JPH06124866A - パターン認識装置 - Google Patents

パターン認識装置

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JPH06124866A
JPH06124866A JP29226091A JP29226091A JPH06124866A JP H06124866 A JPH06124866 A JP H06124866A JP 29226091 A JP29226091 A JP 29226091A JP 29226091 A JP29226091 A JP 29226091A JP H06124866 A JPH06124866 A JP H06124866A
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pattern
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  • Image Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明はパターン認識装置において、特定のパ
ターンを誤認識することなく正確かつ高速に識別しよう
とするものである。 【構成】走査手段の相対走査によつて得られるアナログ
信号の波形を、パターン認識する為の前処理として微分
又は微分に加えて重み付けした後、複数のパターンある
いは単なるエツジの設計上の間隔量だけ、間隔方向にシ
フトさせた波形とシフト前の波形とを加算又は乗算によ
つて合成することで、特定パターンの波形上の位置に対
応した部分波形のみを強調することができる。これによ
り元々のアナログ信号に重畳してくるノイズが多い場合
でも、合成波形上では相対的にS/N比が向上し、高速
かつ高い精度で特定パターンを認識し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図1〜図6) 作用(図1〜図6) 実施例 (1)実施例の原理 (2)第1の実施例(図1〜図6) (3)第2の実施例(図7〜図9) (4)他の実施例(図10) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明はパターン認識装置に関
し、特に半導体素子や液晶デバイス等の製造工程で使わ
れるウエハやガラスプレートの位置決めやアライメント
時のマーク検出に適用して好適なものである。
【0003】
【従来の技術】従来、半導体素子等の製造に使われるウ
エハは、様々な装置を介して処理されるが、取り分けマ
スクやレチクルの回路パターンをウエハ上に転写する露
光装置(アライナ、ステツパ等)では、ウエハ上に回路
パターンとともに形成されたアライメントマークを検出
して、マスクやレチクルとウエハとを精密に位置合わせ
することが必須となつている。
【0004】通常この作業は「アライメント」と呼ばれ
ているが、現在ではその意味が広義に解釈され、単にウ
エハ上のマークを検出して、その位置(レチクルに対す
る位置)を特定するまでの作業が「アライメント」と呼
ばれることもある。そしてステツパー等の場合では、レ
チクルとウエハとを実際に位置合わせする動作のこと
は、「ステツピング」と呼ぶこともある。
【0005】このアライメントのために露光装置には各
種のアライメントセンサが装着され、現在半導体素子の
製造ラインで実用に供されている露光装置の多くは光学
的な自動アライメント系を備えている。その中で特にウ
エハ上にレーザ光等のスポツト光を照射し、このスポツ
ト光とウエハとを相対的に走査してウエハ上の特定位置
に設けられた微細なアライメントマークからの光情報
(散乱光、回折光等)を光電検出する方式は、現時点で
は良好な検出精度が得られるアライメント方式として多
用されてきている。
【0006】このアライメント方式は、光電検出された
信号に基づいてスポツト光とウエハとの走査位置上でア
ライメントマークからの光情報が得られた位置を検出す
ることによつて、ウエハのマスク(又はレチクル)に対
する位置を決定するものである。さらにこのアライメン
ト方式は2種類に分けられ、一方はアナログの光電信号
を所定のスライスレベルで2値化して、その2値化信号
と走査位置に応じたクロツクパルスとのもとでマーク位
置をデジタル的にカウントして決定するものであり、他
方はアナログの光電信号を走査位置に応じてデジタルサ
ンプリングして信号波形をメモリ上に記憶し、その信号
波形上の特徴からマーク位置を算出するものである。
【0007】また他の検出方式のアライメントセンサと
して、ウエハ上のマークを顕微鏡で観察し、その拡大像
をビジコン、CCD等の撮像素子て光電検出し、マーク
に応じた画像(ビデオ)信号を処理することで、マーク
位置を検出するものも使われている。この場合撮像素子
はウエハ表面のマークを含む局所領域の像を複数の走査
線で構成されたフレーム単位で受光するため、1本又は
複数の走査線に対応するビデオ信号を抽出して、画素
(ピクセル)毎に信号レベルをデジタルサンプリングし
て波形としてメモリに記憶した後、デジタル演算処理に
よつてマーク位置を算出している。
【0008】このような画像処理方式のアライメントセ
ンサは、通常は明視野でマーク像を受光するが、撮像素
子に至る光学系路内の瞳面(フリーエ面又は対物レンズ
の前側焦点面)に空間フイルタを設けたり、あるいはウ
エハ上の撮像領域に対して暗視照明を行なう照明系を設
けることによつて、マーク像を暗視野で受光してビデオ
信号を得ることもある。
【0009】また上述したスポツト光走査方式のアライ
メントセンサでも、明視野方式でマーク等からの光情報
を光電検出することもでき、いずれの方式を用いてもマ
ーク検出にあたつては、ウエハ上のマークを含む局所領
域の位置検出方向に関する光学的、又は物理的な特性変
化に応したアナログ信号を発生させ、そのアナログ信号
を解析することによつてマークを認識するようになされ
ている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところがかかる構成の
アライメントセンサでは、スポツト光(又は走査線)に
よつてウエハ上の局所領域(又はその像)を走査するた
め、走査軌跡上にゴミや傷あるいはマークに類似した表
面の不整(凹凸)等が存在すると、これら欠陥部からも
マークからの光情報と同等の光情報が発生し、それをマ
ークと誤認識することがあつた。
【0011】またウエハのマークが走査範囲内(計測範
囲内)に位置するようにウエハとアライメントセンサと
をプリアライメントしておかないと、このマークが検出
できないという問題点もあつた。特にアライメントマー
クの付近に微細なパターン構造の回路部分が存在してい
ると、プリアライメントの精度が劣化した場合には、ミ
スアライメントを起こすといつた問題が生じる。
【0012】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、特定のマーク(パターン)を誤認識することなく正
確に、しかも高速に識別し得るパターン認識装置を提案
しようとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第1の発明においては、ほぼ同一形状のパターンM
1、M2、M3の複数を位置検出すべき方向に所定間隔
で形成した物体Wを保持する保持手段STと、複数のパ
ターンM1、M2、M3を含む物体W上の所定範囲を位
置検出方向に走査して、所定範囲内の光学的な特性変化
に応じてレベル変化するアナログ信号を出力する走査手
段1、2、3、4、5、6、7、8、9とを有し、アナ
ログ信号を解析することによつて複数のパターンM1、
M2、M3のうちの特定のパターンM2の位置を認識す
るパターン認識装置において、走査手段1〜9の走査に
より得られるアナログ信号の波形を、物体M上の走査位
置に対応させて記憶する記憶手段12と、記憶手段12
に記憶されたアナログ信号の波形を読み出すと共に、ア
ナログ信号の微分波形を求める微分手段18(SP10
1)と、複数のパターンM1、M2、M3の所定間隔に
対応した量Fa、Fbだけ微分波形を走査の方向にシフ
トさせた波形と元の波形とを合成して、特定のパターン
M2に対応した波形部分を他のパターンM1、M3に対
応した波形部分によつて強調した合成波形を出力する波
形合成手段18(SP103)と、合成波形の強調され
た波形部分を検出することによつて特定のパターンM2
の位置を識別する識別手段17とを設けるようにした。
【0014】また第2の発明においては、ほぼ同一形状
のパターンM1、M2、M3の複数を位置検出すべき方
向に所定間隔で形成した物体Wを保持する保持手段ST
と、複数のパターンM1、M2、M3を含む物体W上の
所定範囲を位置検出方向に走査して、所定範囲内の光学
的な特性変化に応じてレベル変化するアナログ信号を出
力する走査手段1〜9とを有し、アナログ信号を解析す
ることによつて複数のパターンM1、M2、M3のうち
の特定のパターンM2の位置を認識するパターン認識装
置において、走査手段1〜9の走査により得られるアナ
ログ信号の波形を、物体M上の走査位置に対応させて記
憶する記憶手段12と、記憶手段12に記憶されたアナ
ログ信号の波形を読み出すと共に、アナログ信号の微分
波形を求めると共に、微分波形に重みを付ける重み付け
微分波形を送出する波形整形手段18(SP101、S
P102)と、複数のパターンM1、M2、M3の所定
間隔に対応した量Fa、Fbだけ重み付け微分波形を走
査の方向にシフトさせた波形と元の波形とを合成して、
特定のパターンM2に対応した波形部分を他のパターン
M1、M3に対応した波形部分によつて強調した合成波
形を出力する波形合成手段18(SP103)と、合成
波形の強調された波形部分を検出することによつて特定
のパターンM2の位置を識別する識別手段17とを設け
るようにした。
【0015】
【作用】走査手段1〜9の相対走査によつて得られるア
ナログ信号の波形を、パターン認識する為の前処理とし
て微分又は微分に加えて重み付けした後、複数のパター
ンM1、M2、M3あるいは単なるエツジの設計上の間
隔量Fa、Fbだけ、間隔方向にシフトさせた波形とシ
フト前の波形とを加算(又は乗算)によつて合成するこ
とで、特定パターンM2の波形上の位置に対応した部分
波形のみを強調することができ、かくして元々のアナロ
グ信号に重畳してくるノイズが多い場合でも、合成波形
上では相対的にS/N比が向上し、高速かつ高精度で特
定パターンM2を認識し得る。
【0016】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0017】(1)実施例の原理 この発明においては、基本的に次の2つの事項を前提と
している。すなわち物体上にほぼ同一形状のパターン
(又は単なるエツジ)の複数(2つ以上)を位置検出方
向に設計上で決めた所定の間隔で形成しておき、続いて
それら複数のパターンを位置検出方向に関して走査し
て、各パターンの光学的又は物理的な特性変化に応じた
アナログ信号を得るようになされている。
【0018】この構成を有するものであれば、原理的に
はどのような分野にも応用できるが、ここでは半導体製
造装置又は半導体検査装置のアライメントセンサに本発
明を適用した場合に限つて実施例を説明する。このよう
な構成を備えた投影露光装置用のアライメント方式は、
たとえば特開昭60−256002号公報に開示され、
公知であるので、アライメントセンサについて以下図
1、図2を用いて簡単に説明する。
【0019】(2)第1の実施例 図1は本発明の第1の実施例によるパターン認識装置が
アライメントセンサとして適用される投影露光装置の構
成を示し、回路パターンを有するレチクルRとウエハW
との間には、少なくともウエハ側(像側)がテレセント
リツクな投影レンズPLが設けられ、ウエハWはステツ
プアンドリピート露光時、あるいはアライメント時に2
次元的にx、y移動するようにステージST上に載置さ
れる。このウエハWにはレチクルRとのアライメントの
ために、例えば複数本の回折格子状マークからなるマー
クWMが形成される。
【0020】図2はウエハW上でのマーク配置を示し、
ここではy方向に伸びた同一形状の3本のマークM1、
M2、M3がx方向に間隔D1、D2で形成されている
ものとする。マークM1、M2、M3の夫々はy方向に
微小な矩形要素(凸部、又は凹部)を1:1のデユーテ
イで1列に並べた回折格子てなり、これらの光ビームを
垂直方向から照射すると、y軸とz軸(ウエハ面と垂
直)とを含む面内で広がつて反射する回折光が得られ
る。
【0021】実際上図1において、レーザ光源1からの
レーザビームLBはシリンドリカルレンズ2、ビームス
プリツタ3、(対物レンズ4、及びミラー5を介して投
影レンズPLの瞳epの中心に向かつて入射する。投影
レンズPLはウエハW上にレーザビームLBを垂直に照
射させ、ウエハW上には図2に示したようにy方向に伸
びたシート状(又はスリツト状)のスポツト光SPが結
像する。
【0022】ウエハW上のスポツト光照射部から生じる
光情報は、投影レンズPLを介して元の照明光路を逆進
し、ミラー5、対物レンズ4を介してビームスプリツタ
3で反射され、リレー系6を通つて空間フイルター7に
達する。リレー系6は空間フイルター7の位置に投影レ
ンズPLの瞳epの像を結像するもので、空間フイルタ
ー7は瞳epと共役に配置される。空間フイルター7は
ウエハWからの光情報のうち、マークWM(M1、M
2、M3)からの特定次数の回折光(又は散乱光)のみ
を空間的に分離抽出するもので、抽出された回折光等は
集光レンズ8によつて光電素子(フオトマル等)9の受
光面に集められる。
【0023】増幅器(AMP)10は光電素子9からの
光電信号を一定量だけ増幅し、増幅された光電信号はア
ナログデジタル変換器(ADC)11に入力し、信号レ
ベルに応じたデジタル値に変換される。このデジタル値
は信号波形記憶(取り込み)用のメモリ(RAM)12
に順次格納される。ADC11の変換タイミングやRA
M12のアドレス設定はカウンタ回路(CNT)13に
よつて行なわれる。
【0024】CNT13は、ステージSTの位置を計測
するレーザ干渉計14からのアツプダウンパルス信号
(例えばステージSTが0.01〔μm〕移動する毎に
1パルスとなる信号)をステージコントローラ15を介
して入力する。またウエハステージSTの移動はステー
ジコントローラ15の管理のもとにモータ16で行なわ
れ、ステージSTの移動位置決めは主制御部(CPU)
17とステージコントローラ16との間で指令や情報を
やり取りすることによつて行なわれる。高速演算専用の
プロセツサ(BSP)18はRAM12に取り込まれた
信号波形の特徴等に基づいて、マークWMの位置を高速
に算出し、その結果をCPU17に出力する。
【0025】CPU17は決定された位置を基準にし
て、干渉計14の計測座標値をモニタしながらステージ
STを任意の位置に移動させる。具体的には、レチクル
Rの回路パターンの投影像がウエハW上の所定の領域
(シヨツト領域)と合致するように位置決めする。なお
CNT13によるRAM12のアドレス指定は、ADC
11からの波形データを書き込む時だけ行なわれ、RA
M12からデータを読み出す時はBSP18がCNT1
3の代りにアドレス指定を行なう。また図1では模式的
に示したがレーザビームLBのスポツト光SPはX方向
用とY方向用の2組が投影レンズPLを介してウエハW
へ投射され、干渉用14もX方向用とY方向用との2軸
が設けられている。
【0026】図3はX方向用、Y方向用のスポツト光S
PX、SPYの投影レンズフイールドIF内での平面配
置を示し、投影レンズPLの光軸が通る点をXY座標系
の原点と仮定し、そのX軸とY軸の夫々にレーザ干渉計
の測長軸が一致しているものとする。Y方向に伸びたス
ポツト光SPXはY軸上のフイールドIF内の周辺に固
定され、X方向に伸びたスポツト光SPYはX軸上のフ
イールドIF内の周辺に固定されるが、必らずしも正確
ではない。
【0027】一方、レチクルRの回路パターン領域PA
の中心RCも、レチクルアライメント時の残留誤差やシ
ステムオフセツトによつて投影レンズPLの光軸(XY
座標系の原点)とは必ずしも一致していない。そこでレ
チクルRがステツパに装着されてアライメントされた
後、レチクルRの中心Rcとスポツト光SPXとのX方
向のずれ量ΔBXと、中心RCとスポツト光SPYとの
Y方向のずれ量ΔBYとを、他のアライメントセンサや
ステージSP上の基準マークを用いて予め測定してお
く。このずれ量(ΔBX、ΔBY)はベースライン量と
呼ばれるもので、以降そのレチクルRが変換されるま
で、又はベースライン量の再測定が行なわれるまで、C
PU17内に定数として記憶される。
【0028】さてスポツト光SPとマークWMとの相対
走査によつて光電素子9から発生したアナログ信号波形
はデジタルデータとしてRAM12に記憶されるが、そ
の相対走査の範囲は、図2においてはマークWMのX方
向の全幅とウエハWのプリアライメント精度とを考慮し
て決められる。CPU17は、RAM12に波形データ
を書き込み始めたときのステージSTの座標位置(X
0)を記憶する。こうしてRAM12に書き込まれた波
形データのアドレス値はステージSTの0.01〔μ
m〕毎の位置と一義的に対応したものとなる。
【0029】BSP18はその波形データを処理するも
のであるが、この実施例ではそれを全てプログラムされ
たソフトウエアによる演算て実行する。以後この実施例
ではマークWM内の中央のマークM2を検出すべき特定
のパターンとして考えることにし、図2に示されている
ように、マークM1とM2のX方向の中心間隔D1とマ
ークM2とM3の中心間隔D2とは、パターン認識上有
利になるように異なつた値(ここではD1<D2)にし
ておく。
【0030】なおより好しくは各マークM1、M2、M
3のX方向の幅をLとしたとき、D1<D2+Lの条件
とするのがよい。もちろん、各マークM1、M2、M3
に対応した信号波形部分が全て分離するようにマーク幅
L、スポツト光SPの幅、及び間隔D1、D2の各値が
決められる。
【0031】次に図4、図5を参照して、BSP18の
波形処理を説明する。図4はBSP18内の処理アルゴ
リズムの流れを示し、図5はRAM12内の波形データ
とその処理の様子を示す。図5(A)は、図2のように
スポツト光SPがマークM1から順にマークM3まで相
対走査したときにRAM12内に得られた波形データを
示し、以後、これを原波形データと呼ぶ。図5で横軸は
X方向の走査位置に対応したRAM12のアドレス値
(1番地あたり0.01〔μm〕)を表し、縦軸は信号
強度Sを表す。
【0032】図5(A)のように、原波形データはサン
プリング・ポイント数をSDとして、RAM12内のア
ドレス値MSからMS+SDまでの間に格納されている
ものとする。またRAM12内には原波形をパターン認
識する為の前処理(微分処理及び重み付け処理)をした
パターン認識波形及びシフト加算をした後の波形データ
を格納するための領域が確保されており、それはアドレ
ス値M0からM0+SDにあるものとする。
【0033】さてBSP18内には、RAM12のアド
レス指定のために複数のアドレスポインタIXn(n=
0、1、2、3……)が設定されているものとする。さ
らにBSP18内には、マークM位置とM2の中心間隔
D1〔μm〕に対応したポイント数(アドレス数)Fa
と、マークM2とM3の中心間隔D2〔μm〕に対応し
たポイント数Fbとが予めセツトされている。
【0034】図4に示すように、BSP18はステツプ
SP100において、ポインターIX0には原波形デー
タ上のスタートアドレス値MSをセツトし、ポインター
IX1にはパターン認識波形のスタートアドレス値M
S′をセツトし、ポインターIX2にはパターン認識波
形データ上のスタートアドレス値MS′からポイント数
Faを差し引いた値(MS′−Fa)をセツトし、ポイ
ンターIX3にはパターン認識波形データ上のスタート
アドレス値MS′にポイント数Fbを加算した値(M
S′+Fb)をセツトし、ポインターIX4には、加算
合成した結果の波形データを格納するためのスタートア
ドレス値M0をセツトするとともに、処理ポイント数S
Dをカウントするレジスタrに零をセツトする。
【0035】次にBSP18はステツプSP101てR
AM12に記憶された原波形データを微分波形データに
変換する。Siは原波形のi番目のデータ、Djは微分
フイルタのj番目の係数、Si′は原波形のi番目のデ
ータの微分後のデータである。続いてBSP18は次の
ステツプ102で求めた微分波形のデータ列に重み付け
をする。Wiは微分波形データのi番目に掛ける重み係
数であり、Si″′は重み付け後の微分波形データとな
る。ここで重み付け用の係数は任意に設定して良く、例
えばガウス波形を用いた重み係数を設定すれば微分波形
データ列の中心部を強調し、周辺部の影響を弱くした波
形データとなる。
【0036】さらにBSP18は、ステツプSP103
でRAM12に記憶された原波形データ中から3つのア
ドレス値に格納されているデータRAM(IX1+
r)、RAM(IX2+r)、RAM(IX3+r)を
読み出して加算し、その加算値をデータDTとして求め
る。そしてBSP18は次のステツプSP104におい
て、そのデータDTをRAM12のアドレス(IX4+
r)へ格納した後、レジスタrをインクリメント(r+
1)する。
【0037】続いてBSP18は、ステツプSP105
でレジスタrのカウント数がSDよりも大きくなつたか
否かを判定し、小さいときは再びステツプSP103か
らの動作を実行する。またこのステツプSP105でr
>SDが真と判断されると、シフト加算の演算は全て終
了し、RAM12のアドレスM0〜M0+SDには、図
5(E)に示すように、図5(B)のパターン認識波形
データに対してFaだけ右にずれた図5(C)の波形デ
ータと、Fbだけ左にずれた図5(D)の波形データと
が加算された波形データが格納される。なおこのフロー
チヤートは一例であり、同等の機能をはたすものであれ
ば、どのようなアルゴリズムでもかまわない。
【0038】この後BSP18は図5(E)の波形デー
タから、最も大きな波高値を示すポイント位置PXを求
め、そのポイント位置PXに対応した原波形データ上の
ポイント位置(アドレス値)を決定する。実際にマーク
M2の中心位置を決定するには、図5(E)の波形デー
タを使う場合と、図5(A)の原波形データを使う場合
との2通りが考えられる。
【0039】図5(E)の合成波形を用いた場合は、3
つのマークM1、M2、M3の夫々に対応した波形部分
の微分後の加算であるために、個々の波形歪みの影響に
よつて合成波形部分の歪みが大きくなることもある。従
つて、精密にマークM2の位置を検出するには、原波形
データに基づいて波形解析を行なつた方が好ましく、図
5(E)の合成波形はあくまでも真のマークのサーチ
(認識)目的のためだけに使つた方がよい。
【0040】もちろん波形歪みが少ない場合等は、合成
波形の波形解析によつてマーク位置を決定してもよい。
原波形を用いた一般的な波形解析とては、特定のマーク
波形部分の立上りと立下りで、最も急峻な部分に対応し
たレベルでスライスを行ない、そのスライスレベルと波
形立上り部、波形立下り部の各交点位置を求め、その中
点をマークM2の中心位置として算出する手法、マーク
波形部分の立上り、立下りを低いスライスレベルと比較
して2つの交点位置を求め、その間の波形の重心(積分
値を1/2にする位置)を中心位置とする手法がある。
【0041】以上この実施例ではマークM1、M2、M
3の各間隔D1、D2を異なつた値にしたため、パター
ン認識波形データを正方向にFaだけシフトした波形デ
ータと、負方向にFbだけシフトした波形データとの合
成波形はゝ位置PXでのみ3つのマーク波形部分が合成
されて強調されることになり、認識が極めて容易にな
る。
【0042】もちろんマーク間隔はD1=D2としても
全く同様にして特定マークの認識ができる。しかしなが
ら、3つのマーク波形部分に信号強度差が生じた場合、
あるいはマークM1、M2、M3以外の部分に強いノイ
ズが発生した場合には、検出能力(波形の強調度)が低
下する可能性もある。さらにサーチ用のマークは最低2
本あれば、同様に波形合成による強調化が可能である
が、本実施例のように、少なくとも3本のマークが異な
つた間隔で配置されたとき、極めて強い認識力を持つ。
【0043】その一例を図6を参照して説明する。すな
わち図6(A)は原波形データを示し、ここでは特定マ
ークM2に対応した波形部分のレベルが、他のマークM
1、M3の夫々に対応した波形部分のレベルと比べて小
さくなり、かつ、ノイズNによる波形部分が特定マーク
M2に対して−2Faの位置に、信号強度(マークM
1、M3)と同程のレベルで混在するという、極めて悪
い条件を想定する。
【0044】従来のように原波形データのみを解析して
マークM2を認識しようとする場合、極めて高い確立で
マークM1をマークM2と誤認識してしまう。ところが
本実施例のように、微分処理後(図6(B))、重み係
数(図6(C))を微分波形に掛けたパターン認識波形
(図6(D))に対して正方向にFaだけシフトさせた
図6(E)の波形データと、負方向にFbだけシフトさ
せた図6(F)の波形データとの3つを加算すると図6
(G)のような合成波形が得られ、位置C0で最大値S
0が得られる。
【0045】ここで図6(D)、(B)、(F)から明
らかなように、位置C0ではマークM1、M2、M3の
3つの部分波形が全て合成されるのに対し、図6(E)
のうち位置C0の左側に現われる次に大きな合成波形
は、マークM1とノイズNの各部分波形の合成によつて
得られたものであり、図6(F)のようにマークM2の
部分波形はそこから(Fa−Fb)だけずれるために合
成には寄与しない。
【0046】従つて、たとえ大きなノイズNがたまたま
設計間隔(Fa、又はFb)だけ離れた位置に現れたと
してもこの実施例による波形合成の手法を使うと、極め
て容易に特定マークを認識することができる。
【0047】(3)第2の実施例 次に本発明の第2の実施例を、図7、図8、図9を参照
して説明する。この実施例では、ウエハW上のパターン
を撮像素子で検出して、そのビデオ信号を波形解析する
方式のアライメントセンサーを用いる。撮像素子として
はビジコン等の撮像管でも全く同じてあるが、ここでは
2次元CCDカメラを用いるものとする。
【0048】図7に示すように、ウエハW上のパターン
は、テレセントリツクな対物レンズ30、ビームスプリ
ツタ31、結像用レンズ系32、共役指標板33、及び
再結像レンズ34を介してCCDカメラ35の撮像面上
に拡大結像される。またウエハWへの照明は、フアイバ
ー束36の射出端を対物レンズ30の瞳面epに配置し
たケーラー照明法で行なう。さらに指標板33は透明ガ
ラス上に遮光層で指標マークを形成したものであり、C
CDカメラ35からのビデオ信号をCRT上に表示する
と、図8のように観察される。
【0049】図8でフレームFRの左右には指標マーク
RMa、RMbが位置し、その間にウエハW上のマーク
MA、MBが存在するようにプリアライメントされる。
CCDカメラ35の水平走査線をSL1……SLnとす
ると、指標マークRMa、RMbとウエハマークMA、
MBとは、水平走査線と直交する方向の直線エツジで構
成される。またマークMA、MBの走査線方向の幅は互
いに異なるように決められ、さらにマークMAとMBの
間のスペース幅もそれらマーク幅とは異なるように決め
られている。
【0050】ここでのアライメントは、図8のようにウ
エハWを位置決めしたときのステージSTの座標値(X
0、Y0)を記憶し、その状態で指標マークRMaとR
Mbとの中点と、例えばマークMA、MBの間のスペー
ス部の中点との走査線方向の位置ずれ量(Δx)を波形
処理によつて求め、先に記憶した座標値X0をΔxだけ
補正しておくことで完了する。
【0051】図9は1本の水平走査線に沿つて得られた
ビデオ信号波形の一例を示し、走査方向はx方向と一致
しているものとする。ビデオ波形上の左右には指標マー
クRMa、RMb(黒レベル)に対応した波形部分RE
a、REbが生じる。この波形部分はウエハW上の光学
的な特性変化とはほとんど無関係に、常に良好なコント
ラストで現れる。
【0052】しかしながらウエハW上のパターンについ
ては照明光の波長やパターンの材質、表面処理等によつ
てかならずしもきれいな波形にはならない。図9におい
て、ビデオ波形はマークMAの左右のエツジでボトム波
形AEl、AErとなり、マークMBの左右のエツジで
ボトム波形BEl、BErとなる。このようにマークエ
ツジでボトムになるのは明視野観察の場合であつて、例
えば観察光路中の瞳面epに正反射光(0次光)カツト
用の空間フイルターを入れた暗視野観察では、マークエ
ツジのところでピーク波形となる。
【0053】さてCCDカメラを用いた場合も、水平走
査線内の各画素毎に信号レベルをデジタル値に変換して
フレームメモリ等に記憶すれば、後の処理は第1の実施
例と全く同様に実行できる。CCDカメラのビデオ信号
を使う場合、通常はフレームFR内の2本以上の水平走
査線の夫々に対応したビデオ波形を垂直方向の画素につ
いて加算して平均化する処理が行なわれる。
【0054】従つて平均化された後のビデオ波形に対し
て、ボトム波形REaとREbとの間の波形のみを抽出
して、第1の実施例と同様に横シフト合成を行なうとよ
い。一例として、マークMAの幅に対応した水平画素数
Qa、マークMBの幅に対応した水平画素数をQb、そ
してマークMAとMBの間のスペース幅に対応した画素
数をQcとしたとき、Qb/Qc=1.5、Qa/Qc
=2.0に設定した場合を想定する。図9を原波形とし
て、前処理を行つた後、これに対して右(アドレス増加
方向)に画素数Qc分だけシフトした右シフト波形と、
原波形に対して左に画素数Qbだけシフトした左シフト
波形とをそれぞれ加算すると、原波形上のボトム波形B
Elの位置で、右シフト波形上のボトム波形AErと左
シフト波形上のボトム波形BErとが重なつて強調さ
れ、他の位置では全く重なり合うボトム波形が生じな
い。
【0055】従つてこの例ではボトム波形BElが特定
のマークエツジ位置として認識される。この位置がわか
れば、ボトム波形AErの位置もかわるので、原波形上
でボトム波形AErとBElとの中点を求めればよい。
なおここでは1つのボトム波形部分がマークの1つのエ
ツジに対応するとして考えたが、マーク幅そのものが極
めて小さくなると、マークの左右のエツジは1つのボト
ム波形として現われるので、極めて細い線状マークの複
数本にしても全く同じ処理が可能である。
【0056】以上の構成によれば、CCDカメラ等の2
次元撮像素子を用いる場合、多数の走査線からのビデオ
波形の平均化と、横シフト加算とを混在させることもで
きる。例えばフレームFR内で水平走査線30本分のビ
デオ波形を抽出する場合、2本おきに10本分のビデオ
波形は原波形として使い、他の2本おきの10本分のビ
デオ波形は例えば右シフト波形として使い、残りの2本
おきの10本分のビデオ波形は左シフト波形として使
い、計30本分のビデオ波形を加算合成しても同様に特
定マーク、又は特定エツジで強調された波形が得られ
る。ただしより精密にマーク位置を求めるには、原波形
信号のみを再度解析するのが好しい。
【0057】図10は他のマーク形状による変形例であ
り、図10中SL1、SL2、SL3は、レーザビーム
のスポツト(シート状、又は単なる円)の走査線、ある
いはテレビカメラの水平走査線を表し、マークMCは台
形状で左右のエツジE1、E2は走査線に対して45°
だけ傾いている。3本の走査線SL1、SL2、SL3
の夫々は走査と直交する方向に一定間隔Kだけ離れてい
る。
【0058】そこで例えばエツジE1を認識するには、
走査線SL1に沿つて得られた信号を原波形とし、走査
線SL2に沿つて得られた信号波形を右へKだけシフト
し、走査線SL3に沿つて得られた信号波形を右へ2K
だけシフトして、それぞれ前処理実施後合成すればよ
い。エツジE2の認識には、左シフトを同様に行なえば
よい。
【0059】(4)他の実施例 なお上述の実施例では、いずれも光電信号(ビデオ信
号)を処理する場合について説明したが、これに代え電
子ビームのスポツトを物体上で走査して特定のパターン
やエツジ位置を認識する場合でも全く同様に実施でき
る。この場合、物体から生じる2次電子や散乱電子の量
が、電子ビームの走査位置に応じて変化することから、
同様のアナログ信号が得られる。
【0060】また同様のアナログ信号を得る形式として
は、対物レンズを介して拡大されたマ−ク像を微小スリ
ツトで走査し、そのスリツト透過光をフオトマル等で光
電検出する方式、そのスリツトは固定したまま、対物レ
ンズからのマーク像の光束をスリツトの幅方向にミラー
等で揺動する方式等が同様に適用される。さらにレーザ
ビームを回転ポリゴンミラー、カルバノミラー等で偏向
し、テレセントリツク対物レンズを介してスポツト光に
集光させて一次元走査する方式でもよい。この場合、レ
ーザビームの偏向角(偏向位置)に同期してサンプリン
グパルスを発生させれば、走査位置に対応した信号波形
データがメモリに抽出される。
【0061】さらに上述の実施例においては、合成波形
を得るのにシフト加算を行なつたが、その他シフトした
波形とシフト前の波形との乗算によつても同様の効果が
得られる。ただしソフトウエア上のプログラム処理では
単純な加算に比べて多少時間がかかるといつた難点もあ
る。
【0062】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、検出した
アナログ信号の強度変化やノイズ等による擬似信号に対
しても、常に高いパターン認識力を持たせることがで
き、かくして物体上の広い領域から特定パターンのみを
確実に検出することができるパターン認識装置を実現で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例によるパターン認識装置
が適用される投影型露光装置の全体構成を示す略線的斜
視図である。
【図2】第1の実施例のマーク配置の説明に供する略線
的平面図である。
【図3】第1の実施例のパターン認識装置における投影
視野内のスポツト光の配置を示す略線的平面図である。
【図4】第1の実施例による動作を説明するフローチヤ
ートである。
【図5】図4に示した動作に伴つて処理される波形デー
タを示す特性曲線図である。
【図6】他の信号波形に対する処理の様子を示す特性曲
線図である。
【図7】本発明の第2の実施例によるパターン認識装置
の構成を示す略線図である。
【図8】そのパターン認識装置の動作の説明に供する略
線図である。
【図9】第2の実施例のパターン認識装置の信号波形を
示す特性曲線図である。
【図10】マーク形状の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
W……ウエハ、WM、MA、MB、MC……ウエハマー
ク、M1 、M2 、M3……マーク要素、SP、SPX 、
SPY ……スポツト光、10……アンプ、11……A/
D変換器、12……メモリ(RAM)、18……高速演
算プロセツサ、35……撮像素子。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年11月21日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図1〜図6) 作用(図1〜図6) 実施例 (1)実施例の原理 (2)第1の実施例(図1〜図6) (3)第2の実施例(図7〜図9) (4)他の実施例(図10) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明はパターン認識装置に関
し、特に半導体素子や液晶デバイス等の製造工程で使わ
れるウエハやガラスプレートの位置決めやアライメント
時のマーク検出に適用して好適なものである。
【0003】
【従来の技術】従来、半導体素子等の製造に使われるウ
エハは、様々な装置を介して処理されるが、取り分けマ
スクやレチクルの回路パターンをウエハ上に転写する露
光装置(アライナ、ステツパ等)では、ウエハ上に回路
パターンとともに形成されたアライメントマークを検出
して、マスクやレチクルとウエハとを精密に位置合わせ
することが必須となつている。
【0004】通常この作業は「アライメント」と呼ばれ
ているが、現在ではその意味が広義に解釈され、単にウ
エハ上のマークを検出して、その位置(レチクルに対す
る位置)を特定するまでの作業が「アライメント」と呼
ばれることもある。そしてステツパー等の場合では、レ
チクルとウエハとを実際に位置合わせする動作のこと
は、「ステツピング」と呼ぶこともある。
【0005】このアライメントのために露光装置には各
種のアライメントセンサが装着され、現在半導体素子の
製造ラインで実用に供されている露光装置の多くは光学
的な自動アライメント系を備えている。その中で特にウ
エハ上にレーザ光等のスポツト光を照射し、このスポツ
ト光とウエハとを相対的に走査してウエハ上の特定位置
に設けられた微細なアライメントマークからの光情報
(散乱光、回折光等)を光電検出する方式は、現時点で
は良好な検出精度が得られるアライメント方式として多
用されてきている。
【0006】このアライメント方式は、光電検出された
信号に基づいてスポツト光とウエハとの走査位置上でア
ライメントマークからの光情報が得られた位置を検出す
ることによつて、ウエハのマスク(又はレチクル)に対
する位置を決定するものである。さらにこのアライメン
ト方式は2種類に分けられ、一方はアナログの光電信号
を所定のスライスレベルで2値化して、その2値化信号
と走査位置に応じたクロツクパルスとのもとでマーク位
置をデジタル的にカウントして決定するものであり、他
方はアナログの光電信号を走査位置に応じてデジタルサ
ンプリングして信号波形をメモリ上に記憶し、その信号
波形上の特徴からマーク位置を算出するものである。
【0007】また他の検出方式のアライメントセンサと
して、ウエハ上のマークを顕微鏡で観察し、その拡大像
をビジコン、CCD等の撮像素子で光電検出し、マーク
に応じた画像(ビデオ)信号を処理することで、マーク
位置を検出するものも使われている。この場合撮像素子
はウエハ表面のマークを含む局所領域の像を複数の走査
線で構成されたフレーム単位で受光するため、1本又は
複数の走査線に対応するビデオ信号を抽出して、画素
(ピクセル)毎に信号レベルをデジタルサンプリングし
て波形としてメモリに記憶した後、デジタル演算処理に
よつてマーク位置を算出している。
【0008】このような画像処理方式のアライメントセ
ンサは、通常は明視野でマーク像を受光するが、撮像素
子に至る光学系路内の瞳面(フリーエ面又は対物レンズ
の前側焦点面)に空間フイルタを設けたり、あるいはウ
エハ上の撮像領域に対して暗視照明を行なう照明系を設
けることによつて、マーク像を暗視野で受光してビデオ
信号を得ることもある。
【0009】また上述したスポツト光走査方式のアライ
メントセンサでも、明視野方式でマーク等からの光情報
を光電検出することもでき、いずれの方式を用いてもマ
ーク検出にあたつては、ウエハ上のマークを含む局所領
域の位置検出方向に関する光学的、又は物理的な特性変
化に応じたアナログ信号を発生させ、そのアナログ信号
を解析することによつてマークを認識するようになされ
ている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところがかかる構成の
アライメントセンサでは、スポツト光(又は走査線)に
よつてウエハ上の局所領域(又はその像)を走査するた
め、走査軌跡上にゴミや傷あるいはマークに類似した表
面の不整(凹凸)等が存在すると、これら欠陥部からも
マークからの光情報と同等の光情報が発生し、それをマ
ークと誤認識することがあつた。
【0011】またウエハのマークが走査範囲内(計測範
囲内)に位置するようにウエハとアライメントセンサと
をプリアライメントしておかないと、このマークが検出
できないという問題点もあつた。特にアライメントマー
クの付近に微細なパターン構造の回路部分が存在してい
ると、プリアライメントの精度が劣化した場合には、ミ
スアライメントを起こすといつた問題が生じる。
【0012】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、特定のマーク(パターン)を誤認識することなく正
確に、しかも高速に識別し得るパターン認識装置を提案
しようとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第1の発明においては、ほぼ同一形状のパターンM
1、M2、M3の複数を位置検出すべき方向に所定間隔
で形成した物体Wを保持する保持手段STと、複数のパ
ターンM1、M2、M3を含む物体W上の所定範囲を位
置検出方向に走査して、所定範囲内の光学的な特性変化
に応じてレベル変化するアナログ信号を出力する走査手
段1、2、3、4、5、6、7、8、9とを有し、アナ
ログ信号を解析することによつて複数のパターンM1、
M2、M3のうちの特定のパターンM2の位置を認識す
るパターン認識装置において、走査手段1〜9の走査に
より得られるアナログ信号の波形を、物体M上の走査位
置に対応させて記憶する記憶手段12と、記憶手段12
に記憶されたアナログ信号の波形を読み出すと共に、ア
ナログ信号の微分波形を求める微分手段18(SP10
1)と、複数のパターンM1、M2、M3の所定間隔に
対応した量Fa、Fbだけ微分波形を走査の方向にシフ
トさせた波形と元の波形とを合成して、特定のパターン
M2に対応した波形部分を他のパターンM1、M3に対
応した波形部分によつて強調した合成波形を出力する波
形合成手段18(SP103)と、合成波形の強調され
た波形部分を検出することによつて特定のパターンM2
の位置を識別する識別手段17とを設けるようにした。
【0014】また第2の発明においては、ほぼ同一形状
のパターンM1、M2、M3の複数を位置検出すべき方
向に所定間隔で形成した物体Wを保持する保持手段ST
と、複数のパターンM1、M2、M3を含む物体W上の
所定範囲を位置検出方向に走査して、所定範囲内の光学
的な特性変化に応じてレベル変化するアナログ信号を出
力する走査手段1〜9とを有し、アナログ信号を解析す
ることによつて複数のパターンM1、M2、M3のうち
の特定のパターンM2の位置を認識するパターン認識装
置において、走査手段1〜9の走査により得られるアナ
ログ信号の波形を、物体M上の走査位置に対応させて記
憶する記憶手段12と、記憶手段12に記憶されたアナ
ログ信号の波形を読み出すと共に、アナログ信号の微分
波形を求めると共に、微分波形に重みを付ける重み付け
微分波形を送出する波形整形手段18(SP101、S
P102)と、複数のパターンM1、M2、M3の所定
間隔に対応した量Fa、Fbだけ重み付け微分波形を走
査の方向にシフトさせた波形と元の波形とを合成して、
特定のパターンM2に対応した波形部分を他のパターン
M1、M3に対応した波形部分によつて強調した合成波
形を出力する波形合成手段18(SP103)と、合成
波形の強調された波形部分を検出することによつて特定
のパターンM2の位置を識別する識別手段17とを設け
るようにした。
【0015】
【作用】走査手段1〜9の相対走査によつて得られるア
ナログ信号の波形を、パターン認識する為の前処理とし
て微分又は微分に加えて重み付けした後、複数のパター
ンM1、M2、M3あるいは単なるエツジの設計上の間
隔量Fa、Fbだけ、間隔方向にシフトさせた波形とシ
フト前の波形とを加算(又は乗算)によつて合成するこ
とで、特定パターンM2の波形上の位置に対応した部分
波形のみを強調することができ、かくして元々のアナロ
グ信号に重畳してくるノイズが多い場合でも、合成波形
上では相対的にS/N比が向上し、高速かつ高精度で特
定パターンM2を認識し得る。
【0016】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0017】(1)実施例の原理 この発明においては、基本的に次の2つの事項を前提と
している。すなわち物体上にほぼ同一形状のパターン
(又は単なるエツジ)の複数(2つ以上)を位置検出方
向に設計上で決めた所定の間隔で形成しておき、続いて
それら複数のパターンを位置検出方向に関して走査し
て、各パターンの光学的又は物理的な特性変化に応じた
アナログ信号を得るようになされている。
【0018】この構成を有するものであれば、原理的に
はどのような分野にも応用できるが、ここでは半導体製
造装置又は半導体検査装置のアライメントセンサに本発
明を適用した場合に限つて実施例を説明する。このよう
な構成を備えた投影露光装置用のアライメント方式は、
たとえば特開昭60−256002号公報に開示され、
公知であるので、アライメントセンサについて以下図
1、図2を用いて簡単に説明する。
【0019】(2)第1の実施例 図1は本発明の第1の実施例によるパターン認識装置が
アライメントセンサとして適用される投影露光装置の構
成を示し、回路パターンを有するレチクルRとウエハW
との間には、少なくともウエハ側(像側)がテレセント
リツクな投影レンズPLが設けられ、ウエハWはステツ
プアンドリピート露光時、あるいはアライメント時に2
次元的にx、y移動するようにステージST上に載置さ
れる。このウエハWにはレチクルRとのアライメントの
ために、例えば複数本の回折格子状マークからなるマー
クWMが形成される。
【0020】図2はウエハW上でのマーク配置を示し、
ここではy方向に伸びた同一形状の3本のマークM1、
M2、M3がx方向に間隔D1、D2で形成されている
ものとする。マークM1、M2、M3の夫々はy方向に
微小な矩形要素(凸部、又は凹部)を1:1のデユーテ
イで1列に並べた回折格子でなり、これらの光ビームを
垂直方向から照射すると、y軸とz軸(ウエハ面と垂
直)とを含む面内で広がつて反射する回折光が得られ
る。
【0021】実際上図1において、レーザ光源1からの
レーザビームLBはシリンドリカルレンズ2、ビームス
プリツタ3、(対物レンズ4、及びミラー5を介して投
影レンズPLの瞳epの中心に向かつて入射する。投影
レンズPLはウエハW上にレーザビームLBを垂直に照
射させ、ウエハW上には図2に示したようにy方向に伸
びたシート状(又はスリツト状)のスポツト光SPが結
像する。
【0022】ウエハW上のスポツト光照射部から生じる
光情報は、投影レンズPLを介して元の照明光路を逆進
し、ミラー5、対物レンズ4を介してビームスプリツタ
3で反射され、リレー系6を通つて空間フイルター7に
達する。リレー系6は空間フイルター7の位置に投影レ
ンズPLの瞳epの像を結像するもので、空間フイルタ
ー7は瞳epと共役に配置される。空間フイルター7は
ウエハWからの光情報のうち、マークWM(M1、M
2、M3)からの特定次数の回折光(又は散乱光)のみ
を空間的に分離抽出するもので、抽出された回折光等は
集光レンズ8によつて光電素子(フオトマル等)9の受
光面に集められる。
【0023】増幅器(AMP)10は光電素子9からの
光電信号を一定量だけ増幅し、増幅された光電信号はア
ナログデジタル変換器(ADC)11に入力し、信号レ
ベルに応じたデジタル値に変換される。このデジタル値
は信号波形記憶(取り込み)用のメモリ(RAM)12
に順次格納される。ADC11の変換タイミングやRA
M12のアドレス設定はカウンタ回路(CNT)13に
よつて行なわれる。
【0024】CNT13は、ステージSTの位置を計測
するレーザ干渉計14からのアツプダウンパルス信号
(例えばステージSTが0.01〔μm〕移動する毎に
1パルスとなる信号)をステージコントローラ15を介
して入力する。またウエハステージSTの移動はステー
ジコントローラ15の管理のもとにモータ16で行なわ
れ、ステージSTの移動位置決めは主制御部(CPU)
17とステージコントローラ16との間で指令や情報を
やり取りすることによつて行なわれる。高速演算専用の
プロセツサ(BSP)18はRAM12に取り込まれた
信号波形の特徴等に基づいて、マークWMの位置を高速
に算出し、その結果をCPU17に出力する。
【0025】CPU17は決定された位置を基準にし
て、干渉計14の計測座標値をモニタしながらステージ
STを任意の位置に移動させる。具体的には、レチクル
Rの回路パターンの投影像がウエハW上の所定の領域
(シヨツト領域)と合致するように位置決めする。なお
CNT13によるRAM12のアドレス指定は、ADC
11からの波形データを書き込む時だけ行なわれ、RA
M12からデータを読み出す時はBSP18がCNT1
3の代りにアドレス指定を行なう。また図1では模式的
に示したがレーザビームLBのスポツト光SPはX方向
用とY方向用の2組が投影レンズPLを介してウエハW
へ投射され、干渉用14もX方向用とY方向用との2軸
が設けられている。
【0026】図3はX方向用、Y方向用のスポツト光S
PX、SPYの投影レンズフイールドIF内での平面配
置を示し、投影レンズPLの光軸が通る点をXY座標系
の原点と仮定し、そのX軸とY軸の夫々にレーザ干渉計
の測長軸が一致しているものとする。Y方向に伸びたス
ポツト光SPXはY軸上のフイールドIF内の周辺に固
定され、X方向に伸びたスポツト光SPYはX軸上のフ
イールドIF内の周辺に固定されるが、必らずしも正確
ではない。
【0027】一方、レチクルRの回路パターン領域PA
の中心RCも、レチクルアライメント時の残留誤差やシ
ステムオフセツトによつて投影レンズPLの光軸(XY
座標系の原点)とは必ずしも一致していない。そこでレ
チクルRがステツパに装着されてアライメントされた
後、レチクルRの中心Rcとスポツト光SPXとのX方
向のずれ量ΔBXと、中心RCとスポツト光SPYとの
Y方向のずれ量ΔBYとを、他のアライメントセンサや
ステージSP上の基準マークを用いて予め測定してお
く。このずれ量(ΔBX、ΔBY)はベースライン量と
呼ばれるもので、以降そのレチクルRが変換されるま
で、又はベースライン量の再測定が行なわれるまで、C
PU17内に定数として記憶される。
【0028】さてスポツト光SPとマークWMとの相対
走査によつて光電素子9から発生したアナログ信号波形
はデジタルデータとしてRAM12に記憶されるが、そ
の相対走査の範囲は、図2においてはマークWMのX方
向の全幅とウエハWのプリアライメント精度とを考慮し
て決められる。CPU17は、RAM12に波形データ
を書き込み始めたときのステージSTの座標位置(X
0)を記憶する。こうしてRAM12に書き込まれた波
形データのアドレス値はステージSTの0.01〔μ
m〕毎の位置と一義的に対応したものとなる。
【0029】BSP18はその波形データを処理するも
のであるが、この実施例ではそれを全てプログラムされ
たソフトウエアによる演算で実行する。以後この実施例
ではマークWM内の中央のマークM2を検出すべき特定
のパターンとして考えることにし、図2に示されている
ように、マークM1とM2のX方向の中心間隔D1とマ
ークM2とM3の中心間隔D2とは、パターン認識上有
利になるように異なつた値(ここではD1<D2)にし
ておく。
【0030】なおより好しくは各マークM1、M2、M
3のX方向の幅をLとしたとき、D1<D2+Lの条件
とするのがよい。もちろん、各マークM1、M2、M3
に対応した信号波形部分が全て分離するようにマーク幅
L、スポツト光SPの幅、及び間隔D1、D2の各値が
決められる。
【0031】次に図4、図5を参照して、BSP18の
波形処理を説明する。図4はBSP18内の処理アルゴ
リズムの流れを示し、図5はRAM12内の波形データ
とその処理の様子を示す。図5(A)は、図2のように
スポツト光SPがマークM1から順にマークM3まで相
対走査したときにRAM12内に得られた波形データを
示し、以後、これを原波形データと呼ぶ。図5で横軸は
X方向の走査位置に対応したRAM12のアドレス値
(1番地あたり0.01〔μm〕)を表し、縦軸は信号
強度Sを表す。
【0032】図5(A)のように、原波形データはサン
プリング・ポイント数をSDとして、RAM12内のア
ドレス値MSからMS+SDまでの間に格納されている
ものとする。またRAM12内には原波形をパターン認
識する為の前処理(微分処理及び重み付け処理)をした
パターン認識波形及びシフト加算をした後の波形データ
を格納するための領域が確保されており、それはアドレ
ス値M0からM0+SDにあるものとする。
【0033】さてBSP18内には、RAM12のアド
レス指定のために複数のアドレスポインタIXn(n=
0、1、2、3……)が設定されているものとする。さ
らにBSP18内には、マークM位置とM2の中心間隔
D1〔μm〕に対応したポイント数(アドレス数)Fa
と、マークM2とM3の中心間隔D2〔μm〕に対応し
たポイント数Fbとが予めセツトされている。
【0034】図4に示すように、BSP18はステツプ
SP100において、ポインターIX0には原波形デー
タ上のスタートアドレス値MSをセツトし、ポインター
IX1にはパターン認識波形のスタートアドレス値M
S′をセツトし、ポインターIX2にはパターン認識波
形データ上のスタートアドレス値MS′からポイント数
Faを差し引いた値(MS′−Fa)をセツトし、ポイ
ンターIX3にはパターン認識波形データ上のスタート
アドレス値MS′にポイント数Fbを加算した値(M
S′+Fb)をセツトし、ポインターIX4には、加算
合成した結果の波形データを格納するためのスタートア
ドレス値M0をセツトするとともに、処理ポイント数S
Dをカウントするレジスタrに零をセツトする。
【0035】次にBSP18はステツプSP101でR
AM12に記憶された原波形データを微分波形データに
変換する。Siは原波形のi番目のデータ、Djは微分
フイルタのj番目の係数、Si′は原波形のi番目のデ
ータの微分後のデータである。続いてBSP18は次の
ステツプ102で求めた微分波形のデータ列に重み付け
をする。Wiは微分波形データのi番目に掛ける重み係
数であり、Si″′は重み付け後の微分波形データとな
る。ここで重み付け用の係数は任意に設定して良く、例
えばガウス波形を用いた重み係数を設定すれば微分波形
データ列の中心部を強調し、周辺部の影響を弱くした波
形データとなる。
【0036】さらにBSP18は、ステツプSP103
でRAM12に記憶された原波形データ中から3つのア
ドレス値に格納されているデータRAM(IX1+
r)、RAM(IX2+r)、RAM(IX3+r)を
読み出して加算し、その加算値をデータDTとして求め
る。そしてBSP18は次のステツプSP104におい
て、そのデータDTをRAM12のアドレス(IX4+
r)へ格納した後、レジスタrをインクリメント(r+
1)する。
【0037】続いてBSP18は、ステツプSP105
でレジスタrのカウント数がSDよりも大きくなつたか
否かを判定し、小さいときは再びステツプSP103か
らの動作を実行する。またこのステツプSP105でr
>SDが真と判断されると、シフト加算の演算は全て終
了し、RAM12のアドレスM0〜M0+SDには、図
5(E)に示すように、図5(B)のパターン認識波形
データに対してFaだけ右にずれた図5(C)の波形デ
ータと、Fbだけ左にずれた図5(D)の波形データと
が加算された波形データが格納される。なおこのフロー
チヤートは一例であり、同等の機能をはたすものであれ
ば、どのようなアルゴリズムでもかまわない。
【0038】この後BSP18は図5(E)の波形デー
タから、最も大きな波高値を示すポイント位置PXを求
め、そのポイント位置PXに対応した原波形データ上の
ポイント位置(アドレス値)を決定する。実際にマーク
M2の中心位置を決定するには、図5(E)の波形デー
タを使う場合と、図5(A)の原波形データを使う場合
との2通りが考えられる。
【0039】図5(E)の合成波形を用いた場合は、3
つのマークM1、M2、M3の夫々に対応した波形部分
の微分後の加算であるために、個々の波形歪みの影響に
よつて合成波形部分の歪みが大きくなることもある。従
つて、精密にマークM2の位置を検出するには、原波形
データに基づいて波形解析を行なつた方が好ましく、図
5(E)の合成波形はあくまでも真のマークのサーチ
(認識)目的のためだけに使つた方がよい。
【0040】もちろん波形歪みが少ない場合等は、合成
波形の波形解析によつてマーク位置を決定してもよい。
原波形を用いた一般的な波形解析とては、特定のマーク
波形部分の立上りと立下りで、最も急峻な部分に対応し
たレベルでスライスを行ない、そのスライスレベルと波
形立上り部、波形立下り部の各交点位置を求め、その中
点をマークM2の中心位置として算出する手法、マーク
波形部分の立上り、立下りを低いスライスレベルと比較
して2つの交点位置を求め、その間の波形の重心(積分
値を1/2にする位置)を中心位置とする手法がある。
【0041】以上この実施例ではマークM1、M2、M
3の各間隔D1、D2を異なつた値にしたため、パター
ン認識波形データを正方向にFaだけシフトした波形デ
ータと、負方向にFbだけシフトした波形データとの合
成波形は、位置PXでのみ3つのマーク波形部分が合成
されて強調されることになり、認識が極めて容易にな
る。
【0042】もちろんマーク間隔はD1=D2としても
全く同様にして特定マークの認識ができる。しかしなが
ら、3つのマーク波形部分に信号強度差が生じた場合、
あるいはマークM1、M2、M3以外の部分に強いノイ
ズが発生した場合には、検出能力(波形の強調度)が低
下する可能性もある。さらにサーチ用のマークは最低2
本あれば、同様に波形合成による強調化が可能である
が、本実施例のように、少なくとも3本のマークが異な
つた間隔で配置されたとき、極めて強い認識力を持つ。
【0043】その一例を図6を参照して説明する。すな
わち図6(A)は原波形データを示し、ここでは特定マ
ークM2に対応した波形部分のレベルが、他のマークM
1、M3の夫々に対応した波形部分のレベルと比べて小
さくなり、かつ、ノイズNによる波形部分が特定マーク
M2に対して−2Faの位置に、信号強度(マークM
1、M3)と同程のレベルで混在するという、極めて悪
い条件を想定する。
【0044】従来のように原波形データのみを解析して
マークM2を認識しようとする場合、極めて高い確立で
マークM1をマークM2と誤認識してしまう。ところが
本実施例のように、微分処理後(図6(B))、重み係
数(図6(C))を微分波形に掛けたパターン認識波形
(図6(D))に対して正方向にFaだけシフトさせた
図6(E)の波形データと、負方向にFbだけシフトさ
せた図6(F)の波形データとの3つを加算すると図6
(G)のような合成波形が得られ、位置C0で最大値S
0が得られる。
【0045】ここで図6(D)、(B)、(F)から明
らかなように、位置C0ではマークM1、M2、M3の
3つの部分波形が全て合成されるのに対し、図6(E)
のうち位置C0の左側に現われる次に大きな合成波形
は、マークM1とノイズNの各部分波形の合成によつて
得られたものであり、図6(F)のようにマークM2の
部分波形はそこから(Fa−Fb)だけずれるために合
成には寄与しない。
【0046】従つて、たとえ大きなノイズNがたまたま
設計間隔(Fa、又はFb)だけ離れた位置に現れたと
してもこの実施例による波形合成の手法を使うと、極め
て容易に特定マークを認識することができる。
【0047】(3)第2の実施例 次に本発明の第2の実施例を、図7、図8、図9を参照
して説明する。この実施例では、ウエハW上のパターン
を撮像素子で検出して、そのビデオ信号を波形解析する
方式のアライメントセンサーを用いる。撮像素子として
はビジコン等の撮像管でも全く同じであるが、ここでは
2次元CCDカメラを用いるものとする。
【0048】図7に示すように、ウエハW上のパターン
は、テレセントリツクな対物レンズ30、ビームスプリ
ツタ31、結像用レンズ系32、共役指標板33、及び
再結像レンズ34を介してCCDカメラ35の撮像面上
に拡大結像される。またウエハWへの照明は、フアイバ
ー束36の射出端を対物レンズ30の瞳面epに配置し
たケーラー照明法で行なう。さらに指標板33は透明ガ
ラス上に遮光層で指標マークを形成したものであり、C
CDカメラ35からのビデオ信号をCRT上に表示する
と、図8のように観察される。
【0049】図8でフレームFRの左右には指標マーク
RMa、RMbが位置し、その間にウエハW上のマーク
MA、MBが存在するようにプリアライメントされる。
CCDカメラ35の水平走査線をSL1……SLnとす
ると、指標マークRMa、RMbとウエハマークMA、
MBとは、水平走査線と直交する方向の直線エツジで構
成される。またマークMA、MBの走査線方向の幅は互
いに異なるように決められ、さらにマークMAとMBの
間のスペース幅もそれらマーク幅とは異なるように決め
られている。
【0050】ここでのアライメントは、図8のようにウ
エハWを位置決めしたときのステージSTの座標値(X
0、Y0)を記憶し、その状態で指標マークRMaとR
Mbとの中点と、例えばマークMA、MBの間のスペー
ス部の中点との走査線方向の位置ずれ量(Δx)を波形
処理によつて求め、先に記憶した座標値X0をΔXだけ
補正しておくことで完了する。
【0051】図9は1本の水平走査線に沿つて得られた
ビデオ信号波形の一例を示し、走査方向はx方向と一致
しているものとする。ビデオ波形上の左右には指標マー
クRMa、RMb(黒レベル)に対応した波形部分RE
a、REbが生じる。この波形部分はウエハW上の光学
的な特性変化とはほとんど無関係に、常に良好なコント
ラストで現れる。
【0052】しかしながらウエハW上のパターンについ
ては照明光の波長やパターンの材質、表面処理等によつ
てかならずしもきれいな波形にはならない。図9におい
て、ビデオ波形はマークMAの左右のエツジでボトム波
形AEl、AErとなり、マークMBの左右のエツジで
ボトム波形BEl、BErとなる。このようにマークエ
ツジでボトムになるのは明視野観察の場合であつて、例
えば観察光路中の瞳面epに正反射光(0次光)カツト
用の空間フイルターを入れた暗視野観察では、マークエ
ツジのところでピーク波形となる。
【0053】さてCCDカメラを用いた場合も、水平走
査線内の各画素毎に信号レベルをデジタル値に変換して
フレームメモリ等に記憶すれば、後の処理は第1の実施
例と全く同様に実行できる。CCDカメラのビデオ信号
を使う場合、通常はフレームFR内の2本以上の水平走
査線の夫々に対応したビデオ波形を垂直方向の画素につ
いて加算して平均化する処理が行なわれる。
【0054】従つて平均化された後のビデオ波形に対し
て、ボトム波形REaとREbとの間の波形のみを抽出
して、第1の実施例と同様に横シフト合成を行なうとよ
い。一例として、マークMAの幅に対応した水平画素数
Qa、マークMBの幅に対応した水平画素数をQb、そ
してマークMAとMBの間のスペース幅に対応した画素
数をQcとしたとき、Qb/Qc=1.5、Qa/Qc
=2.0に設定した場合を想定する。図9を原波形とし
て、前処理を行つた後、これに対して右(アドレス増加
方向)に画素数Qc分だけシフトした右シフト波形と、
原波形に対して左に画素数Qbだけシフトした左シフト
波形とをそれぞれ加算すると、原波形上のボトム波形B
Elの位置で、右シフト波形上のボトム波形AErと左
シフト波形上のボトム波形BErとが重なつて強調さ
れ、他の位置では全く重なり合うボトム波形が生じな
い。
【0055】従つてこの例ではボトム波形BElが特定
のマークエツジ位置として認識される。この位置がわか
れば、ボトム波形AErの位置もかわるので、原波形上
でボトム波形AErとBElとの中点を求めればよい。
なおここでは1つのボトム波形部分がマークの1つのエ
ツジに対応するとして考えたが、マーク幅そのものが極
めて小さくなると、マークの左右のエツジは1つのボト
ム波形として現われるので、極めて細い線状マークの複
数本にしても全く同じ処理が可能である。
【0056】以上の構成によれば、CCDカメラ等の2
次元撮像素子を用いる場合、多数の走査線からのビデオ
波形の平均化と、横シフト加算とを混在させることもで
きる。例えばフレームFR内で水平走査線30本分のビ
デオ波形を抽出する場合、2本おきに10本分のビデオ
波形は原波形として使い、他の2本おきの10本分のビ
デオ波形は例えば右シフト波形として使い、残りの2本
おきの10本分のビデオ波形は左シフト波形として使
い、計30本分のビデオ波形を加算合成しても同様に特
定マーク、又は特定エツジで強調された波形が得られ
る。ただしより精密にマーク位置を求めるには、原波形
信号のみを再度解析するのが好しい。
【0057】図10は他のマーク形状による変形例であ
り、図10中SL1、SL2、SL3は、レーザビーム
のスポツト(シート状、又は単なる円)の走査線、ある
いはテレビカメラの水平走査線を表し、マークMCは台
形状で左右のエツジE1、E2は走査線に対して45°
だけ傾いている。3本の走査線SL1、SL2、SL3
の夫々は走査と直交する方向に一定間隔Kだけ離れてい
る。
【0058】そこで例えばエツジE1を認識するには、
走査線SL1に沿つて得られた信号を原波形とし、走査
線SL2に沿つて得られた信号波形を右へKだけシフト
し、走査線SL3に沿つて得られた信号波形を右へ2K
だけシフトして、それぞれ前処理実施後合成すればよ
い。エツジE2の認識には、左シフトを同様に行なえば
よい。
【0059】(4)他の実施例 なお上述の実施例では、いずれも光電信号(ビデオ信
号)を処理する場合について説明したが、これに代え電
子ビームのスポツトを物体上で走査して特定のパターン
やエツジ位置を認識する場合でも全く同様に実施でき
る。この場合、物体から生じる2次電子や散乱電子の量
が、電子ビームの走査位置に応じて変化することから、
同様のアナログ信号が得られる。
【0060】また同様のアナログ信号を得る形式として
は、対物レンズを介して拡大されたマーク像を微小スリ
ツトで走査し、そのスリツト透過光をフオトマル等で光
電検出する方式、そのスリツトは固定したまま、対物レ
ンズからのマーク像の光束をスリツトの幅方向にミラー
等で揺動する方式等が同様に適用される。さらにレーザ
ビームを回転ポリゴンミラー、カルバノミラー等で偏向
し、テレセントリツク対物レンズを介してスポツト光に
集光させて一次元走査する方式でもよい。この場合、レ
ーザビームの偏向角(偏向位置)に同期してサンプリン
グパルスを発生させれば、走査位置に対応した信号波形
データがメモリに抽出される。
【0061】さらに上述の実施例においては、合成波形
を得るのにシフト加算を行なつたが、その他シフトした
波形とシフト前の波形との乗算によつても同様の効果が
得られる。ただしソフトウエア上のプログラム処理では
単純な加算に比べて多少時間がかかるといつた難点もあ
る。
【0062】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、検出した
アナログ信号の強度変化やノイズ等による擬似信号に対
しても、常に高いパターン認識力を持たせることがで
き、かくして物体上の広い領域から特定パターンのみを
確実に検出することができるパターン認識装置を実現で
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G06F 15/62 405 C 9287−5L

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ほぼ同一形状のパターンの複数を位置検出
    すべき方向に所定間隔で形成した物体を保持する保持手
    段と、前記複数のパターンを含む前記物体上の所定範囲
    を前記位置検出方向に走査して、該所定範囲内の光学的
    な特性変化に応じてレベル変化するアナログ信号を出力
    する走査手段とを有し、該アナログ信号を解析すること
    によつて前記複数のパターンのうちの特定のパターンの
    位置を認識するパターン認識装置において、 前記走査手段の走査により得られる前記アナログ信号の
    波形を、前記物体上の走査位置に対応させて記憶する記
    憶手段と、 該記憶手段に記憶された前記アナログ信号の波形を読み
    出すと共に、該アナログ信号の微分波形を求める微分手
    段と、 前記複数のパターンの所定間隔に対応した量だけ前記微
    分波形を前記走査の方向にシフトさせた波形と元の波形
    とを合成して、前記特定のパターンに対応した波形部分
    を他のパターンに対応した波形部分によつて強調した合
    成波形を出力する波形合成手段と、 前記合成波形の強調された波形部分を検出することによ
    つて前記特定のパターンの位置を識別する識別手段とを
    具えることを特徴とするパターン認識装置。
  2. 【請求項2】ほぼ同一形状のパターンの複数を位置検出
    すべき方向に所定間隔で形成した物体を保持する保持手
    段と、前記複数のパターンを含む前記物体上の所定範囲
    を前記位置検出方向に走査して、該所定範囲内の光学的
    な特性変化に応してレベル変化するアナログ信号を出力
    する走査手段とを有し、該アナログ信号を解析すること
    によつて前記複数のパターンのうちの特定のパターンの
    位置を認識するパターン認識装置において、 前記走査手段の走査により得られる前記アナログ信号の
    波形を、前記物体上の走査位置に対応させて記憶する記
    憶手段と、 該記憶手段に記憶された前記アナログ信号の波形を読み
    出すと共に、該アナログ信号の微分波形を求めると共
    に、該微分波形に重みを付ける重み付け微分波形を送出
    する波形整形手段と、 前記複数のパターンの所定間隔に対応した量だけ前記重
    み付け微分波形を前記走査の方向にシフトさせた波形と
    元の波形とを合成して、前記特定のパターンに対応した
    波形部分を他のパターンに対応した波形部分によつて強
    調した合成波形を出力する波形合成手段と、 前記合成波形の強調された波形部分を検出することによ
    つて前記特定のパターンの位置を識別する識別手段とを
    具えることを特徴とするパターン認識装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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