JPH06112614A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH06112614A JPH06112614A JP4258377A JP25837792A JPH06112614A JP H06112614 A JPH06112614 A JP H06112614A JP 4258377 A JP4258377 A JP 4258377A JP 25837792 A JP25837792 A JP 25837792A JP H06112614 A JPH06112614 A JP H06112614A
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- conductive path
- integrated circuit
- current
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 過電流検出を行うにあたって、温度変化に対
して極めて安定した状態で電流検出を行うことができる
混成集積回路装置を提供することを目的とする。 【構成】 金属基板（１）上に絶縁樹脂層（２）を介し
て形成された導電路（３）に電流検出用抵抗素子（５）
を含む複数の回路素子（４）（７）が接続された混成集
積回路装置の電流検出用抵抗素子（５）の温度係数を約
１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの合金材とし、導電路（３Ａ）
間に配置された島状の導電路（３Ｘ）と接続して抵抗体
（５）を導電路（３Ａ）と接続する。
して極めて安定した状態で電流検出を行うことができる
混成集積回路装置を提供することを目的とする。 【構成】 金属基板（１）上に絶縁樹脂層（２）を介し
て形成された導電路（３）に電流検出用抵抗素子（５）
を含む複数の回路素子（４）（７）が接続された混成集
積回路装置の電流検出用抵抗素子（５）の温度係数を約
１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの合金材とし、導電路（３Ａ）
間に配置された島状の導電路（３Ｘ）と接続して抵抗体
（５）を導電路（３Ａ）と接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置に関
し、特に抵抗温度係数が極めて低い合金材よりなる抵抗
体をワイヤーボンディング接続で混成集積回路基板上に
接続する混成集積回路装置に関する。
し、特に抵抗温度係数が極めて低い合金材よりなる抵抗
体をワイヤーボンディング接続で混成集積回路基板上に
接続する混成集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電流検出を行う手段の１としてブ
リッジ回路がある。この電流検出用のブリッジ回路は周
知の如く、ブリッジの平衡条件を利用して電流検出を行
うものであり、その回路について簡単に説明すると（図
３参照）、電流検出用の抵抗Ｒ 0（２１）にある電流Ｉ0
が流れているとする。この電流Ｉ0の最大値が抵抗Ｒ
0（２１）に流れたときにブリッジが平衡となる様に各
抵抗Ｒ1（２２），Ｒ2（２３），Ｒ3（２５），Ｒ4（２
４）を設定する。このブリッジ回路の抵抗Ｒ0（２１）
に電流Ｉ0の最大値以下の電流が流れたとするとコンパ
レータ（２６）から「Ｌ」レベルの信号が出力され、抵
抗Ｒ0（２１）に電流Ｉ0の最大値以上の電流が流れたと
するとコンパレータ（２６）への入力の電圧が逆転し
「Ｈ」レベルの信号が出力され電流Ｉ0を遮断し回路を
保護する。
リッジ回路がある。この電流検出用のブリッジ回路は周
知の如く、ブリッジの平衡条件を利用して電流検出を行
うものであり、その回路について簡単に説明すると（図
３参照）、電流検出用の抵抗Ｒ 0（２１）にある電流Ｉ0
が流れているとする。この電流Ｉ0の最大値が抵抗Ｒ
0（２１）に流れたときにブリッジが平衡となる様に各
抵抗Ｒ1（２２），Ｒ2（２３），Ｒ3（２５），Ｒ4（２
４）を設定する。このブリッジ回路の抵抗Ｒ0（２１）
に電流Ｉ0の最大値以下の電流が流れたとするとコンパ
レータ（２６）から「Ｌ」レベルの信号が出力され、抵
抗Ｒ0（２１）に電流Ｉ0の最大値以上の電流が流れたと
するとコンパレータ（２６）への入力の電圧が逆転し
「Ｈ」レベルの信号が出力され電流Ｉ0を遮断し回路を
保護する。
【０００３】この様なブリッジ回路は特開昭５３−９７
４７０号公報に記載されている。上述のブリッジ回路を
混成集積回路基板上に搭載形成した場合、電流Ｉ0を検
出する電流検出抵抗Ｒ0の抵抗体としては、Ｎｉメッキ
抵抗が主として用いられている。しかしながら、Ｎｉメ
ッキは溶断電流が小さいので小さい電流の検出は行える
が大電流の検出を行う際には溶断電流を大とするために
抵抗体面積を大きくするかあるいは厚みを厚くしなけれ
ばならないので、基板実装面積の縮小、メッキ処理時間
が長くなるという問題があり、例えば４０Ａという大電
流を検出するのは略不可能とされていた。
４７０号公報に記載されている。上述のブリッジ回路を
混成集積回路基板上に搭載形成した場合、電流Ｉ0を検
出する電流検出抵抗Ｒ0の抵抗体としては、Ｎｉメッキ
抵抗が主として用いられている。しかしながら、Ｎｉメ
ッキは溶断電流が小さいので小さい電流の検出は行える
が大電流の検出を行う際には溶断電流を大とするために
抵抗体面積を大きくするかあるいは厚みを厚くしなけれ
ばならないので、基板実装面積の縮小、メッキ処理時間
が長くなるという問題があり、例えば４０Ａという大電
流を検出するのは略不可能とされていた。
【０００４】斯上の問題を解消するために電流検出抵抗
Ｒ0の抵抗体溶断電流の大きい銅箔あるいはＡｇペース
トを用いることにより解消することができる。
Ｒ0の抵抗体溶断電流の大きい銅箔あるいはＡｇペース
トを用いることにより解消することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】溶断電流の大きいＡｇ
ペーストあるいは銅箔を用いることで大電流を検出する
ことは可能である。確かに銅箔の比抵抗が０．５ｍΩ，
Ａｇペーストの比抵抗３７ｍΩと小さいので大電流を流
すことができる。しかしながら、Ａｇペーストはペース
ト材にＡｇの粉末を混入しスクリーン印刷等により形成
するために抵抗面積が大きくなる問題があり、更に銅箔
をプリント基板上に形成し大電流を流すと熱によりプリ
ント基板が変形する問題点があった。
ペーストあるいは銅箔を用いることで大電流を検出する
ことは可能である。確かに銅箔の比抵抗が０．５ｍΩ，
Ａｇペーストの比抵抗３７ｍΩと小さいので大電流を流
すことができる。しかしながら、Ａｇペーストはペース
ト材にＡｇの粉末を混入しスクリーン印刷等により形成
するために抵抗面積が大きくなる問題があり、更に銅箔
をプリント基板上に形成し大電流を流すと熱によりプリ
ント基板が変形する問題点があった。
【０００６】また銅箔はエッチング時のサイドエッチン
グ及び銅箔の圧延工程での厚みのバラツキにより一定し
た抵抗が得られないので検出抵抗として用いることがで
きない問題点がある。更に銅箔及びＡｇペーストのＴＣ
Ｒ（抵抗温度係数）が３８００±２００ｐｐｍ及び２１
５０±１５０ｐｐｍと非常に高いので基板温度の変化に
対して抵抗のバラツキが極めて大きいため電流を正確に
検出することが行えない問題がある。かかる問題を解決
するためには別途温度補正用の補正回路が必要となり、
電流検出回路が複雑となる新たな問題が発生する。
グ及び銅箔の圧延工程での厚みのバラツキにより一定し
た抵抗が得られないので検出抵抗として用いることがで
きない問題点がある。更に銅箔及びＡｇペーストのＴＣ
Ｒ（抵抗温度係数）が３８００±２００ｐｐｍ及び２１
５０±１５０ｐｐｍと非常に高いので基板温度の変化に
対して抵抗のバラツキが極めて大きいため電流を正確に
検出することが行えない問題がある。かかる問題を解決
するためには別途温度補正用の補正回路が必要となり、
電流検出回路が複雑となる新たな問題が発生する。
【０００７】この発明は、上述した課題に鑑みて為され
たもので、この発明の目的は、温度変化に対しても極め
て安定した電流検出が可能な混成集積回路装置を提供す
ることを目的とする。
たもので、この発明の目的は、温度変化に対しても極め
て安定した電流検出が可能な混成集積回路装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、金属基板上に絶縁樹脂層を介して銅箔により形成
された所望形状の導電路に抵抗温度係数が約１ｐｐｍ〜
５００ｐｐｍの合金材のワイヤ線状の電流検出用抵抗体
を含む複数の回路素子が接続された混成集積回路装置の
電流検出用抵抗体が接続される導電路間に独立した複数
の島状の導電路が設けられ、抵抗体を島状の導電路と接
続して導電路間に配置したことを特徴としている。
目的を達成するため、この発明に係わる混成集積回路装
置は、金属基板上に絶縁樹脂層を介して銅箔により形成
された所望形状の導電路に抵抗温度係数が約１ｐｐｍ〜
５００ｐｐｍの合金材のワイヤ線状の電流検出用抵抗体
を含む複数の回路素子が接続された混成集積回路装置の
電流検出用抵抗体が接続される導電路間に独立した複数
の島状の導電路が設けられ、抵抗体を島状の導電路と接
続して導電路間に配置したことを特徴としている。
【０００９】
【作用】以上のように構成される混成集積回路装置にお
いては、電流検出用抵抗に用いられる抵抗体の抵抗温度
係数が約１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍという極めて低い合金
材が用いられていることにより、温度変化に対して抵抗
値が変動せず安定した電流検出を行うことができる。
いては、電流検出用抵抗に用いられる抵抗体の抵抗温度
係数が約１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍという極めて低い合金
材が用いられていることにより、温度変化に対して抵抗
値が変動せず安定した電流検出を行うことができる。
【００１０】また、抵抗体自体がワイヤ線であるために
容易に導電路と接続することができる。さらに、抵抗体
が接続される導電路間に複数の島状の導電路が配置さ
れ、その島状の導電路と接続して抵抗体が導電路と接続
されることにより、抵抗体に生じる熱を放出することが
できる。
容易に導電路と接続することができる。さらに、抵抗体
が接続される導電路間に複数の島状の導電路が配置さ
れ、その島状の導電路と接続して抵抗体が導電路と接続
されることにより、抵抗体に生じる熱を放出することが
できる。
【００１１】
【実施例】以下に、図１に示した実施例に基づいて、本
発明の混成集積回路装置について詳述する。本発明の混
成集積回路装置は、図１に示す如く、金属基板（１）
と、その基板（１）上に貼着された絶縁樹脂層（２）
と、その樹脂層（２）上に形成された所望形状の導電路
（３）と、その導電路（３）に接続されたパワー半導体
素子（４）と、そのパワー半導体素子（４）に流れる電
流を検出する電流検出抵抗素子（５）とから構成され
る。
発明の混成集積回路装置について詳述する。本発明の混
成集積回路装置は、図１に示す如く、金属基板（１）
と、その基板（１）上に貼着された絶縁樹脂層（２）
と、その樹脂層（２）上に形成された所望形状の導電路
（３）と、その導電路（３）に接続されたパワー半導体
素子（４）と、そのパワー半導体素子（４）に流れる電
流を検出する電流検出抵抗素子（５）とから構成され
る。
【００１２】金属基板（１）はアルミニウム、銅等の基
板が用いられ、この実施例においては、アルミニウム基
板が用いられている。このアルミニウム基板の表面に
は、図示されないが、酸化アルミニウム膜が形成されて
いる。尚、この酸化膜は形成しなくとも別に支障はな
い。この金属基板（１）の一主面上にエポキシ樹脂ある
いはポリイミド樹脂と銅箔とが一体化されたクラッド材
をホットプレス等の加圧手段を用いて貼着する。そし
て、銅箔を所望形状にエッチングし所望形状の導電路
（３）が形成される。この実施例で形成される導電路
（３）は図１からでは明らかにされないが、図２に示す
インバータ回路が形成されている。
板が用いられ、この実施例においては、アルミニウム基
板が用いられている。このアルミニウム基板の表面に
は、図示されないが、酸化アルミニウム膜が形成されて
いる。尚、この酸化膜は形成しなくとも別に支障はな
い。この金属基板（１）の一主面上にエポキシ樹脂ある
いはポリイミド樹脂と銅箔とが一体化されたクラッド材
をホットプレス等の加圧手段を用いて貼着する。そし
て、銅箔を所望形状にエッチングし所望形状の導電路
（３）が形成される。この実施例で形成される導電路
（３）は図１からでは明らかにされないが、図２に示す
インバータ回路が形成されている。
【００１３】ところで、このインバータ回路は、インバ
ータ回路の負荷となるモータＭの回転速度、回転方向等
のデータＤIN並びに後述する過電流検出回路の信号を入
力してインバータ制御信号を生成する制御回路（１１）
と、この制御回路（１１）の信号出力および過電流検出
回路の信号入力のためのバッファ（１２）と、インバー
タ回路を形成するスイッチング素子Ｑ11〜Ｑ16と、この
スイッチング素子Ｑ11〜Ｑ16をオン・オフ制御するドラ
イバ（１３）と、慣流ダイオードＤ11〜Ｄ16と、電流検
出抵抗Ｒ0と、その抵抗Ｒ0の両端に接続された過電流検
出回路（１４）とから構成される。
ータ回路の負荷となるモータＭの回転速度、回転方向等
のデータＤIN並びに後述する過電流検出回路の信号を入
力してインバータ制御信号を生成する制御回路（１１）
と、この制御回路（１１）の信号出力および過電流検出
回路の信号入力のためのバッファ（１２）と、インバー
タ回路を形成するスイッチング素子Ｑ11〜Ｑ16と、この
スイッチング素子Ｑ11〜Ｑ16をオン・オフ制御するドラ
イバ（１３）と、慣流ダイオードＤ11〜Ｄ16と、電流検
出抵抗Ｒ0と、その抵抗Ｒ0の両端に接続された過電流検
出回路（１４）とから構成される。
【００１４】その動作について簡単に説明する。マイク
ロコンピュータあるいはＤＳＰにより構成される制御回
路（１１）はＤ INとして入力される回転速度設定信号に
応じた周波数であって、それぞれ１２０度の位相差を有
する３つのパルス幅化正弦波とこのパルス幅化正弦波に
対してそれぞれ１８０度位相が遅れた３つのパルスを生
成する。
ロコンピュータあるいはＤＳＰにより構成される制御回
路（１１）はＤ INとして入力される回転速度設定信号に
応じた周波数であって、それぞれ１２０度の位相差を有
する３つのパルス幅化正弦波とこのパルス幅化正弦波に
対してそれぞれ１８０度位相が遅れた３つのパルスを生
成する。
【００１５】それぞれ１２０度の位相差を有する３つの
パルス幅化正弦波はバッファ（１２）、ホトカプラＰＣ
11〜ＰＣinおよびドライバ（１３）を介してインバータ
回路を形成する上側アームのスイッチング素子Ｑ11，Ｑ
13，Ｑ15の制御電極に入力され、これらをオン・オフ制
御する。また、このパルス幅化正弦波に対してそれぞれ
１８０度位相が遅れたパルスは同様に下側アームのスイ
ッチング素子Ｑ12，Ｑ 14，Ｑ16をオン・オフ制御する。
パルス幅化正弦波はバッファ（１２）、ホトカプラＰＣ
11〜ＰＣinおよびドライバ（１３）を介してインバータ
回路を形成する上側アームのスイッチング素子Ｑ11，Ｑ
13，Ｑ15の制御電極に入力され、これらをオン・オフ制
御する。また、このパルス幅化正弦波に対してそれぞれ
１８０度位相が遅れたパルスは同様に下側アームのスイ
ッチング素子Ｑ12，Ｑ 14，Ｑ16をオン・オフ制御する。
【００１６】従って、それぞれ１２０度の位相差を有す
る３つのパルス幅化正弦波とこのパルス幅化正弦波に対
してそれぞれ１８０度位相が遅れた３つのパルスにより
オン・オフ制御されるインバータ回路の出力端子、即ち
スイッチング素子Ｑ11とＱ12、スイッチング素子Ｑ13と
Ｑ14、スイッチング素子Ｑ15、Ｑ16の接続点には３相の
パルス幅化正弦波電圧が得られ、モータＭに流れる負荷
電流は正弦波に近似したものとなる。
る３つのパルス幅化正弦波とこのパルス幅化正弦波に対
してそれぞれ１８０度位相が遅れた３つのパルスにより
オン・オフ制御されるインバータ回路の出力端子、即ち
スイッチング素子Ｑ11とＱ12、スイッチング素子Ｑ13と
Ｑ14、スイッチング素子Ｑ15、Ｑ16の接続点には３相の
パルス幅化正弦波電圧が得られ、モータＭに流れる負荷
電流は正弦波に近似したものとなる。
【００１７】モータの過負荷、直列スイッチング素子の
同時導通、その他に起因する過電流は抵抗Ｒ0および過
電流検出回路（１４）により検出され、ホトカプラＰＣ
10、バッファ（１２）を介して制御回路（１１）に入力
される。制御回路（１１）はこの過電流検出信号に基づ
いて一定期間パルス出力を停止する等の保護動作を行
う。
同時導通、その他に起因する過電流は抵抗Ｒ0および過
電流検出回路（１４）により検出され、ホトカプラＰＣ
10、バッファ（１２）を介して制御回路（１１）に入力
される。制御回路（１１）はこの過電流検出信号に基づ
いて一定期間パルス出力を停止する等の保護動作を行
う。
【００１８】上記インバータ回路のスイッチング素子と
しては、例えばパワートランジスタ、パワーＭＯＳある
いはＩＧＢＴ等の半導体素子（４）が用いられる。その
半導体素子（４）は銅等のヒートシンク材（６）を介し
て導電路（３）上に半田等のろう材により固着され、そ
の周辺に延在された導電路（３）と半導体素子（４）と
がワイヤー線によって接続される。そして、その周辺に
は制御回路（１１）、ドライバ（１３）および過電流検
出回路（１４）等を構成するためにトランジスタ、チッ
プ抵抗等の複数の回路素子（７）が搭載され、図２に示
すインバータ回路が構成される。
しては、例えばパワートランジスタ、パワーＭＯＳある
いはＩＧＢＴ等の半導体素子（４）が用いられる。その
半導体素子（４）は銅等のヒートシンク材（６）を介し
て導電路（３）上に半田等のろう材により固着され、そ
の周辺に延在された導電路（３）と半導体素子（４）と
がワイヤー線によって接続される。そして、その周辺に
は制御回路（１１）、ドライバ（１３）および過電流検
出回路（１４）等を構成するためにトランジスタ、チッ
プ抵抗等の複数の回路素子（７）が搭載され、図２に示
すインバータ回路が構成される。
【００１９】この発明の特徴とするところは、例えば、
上記インバータ回路を構成するスイッチング素子に流れ
る過電流を検出するための電流検出抵抗素子（５）にあ
る。即ち、電流検出用抵抗体（５）を従来の如き、銅箔
又はＮｉメッキ、Ａｇペースト等の金属箔あるいはメッ
キでなくワイヤ線を用いるところにある。抵抗体（５）
は過電流検出を温度変化に関係することなく安定した状
態で行うために、抵抗温度係数が極めて低い金属材料が
用いられる。温度変化に関係することなく安定した電流
検出を行うためには、抵抗体（５）の抵抗温度係数を少
なくとも１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲内の金属材料を
用いることが好ましい。例えば、銅−ニッケル合金でＣ
ｕ５５％、Ｎｉ４５％の合金の抵抗温度係数は１５ｐｐ
ｍとなり、Ｃｕ５８％、Ｎｉ４２％の合金の抵抗温度係
数は略ゼロである。又、銅−マンガン合金でＣｕ５０〜
８５％、Ｍｎ１２〜３０％、Ｎｉ２〜１６％の合金では
抵抗温度係数は１ｐｐｍである。その他、抵抗温度係数
の低い合金としてはニッケル−クロム合金がある。本実
施例では、抵抗体（５）の材料として、上記した銅−ニ
ッケル合金が用いられている。
上記インバータ回路を構成するスイッチング素子に流れ
る過電流を検出するための電流検出抵抗素子（５）にあ
る。即ち、電流検出用抵抗体（５）を従来の如き、銅箔
又はＮｉメッキ、Ａｇペースト等の金属箔あるいはメッ
キでなくワイヤ線を用いるところにある。抵抗体（５）
は過電流検出を温度変化に関係することなく安定した状
態で行うために、抵抗温度係数が極めて低い金属材料が
用いられる。温度変化に関係することなく安定した電流
検出を行うためには、抵抗体（５）の抵抗温度係数を少
なくとも１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲内の金属材料を
用いることが好ましい。例えば、銅−ニッケル合金でＣ
ｕ５５％、Ｎｉ４５％の合金の抵抗温度係数は１５ｐｐ
ｍとなり、Ｃｕ５８％、Ｎｉ４２％の合金の抵抗温度係
数は略ゼロである。又、銅−マンガン合金でＣｕ５０〜
８５％、Ｍｎ１２〜３０％、Ｎｉ２〜１６％の合金では
抵抗温度係数は１ｐｐｍである。その他、抵抗温度係数
の低い合金としてはニッケル−クロム合金がある。本実
施例では、抵抗体（５）の材料として、上記した銅−ニ
ッケル合金が用いられている。
【００２０】上述したワイヤ線状の抵抗体（５）はパワ
ー用導電路（３Ａ）（３Ａ）間に超音波ボンディング接
続され検出抵抗となる。導電路（３Ａ）（３Ａ）間には
複数の独立した島状の導電路（３Ｘ）が形成される。抵
抗体（５）はかかる島状の導電路（３Ｘ）と接続されて
導電路（３Ａ）（３Ａ）間に接続される。島状の導電路
（３Ｘ）は抵抗体（５）が発熱したとき熱を基板（１）
へ伝導させる役割を行う。即ち、島状の導電路（３Ｘ）
と接続することなく、導電路（３Ａ）（３Ａ）を接続す
る抵抗体では発熱による熱がワイヤ線の中央部に集中
し、熱によって抵抗値が変化したり溶断したりする不具
合がある。しかし、本発明では、ワイヤ線状の抵抗体
（５）は、上述したように複数の島状の導電路（３Ｘ）
と接続されるために、熱は導電路（３Ｘ）から基板
（１）へ伝導され熱による影響はあまりない。
ー用導電路（３Ａ）（３Ａ）間に超音波ボンディング接
続され検出抵抗となる。導電路（３Ａ）（３Ａ）間には
複数の独立した島状の導電路（３Ｘ）が形成される。抵
抗体（５）はかかる島状の導電路（３Ｘ）と接続されて
導電路（３Ａ）（３Ａ）間に接続される。島状の導電路
（３Ｘ）は抵抗体（５）が発熱したとき熱を基板（１）
へ伝導させる役割を行う。即ち、島状の導電路（３Ｘ）
と接続することなく、導電路（３Ａ）（３Ａ）を接続す
る抵抗体では発熱による熱がワイヤ線の中央部に集中
し、熱によって抵抗値が変化したり溶断したりする不具
合がある。しかし、本発明では、ワイヤ線状の抵抗体
（５）は、上述したように複数の島状の導電路（３Ｘ）
と接続されるために、熱は導電路（３Ｘ）から基板
（１）へ伝導され熱による影響はあまりない。
【００２１】ところで、抵抗体（５）が接続された導電
路（３Ａ）の近傍には抵抗体（５）の電圧信号が印加さ
れる導電路（３Ｂ）が延在形成される。導電路（３Ｂ）
は導電路（３Ａ）とワイヤ線によって接続され所定の電
圧信号が導電路（３Ｂ）に印加される。電圧信号を変化
させる場合には、島状の導電路（３Ｘ）と導電路（３
Ｂ）とをワイヤ線で接続してもよい。
路（３Ａ）の近傍には抵抗体（５）の電圧信号が印加さ
れる導電路（３Ｂ）が延在形成される。導電路（３Ｂ）
は導電路（３Ａ）とワイヤ線によって接続され所定の電
圧信号が導電路（３Ｂ）に印加される。電圧信号を変化
させる場合には、島状の導電路（３Ｘ）と導電路（３
Ｂ）とをワイヤ線で接続してもよい。
【００２２】小信号用の導電路（３Ｂ）は図１からでは
明らかにされないが過電流検出回路の一部に延在接続さ
れ、スイッチング素子に過電流が流れた場合に過電流検
出回路に所定の電圧信号が印加され、スイッチング素子
破壊を防止することができる。
明らかにされないが過電流検出回路の一部に延在接続さ
れ、スイッチング素子に過電流が流れた場合に過電流検
出回路に所定の電圧信号が印加され、スイッチング素子
破壊を防止することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
抵抗体の抵抗温度係数が１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲
内の合金を用いていることにより、温度変化が発生した
場合であっても抵抗体の被抵抗値が温度変化にあまり影
響されないために極めて安定した電流検出を行うことが
可能となる。その結果、極めて信頼性のある混成集積回
路装置を提供することができ、そのメリットは大であ
る。
抵抗体の抵抗温度係数が１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲
内の合金を用いていることにより、温度変化が発生した
場合であっても抵抗体の被抵抗値が温度変化にあまり影
響されないために極めて安定した電流検出を行うことが
可能となる。その結果、極めて信頼性のある混成集積回
路装置を提供することができ、そのメリットは大であ
る。
【００２４】また、本発明では、抵抗体がワイヤ線であ
るため極めて容易に導電路間に接続することができ作業
能率が低下することはない。さらに、本発明では、導電
路間に複数の島状の導電路が配置され、その島状の導電
路と接続されて抵抗体が接続されることにより、抵抗体
に生じる熱を基板側に伝導することができ熱による悪影
響を受けることがない。
るため極めて容易に導電路間に接続することができ作業
能率が低下することはない。さらに、本発明では、導電
路間に複数の島状の導電路が配置され、その島状の導電
路と接続されて抵抗体が接続されることにより、抵抗体
に生じる熱を基板側に伝導することができ熱による悪影
響を受けることがない。
【００２５】さらに、本発明に依れば、温度補正回路が
不要であるために温度に関係なく安定に制御することが
できる。
不要であるために温度に関係なく安定に制御することが
できる。
【図１】本発明の混成集積回路装置を示す斜視拡大図で
ある。
ある。
【図２】本実施例で用いられるインバータ回路を示す図
である。
である。
【図３】電流検出用ブリッジ回路図である。
（１） 金属基板 （２） 絶縁樹脂層 （３） 導電路 （４） パワー素子 （５） 電流検出用抵抗体
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基板上に絶縁樹脂層を介して銅箔に
より形成された所望形状の導電路に電流検出用抵抗体を
含む複数の回路素子が接続された混成集積回路装置にお
いて、 前記電流検出用抵抗体は、抵抗温度係数が極めて低い合
金材よりなるワイヤ線が用いられ、前記導電路上に超音
波ボンディング接続したことを特徴とする混成集積回路
装置。 - 【請求項２】 金属基板上に絶縁樹脂層を介して銅箔に
より形成された所望形状の導電路に電流検出用抵抗体を
含む複数の回路素子が接続された混成集積回路装置にお
いて、 前記電流検出用抵抗体が接続される前記導電路間に複数
の島状の導電路が設けられ、前記抵抗体を前記島状の導
電路と接続して前記導電路間に配置したことを特徴とす
る混成集積回路装置。 - 【請求項３】 金属基板上に絶縁樹脂層を介して銅箔に
より形成された所望形状の導電路に抵抗温度係数が約１
ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの合金材の電流検出用抵抗体を含
む複数の回路素子が接続された混成集積回路装置におい
て、前記電流検出用抵抗体が接続される前記導電路間に
独立した複数の島状の導電路が設けられ、前記抵抗体を
前記島状の導電路と接続して前記導電路間に配置したこ
とを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4258377A JPH06112614A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4258377A JPH06112614A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112614A true JPH06112614A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17319402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4258377A Pending JPH06112614A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112614A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2857505A1 (fr) * | 2003-07-11 | 2005-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance |
| JP2016528376A (ja) * | 2013-06-19 | 2016-09-15 | イザベレンヒュッテ ホイスラー ゲー・エム・ベー・ハー ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 抵抗合金、抵抗合金から製造される部材、およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP4258377A patent/JPH06112614A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2857505A1 (fr) * | 2003-07-11 | 2005-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance |
| JP2005033965A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュールおよび該モジュールの主回路電流値を計測する主回路電流計測システム |
| US7102376B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor module with detector for detecting main circuit current through power semiconductor element |
| CN100334705C (zh) * | 2003-07-11 | 2007-08-29 | 三菱电机株式会社 | 半导体功率模块和该模块的主电路电流测量系统 |
| JP2016528376A (ja) * | 2013-06-19 | 2016-09-15 | イザベレンヒュッテ ホイスラー ゲー・エム・ベー・ハー ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 抵抗合金、抵抗合金から製造される部材、およびその製造方法 |
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