧、冷却してワックスを硬化させ、ウェハを接
着する。これらワックスは、軟化したときワックスの温
度によって粘度が変化する。粘度が異なると、接着した
時のワックスの厚さが異なってしまう。この貼りつけの
際、プレート全体を下からヒータで加熱して温度が均一
になるようにし、ワックスの粘度が一様になるようにし
ている。またウェハを載せた後、上から加圧することで
ワックスに研磨むらが生じやすく、ウェハ表面の平坦度
を上げるのに限界があった。
【０００６】これに加えて、ワックスは、松やになど天
然物を原料としており、ナトリウム（Ｎａ），銅（Ｃ
ｕ），鉄（Ｆｅ）などの金属やその他不純物が僅かでは
あるが含まれる。研磨では、研磨剤を純水に溶き、これ
を、ウェハを貼りつけたプレートを回転している上方か
ら垂らしながら作業を行う。
然物を原料としており、ナトリウム（Ｎａ），銅（Ｃ
ｕ），鉄（Ｆｅ）などの金属やその他不純物が僅かでは
あるが含まれる。研磨では、研磨剤を純水に溶き、これ
を、ウェハを貼りつけたプレートを回転している上方か
ら垂らしながら作業を行う。
【０００７】この際、ワックスの一部が研磨液に溶解し
て、前記した金属のイオンが研磨液に混入し、ウェハの
研磨面に付く恐れがある。拡散しやすい金属イオンは、
基板中に浸透していくため、洗浄してもウェハから取り
除くことができない。このため汚染の少ない清浄度の高
いミラーウェハを得るのに限界がある。
て、前記した金属のイオンが研磨液に混入し、ウェハの
研磨面に付く恐れがある。拡散しやすい金属イオンは、
基板中に浸透していくため、洗浄してもウェハから取り
除くことができない。このため汚染の少ない清浄度の高
いミラーウェハを得るのに限界がある。
【０００８】また従来の研磨では、研磨後のウェハから
ワックスを取り除くのに塩素系溶剤を使う必要がある。
塩素系溶剤は大気中で分解され、分解した塩素ガスはオ
ゾン層を破壊する。また塩素系溶剤が、身体に取り込ま
れると肝臓に障害があらわれたり、発ガンの恐れがあ
る。
ワックスを取り除くのに塩素系溶剤を使う必要がある。
塩素系溶剤は大気中で分解され、分解した塩素ガスはオ
ゾン層を破壊する。また塩素系溶剤が、身体に取り込ま
れると肝臓に障害があらわれたり、発ガンの恐れがあ
る。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、半導体ウェハなどの基板の平坦度及び清浄度の向上
が図れると同時に塩素系有機溶剤を使用せずに除去がで
きる基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法を提供するこ
とにある。
し、半導体ウェハなどの基板の平坦度及び清浄度の向上
が図れると同時に塩素系有機溶剤を使用せずに除去がで
きる基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体ウェハなどの基板を研磨用定盤に貼
付けるために使用する基板貼付用接着剤において、主成
分がシアノアクリレート系であることを特徴とする基板
貼付用接着剤である。
に本発明は、半導体ウェハなどの基板を研磨用定盤に貼
付けるために使用する基板貼付用接着剤において、主成
分がシアノアクリレート系であることを特徴とする基板
貼付用接着剤である。
【００１１】この基板貼付用接着剤は、シアノアクリレ
ートに、塩素系有機溶剤を除いたアセトン単独或いはア
セトンにエタノール，メタノール，イソプロピルアルコ
ールのうち少なくとも１種以上を混合した溶剤などを用
いて希釈して使用する。また基板貼付用接着剤は、常温
における粘度が、５０ｃｐｓ以下であり、基板の研磨用
定盤に対する接着強度が２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上で、５０
ｋｇｆ／ｃｍ2 以下であり、更に金属の不純物濃度が１
×１０17ｃｍ-3以下である。
ートに、塩素系有機溶剤を除いたアセトン単独或いはア
セトンにエタノール，メタノール，イソプロピルアルコ
ールのうち少なくとも１種以上を混合した溶剤などを用
いて希釈して使用する。また基板貼付用接着剤は、常温
における粘度が、５０ｃｐｓ以下であり、基板の研磨用
定盤に対する接着強度が２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上で、５０
ｋｇｆ／ｃｍ2 以下であり、更に金属の不純物濃度が１
×１０17ｃｍ-3以下である。
【００１２】また本発明は、半導体ウェハなどの基板を
研磨する方法において、基板を研磨用定盤に、シアノア
クリレートを主成分とする接着剤を用いて貼付した後研
磨することを特徴とする基板の研磨方法であり、接着剤
として、シアノアクリレートを主成分とし、これに溶剤
としてアセトン及びアセトンにエタノール，メタノー
ル，イソプロピルアルコールのうち少なくとも１種以上
を混合したものを用いる。
研磨する方法において、基板を研磨用定盤に、シアノア
クリレートを主成分とする接着剤を用いて貼付した後研
磨することを特徴とする基板の研磨方法であり、接着剤
として、シアノアクリレートを主成分とし、これに溶剤
としてアセトン及びアセトンにエタノール，メタノー
ル，イソプロピルアルコールのうち少なくとも１種以上
を混合したものを用いる。
【００１３】研磨する基板としては、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ），インジウムリン（ＩｎＰ），インジウム砒素
（ＩｎＡｓ），ガリウムリン（ＧａＰ），インジウムア
ンチモン（ＩｎＳｂ）等の III−Ｖ族化合物，シリコン
（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）のIV族元素及びセレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ），テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）
等のII−VI族化合物半導体ウェハである。
ａＡｓ），インジウムリン（ＩｎＰ），インジウム砒素
（ＩｎＡｓ），ガリウムリン（ＧａＰ），インジウムア
ンチモン（ＩｎＳｂ）等の III−Ｖ族化合物，シリコン
（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ）のIV族元素及びセレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ），テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）
等のII−VI族化合物半導体ウェハである。
【００１４】
【作用】本発明にかかる接着剤は、α−シアノアクリル
酸メチル単量体を主成分とし、非塩素系有機溶剤、特に
アセトン及びアセトンにエタノール，メタノール，イソ
プロピルアルコールの少なくとも１種以上を混合したも
のを溶剤として用いたシアノアクリレート系接着剤であ
り、化合物の構成成分として、炭素、窒素、酸素、水素
しか含んでおらず、金属元素の混入を非常に低減するこ
とができる。
酸メチル単量体を主成分とし、非塩素系有機溶剤、特に
アセトン及びアセトンにエタノール，メタノール，イソ
プロピルアルコールの少なくとも１種以上を混合したも
のを溶剤として用いたシアノアクリレート系接着剤であ
り、化合物の構成成分として、炭素、窒素、酸素、水素
しか含んでおらず、金属元素の混入を非常に低減するこ
とができる。
【００１５】溶剤として非塩素系有機溶剤を用いるのは
環境保護及び人体への影響を防止するためであり、特に
アセトン及びアセトンにアルコールを混合した溶剤を用
いるのは、入手、取扱性に優れていること、及びシアノ
アクリレート系接着剤の溶剤として優れた特性を有して
いるためである。
環境保護及び人体への影響を防止するためであり、特に
アセトン及びアセトンにアルコールを混合した溶剤を用
いるのは、入手、取扱性に優れていること、及びシアノ
アクリレート系接着剤の溶剤として優れた特性を有して
いるためである。
【００１６】常温における接着剤の粘度を５０ｃｐｓ以
下としたのは、ウェハを定盤に貼付けるために、接着剤
を定盤上に滴下、塗布した際、接着剤が薄く均一な厚み
で広がるようにするためで、粘度が５０ｃｐｓを超える
と塗布した接着剤に厚さむらが生じ、研磨したときのウ
ェハの平坦度が劣化するためである。
下としたのは、ウェハを定盤に貼付けるために、接着剤
を定盤上に滴下、塗布した際、接着剤が薄く均一な厚み
で広がるようにするためで、粘度が５０ｃｐｓを超える
と塗布した接着剤に厚さむらが生じ、研磨したときのウ
ェハの平坦度が劣化するためである。
【００１７】接着強度を２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上と定める
のは、これ以下になると研磨作業中に基板であるウェハ
が定盤から外れて破損してしまうためであり、また５０
ｋｇｆ／ｃｍ2 以下としたのは、これ以上になるとウェ
ハが定盤に強固に貼り付き過ぎ、研磨後にウェハを定盤
から傷を付けることなく取り外す作業が困難になるため
である。
のは、これ以下になると研磨作業中に基板であるウェハ
が定盤から外れて破損してしまうためであり、また５０
ｋｇｆ／ｃｍ2 以下としたのは、これ以上になるとウェ
ハが定盤に強固に貼り付き過ぎ、研磨後にウェハを定盤
から傷を付けることなく取り外す作業が困難になるため
である。
【００１８】この接着剤には、上記条件を満足する範囲
内で粘度調整剤、安定剤、可塑剤、着色剤などを混入さ
せることが可能である。
内で粘度調整剤、安定剤、可塑剤、着色剤などを混入さ
せることが可能である。
【００１９】通常シアノアクリレート系接着剤は、瞬間
接着剤として各種市販されているが、半導体ウェハの貼
り付け用には接着強度が高すぎて使用することができな
かった。また一部にネジの仮止め用として接着強度を下
げたものも市販されているが、接着剤が流れるのを防止
するために粘度を高くすることが常識となっており、粘
度を下げることはなされていない。
接着剤として各種市販されているが、半導体ウェハの貼
り付け用には接着強度が高すぎて使用することができな
かった。また一部にネジの仮止め用として接着強度を下
げたものも市販されているが、接着剤が流れるのを防止
するために粘度を高くすることが常識となっており、粘
度を下げることはなされていない。
【００２０】このシアノアクリレート系接着剤を定盤に
滴下塗布した後半導体ウェハを貼り付けて研磨すること
で、平坦度が良好な研磨が行なえるとともに不純物の混
入もなくなり、かつ研磨後も簡単に取り外すことができ
る。
滴下塗布した後半導体ウェハを貼り付けて研磨すること
で、平坦度が良好な研磨が行なえるとともに不純物の混
入もなくなり、かつ研磨後も簡単に取り外すことができ
る。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００２２】図１は半導体ウェハの片面研磨装置の概略
断面図で、図において、１は定盤支持軸で、その支持軸
１の下端にセラミックス製研磨用定盤２が取り付けら
れ、その研磨用定盤２に接着剤３にて半導体ウェハ４が
貼り付けられる。この研磨用定盤２の下方には、研磨布
５が設けられたポリッシングパッド６が配置され、その
ポリッシングパッド支持軸７が回転自在に設けられる。
断面図で、図において、１は定盤支持軸で、その支持軸
１の下端にセラミックス製研磨用定盤２が取り付けら
れ、その研磨用定盤２に接着剤３にて半導体ウェハ４が
貼り付けられる。この研磨用定盤２の下方には、研磨布
５が設けられたポリッシングパッド６が配置され、その
ポリッシングパッド支持軸７が回転自在に設けられる。
【００２３】次に図１の片面研磨装置でウェハを研磨す
る際の、本発明の実施例と比較例とを説明する。
る際の、本発明の実施例と比較例とを説明する。
【００２４】実施例１ 接着剤３は、シアノアクリレートをアセトンで希釈し、
粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整し、
これを３００mm径のセラミックス製研磨用定盤２上に数
滴滴下した。この上にラッピング後エッチングした１０
０mm径のＧａＡｓウェハ４を２枚定盤２の支持軸１を中
心に対称に置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧
し、５分間放置した。接着剤の硬化後、ポリッシュ液滴
下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッド６の回
転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後定盤２
を加熱してウェハ４を取り外し、このウェハ４をアセト
ン中で洗浄した。この条件で２００枚の１００mm径Ｇａ
Ａｓウェハを研磨して、片面ミラーウェハを製造した。
粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整し、
これを３００mm径のセラミックス製研磨用定盤２上に数
滴滴下した。この上にラッピング後エッチングした１０
０mm径のＧａＡｓウェハ４を２枚定盤２の支持軸１を中
心に対称に置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧
し、５分間放置した。接着剤の硬化後、ポリッシュ液滴
下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッド６の回
転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後定盤２
を加熱してウェハ４を取り外し、このウェハ４をアセト
ン中で洗浄した。この条件で２００枚の１００mm径Ｇａ
Ａｓウェハを研磨して、片面ミラーウェハを製造した。
【００２５】実施例２ シアノアクリレートに、アセトン，メタノール，エタノ
ール，イソプロピルアルコールを加え、粘度２０ｃｐ
ｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整した接着剤を３０
０mm径のセラミックプレートに２箇所たらした。この上
にラッピング後エッチングした１００mm径のＧａＡｓウ
ェハ２枚をプレートの中心に対して対称に置き、上から
１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、５分間放置して貼り
つけた。接着剤が硬化後、ポリッシュ液の滴下量１２０
ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッドの回転数５０ｒｐ
ｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条件でウェハを
ポリッシングした。ポリッシング後ウェハをプレートか
ら取り外し、ウェハをアセトン中で洗浄した。この条件
で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハを研磨して、片
面ミラーウェハを得た。
ール，イソプロピルアルコールを加え、粘度２０ｃｐ
ｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整した接着剤を３０
０mm径のセラミックプレートに２箇所たらした。この上
にラッピング後エッチングした１００mm径のＧａＡｓウ
ェハ２枚をプレートの中心に対して対称に置き、上から
１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、５分間放置して貼り
つけた。接着剤が硬化後、ポリッシュ液の滴下量１２０
ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッドの回転数５０ｒｐ
ｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条件でウェハを
ポリッシングした。ポリッシング後ウェハをプレートか
ら取り外し、ウェハをアセトン中で洗浄した。この条件
で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハを研磨して、片
面ミラーウェハを得た。
【００２６】実施例３ シアノアクリレートに、アセトンとエタノールを加え、
粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整した
接着剤を３００mm径のセラミックプレートに２箇所たら
した。この上にラッピング後エッチングした１００mm径
のＧａＡｓウェハ２枚をプレートの中心に対して対称に
置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、５分間
放置して貼りつけた。接着剤が硬化後、ポリッシュ液の
滴下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッドの回
転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後ウェハ
をプレートから取り外し、ウェハをアセトン中で洗浄し
た。この条件で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハを
研磨して、片面ミラーウェハを得た。
粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整した
接着剤を３００mm径のセラミックプレートに２箇所たら
した。この上にラッピング後エッチングした１００mm径
のＧａＡｓウェハ２枚をプレートの中心に対して対称に
置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、５分間
放置して貼りつけた。接着剤が硬化後、ポリッシュ液の
滴下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッドの回
転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後ウェハ
をプレートから取り外し、ウェハをアセトン中で洗浄し
た。この条件で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハを
研磨して、片面ミラーウェハを得た。
【００２７】実施例４ シアノアクリレートに、アセトンとメタノールを加え、
粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整した
接着剤を３００mm径のセラミックプレートに２箇所たら
した。この上にラッピング後エッチングした１００mm径
のＧａＡｓウェハ２枚をプレートの中心に対して対称に
置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、５分間
放置して貼りつけた。接着剤が硬化後、ポリッシュ液の
滴下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッドの回
転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後ウェハ
をプレートから取り外し、ウェハをアセトン中で洗浄し
た。この条件で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハを
研磨して、片面ミラーウェハを得た。
粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ2 に調整した
接着剤を３００mm径のセラミックプレートに２箇所たら
した。この上にラッピング後エッチングした１００mm径
のＧａＡｓウェハ２枚をプレートの中心に対して対称に
置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、５分間
放置して貼りつけた。接着剤が硬化後、ポリッシュ液の
滴下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシングパッドの回
転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ／ｃｍ3 の条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後ウェハ
をプレートから取り外し、ウェハをアセトン中で洗浄し
た。この条件で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハを
研磨して、片面ミラーウェハを得た。
【００２８】実施例５ シアノアクリレートに、アセトンとイソプロピルアルコ
ールを加え、粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ
2 に調整した接着剤を３００mm径のセラミックプレート
に２箇所たらした。この上にラッピング後エッチングし
た１００mm径のＧａＡｓウェハ２枚をプレートの中心に
対して対称に置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加
圧し、５分間放置して貼りつけた。接着剤が硬化後、ポ
リッシュ液の滴下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシン
グパッドの回転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ
／ｃｍ3 の条件でウェハをポリッシングした。ポリッシ
ング後ウェハをプレートから取り外し、ウェハをアセト
ン中で洗浄した。この条件で２００枚の１００mm径Ｇａ
Ａｓウェハを研磨して、片面ミラーウェハを得た。
ールを加え、粘度２０ｃｐｓ、接着強度２０ｋｇ／ｃｍ
2 に調整した接着剤を３００mm径のセラミックプレート
に２箇所たらした。この上にラッピング後エッチングし
た１００mm径のＧａＡｓウェハ２枚をプレートの中心に
対して対称に置き、上から１００ｇ／ｃｍ2 の圧力で加
圧し、５分間放置して貼りつけた。接着剤が硬化後、ポ
リッシュ液の滴下量１２０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ポリッシン
グパッドの回転数５０ｒｐｍ、ウェハ圧接加重１２０ｇ
／ｃｍ3 の条件でウェハをポリッシングした。ポリッシ
ング後ウェハをプレートから取り外し、ウェハをアセト
ン中で洗浄した。この条件で２００枚の１００mm径Ｇａ
Ａｓウェハを研磨して、片面ミラーウェハを得た。
【００２９】比較例１ ３００mm径のセラミックス製の研磨用定盤を加熱し、市
販の固形ワックスを用いて、ワックスの粘度が実施例１
と同じになる条件に塗布し、ラッピング後エッチングし
た１００mm径ＧａＡｓウェハ２枚を、定盤の中心に対し
て対称となる位置に貼り付けた。この時のワックスの接
着強度は、実施例１と同じ２０ｋｇ／ｃｍ2 である。定
盤を冷却しワックスが硬化したのち、実施例１と同じ条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後、定盤
を再度加熱してウェハを取り外し、トリクレン中で洗浄
した。この条件で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハ
を研磨して、片面ミラーウェハを製造した。
販の固形ワックスを用いて、ワックスの粘度が実施例１
と同じになる条件に塗布し、ラッピング後エッチングし
た１００mm径ＧａＡｓウェハ２枚を、定盤の中心に対し
て対称となる位置に貼り付けた。この時のワックスの接
着強度は、実施例１と同じ２０ｋｇ／ｃｍ2 である。定
盤を冷却しワックスが硬化したのち、実施例１と同じ条
件でウェハをポリッシングした。ポリッシング後、定盤
を再度加熱してウェハを取り外し、トリクレン中で洗浄
した。この条件で２００枚の１００mm径ＧａＡｓウェハ
を研磨して、片面ミラーウェハを製造した。
【００３０】次に実施例１と比較例１の全てのウェハに
ついて鏡面の平坦度を測定した。
ついて鏡面の平坦度を測定した。
【００３１】平坦度は、真空チャックしたウェハの厚み
変化として定義されＴＴＶ値（ Total Thickness Varia
tion）で示される。
変化として定義されＴＴＶ値（ Total Thickness Varia
tion）で示される。
【００３２】表１に実施例１と比較例１の結果をあわせ
て示した。
て示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１より実施例１〜５によって研磨したミ
ラーウェハの方が平坦度が良くなっていることがわか
る。
ラーウェハの方が平坦度が良くなっていることがわか
る。
【００３５】また実施例１と比較例１によって得られた
各２００枚のウェハから、無作為に５枚ずつ選び、全反
射蛍光Ｘ線（Total Reflection Energy Dispersive X-r
ay）法により、ウェハミラー面の表面分析を行った。硫
黄（Ｓ）、塩素（Ｃｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウ
ム（Ｋ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃ
ｕ）、亜鉛（Ｚｎ）の単位面積当りの付着量を調べた結
果を表２に示した。表２より実施例１によって研磨した
ミラーウェハでは比較例１のウェハに比べて、ミラー面
への不純物の付着量が少なく清浄度が高いことがわか
る。
各２００枚のウェハから、無作為に５枚ずつ選び、全反
射蛍光Ｘ線（Total Reflection Energy Dispersive X-r
ay）法により、ウェハミラー面の表面分析を行った。硫
黄（Ｓ）、塩素（Ｃｌ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウ
ム（Ｋ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃ
ｕ）、亜鉛（Ｚｎ）の単位面積当りの付着量を調べた結
果を表２に示した。表２より実施例１によって研磨した
ミラーウェハでは比較例１のウェハに比べて、ミラー面
への不純物の付着量が少なく清浄度が高いことがわか
る。
【００３６】
【表２】
【００３７】実施例６ 実施例１〜５では、ＧａＡｓ結晶ウェハの貼り付け、研
磨した結果について述べたが、ＧａＡｓの他、Ｓｉ、Ｉ
ｎＰ、ＧａＰ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅなどの半導体ウェハ
を貼り付けて研磨したところ同様に平坦度及び清浄度の
向上が見られた。また半導体ウェハの他に、石英ガラス
基板、金属基板などを貼り付けても同様の結果が得られ
た。
磨した結果について述べたが、ＧａＡｓの他、Ｓｉ、Ｉ
ｎＰ、ＧａＰ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅなどの半導体ウェハ
を貼り付けて研磨したところ同様に平坦度及び清浄度の
向上が見られた。また半導体ウェハの他に、石英ガラス
基板、金属基板などを貼り付けても同様の結果が得られ
た。
【００３８】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏する。
な効果を奏する。
【００３９】(1) ウェハなどの基板の接着剤の主成分と
して、シアノアクリレート系接着剤を用いたことによ
り、基板全体にわたって接着剤の厚さを薄くかつ均一に
することができる。この結果、平坦度が高く、厚さの均
一な半導体鏡面ウェハを容易に得ることができる。
して、シアノアクリレート系接着剤を用いたことによ
り、基板全体にわたって接着剤の厚さを薄くかつ均一に
することができる。この結果、平坦度が高く、厚さの均
一な半導体鏡面ウェハを容易に得ることができる。
【００４０】(2) 接着剤には、構成元素が炭素，窒素，
酸素，水素であり、金属イオンが含まれないため半導体
ウェハが金属イオンによって汚染されることがなく、清
浄度の高い半導体ウェハを得ることができる。
酸素，水素であり、金属イオンが含まれないため半導体
ウェハが金属イオンによって汚染されることがなく、清
浄度の高い半導体ウェハを得ることができる。
【００４１】(3) ウェハ平坦度の高さは、これを基板と
して使用する素子の高集積化及びこれらの素子製造の歩
留まり向上に大きく寄与する。また清浄度の高いウェハ
を提供でき、素子製造メーカではウェハの汚染による素
子の不良発生を低めることができるので、ウェハ製造コ
ストを下げられる。
して使用する素子の高集積化及びこれらの素子製造の歩
留まり向上に大きく寄与する。また清浄度の高いウェハ
を提供でき、素子製造メーカではウェハの汚染による素
子の不良発生を低めることができるので、ウェハ製造コ
ストを下げられる。
【００４２】(4) 溶剤及び洗浄剤に、塩素系有機溶剤を
使わずに、アセトンなどの非塩素系有機溶剤を用いるこ
とができるため、環境及び人体に対する有害度を、従来
に比べて非常に小さくすることができる。
使わずに、アセトンなどの非塩素系有機溶剤を用いるこ
とができるため、環境及び人体に対する有害度を、従来
に比べて非常に小さくすることができる。
【００４３】(5) 常温でウェハを接着することができ、
かつ接着に要する時間も短くてすむため、簡便かつ効率
的に作業を行うことができ、特別な治具などは必要とし
ない。
かつ接着に要する時間も短くてすむため、簡便かつ効率
的に作業を行うことができ、特別な治具などは必要とし
ない。
【００４４】(6) 従来の研磨装置をそのまま使用するこ
とができ、製造コストも安価であり、経済的に優れてい
る。
とができ、製造コストも安価であり、経済的に優れてい
る。
【図１】本発明に用いる研磨装置の概略図である。
２ 研磨用定盤 ３ 接着剤 ４ 基板としての半導体ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 真敏 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体ウェハなどの基板を研磨用定盤に
貼付けるために使用する基板貼付用接着剤において、主
成分がシアノアクリレート系であることを特徴とする基
板貼付用接着剤。 - 【請求項２】 シアノアクリレートを塩素系有機溶剤を
除いた溶剤で希釈した請求項１記載の基板貼付用接着
剤。 - 【請求項３】 溶剤が、アセトンである請求項２記載の
基板貼付用接着剤。 - 【請求項４】 溶剤が、アセトンを含み、これにエタノ
ール，メタノール，イソプロピルアルコールのうち少な
くとも１種以上を含む請求項１記載の基板貼付用接着
剤。 - 【請求項５】 常温における粘度が、５０ｃｐｓ以下で
あることを特徴とする請求項３又は４記載の基板貼付用
接着剤。 - 【請求項６】 半導体ウェハなどの基板の研磨用定盤に
対する接着強度が２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上で、５０ｋｇｆ
／ｃｍ2 以下である請求項１記載の基板貼付用接着剤。 - 【請求項７】 金属の不純物濃度が１×１０17ｃｍ-3以
下である請求項１記載の基板貼付用接着剤。 - 【請求項８】 半導体ウェハなどの基板を研磨する方法
において、基板を研磨用定盤に、シアノアクリレートを
主成分とする接着剤を用いて貼付した後研磨することを
特徴とする基板の研磨方法。 - 【請求項９】 シアノアクリレートを主成分とし、これ
に、アセトン及びアセトンとエタノール，メタノール，
イソプロピルアルコールのうち少なくとも１種以上を混
合した溶剤を加えた接着剤を用いる請求項７記載の半導
体ウェハの研磨方法。 - 【請求項１０】 研磨する基板が、ガリウム砒素（Ｇａ
Ａｓ），インジウムリン（ＩｎＰ），インジウム砒素
（ＩｎＡｓ），ガリウムリン（ＧａＰ），インジウムア
ンチモン（ＩｎＳｂ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウ
ム（Ｇｅ），テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ），セレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ）の半導体ウェハである請求項７記載
の基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10482993A JPH06124931A (ja) | 1992-08-28 | 1993-04-30 | 基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993892 | 1992-08-28 | ||
| JP4-229938 | 1992-08-28 | ||
| JP10482993A JPH06124931A (ja) | 1992-08-28 | 1993-04-30 | 基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124931A true JPH06124931A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=26445208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10482993A Pending JPH06124931A (ja) | 1992-08-28 | 1993-04-30 | 基板貼付用接着剤及び基板の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001056742A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif et procede de polissage |
| JP2009525615A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 相変化合金をｃｍｐするための組成物及び方法 |
| CN109722186A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-05-07 | 云南光电辅料有限公司 | 一种醇溶性临时键合胶及其制备方法 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10482993A patent/JPH06124931A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001056742A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif et procede de polissage |
| EP1614505A1 (en) * | 2000-01-31 | 2006-01-11 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Polishing device and method |
| US7513819B2 (en) | 2000-01-31 | 2009-04-07 | Shin-Eisu Handotai Co., Ltd | Polishing apparatus and method |
| JP2009525615A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 相変化合金をｃｍｐするための組成物及び方法 |
| CN109722186A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-05-07 | 云南光电辅料有限公司 | 一种醇溶性临时键合胶及其制备方法 |
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